專利名稱：物理氣相沉積成膜設備工藝腔套件的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體集成電路制造設備，特別是涉及一種物理氣相沉積成膜設備工藝腔套件。
背景技術：
在半導體行業中，物理氣相沉積成膜工藝是一項應用非常廣泛的工藝方法，腔體的優劣直接關系成膜質量。目前使用的工藝腔套件的壓環(cover ring)采用雙環中空的結構，雙環結構主要用于套件位置固定，防止套件錯位的功能。如圖1所述為現有工藝腔套件在加熱臺工藝位置時的結構剖面圖，包括靜電吸附加熱臺(E-chuck heater) 11、娃片(wafer) 12、陶瓷環(Depo-ring) 13、壓環(Cover-ring) 14 及擋板(Low shield) 15,其中，硅片12放置在靜電吸附加熱臺11的上方，在所述靜電吸附加熱臺11外周有一環形凹槽，在所述的環形凹槽中安裝有一陶瓷環13，在所述陶瓷環13上可分離的安裝有一壓環(Cover-ring) 14,所述壓環14采用雙環中空的結構，在壓環14的下方，所述擋板15 (Low-shield)的頂端不接觸的設置在所述壓環14的雙環中間，所述擋板15為環形，所述擋板15的底端接地。此時，在所述硅片12、陶瓷環13及壓環14上積累了大量的電荷16。如圖2，為現有的工藝腔套件在加熱臺放電位置時的結構剖面圖，此時壓環14隨著靜電吸附加熱臺11的移動與擋板15相接觸，電荷16從壓環14移動到擋板15上，實現放電。但是，在現有技術中，當工藝腔套件使用次數過度時，會導致套件嚴重變形。在成膜沉積時，隨著壓環14上電荷16的不斷積累，造成壓環14雙環與擋板15之間造成尖端放電，形成高電流流過壓環14，擊穿成膜硅片12，嚴重時會擊碎硅片12。

實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種物理氣相沉積成膜設備工藝腔套件結構，能防止成膜時工藝腔套件尖端放電擊穿成膜硅片。為解決上述技術問題，本實用新型提供的一種物理氣相沉積成膜設備工藝腔套件，其特征在于，包括壓環、定位螺桿、陶瓷絕緣子、擋板及螺帽，其中所述定位螺桿的頂端固定在所述壓環上，所述定位螺桿的底端穿過所述陶瓷絕緣子，并在所述定位螺桿的底端加裝螺帽，用于限制擋板的移動，所述陶瓷絕緣子固定安裝在所述擋板上。進一步的，還包括靜電吸附加熱臺、硅片及陶瓷環，其中硅片放置在靜電吸附加熱 臺上方，陶瓷環固定安裝在所述靜電吸附加熱臺的凹槽上，所述壓環固定在所述陶瓷環上。進一步的，所述定位螺桿為兩個。進一步的，所述陶瓷絕緣子為兩個。本實用新型的物理氣相沉積成膜設備工藝腔套件，能有效的避免壓環雙環與擋板之間造成尖端放電，形成高電流流過壓環，擊穿成膜硅片，嚴重時會擊碎硅片的情況，提高工藝可靠性，節約成本。以下結合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明圖1是現有的工藝腔套件在加熱臺工藝位置時的結構剖面圖；圖2是現有的工藝腔套件在加熱臺放電位置時的結構剖面圖；圖3是本實用新型工藝腔套件在加熱臺工藝位置時的結構剖面圖；圖4是本實用新型工藝腔套件在加熱臺放電位置時的結構剖面圖；圖5是本實用新型工藝腔套件平面結構示意圖。主要結構
靜電吸附加熱臺11硅片12陶瓷環13 壓環14 擋板15電荷16靜電吸附加熱臺21硅片22陶瓷環23 壓環24擋板25定位螺桿26陶瓷絕緣子27螺帽28電荷29
具體實施方式
為使貴審查員對本實用新型的目的、特征及功效能夠有更進一步的了解與認識，以下配合附圖詳述如后。如圖3所示，為本實用新型工藝腔套件在加熱臺工藝位置時的結構剖面圖，包括靜電吸附加熱臺(E-chuck heater) 21、娃片(wafer) 22、陶瓷環(Depo-ring) 23、壓環(Cover-ring) 24、擋板(Low shield) 25、定位螺桿26、陶瓷絕緣子27及螺帽28，其中硅片22放置在靜電吸附加熱臺21的上方，在所述靜電吸附加熱臺21外周有一環形凹槽，在所述的環形凹槽中固定安裝有一陶瓷環23，在所述陶瓷環23上可分離的安裝有一壓環(Cover-ring) 24，所述壓環24采用單環結構，所述定位螺桿26的頂端固定在所述壓環24上，所述定位螺桿26的底端穿過所述陶瓷絕緣子27并在所述定位螺桿26的底端加裝螺帽28，用于限制擋板25的移動。所述陶瓷絕緣子27固定安裝在擋板25上，所述擋板25為環形，。由于增加了定位螺桿26，固定了壓板24及擋板25之間的相對位置，杜絕了兩者接觸短路的可能，避免了硅片被放電擊穿的風險。所述定位螺桿為26為兩個。如圖4所述，為本實用新型工藝腔套件在加熱臺放電位置時的結構剖面圖，此時壓環24隨著靜電吸附加熱臺21的移動與擋板25相接觸，電荷29從壓環24移動到擋板25上，實現放電。如圖5結合圖3所示，為本實用新型工藝腔套件的平面結構示意圖，如圖所示陶瓷環23設置在所述靜電吸附加熱臺21的外周凹槽內，所述壓環24可分離的安裝在所述陶瓷環23上。以上通過具體實施例對本實用新型進行了詳細的說明，但這些并非構成對本實用新型的限制。在不脫離本實用新型原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種物理氣相沉積成膜設備工藝腔套件，其特征在于，包括壓環、定位螺桿、陶瓷絕緣子、擋板及螺帽，其中所述定位螺桿的頂端固定在所述壓環上，所述定位螺桿的底端穿過所述陶瓷絕緣子，并在所述定位螺桿的底端加裝螺帽，用于限制擋板的移動，所述陶瓷絕緣子固定安裝在所述擋板上。
2.如權利要求1所述的物理氣相沉積成膜設備工藝腔套件，其特征在于還包括靜電吸附加熱臺、硅片及陶瓷環，其中硅片放置在靜電吸附加熱臺上方，陶瓷環固定安裝在所述靜電吸附加熱臺的環形凹槽上，所述壓環可分離的安裝在所述陶瓷環上。
3.如權利要求1所述的物理氣相沉積成膜設備工藝腔套件，其特征在于，所述定位螺桿為兩個。
4.如權利要求1所述的物理氣相沉積成膜設備工藝腔套件，其特征在于，所述陶瓷絕緣子為兩個。
專利摘要本實用新型公開了一種物理氣相沉積成膜設備工藝腔套件，包括壓環、定位螺桿、陶瓷絕緣子、擋板及螺帽，其中所述定位螺桿的頂端固定在所述壓環上，所述定位螺桿的底端穿過所述陶瓷絕緣子，并在所述定位螺桿的底端加裝螺帽，用于限制擋板的移動，所述陶瓷絕緣子固定安裝在所述擋板上。本實用新型能有效的避免壓環雙環與擋板之間造成尖端放電，形成高電流流過壓環，擊穿成膜硅片，嚴重時會擊碎硅片的情況，提高工藝可靠性，節約成本。
文檔編號C23C14/22GK202898518SQ201220501259
公開日2013年4月24日 申請日期2012年9月28日 優先權日2012年9月28日
發明者李文軍, 費強, 劉善善 申請人:上海華虹Nec電子有限公司