晶片研磨盤的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及晶片研磨加工領域，具體公開了一種晶片研磨盤，其包括一研磨盤盤體，該研磨盤盤體包括一呈圓環形設置的盤本體、設于盤本體一側表面且向外凸出設置的凸臺，以及設于盤本體另一側表面上的研磨層；所述盤本體中間位置處設有一貫穿設置的軸孔，該軸孔內設有花鍵；所述研磨層表面上設有數道導流槽，該導流槽包括沿圓環的圓心向外延伸設置的數道環形槽，以及沿圓環的半徑方向設置的數道徑向槽，該環形槽和徑向槽之間相連接設置。本實用新型的晶片研磨盤，其可以減少晶片磨損，提高光學晶片的合格率。
【專利說明】晶片研磨盤
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及晶片研磨加工領域，尤其涉及一種用于對超薄光學晶片進行研磨加工的研磨盤。
【背景技術】
[0002]石英晶片是制造頻率發生和控制用的電子元器件，石英晶片的厚度同頻率成反t匕，石英晶體經過切割后的晶片，要根據晶片的設計要求，一道一道淹沒至固定厚度，再經過腐蝕達到固定頻率才能使用。因此，研磨是晶片加工中的關鍵過程。
[0003]在對晶片進行研磨拋光處理時，通常需要用到研磨機。研磨盤是研磨機中最主要的工作部件，研磨晶片時，將復數晶片上蠟并黏置于研磨盤上，再以該研磨盤設置于相對應的研磨機中進行晶片研磨的減薄作業。各鏡片于研磨完畢后即可將研磨盤由機器中取出。
[0004]目前光學晶片在研磨加工的時候，行業內所采用的研磨盤都是由鑄鐵或碳鋼制成的，其重量較重，所以在加工的過程中，容易造成光學晶片的擠壓，產生刮痕，降低光學晶片的合格率。若不經過研磨加工這個工序，光學晶片將不能達到超薄的要求，因此，有必要對現有的研磨盤結構進行改良。
實用新型內容
[0005]本實用新型的目的在于，提出一種晶片研磨盤，其可以減少晶片磨損，提高光學晶片的合格率。
[0006]為實現上述目的，本實用新型提供了一種晶片研磨盤，其包括:一研磨盤盤體，該研磨盤盤體包括一呈圓環形設置的盤本體、設于盤本體一側表面且向外凸出設置的凸臺，以及設于盤本體另一側表面上的研磨層；所述盤本體中間位置處設有一貫穿設置的軸孔，該軸孔內設有花鍵；所述研磨層表面上設有數道導流槽，該導流槽包括沿圓環的圓心向外延伸設置的數道環形槽，以及沿圓環的半徑方向設置的數道徑向槽，該環形槽和徑向槽之間相連接設置。
[0007]具體的，所述研磨盤盤體可以采用合成塑料制作而成。
[0008]本實用新型中，所述盤本體的厚度約為21mm-24mm,凸臺的厚度約為研磨層的厚度約為7mm-9mm。
[0009]選擇性的,所述盤本體的厚度可以為22mm,凸臺的厚度可以為8mm,研磨層的厚度可以為8_。
[0010]具體的，所述呈圓環形設置的盤本體的外圓直徑約為205mm-260mm,其內圓直徑約為 60mm-90mm。
[0011]選擇性的，所述盤本體的外圓直徑可以為250mm,其內圓直徑可以為80mm。
[0012]本實用新型中，所述數道環形槽呈同心圓設置，每道環形槽之間均等距離設置。
[0013]再者，所述數道徑向槽之間呈等距離設置。
[0014]進一步地，所述環形槽和徑向槽的深度約為1.5mm-l.9mm。[0015]具體的，所述環形槽和徑向槽的深度均可以為1.8mm。
[0016]本實用新型的晶片研磨盤，其采用塑料材料制作而成，不僅成本較為低廉，且降低了材料硬度和重量，在光學晶片加工過程中，不會產生刮痕，尤其適用于超薄光學晶片的研磨加工；同時，其導流槽按照游星輪運行方向，采用環形槽及徑向槽的特殊設計，可以極大的減小光學晶片邊緣與原來的井字型導流槽碰擦產生的晶片破碎，從而可以減少晶片磨損，提聞光學晶片的合格率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1為本實用新型的晶片研磨盤一種具體實施例的結構示意圖；
[0019]圖2為沿圖1中A-A方向的剖面示意圖。
【具體實施方式】 [0020]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0021]如圖1、2所示，本實用新型提供一種晶片研磨盤，其包括:一研磨盤盤體10，該研磨盤盤體10包括一呈圓環形設置的盤本體12、設于盤本體12 —側表面且向外凸出設置的凸臺14，以及設于盤本體12另一側表面上的研磨層16 ;所述盤本體12中間位置處設有一貫穿設置的軸孔18，該軸孔18內設有花鍵182 ;所述研磨層16表面上設有數道導流槽，該導流槽包括沿圓環的圓心向外延伸設置的數道環形槽162，以及沿圓環的半徑方向設置的數道徑向槽164，該環形槽162和徑向槽164之間相連接設置。本實用新型在具體使用時，可以通過圓環形盤本體12中間的軸孔18與一研磨機的轉動軸(未圖示)相固定，該轉動軸上設有鍵槽，軸孔18內的花鍵182與該鍵槽相配合，待加工的光學晶片放置于研磨盤盤體10的研磨層16上進行研磨拋光。
[0022]本實用新型中，所述研磨盤盤體10中的盤本體12與凸臺14可以采用鑄鐵材料，研磨層16可以采用合成塑料制作而成。作為本實用新型的一種選擇性實施例，所述整個研磨盤盤體10均可以采用合成塑料制作而成。該合成塑料是以樹脂(或在加工過程中用單體直接聚合)為主要成分，以增塑劑、填充劑、潤滑劑、著色劑等添加劑為輔助成分，在加工過程中能流動成型的材料，其相比現有技術中采用鑄鐵或碳鋼制成的研磨盤，極大的降低了材料的硬度和重量，可以減小在晶片研磨時作用于晶片表面的壓力與摩擦力，使得晶片在研磨時不容易出現劃痕及因受力過大成碎片的情況。
[0023]在本實用新型中，所述盤本體12的厚度約為21mm-24mm，凸臺14的厚度約為
研磨層16的厚度約為7mm-9mm。作為本實用新型的一種選擇性的,所述盤本體12
的厚度可以為22mm,凸臺14的厚度可以為8mm,研磨層16的厚度可以為8mm。具體的,所述呈圓環形設置的盤本體12的外圓直徑約為205mm-260mm,其內圓直徑約為60mm-90mm。選擇性的，所述盤本體12的外圓直徑可以為250mm,其內圓直徑可以為80mm。本實用新型通過上述盤本體12、凸臺14以及研磨層16厚度的合理設置，可以在保證研磨品質的前提下，進一步節約材料，降低成本。再者，由于研磨盤在使用一段時間后均會產生磨損，影響研磨質量，若整體更換研磨盤，則代價較高，造成成本上的提高。基于上述考慮，本實用新型采用獨立的研磨層16的設計方式，當產生磨損時，只需要單獨更換研磨層16即可，這樣可以在很大程度上降低生產成本，避免材料浪費。作為本實用新型的一種優選實施例，還可以通過在研磨層16上涂設一層高分子環氧樹脂層作為保護層的方式，進一步延長研磨盤的使用壽命。
[0024]由于研磨盤需要與研磨液配合使用，因此現有技術中通常在研磨盤上表面設置有數道井字型設置的凹槽以作導流作用，這種井字型結構設置的凹槽數量非常多，從而增加了晶片邊緣與井字型凹槽之間碰擦產生的晶片破碎。而本實用新型中則采用新型的環形槽162與徑向槽164的結構設置，其導流槽改成按游星輪運行方向設置，可以極大的減小光學晶片邊緣與原來的井字型導流槽碰擦產生的晶片破碎，從而減少了晶片磨損，提高光學晶片的合格率。本實用新型中，所述數道環形槽162呈同心圓設置，每道環形槽162之間均等距離設置。所述數道徑向槽164之間呈等距離設置。在本實用新型具體實施例中，所述環形槽162和徑向槽164的深度約為1.5mm-1.9mm。優選的，所述環形槽162和徑向槽164的深度均可以為1.8_。作為本實用新型的一種選擇性實施例，所述環形槽162和徑向槽164可以采用直角結構的方形槽方式設置。作為本實用新型的另一種選擇性實施例，該環形槽162和徑向槽164還可以采用內部圓滑設置的U型槽的方式設置，這樣可以在一定程度上減小晶片邊緣與導流槽之間的碰擦。
[0025]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種晶片研磨盤，其特征在于，包括一研磨盤盤體，該研磨盤盤體包括一呈圓環形設置的盤本體、設于盤本體一側表面且向外凸出設置的凸臺，以及設于盤本體另一側表面上的研磨層；所述盤本體中間位置處設有一貫穿設置的軸孔，該軸孔內設有花鍵；所述研磨層表面上設有數道導流槽，該導流槽包括沿圓環的圓心向外延伸設置的數道環形槽，以及沿圓環的半徑方向設置的數道徑向槽，該環形槽和徑向槽之間相連接設置。
2.如權利要求1所述的晶片研磨盤，其特征在于，所述研磨盤盤體采用合成塑料制作--? 。
3.如權利要求1所述的晶片研磨盤，其特征在于，所述盤本體的厚度為21mm-24mm,凸臺的厚度為研磨層的厚度為7mm-9mm。
4.如權利要求3所述的晶片研磨盤，其特征在于，所述盤本體的厚度為22mm，凸臺的厚度為8mm,研磨層的厚度為8mm。
5.如權利要求1所述的晶片研磨盤，其特征在于，所述呈圓環形設置的盤本體的外圓直徑為205mm-260mm,其內圓直徑為60mm-90mm。
6.如權利要求5所述的晶片研磨盤,其特征在于,所述盤本體的外圓直徑為250mm,其內圓直徑為80mm。
7.如權利要求1所述的晶片研磨盤，其特征在于，所述數道環形槽呈同心圓設置，每道環形槽之間均等距離設置。
8.如權利要求1所述的晶片研磨盤，其特征在于，所述數道徑向槽之間呈等距離設置。
9.如權利要求1所述的晶片研磨盤，其特征在于，所述環形槽和徑向槽的深度為1.5mm-1.9mm。
10.如權利要求9所述的晶片研磨盤，其特征在于，所述環形槽和徑向槽的深度均為1.8mmη
【文檔編號】B24B37/16GK203665306SQ201320688857
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年10月31日 優先權日:2013年10月31日
【發明者】侯明永 申請人:重慶晶宇光電科技有限公司