1.一種低膨脹、高熱導的SiCp/Al復合材料的成型設備，包括基座（8），其特征在于，基座（8）通過立柱（5）連接橫梁（3），基座（8）中間設有加壓裝置（7），加壓裝置（7）通過調位墊塊（10）連接加熱爐（6），加熱爐（6）上設有上壓塊（12），加熱爐（6）兩端通過滑孔連接立柱（5），加熱爐（6）上端通過吊線（2）由滑輪（1）導向連接基座（8）內的配重（9），立柱（5）上設有上、下限位器（4），加熱爐（6）的滑孔位于上、下限位器（4）之間。
2.根據權利要求1所述的一種低膨脹、高熱導的SiCp/Al復合材料的成型設備，其特征在于，所述的加熱爐（6）上表面通過兩邊對稱的吊線分別連接基座（8）內兩配重（9）。
3.根據權利要求1所述的一種低膨脹、高熱導的SiCp/Al復合材料的成型設備，其特征在于，所述的滑軌（1）位于橫梁（3）上方。
4.根據權利要求1所述的一種低膨脹、高熱導的SiCp/Al復合材料的成型設備，其特征在于，所述的滑軌（1）、吊線（2）、上、下限位器（4）、加熱爐（6）、配重（9）組成快速升降加熱系統；橫梁（3）、立柱（5）和基座（8）組成剛性框架；加壓裝置（7）、調位墊塊（10）和上壓塊（12）組成加壓系統。
5.一種低膨脹、高熱導的SiCp/Al復合材料的成型方法，其特征在于，包括以下步驟：
1）混粉：SiC選用14～63μm磨料級綠色碳化硅粉末；Al選用工業純鋁粉，或合金粉，粒度約為100μm，而且成分中不需任何粘結劑，將SiC顆粒與Al粉或Al合金粉末按體積比為：（20～90%)：（80～10%)均勻混合；
2）冷壓成形：將步驟1）混合均勻的SiC/Al粉末放入鋼制模具中，并在原料外層引入一純鋁粉薄層，在400MPa應力下加壓成形；
3）熱壓燒結：在大氣壓條件下，將冷壓成形后的SiC/Al放入石墨模具中，采用熱壓燒結技術進行燒結，燒結工藝為：加熱溫度為500～700℃，施加的壓力為1～40MPa，達到燒結溫度后保溫5-10分鐘，脫出膜腔，即制得了SiCp（20～90%) /Al電子封裝材料。
6.根據權利要求1所述的一種低膨脹、高熱導的SiCp/Al復合材料的成型方法，其特征在于，所述的熱壓燒結具體步驟如下：
1）試樣的快速安放與取出，通過成型設備載荷調整和控制由剛性框架和加壓系統共同實現，由調位墊塊和加壓裝置調整模具及試處于合適的高度，通過配重（9）、滑輪（1）、加熱爐（6）和吊線（2）快速移至上、下限位（4）的上限位，將模具及試樣（11）置于墊塊（10）上，通過加壓裝置（7）使模具及試樣（11）處于熱壓位置并施加工藝壓力，試樣取出時，則將加熱爐（6）移回最高位置，卸載并將模具及試樣（11）移至加熱爐（6）外合適位置；
2）試樣的快速加熱與冷卻，模具及試樣（11）通過加熱爐（6）的位置調整加熱，并通過位置調整快速降溫，根據試樣在爐外不同位置實現；
3）熱壓氣氛調整，對于需要氣體保護的熱壓過程，通過對管式加熱爐的簡單改造，實現氮氣、氬氣等惰性氣體保護熱壓。