一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法
【專利摘要】本發明公開了一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法，具體步驟包括：將襯底用piranha溶液清洗干凈后烘干；將襯底放入真空室內，打開真空泵抽氣，提高真空度；對真空室內的鋁棒加高壓電，使其產生輝光放電；一段時間后關掉高壓電，再次提高真空度并加熱襯底并控制溫度；對蒸發源先通低功率電進行預熱，然后在通規定功率的電開始蒸發；蒸發完畢后停止抽氣并開始充氣；最后取出襯底。通過上述方式，本發明一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法使得薄膜的純度更高，易于控制薄膜的成分和厚度，排出的污染物較少。
【專利說明】一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及平板探測器的制造方法，尤其涉及一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法。
【背景技術】
[0002]在工業及醫療行業中X射線探測器被廣泛的應用，作為X射線探測器必不可少的閃爍體部分也越來越重要。對于一些新型的醫用閃爍體，制備單晶時十分困難，發展多晶陶瓷閃爍體是目前最重要的研究方向，多晶陶瓷閃爍體具有成本低、加工性能好，易于進行性能裁剪等優點，是目前醫用閃爍體的首選。
[0003]在新的X射線診斷用探測器中，人們正在研發采用有源矩陣的平面探測器。在這種平面探測器中，利用閃爍層將探測到的X射線變換為可見光或熒光，再通過非晶硅光電二極管等光電變換元件將這一熒光變換成信號電荷，進而將信號電荷轉換為數字信號而輸出圖像，然而往往薄膜與襯底的結合力不夠，而且圖像的清晰度較差。

【發明內容】

[0004]本發明主要解決的技術問題是提供一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法。
[0005]為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是:一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法，具體步驟包括:
(I)將襯底用piranha溶液清洗干凈后烘干；
(2 )將襯底放入真空室內，·打開真空泵抽氣，提高真空度；
(3)對真空室內的鋁棒加高壓電，使其產生輝光放電；
(4)一段時間后關掉高壓電，再次提高真空度并加熱襯底并控制溫度；
(5)對蒸發源先通低功率電進行預熱，然后在通規定功率的電開始蒸發；
(6)蒸發完畢后停止抽氣并開始充氣；
(7)最后取出襯底。
[0006]在本發明一個較佳實施例中，步驟(1)中所述piranha溶液是將濃硫酸:雙氧水按2:1的比例混合配置的。
[0007]在本發明一個較佳實施例中，步驟(2)中所述真空度為1.0-0.1Pa0
[0008]在本發明一個較佳實施例中，步驟(4)中所述溫度控制在200°C <350°C。
[0009]在本發明一個較佳實施例中，步驟(4)中所述真空度為〈1.0X10_6Pa。
[0010]本發明的有益效果是:本發明一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法使得薄膜的純度更高，易于控制薄膜的成分和厚度，排出的污染物較少。
【具體實施方式】
[0011 ] 下面對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。[0012]本發明實施例包括:一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法，具體步驟包括:
(1)將襯底用濃硫酸:雙氧水按2:1的比例混合配置的piranha溶液清洗干凈后烘干；
(2)將襯底放入真空室內，打開真空泵抽氣，提高真空度到1.0-0.1Pa ；
(3)對真空室內的鋁棒加高壓電，使其產生輝光放電；
(4)一段時間后關掉高壓電，再次提高真空度至〈1.0X10_6Pa，加熱襯底并控制溫度在200 0C <350 0C ；
(5)對蒸發源先通低功率電進行預熱，然后在通規定功率的電開始蒸發；
(6)蒸發完畢后停止抽氣并開始充氣；
(7)最后取出襯底。
[0013]下面對本發明的一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法的工作原理進行詳細介紹。
[0014]將襯底用濃硫酸:雙氧水按2:1的比例混合配置的piranha溶液清洗干凈后烘干，將襯底放入真空室內，打開真空泵抽氣，提高真空度到1.0-0.1Pa，對真空室內的鋁棒加高壓電，使其產生輝光放電，使得電子獲得很高的速度，襯底表面迅速帶有負電荷，在此吸引下正離子轟擊襯底表面，襯底吸附層在活性氣體之間產生化學反應，使得工件表面得到進一步清洗，一段時間后關掉高壓電，再次提高真空度至〈1.0 X IO-6Pa,加熱襯底并控制溫度在200°C <350°C，對蒸發源 先通低功率電進行預熱，然后在通規定功率的電開始蒸發，使膜料迅速的蒸發，蒸發完畢后停止抽氣并開始充氣，最后取出襯底。
[0015]與現有技術相比，本發明一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法使得薄膜的純度更高，易于控制薄膜的成分和厚度，排出的污染物較少。
[0016]以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的【技術領域】，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。
【權利要求】
1.一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法，其特征在于，具體步驟包括: (1)將襯底用piranha溶液清洗干凈后烘干； (2)將襯底放入真空室內，打開真空泵抽氣，提高真空度； (3)對真空室內的鋁棒加高壓電，使其產生輝光放電； (4)一段時間后關掉高壓電，再次提高真空度并加熱襯底并控制溫度； (5)對蒸發源先通低功率電進行預熱，然后在通規定功率的電開始蒸發； (6)蒸發完畢后停止 抽氣并開始充氣； (7)最后取出襯底。
2.根據權利要求1所述的一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法，其特征在于:步驟(1)中所述piranha溶液是將濃硫酸:雙氧水按2:1的比例混合配置的。
3.根據權利要求1所述的一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法，其特征在于:步驟(2)中所述真空度為1.0-0.1Pa0
4.根據權利要求1所述的一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法，其特征在于:步驟(4)中所述溫度控制在200°C <350°C。
5.根據權利要求1所述的一種平板探測器超高真空蒸鍍的方法，其特征在于:步驟(4)中所述真空度為〈1.0X10_6Pa。
【文檔編號】C23C14/02GK103710665SQ201310629061
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年12月2日 優先權日:2013年12月2日
【發明者】范波 申請人:江蘇龍信電子科技有限公司