技術總結
本發明涉及硅靶材生產技術領域，特別涉及一種超低阻硅靶材的生產方法。該方法采用經過酸浸泡處理過的高硼含量母合金摻入，經過高效鑄錠工藝進行硅靶材生產。本發明可使硅靶材的電阻率小于0.01Ω·cm，最低可達到0.005Ω·cm，其尺寸范圍可以達到500mm×500mm，純度大于5.5N，致密度大于99％。

技術研發人員：張磊;顧正;張曉峰;郭校亮;陳良杰
受保護的技術使用者：青島藍光晶科新材料有限公司
文檔號碼：201710004519
技術研發日：2017.01.04
技術公布日：2017.05.17