本發(fā)明涉及磨削光器件晶片等板狀物的磨削方法，特別是涉及對粘貼于支承部件的板狀物進(jìn)行磨削以加工至預(yù)定的厚度的板狀物的磨削方法。

背景技術(shù)：
近年來，為了實現(xiàn)小型輕量的光器件，要求使光器件晶片變薄。對于光器件晶片，在表面的由分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域形成光器件后，通過磨削背面來使光器件晶片變薄。為了保護(hù)光器件，一般是在薄化時在光器件晶片的表面粘貼保護(hù)帶（例如，參照專利文獻(xiàn)1）。可是，光器件晶片的剛性隨著變薄而顯著降低。因此，光器件晶片隨著進(jìn)行磨削處理而大幅翹曲，發(fā)生裂紋或裂縫等的可能性升高。而且，如果使光器件晶片的外周部刀刃化而變薄，則還存在在外周部發(fā)生裂縫或裂紋、缺口等的危險。為了消除與磨削相伴隨的上述問題，提出有將作為被加工物的光器件晶片粘貼于剛體的支承部件來進(jìn)行磨削的方法（例如，參照專利文獻(xiàn)2）。在該方法中，通過以由剛體構(gòu)成的支承部件支承光器件晶片，光器件晶片得到了加強(qiáng)，因此，抑制了磨削時的光器件晶片的翹曲等，從而能夠防止破損。專利文獻(xiàn)1：日本特開平5-198542號公報專利文獻(xiàn)2：日本特開2004-207606號公報在上述的磨削方法中，作為被加工物的光器件晶片例如通過作為固定劑的樹脂固定于支承部件的表面，并被磨削至預(yù)定的厚度。磨削后的光器件晶片通過在使樹脂軟化后物理地剝離而與支承部件分離。可是，由于變薄后的光器件晶片的剛性變得非常低，因此，在使支承部件剝離時，有導(dǎo)致光器件晶片破損的危險。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明正是鑒于該情況而作出的，其目的在于提供一種板狀物的磨削方法，能夠抑制在使支承部件從磨削得較薄的板狀物剝離時的板狀物的破損。本發(fā)明的板狀物的磨削方法是對粘貼在支承部件上的板狀物的背面進(jìn)行磨削以使其變薄至預(yù)定厚度的板狀物的磨削方法，所述板狀物的磨削方法的特征在于，所述板狀物的磨削方法包括：板狀物載置工序，在該板狀物載置工序中，對所述板狀物的表面和由金屬制成的支承部件的表面中的至少一方涂敷光硬化樹脂，使所述板狀物的表面與所述支承部件的表面面對，按壓所述板狀物，直至使所述板狀物埋沒于所述光硬化樹脂且光硬化樹脂在所述板狀物的整個外周的范圍隆起至所述板狀物的背面，由此載置所述板狀物，所述由金屬制成的支承部件形成為能夠通過來自外部的力而彎曲的厚度；板狀物固定工序，在該板狀物固定工序中，在實施了所述板狀物載置工序后，隔著所述板狀物對所述光硬化樹脂照射紫外線，從而將板狀物固定至所述支承部件上；薄化工序，在該薄化工序中，在實施了所述板狀物固定工序后，通過保持工作臺來保持所述支承部件側(cè)，并對板狀物的背面進(jìn)行磨削以使所述板狀物變薄至所述預(yù)定厚度；以及除去工序，在該除去工序中，在實施了所述薄化工序后，對所述光硬化樹脂進(jìn)行加熱或加水以使其軟化，保持所述板狀物的磨削面，使所述支承部件和光硬化樹脂彎曲而從所述板狀物剝離。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于以由金屬制成的支承部件支承板狀物，因此，磨削時的板狀物的撓曲得以抑制，從而能夠?qū)鍫钗锬ハ鞯幂^薄。而且，由于由金屬制成的支承部件形成為能夠通過來自外部的力彎曲的厚度，因此，能夠在剝離時使支承部件彎曲，從而提高板狀物與支承部件的剝離性。因此，能夠抑制在使支承部件從磨削得較薄的板狀物剝離時的板狀物的破損。優(yōu)選的是，在本發(fā)明的板狀物的磨削方法中，所述支承部件的涂敷光硬化樹脂的表面的表面粗糙度形成得比板狀物的粘貼面的表面粗糙度大，在剝離時將光硬化樹脂與所述支承部件一起剝離。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于支承部件的涂敷光硬化樹脂的表面的表面粗糙度形成得比板狀物的粘貼面的表面粗糙度大，因此，與板狀物和光硬化樹脂的緊密貼合性相比，提高了支承部件與光硬化樹脂的緊密貼合性。由此，能夠使支承部件和光硬化樹脂容易地從板狀物剝離。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種板狀物的磨削方法，能夠抑制在使支承部件從磨削得較薄的板狀物剝離時的板狀物的破損。附圖說明圖1A和圖1B是示出在本實施方式的載置工序中將光硬化樹脂涂敷于支承基板的情況的圖。圖2A和圖2B是示出在本實施方式的載置工序中按壓光器件晶片的情況的圖。圖3是示出在本實施方式的固定工序中對光硬化樹脂照射紫外光的情況的圖。圖4A和圖4B是示出在本實施方式的薄化工序中磨削光器件晶片的情況的圖。圖5A和圖5B是示出在本實施方式的除去工序中從光器件晶片剝離支承基板和光硬化樹脂的情況的圖。圖6是示出本實施方式涉及的光器件晶片的磨削方法的流程圖。標(biāo)號說明1：樹脂涂敷裝置；2：壓力裝置；3：紫外光照射裝置；4：磨削裝置；5：剝離裝置；11：噴嘴；21：卡盤工作臺；22：按壓部；31：載置臺；32：紫外光源；41：卡盤工作臺（保持工作臺）；42：磨削輪；43：磨削磨具；51：卡盤工作臺；C1、C2：旋轉(zhuǎn)軸線；R：光硬化樹脂；S：支承基板（支承部件）；S1、W1：表面；S2、W2：背面；S3、W4：一端部；UV：紫外光（紫外線）；W：光器件晶片（板狀物）；W3：磨削面。具體實施方式下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。本實施方式涉及的光器件晶片（板狀物）的磨削方法包括：載置工序（板狀物載置工序），在該載置工序（板狀物載置工序）中，將光器件晶片載置于支承基板（支承部件）；固定工序（板狀物固定工序），在該固定工序（板狀物固定工序）中，將光器件晶片固定于支承基板；薄化工序，在該薄化工序中，磨削光器件晶片使其變薄；以及除去工序，在該除去工序中，從光器件晶片剝離支承基板。在載置工序中，將光器件晶片按壓并載置于涂敷有光硬化樹脂的由金屬制成的支承基板。在固定工序中，通過照射紫外光（紫外線）使光硬化樹脂硬化來將光器件晶片固定于支承基板。在薄化工序中，對光器件晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削以使光器件晶片變薄。在除去工序中，在使光硬化樹脂軟化后使支承基板彎曲并將支承基板與光硬化樹脂一起從光器件晶片剝離。在本實施方式中使用的由金屬制成的支承基板同時具有薄化工序中的良好的支承性和除去工序中的良好的剝離性。由此，通過本實施方式涉及的光器件晶片的磨削方法，能夠在將光器件晶片磨削得較薄的基礎(chǔ)上容易地使支承基板剝離。下面，對本實施方式涉及的光器件晶片的磨削方法的詳細(xì)情況進(jìn)行說明。參照圖1A、圖1B和圖2A、圖2B對載置工序進(jìn)行說明。圖1A和圖1B是示出在載置工序中涂敷光硬化樹脂的情況的圖，圖2A和圖2B是示出在載置工序中按壓光器件晶片的情況的圖。如圖1A所示，首先，在樹脂涂敷裝置1中，在支承基板S的表面S1涂敷光硬化樹脂R。樹脂涂敷裝置1具備能夠朝向下方噴出液狀物的噴嘴11，從該噴嘴11噴出用于將光器件晶片W固定于支承基板S的作為固定劑的光硬化樹脂R。在涂敷光硬化樹脂R后，如圖1B所示，將光器件晶片W定位于支承基板S的上方。并且，以通過光器件晶片W和支承基板S夾持光硬化樹脂R的方式將光器件晶片W重疊在支承基板S的涂敷有光硬化樹脂R的區(qū)域上。作為被加工物（板狀物）的光器件晶片W具備這樣的結(jié)構(gòu)：在具有大致圓盤形狀的藍(lán)寶石基板的表面層疊有氮化鎵類化合物半導(dǎo)體層。在光器件晶片W的表面W1（在圖1中未圖示，參照圖2A和圖2B等）設(shè)有格子狀的分割預(yù)定線（未圖示），在由該分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域中形成有光器件（未圖示）。支承基板S是形成為能夠通過外力彎曲的厚度的具有大致圓盤形狀的鋁板。該支承基板S構(gòu)成為比光器件晶片W大的面積，以便能夠支承光器件晶片W的整體。支承基板S的表面S1的表面粗糙度比光器件晶片W的表面W1的表面粗糙度大。因此，支承基板S與光硬化樹脂R的接觸面積比光器件晶片W與光硬化樹脂R的接觸面積廣，光硬化樹脂R牢固地緊密貼合于支承基板S側(cè)。能夠通過例如噴砂或粗磨削處理等來增大表面粗糙度。光硬化樹脂R是通過照射紫外光而硬化的無溶劑的光硬化樹脂（光硬化性樹脂）。如圖1A所示，該光硬化樹脂R以從樹脂涂敷裝置1的噴嘴11滴下至支承基板S的表面S1的中央附近的方式進(jìn)行涂敷。另外，在本實施方式中，示出了使用無溶劑的光硬化樹脂R的例子，但是，只要能夠?qū)⒐馄骷琖固定于支承基板S，也可以使用其它的固定劑。例如，可以使用熱硬化樹脂（熱硬化性樹脂）等。如圖2A和圖2B所示，在將光器件晶片W重疊于支承基板S上后，利用壓力裝置2將光器件晶片W向支承基板S按壓。壓力裝置2具備卡盤工作臺21，該卡盤工作臺21具有由多孔質(zhì)陶瓷材料制成的吸附面。通過在卡盤工作臺21吸附支承基板S的背面S2，從而將支承基板S保持在卡盤工作臺21上。在卡盤工作臺21的上方，以能夠上下移動的方式設(shè)有用于按壓光器件晶片W的背面W2的按壓部22。如圖2A所示，通過使按壓部22與光器件晶片W的背面W2接觸并通過按壓部22施加向下的力，從而將光器件晶片W向下按壓。當(dāng)將光器件晶片W向下按壓時，光器件晶片W與支承基板S之間的間隔變窄，如箭頭A所示，光硬化樹脂R呈放射狀擴(kuò)展。當(dāng)進(jìn)一步增強(qiáng)按壓部22的按壓力時，如圖2B所示，使得光器件晶片W埋沒于光硬化樹脂R。當(dāng)如此使光器件晶片W埋沒于光硬化樹脂R時，成為光硬化樹脂R在光器件晶片W的整個外周隆起的狀態(tài)，光硬化樹脂R繞到光器件晶片W的背面W2側(cè)。通過隆起并繞至背面W2側(cè)的狀態(tài)下使光硬化樹脂R硬化，能夠?qū)⒐馄骷琖牢固地固定于支承基板S。接下來，參照圖3對固定工序進(jìn)行說明。圖3是示出在固定工序中對光硬化樹脂R照射紫外光UV的情況的圖。在上述的載置工序中載置了光器件晶片W的支承基板S被搬送至紫外光照射裝置3并被照射紫外光UV。紫外光照射裝置3具備供支承基板S配置的載置臺31和位于載置臺31的上方的紫外光源32。如圖3所示，在固定工序中，將支承基板S配置于載置臺31，從紫外光源32向光器件晶片W的背面W2側(cè)照射紫外光UV。光器件晶片W由使預(yù)定波長的紫外光UV透過的藍(lán)寶石基板構(gòu)成，照射的紫外光UV透過光器件晶片W到達(dá)光硬化樹脂R。隔著光器件晶片W照射了紫外光UV的光硬化樹脂R由于化學(xué)反應(yīng)而硬化，從而將光器件晶片W固定于支承基板S。另外，硬化后的光硬化樹脂R能夠在后面的薄化工序中與光器件晶片W一起磨削。接下來，參照圖4A和圖4B對薄化工序進(jìn)行說明。圖4A和圖4B是示出在薄化工序中磨削光器件晶片W的情況的圖。在固定工序中固定了光器件晶片W的支承基板S通過磨削裝置4磨削光器件晶片W的背面W2側(cè)。磨削裝置4具備卡盤工作臺（保持工作臺）41，該卡盤工作臺41具有由多孔質(zhì)陶瓷材料制成的吸附面。在卡盤工作臺41的下方設(shè)有未圖示的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，卡盤工作臺41繞旋轉(zhuǎn)軸線C1旋轉(zhuǎn)。利用該卡盤工作臺41吸附支承基板S的背面S2來保持支承基板S。在卡盤工作臺41的上方，以能夠上下移動的方式設(shè)有磨削輪42。在磨削輪42的上方設(shè)有未圖示的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，磨削輪42繞旋轉(zhuǎn)軸線C2旋轉(zhuǎn)。在磨削輪42的下部配置有磨削磨具43。如圖4A所示，通過在使磨削磨具43與光器件晶片W的背面W2接觸的狀態(tài)下使卡盤工作臺41與磨削輪42相對旋轉(zhuǎn)，從而磨削光器件晶片W的背面W2側(cè)。此時，在外周部隆起的光硬化樹脂R也同時被磨削。另外，磨削輪42以比卡盤工作臺41快的速度旋轉(zhuǎn)。在卡盤工作臺41的附近設(shè)有游標(biāo)高度尺（未圖示），從而能夠測量光器件晶片W的厚度。通過一邊利用該游標(biāo)高度尺測量光器件晶片W的厚度一邊進(jìn)行磨削，從而如圖4B所示地使光器件晶片W變薄為預(yù)定厚度。由于通過光硬化樹脂R加強(qiáng)了光器件晶片W的外周部，因而防止了由刀刃化引起的裂縫或裂紋、缺口等。在變薄后的光器件晶片W，通過磨削形成的磨削面W3露出。參照圖5A和圖5B對除去工序進(jìn)行說明。圖5A和圖5B是示出在除去工序中從光器件晶片W剝離支承基板S和光硬化樹脂R的情況的圖。在該除去工序中，通過剝離裝置5使支承基板S和光硬化樹脂R從變薄的光器件晶片W剝離。剝離裝置5具備卡盤工作臺51，該卡盤工作臺51具有由多孔質(zhì)陶瓷材料制成的吸附面。利用該卡盤工作臺51吸附在薄化工序中露出的光器件晶片W的磨削面W3。在卡盤工作臺51設(shè)有用于使光硬化樹脂R軟化的加熱器（未圖示）。在除去工序中，首先，使光器件晶片W的磨削面W3吸附于卡盤工作臺51并由加熱器加熱，使光硬化樹脂R軟化。該軟化也可以通過加水處理來進(jìn)行。通過加水處理使光硬化樹脂R膨脹，由此使光硬化樹脂R軟化。接下來，如圖5A所示，將支承基板S的一端部S3向斜上方上拉而使支承基板S彎曲，從而使支承基板S從光器件晶片W的一端部W4剝離。由于支承基板S的表面S1的表面粗糙度比光器件晶片W的表面W1的表面粗糙度大，因此，光硬化樹脂R比光器件晶片W側(cè)牢固地緊密貼合于支承基板S側(cè)。因此，光硬化樹脂R在與支承基板S而不是光器件晶片W緊密貼合的狀態(tài)下被剝離。即，支承基板S和光硬化樹脂R被一體地從光器件晶片W剝離。由于支承基板S形成為能夠彎曲的厚度，因此，如果將一端部S3向斜上方上拉，則支承基板S彎曲，并從一端部S3（一端部W4）側(cè)逐漸剝離。在一端部S3（一端部W4）側(cè)剝離后，如圖5B所示，將支承基板S的一端部S3進(jìn)一步向斜上方上拉，使支承基板S彎曲。由此，進(jìn)行光器件晶片W與支承基板S和光硬化樹脂R的剝離，最終，支承基板S和光硬化樹脂R完全從光器件晶片W剝離。圖6是示出本實施方式涉及的光器件晶片W的磨削方法的流程圖。如圖6所示，首先，在載置工序（步驟ST1）中，在支承基板S的表面S1涂敷光硬化樹脂R，將光器件晶片W重疊于支承基板S上。然后，按壓光器件晶片W，以使光器件晶片W埋沒于光硬化樹脂R。通過該按壓，使光硬化樹脂R繞至光器件晶片W的背面W2側(cè)為止，從而在光器件晶片W的整個外周使光硬化樹脂R隆起。接下來，在固定工序（步驟ST2）中，照射紫外光UV使光硬化樹脂R硬化。由此，將光器件晶片W固定于支承基板S。另外，在使用其它固定劑的情況下，只要應(yīng)用與固定劑對應(yīng)的硬化處理（固定處理）即可。例如，在使用熱硬化樹脂的情況下，通過加熱使熱硬化樹脂硬化從而將光器件晶片W固定于支承基板S。然后，在薄化工序（步驟ST3）中，對光器件晶片W的背面W2側(cè)進(jìn)行磨削，使光器件晶片W變薄為預(yù)定厚度。在本實施方式中，由于使用了剛性較高的由金屬制成的支承基板S，因此，能夠?qū)Π殡S著磨削的光器件晶片W的剛性的降低通過支承基板S進(jìn)行補(bǔ)足。由此，能夠抑制在通過磨削變薄時的光器件晶片W的破損。然后，在除去工序（步驟ST4）中，使光硬化樹脂R軟化，并使支承基板S和光硬化樹脂R從變薄的光器件晶片W剝離。在本實施方式中，由于使用了形成為能夠彎曲的厚度的由金屬制成的支承基板S，因此，通過使由金屬制成的支承基板S彎曲，能夠提高除去工序中的剝離性，從而抑制剝離時的光器件晶片W的破損。而且，由于支承基板S的表面S1的表面粗糙度比光器件晶片W的表面W1的表面粗糙度大，因此能夠使支承基板S和光硬化樹脂R一體地從光器件晶片W剝離。這樣，在本實施方式中使用的由金屬制成的支承基板S同時具有薄化工序中的良好的支承性和除去工序中的良好的剝離性。因此，在將光器件晶片磨削得較薄后，能夠容易地將支承部件剝離。下面，基于實施例和比較例，驗證上述實施方式涉及的磨削方法的效果。但是，本發(fā)明并不限定于下面所示的實施例。（實施例）在本實施例中，按照上述實施方式所示的各工序，在將假定為光器件晶片的藍(lán)寶石基板變薄至60μm的厚度后，將支承基板剝離。作為藍(lán)寶石基板，使用了直徑為4英寸且厚度為0.7mm的藍(lán)寶石基板。作為支承基板，使用了直徑為8英寸且厚度為0.3mm的鋁板。該鋁板構(gòu)成為能夠通過外力彎曲的厚度。作為光硬化樹脂，使用了電氣化學(xué)工業(yè)株式會社制造的TEMPLOC。關(guān)于磨削后的藍(lán)寶石基板，確認(rèn)了在外周是否存在光硬化樹脂的剝落、是否存在裂紋、是否存在裂縫。而且，確認(rèn)了是否能夠通過上述實施方式的除去工序在不使藍(lán)寶石基板破損的情況下將鋁板剝離。在下述表1中示出確認(rèn)結(jié)果。表1示出了5次的實驗結(jié)果。圓圈標(biāo)記表示光硬化樹脂的剝落、裂紋、裂縫、以及剝離時的藍(lán)寶石基板的破損一次也沒有發(fā)生，叉號標(biāo)記表示各種不良現(xiàn)象發(fā)生了一次以上。（比較例）作為比較例，對于使用與實施例不同的支承基板的情況，確認(rèn)了是否在外周存在光硬化樹脂的剝落、是否存在裂紋、是否存在裂縫，并且確認(rèn)了是否能夠在不使藍(lán)寶石基板破損的情況下將支承基板剝離。作為支承基板，在比較例1中，采用厚度為0.7mm的硅基板，在比較例2中，采用厚度為1.0mm的玻璃基板，在比較例3中，采用厚度為0.3mm的PET板。其它條件等與實施例相同。在下述的表1中示出比較例的確認(rèn)結(jié)果。表1示出了各5次的實驗結(jié)果，評價基準(zhǔn)與實施例相同。【表1】根據(jù)表1可知，在使用剛性較低的PET板的情況下，在薄化工序中會發(fā)生裂紋和裂縫，在使用剛性較高的鋁板、硅基板、玻璃基板的情況下，在薄化工序不會發(fā)生裂紋和裂縫。可以認(rèn)為，在剛性較低的PET板發(fā)生裂紋和裂縫的原因是PET板因磨削時的負(fù)載而撓曲從而在磨削中的藍(lán)寶石基板發(fā)生翹曲等。與此相對，鋁板、硅基板、玻璃基板這樣的剛性較高的支承基板不容易因磨削時的負(fù)載而撓曲，從而能夠良好地支承藍(lán)寶石基板。而且，根據(jù)表1可知，在使用PET板或鋁板的情況下，在除去工序中能夠使支承基板適當(dāng)?shù)貏冸x，在使用硅基板或玻璃基板的情況下，在除去工序中無法使支承基板適當(dāng)?shù)貏冸x。這可以認(rèn)為是因為PET板或鋁板構(gòu)成為能夠彎曲，從而能夠通過彎曲而對藍(lán)寶石基板與光硬化樹脂的緊密貼合部分作用適當(dāng)?shù)牧亩鴱亩瞬恐饾u進(jìn)行剝離。與此相對，由于無法使硅基板和玻璃基板彎曲，因此在剝離時容易施加過大的力，從而導(dǎo)致藍(lán)寶石基板破損的可能性較高。如以上那樣，根據(jù)本實施方式涉及的磨削方法，由于以由金屬制成的支承基板（支承部件）S支承光器件晶片（板狀物）W，因此，能夠抑制磨削時的光器件晶片W的撓曲并將光器件晶片W磨削得較薄。而且，由于由金屬制成的支承基板S形成為能夠通過來自外部的力彎曲的厚度，因此，能夠在剝離時使支承基板S彎曲，從而提高光器件晶片W與支承基板S的剝離性。由此，能夠抑制在使支承基板S從磨削得較薄的光器件晶片W剝離時的光器件晶片W的破損。而且，在本實施方式涉及的磨削方法中，由于支承基板S的涂敷光硬化樹脂R的表面的表面粗糙度形成得比光器件晶片W的粘貼面的表面粗糙度大，因此，支承基板S與光硬化樹脂R的緊密貼合性比光器件晶片W與光硬化樹脂R的緊密貼合性高。由此，能夠使支承基板S和光硬化樹脂R容易地從光器件晶片W剝離。另外，本發(fā)明并不限于上述實施方式的記載，能夠進(jìn)行各種變更來實施。例如，在上述實施方式中，舉例示出了在支承基板（支承部件）側(cè)涂敷光硬化樹脂的方法，但也可以在光器件晶片（板狀物）側(cè)涂敷光硬化樹脂。在這種情況下，涂敷于光器件晶片的表面的光硬化樹脂被間接地涂敷到支承基板的表面。而且，在上述實施方式中，舉例示出了使卡盤工作臺直接吸附光器件晶片的磨削面并以加熱器進(jìn)行加熱的方法，但也可以在光器件晶片的磨削面粘貼保護(hù)帶后用卡盤工作臺吸附。在這種情況下，優(yōu)選采用不會因加熱而變質(zhì)的保護(hù)帶。而且，在上述實施方式中，舉例示出了使用剝離裝置使支承基板和光硬化樹脂從光器件晶片剝離的方法，但也可以通過操作員的手動作業(yè)進(jìn)行剝離。而且，在上述實施方式中，舉例示出了采用由藍(lán)寶石基板構(gòu)成的光器件晶片作為要變薄的被加工物（板狀物）的情況，但被加工物并不限于此。例如，也能夠采用由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片、砷化鎵（GaAs）基板、碳化硅（SiC）基板、化合物半導(dǎo)體基板等各種基板。而且，在上述實施方式中，舉例示出了采用鋁板作為支承基板的情況，但支承基板并不限于此。只要同時具備薄化工序中的良好的支承性和除去工序中的良好的剝離性，可以使用任何基板。例如，能夠?qū)⒕邆漭^高剛性的不銹鋼板或銅板等加工成適當(dāng)?shù)暮穸葋硎褂谩６遥С谢宓男螤钜膊幌抻谑菆A盤形狀，可以是任意的形狀。此外，上述實施方式涉及的結(jié)構(gòu)、方法等只要不脫離本發(fā)明的目的的范圍就能夠適當(dāng)?shù)刈兏嵤９I(yè)上的可利用性本發(fā)明在對光器件晶片等板狀物進(jìn)行磨削以將其加工成預(yù)定的厚度時是有用的。