專利名稱：一種摻鋁氧化鋅透明導電薄膜及其制備方法
一種摻鋁氧化鋅透明導電薄膜及其制備方法
技術領域：
本發明涉及半導體材料技術領域，具體涉及一種摻鋁氧化鋅透明導電薄膜，及其制備方法。
背景技術：
透明導電薄膜由于具有高導電性，能吸收紫外光，在可見光范圍內有很高的透光性，且在紅外光范圍有很高的反射性等諸多有點，而使其在便攜電子設備、柔性電子設備、太陽能電池、液晶顯示器、多功能窗口和有機發光二極管等領域得到廣泛的應用。目前透明導電材料很多，但生產工藝最成熟、應用最廣泛的主要是氧化銦錫(ITO) 和氟摻雜氧化錫(FTO)兩種，它們具有較高的導電率和在可見光區良好的光透過率。但它們兩者也具有一些較大的缺點，如ITO在氫等離子體氣氛中不穩定影響其應用，生產采用磁控濺射技術，薄膜制備成本高，且需要用到儲量有限的重金屬銦，不利于環保和不符合可持續發展的要求；FT0—般采用常壓化學氣相沉積(APCVD)的在線鍍膜法，需要用氟氣進行摻雜，會產生有毒氣體。因此，尋求新透明導電材料替代現有產品是目前需要解決的重要問題。理想化學計量比的ZnO為絕緣材料，由于本征缺陷的存在，使得ZnO成為一種η型寬帶隙的直接帶隙半導體。通過III族B、Al、Ga、In或VII族的F元素摻雜后，形成具有優異光電性能的ZnO基透明導電薄膜。其中，摻鋁氧化鋅(AZO)透明導電薄膜因其原料來源廣泛、無毒、成本低，具有僅次于ITO的高電導率，可見光范圍內超過90%的透過率和氫等離子體氣氛下穩定等優點，在光電領域具有廣泛的應用前景，被譽為最有可能替代ITO的新一代導電薄膜。當前制備AZO透明導電薄膜的方法有很多，主要分為物理方法和濕法制備兩種。其中，物理法中的磁控濺射是常用的AZO薄膜制備方法，具有沉積快、適合大面積制備等優點；但前期投入高、工藝復雜、靶材價格昂貴等缺點，使其達不到商品化的程度。濕法制備有噴霧法、溶膠凝膠法和電化學法等。濕法制備具有成本低、生長溫度低和可在分子水平控制摻雜含量等優點，是制備AZO的理想辦法。但同樣存在一些不足，如溶膠凝膠法需要用到有毒的有機溶劑，需要150°C 350°C預處理，不利于在柔性襯底(一般耐受溫度在200°C以下)上鍍膜；電化學法需要消耗電能，成本高，同時也不適合大面積生產。

發明內容本發明要解決的技術問題在于提供一種簡單、低成本、且能應用于柔性襯底的摻鋁氧化鋅透明導電薄膜制備方法。本發明一方面提供一種制備摻鋁氧化鋅透明導電薄膜的方法，包括以下步驟SlOl配制旋涂液將二水合醋酸鋅和鋁鹽溶于低沸點溶劑中，添加低沸點穩定劑和超純水，得到旋涂液，其中二水合醋酸鋅濃度為O. 05-0. 3mol/L，鋁鹽的量為二水合醋酸鋅摩爾量的1-5%，低沸點溶劑與水的體積比為1-5 1，低沸點穩定劑與水的體積比為
O.05-0. 2:1;S102旋涂鍍膜將旋涂液旋涂于經親水處理的基片上，得到薄膜前驅物；S103老化使薄膜前驅物在相對濕度60-80%的室溫環境中靜置老化10_48小時，得到經老化的薄膜前驅物；S104熱處理將經老化的薄膜前驅物在120_200°C熱處理10_60分鐘，得到氧化物 薄膜；S105氣氛退火將氧化物薄膜于惰性氣氛中，在150-60(TC退火10_60分鐘，使氧
化物薄膜原位晶化，得到摻鋁氧化鋅透明導電薄膜。所述鋁鹽可以選自九水合硝酸鋁、乙酰丙酮鋁、乙醇鋁、異丙醇鋁、丁醇鋁，或它們的任意組合。所述低沸點溶劑可以選自甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇，或它們的任任意組合。所述低沸點穩定劑可以選自甲酸、乙酸、丁酸，或它們的任意組合。所述基片可以由包括鈉鈣玻璃、硼酸玻璃、石英玻璃的硬質透明材料，或包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、米拉的柔性透明材料構成。一些實施方案中，所述方法還可以包括在步驟S104之后，重復步驟S 102、S103、S104至少一次的操作。所述經親水處理的基片可以如下制備依次使用洗滌靈、氨水-雙氧水混合液、水、鹽酸-雙氧水混合液、水超聲清洗基片，之后氣流吹干，得到經親水處理的基片。步驟S102可以采用一段或兩段轉速進行，當采用兩段轉速時，低速轉速為500-2000rpm，高速轉速為 1500_2500rpm。本發明另一方面還提供根據本發明的方法制備得到的摻鋁氧化鋅透明導電薄膜，所述薄膜中摻鋁氧化鋅顆粒的粒徑可以為5-15nm ;薄膜厚度可以為50_500nm ;摻鋁氧化鋅中招的摻雜量可以為1_5%。本發明具有如下有益效果采用低沸點溶劑、低沸點穩定劑以及易水解原料，可以在低溫下就分解完全，避免高溫處理，可應用于柔性襯底；通過氣氛退火，使薄膜經歷非晶原位晶化，得到的薄膜具有很強的附著力，有利于增加柔性襯底上薄膜的抗剝離能力；使用無毒或低毒試劑，避免對環境污染；與現有技術相比，本發明的制備方法原料來源廣泛、成本低、制備工藝簡單，制得的摻鋁氧化鋅透明導電薄膜氧化物晶粒粒徑小、透光率高、電阻率較小、鋁摻雜量和膜厚度可調。

圖I為根據本發明的方法制備AZO透明導電薄膜的流程圖。圖2a和2b分別為根據本發明實施例制備的AZO透明導電薄膜和正面和截面掃描電鏡圖。圖3a和3b分別為根據本發明實施例制備的AZO透明導電薄膜的紫外吸收和透射光譜圖。
具體實施方式

本發明采用濕法制備AZO透明導電薄膜，使用低沸點的溶劑、穩定劑，并利用易水解的原料，使得配制的旋涂液能夠在旋涂到經親水處理的基片表面時，得以快速水解，形成堿式氧化物或堿式鋅鹽；隨后經歷一定濕度條件下的老化過程，使得水解完全；水解完全的薄膜在經過熱處理之后，形成了氧化物薄膜；之后，通過氣氛退火步驟，使得氧化物薄膜經歷非晶原位晶化，最終形成摻鋁氧化鋅透明導電薄膜。本發明制備摻鋁氧化鋅透明導電薄膜的具體流程圖可參見圖I。從圖I中可見，制備AZO透明導電薄膜主要包括以下幾個步驟首先是S101，配制旋涂液。旋涂液采用低沸點溶劑、低沸點穩定劑和易水解原料來配制。將易水解原料溶于低沸點溶劑中，并添加低沸點穩定劑和超純水，混合后形成旋涂液。易水解原料為二水合醋酸鋅和鋁鹽，鋁鹽可以是九水合硝酸鋁、乙酰丙酮鋁、乙醇鋁、異丙醇鋁、丁醇鋁，等等，或是它們的混合物。 發明人發現，旋涂液中，二水合醋酸鋅的濃度對于水解速率有較大影響，濃度過小水解速度較慢，從而導致基底上有可能沒有或很少水解前驅物；而濃度過大則會導致醋酸鋅在旋涂的過程中析出，影響薄膜質量。因此，本發明的制備方法中，二水合醋酸鋅的濃度可以為 O. 05-0. 3mol/L。調節二水合醋酸鋅與鋁鹽的摩爾比，可以實現調節摻鋁氧化鋅薄膜中鋁的摻雜量。例如，鋁鹽的量為二水合醋酸鋅摩爾量的1_5%，如此，得到的摻鋁氧化鋅薄膜中，鋁的摻雜量則為 1_5%，S卩[Al/Zn] =1-5%。低沸點溶劑可以是甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇等沸點在100°C以下的低沸點醇類，或是它們的混合物。低沸點穩定劑可以是甲酸、乙酸、丁酸等沸點在100°c以下的低沸點有機酸，或是它們的混合物。使用有機酸穩定劑的作用在于維持旋涂液的弱酸性，從而避免易水解原料二水合醋酸鋅和鋁鹽在被旋涂至基片之前水解。旋涂液中，低沸點溶劑與水的體積比可以為1-5 1，低沸點穩定劑與水的體積比可以為 O. 05-0. 2 I。之后是步驟S102，旋涂鍍膜將上述配制的旋涂液旋涂至經親水處理的基片上，得到薄膜前驅物。當基片面積較大時，可以采用兩段轉速旋涂，以獲得平整而均勻的薄膜，其中低速轉速可以為500-2000rpm，高速轉速可以為1500_2500rpm。第一段轉速旋涂以使旋涂液在基體上均勻鋪展，第二段高速使多余的旋涂液甩出，并增加溶劑揮發，最后形成均勻的膜。當基片面積較小時，可直接使用一段旋涂。具體采用何種旋涂方式可以由本領域技術人員根據實際需要進行選擇。本發明所用的基片可以為硬質透明材料，例如鈉鈣玻璃、硼酸玻璃、石英玻璃等，也可以采用柔性透明材料，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、米拉等。將基片進行親水處理是為了增加旋涂液和基片的作用力，使得旋涂液可以浸潤基片表面，同時使得后續形成的薄膜與基片的結合力增強。基片的親水處理可以采用本領域常用的基片親水處理方法進行。或者，也可以采用本發明的方法進行，即依次使用洗滌靈、氨水-雙氧水混合液、水、鹽酸-雙氧水混合液、水超聲清洗基片，之后氣流吹干。具體地，先用洗滌靈清洗表面可見的污潰，并用自來水沖洗干凈；然后用超純水、氨水-雙氧水混合溶液浸泡，并超聲清洗，再用超純水沖洗；接著用超純水、鹽酸-雙氧水混合溶液浸泡超聲清洗，同樣用超純水沖洗干凈。在最后用超純水超聲清洗后，將基片保存在乙醇中備用，使用時用氣流吹干。當旋涂液被涂覆到經親水處理的基片表面時，低沸點的溶劑和低沸點的穩定劑將很各易 車發，弱Ife和醇類溶劑 車發掉之后，旋涂液中的易水解原料也將快速水解，從而在基片表面形成鋁和鋅的堿式氧化物或堿式鋅鹽的AZO薄膜前驅物。然而，由于旋涂操作較快，在旋涂過程中，并不是基片表面所有的質都轉變成AZO前驅物。由于基片的親水性質，基片表面上還存在一些殘留的鋅源及鋁源。 旋涂鍍膜過程可以采用一次旋涂，也可以采用多次旋涂。以獲得不同厚度的前軀體薄膜。之后在步驟S103，進行老化處理S卩，于室溫(通常為18_25°C )，使薄膜前驅物在一定濕度條件的環境中靜置老化一段時間。通常是在60-80%的相對濕度環境中，老化時間可以為10-48小時。經老化的薄膜前驅物中，易水解原料的水解更加完全，老化操作可以使基片表面上殘存的鋅源及鋁源完全水解轉變成AZO薄膜前驅物。隨后，進行S104的熱處理步驟即，熱處理經老化的薄膜前驅物，鋁和鋅的堿式氧化物或堿式鋅鹽的薄膜前驅物轉化成鋅和鋁的氧化物薄膜。熱處理步驟通常是在120-200°C的溫度進行10-60分鐘。為了獲得不同的膜厚度，可以在熱處理步驟S104之后，重復一次或更多次S102旋涂鍍膜、S103老化、S104熱處理的步驟，直至獲得需要的膜厚度。例如根據本發明的方法制備的AZO透明導電薄膜的厚度可以在50_500nm的范圍。熱處理之后，是步驟S105，氣氛退火在惰性氣氛中，使氧化物薄膜于150_600°C的溫度退火10-60分鐘。退火步驟的目的在于，使氧化物薄膜原位晶化，得到摻鋁氧化鋅透明導電薄膜。由于本發明所用有機物都是易揮發易除去的物質，因此在旋涂的過程中，溶劑、穩定劑等有機物絕大部分已經揮發，使得本方法能在退火過程的同時完成前驅物的轉變。并且由于本方法是使氧化物薄膜原位晶化成AZO透明導電薄膜，故形成的薄膜已經是致密化的。致密化有助于提高光的透過率，同時，由于顆粒與顆粒之間緊密連接，接觸電阻減少，有利于電子在顆粒與顆粒間的跳躍傳輸。退火溫度選擇在150 600°C之間，可以考慮不同基片，以及薄膜和基片的結合力，而采用不同的退火溫度。經氣氛退火之后，獲得的AZO透明導電薄膜中摻鋁氧化鋅晶粒的粒徑可以在5-15nm的范圍。這樣的粒徑范圍可以確保獲得的摻鋁氧化鋅薄膜具有足夠的致密性，從而具備良好的透明度和電導率。透明導電化合物的特點在于其可見光區透明的同時具有導電性，在傳統導體里，由于導帶和價帶不存在帶隙，其導電是通過自由電子產生，由于自由電子容易吸收可見光的能量，因此一般導電的物質是不透明的。而透明導電化合物由于是通過半導體摻雜，使得費米能級進入導帶，增加導帶的載流子濃度，從而導電，但它們導帶和價帶存在一定空隙，一般可見光能量不足以使電子從價帶躍遷到導帶，因此，它們在可見光區是透明的。正因如此，一般透明導電化合物的帶隙必須在3. OeV以上，才能保證其在可見光區透明；另一方面，由于實際應用當中，透明導電化合物一般用作光電器件的底層導電，為了不影響可見光的傳輸，譬如在光伏電池上，光敏層需要盡可能的吸收所有的光，其他涂層的盡可能不吸光，故透明導電化合物這層的透過率越高越好。實施例下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步詳細說明。原料與儀器二水合醋酸鋅、九水合硝酸鋁、乙酰丙酮鋁和乙醇鋁均購自國藥集團化學試劑有限公司。鈉鈣玻璃、硼酸玻璃、超白玻璃、米拉(Mylar)、聚酰亞胺(PI)購自深圳化試科技有限公司。旋涂儀為凱美特科學儀器KW-4A勻膠機。·透過率通過島津UV-3600紫外-可見光-近紅外分光光度計測試。具體操作是以基片作為參比，測試300-800nm可見光范圍內薄膜的透過率。載流子濃度通過島津UV-3600紫外-可見光-近紅外分光光度計測試薄膜在紫外區域的吸收，獲得薄膜的帶隙，然后通過帶隙展寬換算成載流子濃度。實施例I稱取二水合醋酸鋅O. 8g，九水合硝酸鋁O. 0137g,加入18ml乙醇，攪拌，然后加入6ml水和O. 6ml冰乙酸，形成澄清透明溶液。[Al/Zn]為I %，使用普通鈉鈣玻璃用作旋涂基片。基片經過洗滌靈清洗表面可見的污潰；自來水沖洗干凈。然后用超純水、氨水-雙氧水的混合溶液浸泡后超聲清洗；超純水沖洗。接著用超純水、鹽酸-雙氧水混合溶液浸泡超聲清洗；用超純水沖洗干凈。保存在乙醇當中，使用前氣流吹干。使用旋涂儀鍍膜。靜止下均勻滴加液體,首先在500rpm轉速下勻膠10秒,然后在1800rpm轉速下勻膠40秒,重復4次旋涂。鍍膜后的基片放入60% RH環境中室溫老化18h。經過老化的基片在160°C熱臺熱處理10分鐘后，重復旋涂鍍膜、老化、熱處理的操作，直至厚度為約lOOnm。450°C氮氣氛退火20min,制得摻招氧化鋅透明導電薄膜,粒徑5nm,膜厚度llOnm。該薄膜在可見光窗口 300nm-800nm范圍內透過率在80%以上，載流子濃度達3. 7 X IO1Vcm-30載流子濃度是可以與文獻中用其他濕法制備AZO薄膜通過同樣表征手段獲得的載流子濃度數量級上一致。實施例2與實施例I類似，區別僅在于九水合硝酸鋁的添加量為O. 0683g，熱處理溫度200°C。[Al/Zn]為 5%。實施例3與實施例I類似，區別僅在于九水合硝酸鋁的添加量為O. 0683g,穩定劑為O. 4ml甲酸。[Al/Zn]為 5%。實施例4稱取二水合醋酸鋅O. 75g、乙酰丙酮鋁O. 0222g,加入14ml甲醇，攪拌，然后加入4ml水和O. 2ml乙酸，形成澄清透明溶液。[Al/Zn]為2%。
使用硼酸玻璃用作旋涂基片，基片的親水處理方法同實施例I。使用旋涂儀鍍膜。靜止下均勻滴加液體，首先在600rpm轉速下勻膠18秒，然后在1600rpm轉速下勻膠50秒,重復4次旋涂。鍍膜后的基片放入70% RH環境中老化16h。經過老化的基片在150°C熱臺熱處理20分鐘后，重復旋涂鍍膜、老化、熱處理的操作，直至厚度為約lOOnm。500°C氮氣氛退火30分鐘，制得摻鋁氧化鋅薄膜。該薄膜在可見光300nm-800nm范圍內透過率在80%以上，載流子濃度達3. 7 X IO1Vcm-3O
實施例5與實施例4類似，區別僅在于溶劑為16ml異丙醇。實施例6稱取二水合醋酸鋅I. 58g、乙醇鋁O. 0350g,加入18ml乙醇，攪拌，然后加入6ml水和O. 6ml冰乙酸，形成澄清透明溶液。[Al/Zn]為3%。使用超白玻璃用作旋涂基片，基片處理方法同實施例I。使用旋涂儀鍍膜，靜止下均勻滴加液體，首先在600rpm轉速下勻膠18秒，然后在1600rpm轉速下勻膠50秒,重復4次旋涂。鍍膜后的基片放入70% RH環境中老化48h。經過老化的基片在150°C熱臺熱處理20分鐘后，重復旋涂鍍膜、老化、熱處理的操作，直至厚度約lOOnm。在500°C氮氣氛退火30min，制得摻鋁氧化鋅薄膜。該薄膜在可見光300nm-800nm范圍內透過率在80%以上，載流子濃度達3. 7 X IO1Vcm-3O實施例7稱取二水合醋酸鋅O. 75g，九水合硝酸鋁O. 0256g,加入18ml乙醇，攪拌，然后加入5ml水和O. 5ml甲酸，形成澄清透明溶液。[Al/Zn]為2%。使用米拉(Mylar)作為旋涂基片，基片處理方法同實施例I。使用旋涂儀鍍膜,靜止下均勻滴加液體,首先在700rpm轉速下勻膠15秒,然后在1600rpm轉速下勻膠50秒,重復4次旋涂。鍍膜后的基片放入70% RH環境中老化20h。經過老化的基片在150°C熱臺熱處理20分鐘后,重復旋涂鍍膜、老化、熱處理的操作,直至厚度為約lOOnm。在180°C氮氣氛退火30分鐘，制得摻鋁氧化鋅薄膜。該薄膜在可見光300nm-800nm范圍內透過率在80%以上，載流子濃度達
3.7 X IO1Vcm-3O實施例8稱取二水合醋酸鋅O. 13g，九水合硝酸鋁O. 0113g，加入IOml乙醇，攪拌，然后加入2ml水和O. Iml乙酸，形成透明澄清溶液。[Al/Zn]為5%。使用聚酰亞胺(PI)作旋涂基片，其余同實例7。實施例9
稱取二水合醋酸鋅O. 66g, 丁醇招O. 0148g,加入5ml異丙醇,攪拌,然后加入5ml水和Iml乙酸，形成透明澄清溶液。[Al/Zn]為2 %。其余同實例7。圖2a所示為實施例6制備的AZO透明導電薄膜的正面掃描電鏡圖。圖2b為其截面掃描電鏡圖。從圖中可見薄膜厚度為llOnm，粒徑約5nm。薄膜層粒徑小且均一，顆粒與顆粒間接觸緊密，致密性好。圖3a所示為根據本發明的實施例1-7制備得到的AZO透明導電薄膜在300_800nm波長范圍內的吸收光譜圖。圖3b為與圖3A對應的AZO透明導電薄膜在300nm-800nm波長范圍內的透光率圖。
從圖3a中可以看到，AZO薄膜在380nm處存在一個明顯的肩峰，通過換算可以知道帶隙約為3. 4eV,與ZnO帶隙一致。這一方面證明薄膜為AZ0，而不是氧化鋁或其他物質，另一方面透明導體的光學帶隙要在3. OeV以上，這樣才能保證其光學吸收在紫外區，在可見光范圍(400-700nm)是透明的。圖3b可以明顯看到在可見光范圍內，薄膜透過率均在80%以上，說明本發明的摻鋁氧化鋅薄膜具有良好的可見光透過率。本發明制備的透明導電摻鋁氧化鋅薄膜具有80%以上的可見光透過率，在使用中，可以大大減少器件中光在光路中的損耗。并且本發明所有方法簡單，成本比現有磁控濺射法低，能耗低。以上所述本發明的具體實施方式
，并不構成對本發明保護范圍的限定。任何根據本發明的技術構思所作出的各種其他相應的改變與變形，均應包含在本發明權利要求的保護范圍內。
權利要求
1.一種制備摻鋁氧化鋅透明導電薄膜的方法，包括以下步驟 SlOl配制旋涂液將二水合醋酸鋅和鋁鹽溶于低沸點溶劑中，添加低沸點穩定劑和超純水，得到旋涂液，其中二水合醋酸鋅濃度為O. 05-0. 3mol/L，鋁鹽的量為二水合醋酸鋅摩爾量的1_5%，低沸點溶劑與水的體積比為1-5 1，低沸點穩定劑與水的體積比為O.05-0. 2:1; S102旋涂鍍膜將旋涂液旋涂于經親水處理的基片上，得到薄膜前驅物； S103老化使薄膜前驅物在相對濕度60-80%的室溫環境中靜置老化10-48小時，得到經老化的薄膜前驅物； S104熱處理將經老化的薄膜前驅物在120-200°C熱處理10-60分鐘，得到氧化物薄膜； S105氣氛退火將氧化物薄膜于惰性氣氛中，在150-60(TC退火10-60分鐘，使氧化物薄膜原位晶化，得到摻鋁氧化鋅透明導電薄膜。
2.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，所述鋁鹽選自九水合硝酸鋁、乙酰丙酮鋁、乙醇鋁、異丙醇鋁、丁醇鋁，或它們的任意組合。
3.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，所述低沸點溶劑選自甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇，或它們的任任意組合。
4.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，所述低沸點穩定劑選自甲酸、乙酸、丁酸，或它們的任意組合。
5.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，所述基片由包括鈉鈣玻璃、硼酸玻璃、石英玻璃的硬質透明材料，或包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、米拉的柔性透明材料構成。
6.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，步驟S102包括一次旋涂鍍膜、兩次以上旋涂鍍膜。
7.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在步驟S104之后重復步驟S102、S103、S104至少一次的操作。
8.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，步驟S102中所述經親水處理的基片如下制備 依次使用洗滌靈、氨水-雙氧水混合液、水、鹽酸-雙氧水混合液、水超聲清洗基片，之后氣流吹干，得到經親水處理的基片。
9.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，步驟S102采用一段或兩段轉速進行，當采用兩段轉速時，低速轉速為500-2000rpm，高速轉速為1500-2500rpm。
10.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，所述摻鋁氧化鋅顆粒的粒徑為5-15nm，所述薄膜的厚度為50-500nm。
11.根據權利要求ι- ο中任一項所述的方法制備得到的摻鋁氧化鋅透明導電薄膜。
全文摘要
本發明涉及一種制備摻鋁氧化鋅透明導電薄膜的方法，采用低沸點溶劑和穩定劑與易水解原料配制旋涂液，旋涂于親水基片上，經老化、熱處理和氣氛退火步驟，得到AZO透明導電薄膜。本發明的方法原料易得、操作簡便、成本低、環境友好，且適用于柔性襯底。本發明還涉及由此制得的AZO透明導電薄膜，其致密性佳、電阻率較小、摻雜率和膜厚度可調，性能優異，在光電領域具有良好應用的前景。
文檔編號C23C18/12GK102943253SQ201210506069
公開日2013年2月27日 申請日期2012年11月30日 優先權日2012年11月30日
發明者孫蓉, 陳銳強, 朱朋莉, 趙濤 申請人:中國科學院深圳先進技術研究院