硅化物形成中的雙層金屬沉積的制作方法
【專利摘要】本發明提供了一種方法，包括實施第一濺射以在半導體區的表面上形成第一金屬膜。使用第一離子能量實施第一濺射。該方法還包括實施第二濺射以在第一金屬膜上方形成與第一金屬膜接觸的第二金屬膜，其中第一和第二金屬膜包括相同的金屬。使用比第一離子能量低的第二離子能量來實施第二濺射。實施退火以使第一和第二金屬膜與半導體區反應而形成金屬硅化物。本發明還公開了硅化物形成中的雙層金屬沉積。
【專利說明】硅化物形成中的雙層金屬沉積

【技術領域】
[0001]本發明總的來說涉及半導體領域，更具體地，涉及硅化物形成中的雙層金屬沉積。【背景技術】
[0002] 晶體管通常包括用于形成源極區和漏極區的半導體區。金屬接觸插塞和半導體區 之間的接觸電阻較高。因此，在半導體區(諸如硅區、鍺區和硅鍺區)的表面上形成金屬硅化 物以降低接觸電阻。形成接觸插塞以接觸硅化物區，并且接觸插塞和硅化物區之間的接觸 電阻較低。
[0003]典型的硅化工藝包括在半導體區的表面上形成金屬層，然后實施退火，使得金屬 層與半導體區反應以形成硅化物區。反應結束之后，金屬層的上部可未發生反應。然后，實 施蝕刻步驟去除金屬層中未反應的部分。
[0004] 隨著集成電路不斷小型化，硅化物區也不斷變小。因此，電接觸件的接觸電阻不斷 變高。


【發明內容】

[0005] 根據本發明的一個方面，提供了一種方法，包括：實施第一溉射以在半導體區的表 面上形成第一金屬膜，使用第一離子能量來實施第一溉射；實施第二溉射以在第一金屬膜 上方形成與第一金屬膜接觸的第二金屬膜，第一金屬膜和第二金屬膜包括相同的金屬，并 且使用比第一離子能量低的第二離子能量來實施第二濺射；以及實施退火以使第一金屬膜 和第二金屬膜與半導體區反應以形成金屬硅化物。
[0006] 優選地，第一離子能量與第二離子能量的比率大于約2。
[0007] 優選地，在第一濺射和第二濺射中，在半導體區上方沉積鎳。
[0008] 優選地，半導體區位于介電層中的開口下方，當實施第一濺射時，半導體區的頂面 暴露于開口，方法還包括：在退火之前，在第二金屬膜上方形成金屬氮化物覆蓋層；以及在 退火之后，用金屬材料填充開口的剩余部分，金屬材料位于金屬氮化物覆蓋層的上方并且 與金屬氮化物覆蓋層接觸。
[0009] 優選地，該方法還包括：外延生長半導體區；在半導體區上方形成層間介電質 (ILD);以及在第一濺射之前，在ILD中形成開口以暴露半導體區。
[0010]優選地，在ILD中形成開口的過程中，保留ILD的一部分以使半導體區的面朝下的 小平面嵌入在ILD中。
[0011] 優選地，該方法還包括：在實施第一濺射之后，將腔室中的壓力從第一壓力增加至 第二壓力，在腔室中和第一壓力下實施第一濺射，并且在腔室中和第二壓力下實施第二濺 射。
[0012] 根據本發明的另一方面，提供了一種方法，包括：形成晶體管的柵疊件；形成晶體 管的源極/漏極區，源極/漏極區與柵疊件相鄰；形成層間介電質（ILD)以覆蓋源極/漏極 區；在ILD中形成接觸開口，至少暴露源極/漏極區的頂面；在源極/漏極區的頂面上方沉 積第一金屬膜，使用第一離子能量來實施沉積第一金屬膜；在第一金屬膜上方沉積與第一 金屬膜接觸的第二金屬膜，使用比第一離子能量低的第二離子能量來沉積第二金屬膜；以 及實施退火，以使至少第一金屬膜與源極/漏極區反應而形成金屬硅化物。
[0013] 優選地，在退火之后，娃化第二金屬膜的一部分。
[0014] 優選地，該方法還包括：在退火之前，在第二金屬膜上方形成金屬氮化物覆蓋層。
[0015] 優選地，該方法還包括：在退火之后，用金屬填充開口的剩余部分，金屬位于金屬 氮化物覆蓋層上方并且與金屬氮化物覆蓋層接觸。
[0016] 優選地，源極/漏極區包括面朝向上的小平面和面朝下的小平面，并且在ILD中形 成接觸開口之后，面朝下的小平面隱埋在ILD的剩余部分中，而面朝上的小平面暴露于接 觸開口。
[0017] 優選地，第一金屬膜和第二金屬膜包括相同的金屬。
[0018] 優選地，該方法還包括：在沉積第一金屬膜之后，將腔室中用于沉積第一金屬膜的 第一壓力增加至第二壓力，分別在第一壓力和第二壓力下沉積第一金屬膜和第二金屬膜。
[0019] 根據本發明的又一方面，提供了一種方法，包括：形成晶體管的柵疊件；形成晶體 管的源極/漏極區，源極/漏極區與柵疊件相鄰；形成層間介電質（ILD)以覆蓋源極/漏極 區；在ILD中形成接觸開口，至少暴露源極/漏極區的頂面；在源極/漏極區的頂面上沉積 第一金屬膜；在第一金屬膜上方沉積與第一金屬膜接觸的第二金屬膜，第一金屬膜和第二 金屬膜包括相同的金屬，并且第二金屬膜的薄層電阻比第一金屬膜的薄層電阻低；以及實 施退火，以使至少第一金屬膜與源極/漏極區反應而形成金屬硅化物。
[0020] 優選地，使用第一離子能量來實施沉積第一金屬膜，并且使用比第一離子能量低 的第二離子能量來沉積第二金屬膜。
[0021] 優選地，該方法還包括：在退火之前，在第二金屬膜上方形成金屬氮化物覆蓋層
[0022] 優選地，該方法還包括：在退火之后，用金屬材料填充開口的剩余部分，金屬材料 位于金屬氮化物覆蓋層上方并且與金屬氮化物覆蓋層接觸。
[0023] 優選地，源極/漏極區包括面朝上的小平面和面朝下的小平面，并且在ILD中形成 接觸開口之后，面朝下的小平面隱埋在ILD的剩余部分中，而面朝上的小平面暴露于接觸 開口中。
[0024] 優選地，該方法還包括：在沉積第一金屬膜之后，將腔室中用于沉積第一金屬膜的 第一壓力增加至第二壓力，分別在第一壓力和第二壓力下沉積第一金屬膜和第二金屬膜。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025] 為了更充分地理解本發明及其優點，現結合附圖來參考以下描述，其中：
[0026] 圖1至圖12是根據一些示例性實施例的在制造鰭式場效應晶體管（FinFET)和相 應的接觸件的中間階段的截面圖和立體圖；以及
[0027] 圖13是根據可選實施例的FinFET的源極/漏極區和相應的接觸件的截面圖。

【具體實施方式】
[0028] 以下詳細論述了本發明實施例的制造和使用。然而，應該理解，本發明提供了許多 可以在各種具體環境中實現的可應用的概念。所論述的具體實施例僅僅是示例性的，而不 用于限制本發明的范圍。
[0029] 根據不同的示例性實施例提供了鰭式場效應晶體管（FinFET)及其形成方法。示 出了形成FinFET的中間階段。還示出了形成FinFET的接觸件的中間階段。論述了實施例 的變化例。在不同附圖和示例性實施例中，相似的參考標號用于代表相似的元件。應當理 解，雖然將FinFET用作實例來說明本發明的概念，這些概念可以很容易地應用于平面晶體 管的接觸形成。
[0030] 圖1至圖12是根據一些示例性實施例的制造FinFET和相應的接觸件的中間階 段的截面圖和立體圖。圖1示出了初始結構的立體圖。初始結構包括具有襯底20的晶圓 100。襯底20可以是半導體襯底，其還可以是硅襯底、硅鍺襯底或由其他半導體材料形成 的襯底。可以用P型和η型雜質摻雜襯底20?？梢孕纬筛綦x區(諸如淺溝槽隔離（STI)區 22)以從襯底20的頂面延伸至襯底20內，其中襯底20的頂面是晶圓100的主表面100Α。 襯底20中介于相鄰的STI區22之間的部分被稱為半導體帶21。半導體帶21的頂面可與 STI區22的頂面基本上彼此平齊。
[0031] 圖2和圖3示出了根據一些實施例的用圖3中的半導體帶24取代圖1中的半導 體帶21。在可選實施例中，未取代圖1中的半導體帶21，因此將其用作圖4至圖13所示的 半導體帶24。參考圖2,去除半導體帶21的上部的至少一部分或者基本全部。因此，在STI 區22中形成凹槽23。接下來，實施外延生長以在凹槽23中外延生長半導體帶24,從而形 成圖3中的結構。半導體帶24的晶格常數可以大于、基本上等于或小于襯底20的晶格常 數。在一些實施例中，半導體帶24包含硅鍺、III-V族化合物半導體等。半導體帶24中的 硅鍺的鍺原子百分比可以大于約15%或介于約15%和約60%之間。鍺原子百分比也可以更 高，例如，半導體帶24可以基本是鍺原子百分比大于約95%的純鍺區。在半導體帶24的外 延生長過程中，可以隨著進程或外延生長來原位摻雜諸如硼的P型雜質。然后，使STI區22 凹進，從而半導體帶24的頂部高于STI區22的頂面以形成半導體鰭24'。
[0032] 參考圖4,在半導體鰭24'的頂面和側壁上形成柵疊件29。柵疊件29包括柵極介 電質27和位于柵極介電質27上方的柵電極26。例如，可以使用多晶娃形成柵電極26,但 是，也可以使用諸如金屬硅化物、金屬氮化物等的其他材料。例如，柵疊件29還可以包括位 于柵電極26上方的硬掩模層(未示出），例如，硬掩模層可以包括氮化硅。柵疊件29跨越多 個半導體鰭24'和/或STI區22。柵疊件29的縱長方向也可以基本上垂直于半導體鰭24' 的縱長方向。在一些實施例中，柵疊件29形成所產生的FinFET的柵疊件。在可選實施例 中，柵疊件29是偽柵疊件，并且在后續步驟中將被取代柵極取代。
[0033] 接下來，也如圖4中所示，在柵疊件29的側壁上形成柵極間隔件28。在一些實施 例中，柵極間隔件28包括氧化硅、氮化硅等，并且可以具有多層結構。
[0034] 參考圖5,實施蝕刻步驟以蝕刻半導體鰭24'中未被柵疊件29和柵極間隔件28覆 蓋的部分。因此，產生的凹進半導體24的頂面可以基本上與STI區22的頂面22Α平齊或 比其低。在STI區22之間相應地形成凹槽31。凹槽31位于柵疊件29的相對兩側。接下 來，如圖6所示，通過在凹槽31中選擇性生長半導體材料來形成外延區30。在一些實施例 中，外延區30包括硅鍺?？蛇x地，外延區30由純鍺或基本上純的鍺(例如，鍺原子百分比約 大于95%)形成。在用外延區30填充凹槽31之后，外延區30的進一步外延生長使外延區 30水平地擴張，并且開始形成小平面（facet)。此外，由于外延區30的橫向生長，STI區22 的一部分頂面22A位于部分外延區30下方并與其對準。
[0035] 在外延生長步驟之后，外延區域30可以被注入以形成源極區和漏極區，也使用參 考標號30來標示源極區和漏極區。源極區和漏極區位于柵疊件29的相對兩側，并且可以 覆蓋STI區22的部分表面22A并且與其重疊。
[0036] 圖7示出了形成緩沖氧化層32、接觸孔蝕刻停止層（CESU34和層間介電質（ILD) 36之后的結構的立體圖。在一些實施例中，緩沖氧化層32包括氧化硅，而CESL34包括氮化 硅、硅碳氮化物等。例如，可以使用原子層沉積（ALD)形成緩沖氧化層32和CESL34。ILD36 可包括例如使用可流動的化學汽相沉積（FCVD)形成的可流動氧化物?？梢詫嵤┗瘜W機械 拋光（CMP)以使ILD36、柵疊件29和柵極間隔件28的頂面彼此平齊。
[0037] 接下來，去除ILD36的部分36A以形成接觸開口，其中，去除的部分36A位于柵疊 件29的相對兩側。圖8示出了一個接觸開口38。圖8至圖13是由包含圖7中線A-A的 相同垂直平面所獲得的截面圖。如圖8所示，使ILD36凹進，因此接觸開口38位于ILD36 中。源極區和漏極區30包括多個彼此隔開的鏟狀外延區。外延區30可以具有小平面30A 和30B。小平面30A是面朝上的小平面而小平面30B是面朝下的小平面。小平面30A和 30B可以位于外延區30的<111>平面上，外延區30可以包括硅鍺或基本上為純鍺(例如， 摻有或不摻有硼）。在小平面30A和30B上形成緩沖氧化層32。在緩沖氧化層32上形成 CESL34。緩沖氧化層32和CESL34都可以是共形層。
[0038] 在一些實施例中，將ILD36凹進至一定層面從而至少暴露CESL34的位于外延區30 的頂面上的這一部分。CESL34的頂部和下面的緩沖層32 (如果有）也被去除，以暴露外延 區30的頂面。在一些實施例中，如圖8所示，面朝上的小平面30A部分暴露于接觸開口 38， 其中，面朝上的小平面的上部露出而面朝上的小平面的下部隱埋在ILD36中。在可選實施 例中，基本上面朝上的小平面30A全部被ILD36覆蓋。在又一可選實施例中，基本上面朝上 的小平面30A全部暴露于接觸開口 38。面朝下的小平面30B可以隱埋在ILD36中。
[0039] 參考圖9,例如，使用物理汽相沉積（PVD)(濺射)來沉積金屬層40。在一些實施例 中，金屬層40包括鎳?？蛇x地，也可以使用諸如鈷、鉬等的其他金屬。金屬層40的厚度Tl 可以介于約IOA和約20A之間的范圍內。然而，應當理解，在說明書中所列舉的這些值僅僅 是實例，并且可以被改變為不同的值。
[0040] 使用第一離子能El沉積金屬層40。離子能是被沉積以形成金屬層40的金屬離子 的能量。第一離子能El相對較高，因此所產生的金屬層40是多孔的。此外，由于具有相對 較高的能量，濺射金屬的更多離子滲透進入ILD36內以到達更深的位置，例如，到達示出的 位置43。這一優點導致隨后形成的硅化物區的面積的增加，因此可以降低接觸電阻。在一 些示例性實施例中，第一離子能El介于約200eV和約300eV的范圍內，但是可以使用更高 或更低的能量。此外，在金屬層40的沉積過程中，用于形成金屬層40的腔室可以具有小于 約10毫托爾的第一壓力Pl。
[0041] 圖IOA不出了在金屬層40上方形成金屬層42。例如，也可以使用PVD沉積金屬層 42。金屬層40和42可以包括相同的金屬或不同的金屬。例如，金屬層42可以包括鎳、鈷 和鉬等。金屬層42的厚度T2可以介于約5〇A和約60A的范圍內，但是厚度T2可以更大 或更小?？梢栽谕还に囀覂瘸练e金屬層40和42,而不會在形成金屬層40和42的過程之 間破壞真空條件。
[0042] 使用比第一離子能El低的第二離子能E2來沉積金屬層42。在一些實施例中，El/ E2的比率大于約2,并且可以大于約4。第二離子能E2相對較低，因此所產生的金屬層42 比金屬層40具有更少的孔。實驗結果表明，即使當兩個金屬層40和42都是由相同的金屬 形成，金屬層40的薄層電阻也比金屬層42的薄層電阻更高。這表明，金屬層40比金屬層 42具有更多的孔。值得注意的是，由于使用相對較高的離子能量來沉積金屬層40,它可能 會出現懸垂部分（overhang),這在圖9中被示意性地示為44。由于采用相對較低的離子能 量形成，金屬層42更少傾向于出現懸垂部分。此外，用于形成金屬層42的腔室的壓力比用 于沉積金屬層40的腔室的壓力更高。例如，在開始形成金屬層42之前，可以將用于形成金 屬層40和42的腔室中的壓力調整到第二壓力P2,其介于約40毫托爾和約60毫托爾之間。 在沉積金屬層42過程中保持第二壓力P2。根據一些實施例，P2/P1的比率可以大于約4。 相對較高的壓力，也增大了對懸垂的控制，從而產生更少的懸垂部分。
[0043] 可以使用圖IOB來解釋懸垂的不利影響，其中，圖IOB示出的結構是由圖IOA中的 平面截線10B-10B所截取的。如圖IOB所示，在示出的平面中，槽形接觸開口 38可以具有 高縱橫比，因此懸垂部分44可能導致在后續填充開口 38的工藝中出現困難，并且由于在頂 部的開口 38的提前（pre-mature)密封，可能會在產生的接觸插塞中形成空隙。因此，通過 控制沉積金屬層42的工藝條件，消除了懸垂的不利影響。
[0044] 圖IOA也示出了覆蓋層46的形成。根據一些實施例，覆蓋層46包括金屬氮化物， 諸如氮化鈦和氮化鉭等。在可選實施例中，覆蓋層46包括底部子層和位于底部子層上方的 頂部子層。在一些示例性實施例中，底部子層是鈦層，而頂部子層是氮化鈦層。在可選實 施例中，底部子層是鉭層，而頂部子層是氮化鉭層。底部子層的厚度可以介于約20A和約 300A之間。頂部子層的厚度可以介于約IOA和約200A之間。例如，可以使用原子層沉積 (ALD)形成覆蓋層46。
[0045] 參考圖11，實施退火。根據一些實施例，例如，使用熱浸、尖峰退火、閃光退火、激光 退火等實施退火。退火時間可以介于約0.1毫秒和幾分鐘的范圍內。在退火過程中，退火 區的溫度可以介于約300°c和1200°C之間。由于退火，通過金屬層40和42與外延區30之 間的反應生成了金屬硅化物層50。在說明書中，術語"金屬硅化物"和"金屬硅化物/鍺化 物"用作金屬硅化物、金屬鍺化物和金屬硅鍺化物的總稱。例如，硅化物層50可以包括硅化 鎳或硅鍺化鎳。在一些實施例中，金屬層40和42 (圖10A)中與外延區30相鄰的部分被完 全消耗，并且覆蓋層46與硅化物層50接觸。在可選實施例中，金屬層40被完全消耗，而金 屬層42被部分消耗，因此，剩余的金屬層42位于硅化物層50的上方，并且層46位于剩余 的金屬層42的上部的上方，并且與其接觸。
[0046] 參考圖12,用導電材料51填充剩余的接觸開口 38 (圖11)。在一些實施例中，導 電材料51包括鎢。在可選實施例中，導電材料51包括其他金屬或金屬合金，諸如鋁、銅等。 根據一些實施例，由于已經減少了層40和42懸垂，所以未去除層42和覆蓋層46中未反應 的部分，并且因此在填充接觸開口 38中，即使沒有去除層40和42,也不會形成空隙。在可 選實施例中，在填充接觸開口 38之前，去除覆蓋層46和層42的剩余部分。在填充導電材 料51之后，實施化學機械拋光（CMP)以去除導電材料51的過量部分。剩余的導電材料51 和剩余的金屬層40和42以及覆蓋層46 (如果有）組合在一起形成接觸插塞52。
[0047] 圖13示出了根據可選實施例的接觸插塞和源極/漏極區。除了外延區30(源極/ 漏極區）被合并以形成連續的源極/漏極區之外，這些實施例類似于圖12中的實施例。因 此，源極/漏極硅化物區50也延伸在多個外延區上方。
[0048] 本發明的實施例具有一些有利特征。由于高離子能量的使用，使得用于硅化的金 屬層是多孔的，因此，金屬層中的金屬原子易于擴散到下面的半導體區并且形成硅化物層。 此外，注入到ILD內的金屬離子也可以擴散至半導體區中面朝上的小平面，并且在那里形 成硅化物區。特別地，由于面朝上的小平面是傾斜的，通過增加能量，金屬離子可以達到更 多的面朝上的小平面。因此，通過使用高離子能量沉積多孔金屬層，增大了產生的硅化物層 的面積，從而降低了接觸電阻。另一方面，通過使用低離子能量在多孔金屬層上方形成金屬 層，控制了懸垂問題。
[0049] 根據一些實施例中，一種方法包括實施第一濺射以在半導體區的表面上形成第一 金屬膜。使用第一離子能量實施第一濺射。該方法還包括實施第二濺射以在第一金屬膜上 方形成與第一金屬膜接觸的第二金屬膜，其中第一和第二金屬膜包括相同的金屬。使用比 第一離子能量低的第二離子能量來實施第二濺射。實施退火以使第一和第二金屬膜與半導 體區反應以形成金屬硅化物。
[0050] 根據其他實施例，一種方法包括：形成晶體管的柵疊件；形成晶體管的源極/漏極 區，其中源極/漏極區與柵疊件相鄰；以及形成ILD以覆蓋源極/漏極區。在ILD中形成接 觸開口，其中至少暴露源極/漏極區的頂面。在源極/漏極區的頂面上方沉積第一金屬膜， 其中使用第一離子能量來實施沉積第一金屬膜的步驟。在第一金屬膜上方沉積與第一金屬 膜接觸的第二金屬膜。使用比第一離子能量低的第二離子能量來沉積第二金屬膜。實施退 火，使得至少第一金屬膜與源極/漏極區反應而形成金屬硅化物。
[0051] 根據又一些實施例，一種方法包括形成晶體管的柵疊件以及形成晶體管的源極/ 漏極區，其中源極/漏極區與柵疊件相鄰。形成ILD以覆蓋源極/漏極區。在ILD中形成 接觸開口，其中至少暴露源極/漏極區的頂面。該方法還包括在半導體區的頂面上沉積第 一金屬膜以及在第一金屬膜上方沉積與第一金屬膜接觸的第二金屬膜。第一和第二金屬膜 包括相同的金屬，并且第二金屬膜的薄層電阻比第一金屬膜的薄層電阻低。實施退火，以使 至少第一金屬膜與源極/漏極區反應而形成金屬硅化物。
[0052] 盡管已經詳細地描述了本發明的實施例及其優勢，但應該理解，在不背離所附權 利要求所限定的本發明的精神和范圍的情況下，可做出各種改變、替代和變化。此外，本申 請的范圍不旨在限于本說明書中所述的工藝、機器裝置、制造、物質組成、工具、方法和步驟 的具體實施例。本領域的技術人員將容易從本發明理解，根據本發明，可以利用現有的或今 后將開發的、與本發明所述相應實施例執行基本相同的功能或者實現基本相同的結果的工 藝、機器裝置、制造、物質組成、工具、方法或步驟。因此，所附權利要求旨在將這些工藝、機 器裝置、制造、物質組成、工具、方法或步驟包括在它們的保護范圍內。此外，每一個權利要 求組成單獨的實施例，病且不同權利要求和實施例的組合包括在本發明的范圍內。
【權利要求】
1. 一種方法，包括： 實施第一濺射以在半導體區的表面上形成第一金屬膜，使用第一離子能量來實施所述 第一濺射； 實施第二濺射以在所述第一金屬膜上方形成與所述第一金屬膜接觸的第二金屬膜，所 述第一金屬膜和第二金屬膜包括相同的金屬，并且使用比所述第一離子能量低的第二離子 能量來實施所述第二濺射；以及 實施退火以使所述第一金屬膜和第二金屬膜與所述半導體區反應以形成金屬硅化物。
2. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一離子能量與所述第二離子能量的比率 大于約2。
3. 根據權利要求1所述的方法，其中，在所述第一濺射和所述第二濺射中，在所述半導 體區上方沉積鎳。
4. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述半導體區位于介電層中的開口下方，當實施 所述第一濺射時，所述半導體區的頂面暴露于所述開口，所述方法還包括： 在所述退火之前，在所述第二金屬膜上方形成金屬氮化物覆蓋層；以及 在所述退火之后，用金屬材料填充所述開口的剩余部分，所述金屬材料位于所述金屬 氮化物覆蓋層的上方并且與所述金屬氮化物覆蓋層接觸。
5. 根據權利要求1所述的方法，還包括： 外延生長所述半導體區； 在所述半導體區上方形成層間介電質（ILD);以及 在所述第一濺射之前，在所述ILD中形成開口以暴露所述半導體區。
6. 根據權利要求5所述的方法，其中，在所述ILD中形成所述開口的過程中，保留所述 ILD的一部分以使所述半導體區的面朝下的小平面嵌入在所述ILD中。
7. 根據權利要求1所述的方法，還包括： 在實施所述第一濺射之后，將腔室中的壓力從第一壓力增加至第二壓力，在所述腔室 中和所述第一壓力下實施所述第一濺射，并且在所述腔室中和所述第二壓力下實施所述第 二濺射。
8. -種方法，包括： 形成晶體管的柵疊件； 形成所述晶體管的源極/漏極區，所述源極/漏極區與所述柵疊件相鄰； 形成層間介電質（ILD)以覆蓋所述源極/漏極區； 在所述ILD中形成接觸開口，至少暴露所述源極/漏極區的頂面； 在所述源極/漏極區的頂面上方沉積第一金屬膜，使用第一離子能量來實施沉積所述 第一金屬膜； 在所述第一金屬膜上方沉積與所述第一金屬膜接觸的第二金屬膜，使用比所述第一離 子能量低的第二離子能量來沉積所述第二金屬膜；以及 實施退火，以使至少所述第一金屬膜與所述源極/漏極區反應而形成金屬硅化物。
9. 根據權利要求8所述的方法，其中，在所述退火之后，硅化所述第二金屬膜的一部 分。
10. -種方法，包括： 形成晶體管的柵疊件； 形成所述晶體管的源極/漏極區，所述源極/漏極區與所述柵疊件相鄰； 形成層間介電質（ILD)以覆蓋所述源極/漏極區； 在所述ILD中形成接觸開口，至少暴露所述源極/漏極區的頂面； 在所述源極/漏極區的頂面上沉積第一金屬膜； 在所述第一金屬膜上方沉積與所述第一金屬膜接觸的第二金屬膜，所述第一金屬膜和 所述第二金屬膜包括相同的金屬，并且所述第二金屬膜的薄層電阻比所述第一金屬膜的薄 層電阻低；以及 實施退火，以使至少所述第一金屬膜與所述源極/漏極區反應而形成金屬硅化物。
【文檔編號】C23C16/42GK104425367SQ201310689207
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年12月13日 優先權日:2013年9月11日
【發明者】林圣軒, 張志維 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司