專利名稱：矩形平面多弧靶及真空鍍膜裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種矩形平面多弧靶及真空鍍膜裝置。
背景技術：
如今，真空鍍膜在機械、電子、能源、信息等領域已經得到了廣泛應用。而在真空鍍膜中，生產效率非常受人關注。磁控濺射的方法在沉積速率上要比非磁控濺射的方法高的多，所以越來越受到青睞。在磁控濺射鍍膜中，矩形平面多弧靶是極為重要的組件。現有的矩形平面多弧靶，具備了沉積速率大的優點，能夠帶來較高的生產效率，但由于用于控制離子濺射的磁場由定磁的永磁體產生，所以當需要調節磁場對于靶材離子的約束效果時非常不便，制約了生產效率的提高。

實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是為了克服現有技術中的矩形平面多弧靶的磁場由永磁體產生從而磁場性能不容易調節，較難獲得最佳的磁場約束效果，因而生產效率不高的缺陷，提出一種矩形平面多弧靶及真空鍍膜裝置，設置了可調的電磁線圈與磁鋼共同產生磁場，能夠通過調節電磁線圈通過的電流來調節磁場從而獲得最佳的約束效果，提高了生產效率。本實用新型是通過下述技術方案來解決上述技術問題的:本實用新型提供了一種矩形平面多弧靶，包括一靶座，該靶座的頂端面上設有用于容納固定靶材的一靶材區域，其特點在于，該矩形平面多弧靶還包括一組電磁線圈和一永磁體，該組電磁線圈設于該靶座下方對應于該靶材區域的位置，該永磁體設于該組電磁線圈的中間。該矩形平面多弧靶·中，用于控制靶材離子的濺射的磁場由該組電磁線圈和該永磁體共同產生，這樣的設置使得磁場能通過控制該組電磁線圈中的電流來調整，從而獲得最佳的約束效果。較佳地，該矩形平面多弧靶還包括一線圈護罩，該線圈護罩圍設于該組電磁線圈外并與該組電磁線圈形成極靴。其中，該線圈護罩圍設于該組電磁線圈外并位于該靶座下方。本領域技術人員應當理解,極靴是電磁鐵、永磁體和電機磁極的一種結構,在通過采用兩個結構相同的磁路在磁極端面形成極靴，通過這樣的設置能夠獲得較好線性分布的磁場、并屏蔽多余的磁場。較佳地，該矩形平面多弧靶還包括一電磁線圈骨架，該電磁線圈骨架設于該靶座下方并位于該線圈護罩內側，與該線圈護罩形成用于容納該組電磁線圈的空間。該空間的形狀與該組電磁線圈的形狀相適配。較佳地，該永磁體為磁鋼。較佳地，該矩形平面多弧靶還包括用于固定該靶材的一外圈陶瓷壓條和一中心陶瓷壓條，該外圈陶瓷壓條圍設于該靶材區域的邊緣，該中心陶瓷壓條設于該靶材區域的中間。該外圈陶瓷壓條和該中心陶瓷壓條除了固定該靶材的位置外，陶瓷的絕緣性還使其能夠起到滅弧作用，即通過增大弧隙間的電絕緣強度避免了跑弧的發生，提高了該矩形平面多弧靶工作的穩定性和效率。同時，該外圈陶瓷壓條和該中心陶瓷壓條起到了固定和滅弧的作用，在結構上也非常精簡，便于維護。較佳地，該靶材的形狀為矩形，該靶材區域的形狀與該靶材的形狀相適配。較佳地，該中心陶瓷壓條的形狀為桿狀。較佳地，該矩形平面多弧靶還包括一引弧針和一氣動裝置，該氣動裝置控制該引弧針起弧。本實用新型還提供了一種包括上述的矩形平面多弧靶的真空鍍膜裝置。較佳地，該真空鍍膜裝置還包括一水嘴接頭。該水嘴接頭用于將冷卻水通入，以起到冷卻靶材的作用。本領域技術人員應當理解，該水嘴接頭設置的位置可以根據實際需要任意選擇，只需要能夠將冷卻水通向靶材以起到冷卻靶材的作用即可。在符合本領域常識的基礎上，上述各優選條件，可任意組合，即得本實用新型各較佳實例。 本實用新型的積極進步效果在于:本實用新型的矩形平面多弧靶及真空鍍膜裝置，設置了可調的電磁線圈與磁鋼共同產生磁場，從而能夠通過調節磁場以得到更佳的約束效果，提高了生產效率。

圖1為本實用新型實施例2的矩形平面多弧靶的剖視圖。圖2為本實用新型實施例3的真空鍍膜裝置的剖視圖。
具體實施方式
以下結合附圖給出本實用新型較佳實施例，以詳細說明本實用新型的技術方案，但并不因此將本實用新型限制在所述的實施例范圍之中。實施例1參考圖1所示，本實施例的矩形平面多弧靶，包括一靶座4，該靶座4的頂端面上設有用于容納固定靶材14的一靶材區域，該矩形平面多弧靶還包括一組電磁線圈5和一永磁體6，該組電磁線圈5設于該靶座4下方對應于該靶材區域的位置，該永磁體6設于該組電磁線圈5的中間。該矩形平面多弧靶中，用于控制靶材離子的濺射的磁場由該組電磁線圈5和該永磁體6共同產生，磁場能通過控制該組電磁線圈5中的電流來調整磁場，從而獲得最佳的約束效果。該矩形平面多弧靶還包括一線圈護罩7，該線圈護罩7圍設于該組電磁線圈5外并與該組電磁線圈5形成極靴。其中，該線圈護罩7圍設于該組電磁線圈5外并位于該靶座4下方。本領域技術人員應當理解，極靴是電磁鐵、永磁體和電機磁極的一種結構，在通過采用兩個結構相同的磁路在磁極端面形成極靴，通過這樣的設置能夠獲得較好線性分布的磁場、并屏蔽多余的磁場。[0028]優選地，該矩形平面多弧靶還包括一電磁線圈骨架8，該電磁線圈骨架8設于該靶座4下方并位于該線圈護罩7內側，與該線圈護罩7形成用于容納該組電磁線圈5的空間。該空間的形狀與該組電磁線圈5的形狀相適配。該永磁體6為磁鋼。實施例2如圖1所示為本實施例的矩形平面多弧靶，本實施例的矩形平面多弧靶和實施例1的矩形平面多弧靶相比，差別僅在于:該矩形平面多弧靶還包括用于固定該靶材14的一外圈陶瓷壓條12和一中心陶瓷壓條15，該外圈陶瓷壓條12圍設于該靶材區域的邊緣，該中心陶瓷壓條15設于該靶材區域的中間。該外圈陶瓷壓條12和該中心陶瓷壓條15除了固定該靶材14的位置外，陶瓷的絕緣性還使其能夠起到滅弧作用，即通過增大弧隙間的電絕緣強度避免了跑弧的發生，提高了該矩形平面多弧靶工作的穩定性和效率。同時，該外圈陶瓷壓條12和該中心陶瓷壓條15起到了固定和滅弧的作用，在結構上也非常精簡，便于維護。優選地，該靶材14的形狀為矩形，該靶材區域的形狀與該靶材14的形狀相適配。該中心陶瓷壓條15的形狀為桿狀。該矩形平面多弧靶還包括一引弧針和一氣動裝置，該氣動裝置控制該引弧針起弧。氣動裝置結構簡單、輕便、安裝維護簡單，并且容易調節。實施例3如圖2所示，本實施例的真空鍍膜裝置包括了實施例2的矩形平面多弧靶。該真空鍍膜裝置還包括至少一真空室13，一絕緣件I把該矩形平面多弧靶和該至少一真空室13絕緣分隔。一第一密封圈2密封絕緣件I與真空室13的室壁之間的間隙，一第二密封圈3密封絕緣件I與該靶座4之間的間隙。優選地，該真空鍍 膜裝置還包括用于固定該靶座4的螺栓9和用于冷卻靶材14的水冷接頭。該真空鍍膜裝置還包括一螺釘絕緣套10和一防護罩11，該螺釘絕緣套10用于將該靶座4和真空室13的室壁絕緣分隔，該防護罩11用于放置人員接觸帶電器件。為保障真空室13的室壁與靶材14的分隔，該真空鍍膜裝置還包括多個屏蔽板16，用于防止基體17上的膜層沉積到該絕緣件I上面。雖然以上描述了本實用新型的具體實施方式
，但是本領域的技術人員應當理解，這些僅是舉例說明，本實用新型的保護范圍是由所附權利要求書限定的。本領域的技術人員在不背離本實用新型的原理和實質的前提下，可以對這些實施方式做出多種變更或修改，但這些變更和修改均落入本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種矩形平面多弧靶，包括一靶座，該靶座的頂端面上設有用于容納固定靶材的一靶材區域，其特征在于，該矩形平面多弧靶還包括一組電磁線圈和一永磁體，該組電磁線圈設于該靶座下方對應于該靶材區域的位置，該永磁體設于該組電磁線圈的中間。
2.如權利要求1所述的矩形平面多弧靶，其特征在于，該矩形平面多弧靶還包括一線圈護罩，該線圈護罩圍設于該組電磁線圈外并與該組電磁線圈形成極靴。
3.如權利要求2所述的矩形平面多弧靶，其特征在于，該矩形平面多弧靶還包括一電磁線圈骨架，該電磁線圈骨架設于該靶座下方并位于該線圈護罩內側，與該線圈護罩形成用于容納該組電磁線圈的空間。
4.如權利要求1所述的矩形平面多弧靶，其特征在于，該永磁體為磁鋼。
5.如權利要求1-4中任意一項所述的矩形平面多弧靶，其特征在于，該矩形平面多弧靶還包括用于固定該靶材的一外圈陶瓷壓條和一中心陶瓷壓條，該外圈陶瓷壓條圍設于該靶材區域的邊緣，該中心陶瓷壓條設于該靶材區域的中間。
6.如權利要求5所述的矩形平面多弧靶，其特征在于，該靶材的形狀為矩形，該靶材區域的形狀與該靶材的形狀相適配。
7.如權利要求6所述的矩形平面多弧靶，其特征在于，該中心陶瓷壓條的形狀為桿狀。
8.如權利要求7所述的矩形平面多弧靶，其特征在于，該矩形平面多弧靶還包括一引弧針和一氣動裝置，該氣動裝置控制該引弧針起弧。
9.一種包括如權利要求1-8中任意一項所述的矩形平面多弧靶的真空鍍膜裝置。
10.如權利要求9所述的真空鍍膜裝置，其特征在于，該真空鍍膜裝置還包括一水嘴接 頭。
專利摘要本實用新型公開了一種矩形平面多弧靶及真空鍍膜裝置。該矩形平面多弧靶包括一靶座，該靶座的頂端面上設有用于容納固定靶材的一靶材區域，該矩形平面多弧靶還包括一組電磁線圈和一永磁體，該組電磁線圈設于該靶座下方對應于該靶材區域的位置，該永磁體設于該組電磁線圈的中間。本實用新型的矩形平面多弧靶及真空鍍膜裝置，設置了可調的電磁線圈與磁鋼共同產生磁場，通過調節電磁線圈通過的電流來調節磁場從而獲得最佳的約束效果，提高了生產效率。
文檔編號C23C14/35GK203096162SQ20132002575
公開日2013年7月31日 申請日期2013年1月17日 優先權日2013年1月17日
發明者王叔暉, 劉竹楊 申請人:上海法德機械設備有限公司