本發明涉及一種利用干式鍍敷法在以輥對輥方式搬送的長條狀樹脂膜的兩面形成覆膜的方法以及使用前述成膜方法的積層體基板的制造方法。

背景技術：

在手機、便攜式電子書設備、自動售賣機、汽車導航等電子設備所具備的平板顯示器(fpd)的表面設置“觸控面板”的技術開始普及。“觸控面板”能夠大致分為電阻型與靜電電容型，“電阻型”的觸控面板的主要部分以由樹脂膜構成的透明基板、設置于所述基板上的x坐標(或y坐標)檢測電極片及y坐標(或x坐標)檢測電極片、以及設置于這些電極片之間的絕緣體間隔件構成。

這些x坐標檢測電極片及y坐標檢測電極片通常是通過絕緣體間隔件而隔開，在用筆等點壓時兩坐標檢測電極片在該部位電接觸。由此，能夠檢測出筆所點觸的位置(x坐標、y坐標)，而形成只要使筆移動便隨時識別每一個坐標并且最終能夠進行文字輸入的機制。

另一方面，“靜電電容型”的觸控面板具有如下構造：x坐標(或y坐標)檢測電極片與y坐標(或x坐標)檢測電極片隔著絕緣片而積層，還在其上配置著玻璃等絕緣體。而且，成為如下機制：在將手指靠近該玻璃等絕緣體時，其附近的x坐標檢測電極與y坐標檢測電極的電容發生變化，因此能夠進行位置檢測。

作為形成于所述電極片(也稱為電極基板膜)上的具有指定電路圖案的電極用導電材料，以往，廣泛使用如專利文獻1所公開的ito(氧化銦-氧化錫)等的透明導電膜。另外，隨著觸控面板的大型化，也開始使用如專利文獻2及專利文獻3等所公開的由金屬制細線構成的網眼構造的金屬膜。

在將所述透明導電膜與金屬制細線(金屬膜)進行比較的情況下，透明導電膜由于在可見波長區域的透過性優異，所以具有幾乎不會視認到電極等電路圖案的優點，但由于電阻值比金屬制細線(金屬膜)高，所以具有不利于觸控面板的大型化及響應速度的高速化的缺點。另一方面，金屬制細線(金屬膜)由于電阻值低，所以有利于觸控面板的大型化及響應速度的高速化，但由于在可見波長區域的反射率高，所以即使加工為微細的網眼構造，有時在高亮度照明下也會視認到電路圖案，而具有使產品價值降低的缺點。

因此，在專利文獻4及專利文獻5中，為了發揮電阻值低的所述金屬制細線(金屬膜)的特性，提出如下方法：在由樹脂膜構成的透明基板與金屬制細線的金屬膜之間介置由金屬氧化物構成的金屬吸收層(也稱為黑化膜)，從而降低從透明基板側觀測的金屬制細線(金屬膜)的反射。

在具備由所述金屬氧化物構成的金屬吸收層的電極片的制作中，從謀求金屬氧化物的成膜效率的高效率化的觀點來講，通常進行如下操作，由此制作出成為電極基板膜的基材的積層體基板，所述操作即：通過在反應性氣體環境下使用金屬靶材(金屬材)進行反應性濺鍍，而在連續搬送的長條狀樹脂膜的表面連續形成金屬吸收層，然后通過在惰性氣體環境下使用銅等金屬靶材(金屬材料)進行濺鍍，而在所述金屬吸收層上連續形成金屬層。然后進行如下操作：通過利用氯化銅水溶液或氯化鐵水溶液等蝕刻液對由這些金屬吸收層及金屬層構成的積層膜進行蝕刻處理，而在所述積層膜(金屬吸收層及金屬層)圖案化加工電極等的電路圖案。

因此，對于成為電極基板膜的基材的積層體基板要求如下特性：由金屬吸收層及金屬層構成的積層膜易于利用氯化銅水溶液或氯化鐵水溶液等蝕刻液而被蝕刻的特性、以及通過所述蝕刻而被圖案化加工后的電極等的電路圖案在高亮度照明下不易被視認的特性。

[背景技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2003-151358號公報

[專利文獻2]日本特開2011-018194號公報

[專利文獻3]日本特開2013-069261號公報

[專利文獻4]日本特開2014-142462號公報

[專利文獻5]日本特開2013-225276號公報

技術實現要素：

[發明所欲解決的課題]

但是，在將通過如上所述的操作而積層的積層膜制作于長條狀樹脂膜的兩面的情況下，會產生如下問題，所述操作即：通過在含有氧氣的反應性氣體環境下使用ni系的金屬靶材(金屬材料)進行反應性濺鍍而在長條狀樹脂膜的表面連續形成由金屬氧化物構成的金屬吸收層，然后通過使用銅等金屬靶材(金屬材)進行濺鍍而在所述金屬吸收層上連續形成金屬層。

即，為了提高與被積層的金屬的密合性，有時會在長條狀樹脂膜的兩面設置易粘接層，在該情況下，如果首先于在長條狀樹脂膜的一面連續形成金屬吸收層及金屬層作為第1覆膜之后將其呈卷狀卷取，然后再將其卷出以便在長條狀樹脂膜的另一面形成第2覆膜，那么以長條狀樹脂膜的寬度方向上的中央部與端部之間為界，在金屬層面上發現能夠通過目視確認的略微的色差。這種金屬層上的色差可能會造成積層體基板的外觀不良，而且如果在此狀態下直接通過蝕刻圖案化加工為電極電路，那么在所述顏色的交界部分會產生蝕刻速度差而造成蝕刻不良。

本發明是鑒于這種以往的問題點而完成，目的在于提供一種成膜方法，于在長條狀樹脂膜的兩面進行成膜而制作積層體基板時，能夠消除長條狀樹脂膜的寬度方向的色差而不易發生蝕刻不良。

[解決課題的技術手段]

為了達成所述目的，本發明所提供的成膜方法是利用干式鍍敷法在以輥對輥方式搬送的長條狀樹脂膜的兩面分別形成第1覆膜及第2覆膜，其特征在于：在第1次卷取與第2次卷取之間對所述第1覆膜的表面實施干式蝕刻處理，所述第1次卷取是于將所述第1覆膜形成在所述長條狀樹脂膜的一面之后，所述第2次卷取是于將第2覆膜形成在已形成所述第1覆膜的長條狀樹脂膜的另一面之后。

[發明的效果]

根據本發明，在長條狀樹脂膜的兩面進行成膜而制作積層體基板時，能夠消除長條狀樹脂膜的寬度方向的色差，因此在使用氧化劑等藥液進行蝕刻加工時能夠消除該寬度方向的蝕刻加工性的差別。

附圖說明

圖1是能夠適宜地實施本發明的成膜方法的成膜裝置(濺鍍卷繞鍍膜機(スパッタリングウェブコータ))的示意前視圖。

圖2是示意性地表示利用以往的成膜方法而制作的積層體基板所產生的外觀上的缺陷的立體圖。

圖3是在透明基板的兩面具有第1層的金屬吸收層及第2層的金屬層的積層體基板的示意剖面圖，所述金屬吸收層及金屬層是利用本發明的成膜方法而制作。

圖4是具有經厚膜化的金屬層的積層體基板的示意剖面圖，所述經厚膜化的金屬層是通過在圖3的金屬層之上進而利用濕式成膜法形成金屬層而獲得。

圖5是第2積層體基板的示意剖面圖，所述第2積層體基板是通過在圖4的經厚膜化的金屬層之上進而利用干式鍍敷法形成第3層的第2金屬吸收層而獲得。

圖6是在透明基板的兩面分別形成金屬制積層細線所得的電極基板膜的示意剖面圖。

[符號的說明]

f長條狀樹脂膜

10真空室

10a間隔板

11卷出輥

12a、12b、23自由輥

13冷卻輥

14、22張力傳感輥

15前進料輥

16罐狀輥

17、18、19、20磁控濺鍍陰極

21后進料輥

24卷取輥

25a·25b、26a·26b、27a·27b、28a·28b氣體釋放管

29干式蝕刻手段

50樹脂膜(透明基板)

51金屬吸收層

52利用干式成膜法而形成的金屬層(銅層)

53利用濕式成膜法而形成的金屬層(銅層)

54第2金屬吸收層

51a經圖案化加工的金屬吸收層

52a經圖案化加工的、利用干式成膜法而形成的金屬層(銅層)

53a利用濕式成膜法而形成的金屬層(銅層)

54a經圖案化加工的第2金屬吸收層

具體實施方式

以下，采用通過濺鍍而進行的成膜方法作為本發明的成膜方法的一具體例，一邊參照圖1，一邊對能夠適宜地實施該成膜方法的成膜裝置進行說明。該圖1所示的成膜裝置也被稱為濺鍍卷繞鍍膜機，其主要構成如下：搬送手段，以輥對輥方式將長條狀樹脂膜f從卷出輥11經由罐狀輥16搬送至卷取輥24；成膜手段，在長條狀樹脂膜f已被卷繞于罐狀輥16的外周面時對其表面連續且高效地實施濺鍍成膜；以及真空室10，收納這些手段。

具體地進行說明，在真空室10組裝有干式真空泵、渦輪分子泵、低溫盤管(クライオコイル)等各種裝置(未圖示)，在濺鍍成膜時將真空室10內的壓力降低到最終壓力10^-4pa左右之后，通過導入濺鍍氣體，能夠將所述真空室10內的壓力調整至0.1～10pa左右。濺鍍氣體使用氬氣等眾所周知的氣體，根據目的進而添加氧氣等氣體。真空室10的形狀及材質，只要能夠承受這種減壓狀態，就沒有特別限定，可使用各種形狀及材質。在真空室內設置著間隔板10a，以便從設置著搬送用輥群的空間隔離出用來進行濺鍍成膜的空間。

在從卷出輥11至罐狀輥16的搬送路徑上，依次配置著：自由輥12a、12b，導引長條狀樹脂膜f；冷卻輥13，卷繞長條狀樹脂膜f并進行冷卻；張力傳感輥14，對比罐狀輥16靠上游側的長條狀樹脂膜f的張力進行測定；以及馬達驅動的前進料輥15，為了使將被送入至罐狀輥16的長條狀樹脂膜f密合于罐狀輥16的外周面而對罐狀輥16的圓周速度進行調整。

罐狀輥16的內部循環著已在真空室10的外部經調溫的冷媒，能夠在利用成膜手段對卷繞于外周面的長條狀樹脂膜f實施熱負載施加處理時，使該長條狀樹脂膜f冷卻。冷卻輥13的內部也循環著冷媒，能夠在利用與其外周面對向而配設的干式蝕刻手段29對長條狀樹脂膜f實施熱負載施加處理時使該長條狀樹脂膜f冷卻。另外，在不啟動干式蝕刻手段29的情況下，也可停止冷卻輥13內的冷媒的循環。

在從罐狀輥16至卷取輥24的搬送路徑上，除了沒有與所述冷卻輥13及第2個自由輥12b對應的輥以外，其他與上文所述相同，依次配置著：馬達驅動的后進料輥21，對罐狀輥16的圓周速度進行調整；張力傳感輥22，對比罐狀輥16靠下游側的長條狀樹脂膜f的張力進行測定；以及自由輥23，導引長條狀樹脂膜f。

在所述卷出輥11及卷取輥24中，通過由粉末離合器等所實施的轉矩控制，而保持著長條狀樹脂膜f的張力平衡。另外，通過馬達驅動的罐狀輥16的旋轉以及與所述旋轉連動而旋轉的馬達驅動的前進料輥15及后進料輥21，從卷出輥11卷出的長條狀樹脂膜f在沿著由所述罐狀輥16等輥群所劃定的搬送路徑而搬送后，利用卷取輥24而被卷取。

在與罐狀輥16的外周面中卷繞長條狀樹脂膜f的區域相對向的位置，沿著罐狀輥16的搬送路徑依次設置著4個磁控濺鍍陰極17、18、19及20作為成膜手段，且在附近設置著能夠各自釋放反應性氣體的4對氣體釋放管25a·25b、26a·26b、27a·27b及28a·28b。另外，如果使用板狀的靶材，進行所述金屬吸收層及金屬層的濺鍍成膜，那么有時會在該靶材上產生結核(異物的生長)。如果這會造成問題，那么優選使用不會產生結核且靶材的使用效率也高的圓筒形的旋轉靶材。

所述4個磁控濺鍍陰極17～20之中，例如在最初兩個陰極17～18的靶上設置金屬吸收層形成用靶材，在剩下兩個陰極19～20的靶上設置金屬層用靶材，由此能夠在長條狀樹脂膜f的單面連續地形成由金屬氧化物構成的金屬吸收層及金屬層。在該金屬吸收層的成膜時，如果使用金屬氧化物靶材作為金屬吸收層的形成用靶材，那么成膜速度變慢，不適于量產。因此，使用能夠高速成膜的ni系的金屬靶材(金屬材料)，并且采用一邊控制含有氧氣的反應性氣體、一邊導入該反應性氣體的反應性濺鍍等反應成膜法。

作為控制所述反應性氣體的方法，已知如下4種方法：(1)釋放固定流量的反應性氣體的方法，(2)以使真空室內的壓力保持為固定壓力的方式釋放反應性氣體的方法，(3)以濺鍍陰極的阻抗固定的方式釋放反應性氣體的(阻抗控制)方法，以及(4)以濺鍍的等離子體強度固定的方式釋放反應性氣體的(等離子體發射控制)方法。

在如上所述通過反應性濺鍍等而形成金屬吸收層時，形成濺鍍環境的反應性氣體為在氬氣等添加氧氣而形成的混合氣體。通過如此地在含有氧氣的反應性氣體環境下使用ni系的金屬靶材(金屬材料)進行反應性濺鍍，能夠形成nio膜(并非完全氧化)等。反應性氣體中的適宜氧氣濃度會根據成膜裝置及金屬靶材(金屬材料)的種類而變化，只要將在金屬吸收層的反射率等光學特性及蝕刻液的蝕刻性考慮在內而適當設定即可，一般來講理想的是15體積％以下。

在如上所述使用兩個濺鍍陰極17及18來形成從作為透明基板的長條狀樹脂膜f側數起位于第1層的金屬吸收層的情況下，從兩對氣體釋放管25a·25b及26a·26b導入反應性氣體。另外，在長條狀樹脂膜f的兩面分別形成金屬吸收層及金屬層的情況下，只要以如下方式進行操作即可：如圖1所示使卷出輥11及卷取輥24沿著中空箭頭所示的逆時針方向旋轉而在長條狀樹脂膜f的一面進行成膜，并將該長條狀樹脂膜f卷取至卷取輥24，然后將此卷取而成的卷筒從卷取輥24拆下，并安裝至卷出輥11，使卷出輥11沿著圖1的實心箭頭所示的順時針方向旋轉，并且從卷出輥11朝向自由輥12a如虛線所示卷出長條狀樹脂膜f，由此在另一面進行成膜。

另外，在所述濺鍍成膜等干式鍍敷中所使用的長條狀樹脂膜的表面，有時會形成易粘接層以提高與鍍敷層的密合性。關于易粘接層的形成方法，有通過涂布硅烷化合物或異氰酸酯化合物等化合物而形成的化學形成法、或通過電暈放電等將表面的構成分子分解或將表面粗面化等而形成的機械形成法。如果在兩面設置著此易粘接層的長條狀樹脂膜的一面先形成所述金屬吸收層及金屬層作為第1覆膜，然后再卷取長條狀樹脂膜，那么會擔心第1覆膜與長條狀樹脂膜的另一未成膜側表面接觸，而使第1覆膜遭受該易粘接層部分地轉印于第1覆膜等化學性影響。關于其過程，下文將進行詳細說明。

如果利用干式鍍敷法在長條狀樹脂膜進行成膜，那么其卷取也是在減壓環境下進行。因此，在卷取已形成第1覆膜的長條狀樹脂膜后，第1覆膜與長條狀樹脂膜的未成膜的表面之間幾乎不存在氣體分子地接觸。進而，已被卷取的長條狀樹脂膜以自身被卷取時的搬送張力而卷緊。該情況下的搬送張力在長條狀樹脂膜的寬度方向存在差異，寬度方向的兩端部的張力最弱，寬度方向的中央部最強。即，如果在成膜裝置內卷取僅形成有第1覆膜的長條狀樹脂膜，那么第1覆膜的金屬面與易粘接層相接的部分的接觸狀態根據長條狀樹脂膜的寬度方向的位置而不同，因此有時會如圖2所示在寬度方向發現色差。另外，在形成第2覆膜后的卷取中，第2覆膜與第1覆膜相接，因此不會發生所述寬度方向的色差問題。

如果在第1覆膜的表面發現所述寬度方向的色差，那么會擔心在利用氧化劑等藥液對第1覆膜實施化學蝕刻等加工時加工性產生差別。因此，在圖1的成膜裝置中，能夠在將形成第2覆膜之后的長條狀樹脂膜f卷取之前，利用干式蝕刻手段29對第1覆膜的表面進行干式蝕刻處理。另外，雖然在圖1的成膜裝置中是先對第1覆膜進行干式蝕刻處理，然后再進行第2覆膜的成膜，但也可先形成第2覆膜，然后再對第1覆膜進行干式蝕刻處理。

通過如上所述對第1覆膜進行干式蝕刻處理，能夠將該第1覆膜的產生寬度方向的色差的表面部去除。由此，長條狀樹脂膜的寬度方向的蝕刻性不會產生差別。作為干式蝕刻處理，可舉出使氬離子等撞擊第1覆膜的表面而進行的反濺鍍處理、等離子體照射處理、離子束照射處理等。在這些處理之中，離子束照射處理由于指向性強，所以能夠高效地進行干式蝕刻處理，因此較為理想。另外，只要將第1覆膜的產生寬度方向的色差的表面部去除，那么即使是在第1覆膜的表面進而利用干式鍍敷或濕式鍍敷形成覆膜的情況下，長條狀樹脂膜的寬度方向上也不易產生蝕刻性的差別，也可根據需要對設置于第1覆膜之上的覆膜實施干式蝕刻處理。

離子束處理是通過從離子源對作為被處理物的長條狀樹脂膜照射離子而進行。作為用于離子束的氣體種類，可使用氧氣、氬氣、氮氣、二氧化碳、或水蒸氣，也可使用兩種以上所述氣體的混合氣體。優選以大致呈直線狀照射離子束，且受到照射的有效寬度相當于接受處理的長條狀樹脂膜的寬度的方式，設置干式蝕刻手段29。另外，離子束的照射時間依存于長條狀樹脂膜的搬送速度。向進行離子束處理的離子源供給的電力[w]會受成膜裝置的構造及第1覆膜的化學種類等所影響，因此只要將第1覆膜的加工性等考慮在內而適當設定即可。此時，優選基于由下述數學式1所定義的照射電力[w/(m·m/min)]來設定對離子源的供給電力。

[數學式1]

照射電力＝對離子源的供給電力[w]/(有效寬度[m]×搬送速度[m/min])

在對成膜于長條狀樹脂膜f的第1覆膜的表面進行離子束處理時，理想的是使其相反側部分與冷卻輥13的外周面接觸而進行冷卻。其原因在于：離子束處理的指向性高，擔心長條狀樹脂膜f的離子束照射部會局部溫度變高而產生皺褶。另外，在離子束處理過度或冷卻輥13所進行的冷卻不充分的情況下也容易產生皺褶，因此理想的是適當調整離子束的供給電力或冷媒的溫度等。

利用所述成膜裝置，能夠在制作觸控面板用等的電極基板膜的基材所用的積層構造的積層體基板時抑制品質的不均。該積層體基板例如：由如圖3所示的由長條狀樹脂膜構成的透明基板50；金屬吸收層51及金屬層52，通過所述成膜裝置而形成于該透明基板50的兩面所形成。

作為應用于所述積層體基板的長條狀樹脂膜的材質，并不特別限定，適宜使用選自聚對苯二甲酸乙二酯(pet)、聚醚砜(pes)、聚芳酯(par)、聚碳酸酯(pc)、聚烯烴(po)、三乙酰纖維素(tac)及降冰片烯等樹脂材料的樹脂膜單獨成分、或者選自所述樹脂材料的樹脂膜單獨成分與覆蓋該單獨成分的單面或兩面的丙烯酸系有機膜的復合體。關于降冰片烯樹脂材料，作為代表性的材料可舉出日本瑞翁公司的zeonor(商品名)及jsr公司的arton(商品名)等。另外，使用本發明的積層體基板而制作的電極基板膜主要用于觸控面板，因此在所述樹脂膜之中，理想的是在可見波長區域透明性優異的樹脂膜。

所述金屬吸收層51優選為由金屬氧化物層構成的層，所述金屬氧化物層是使用由cu單質、ni單質、或ni系合金構成的金屬材料在含有氧氣的反應性氣體環境下利用反應成膜法進行成膜而獲得，所述ni系合金是在ni中添加選自由ti、al、v、w、ta、si、cr、ag、mo、cu及zn所組成的群中1種以上元素而形成。ni系合金的情況下優選ni-cu合金。

另一方面，金屬層52能夠在一般的惰性氣體環境下形成，作為其構成材料，只要是電阻值低的金屬，并沒有特別限定，例如，可舉出cu單質、或在cu中添加選自ti、al、v、w、ta、si、cr、ag的1種以上元素而形成的cu系合金、或者ag單質、或在ag中添加選自ti、al、v、w、ta、si、cr、cu的1種以上元素而形成的ag系合金，在這些材料之中，從電路圖案的加工性及電阻值的觀點來講，理想的是cu單質。

金屬吸收層51的膜厚優選15～30nm左右。金屬層的膜厚會對電特性造成影響，因此并非僅根據光學要件而決定，優選設定為透過光無法測定的水平的膜厚。一般來講，優選將金屬層的膜厚設定為50～5000nm，從將金屬層加工成配線圖案的加工性的觀點來講，更優選3μm(3000nm)以下。

另外，也可在利用所述干式鍍敷法而形成的金屬層52之上進而利用電鍍法等濕式鍍敷法形成金屬層，而進行厚膜化。即，也可如圖4所示，利用干式鍍敷法在由長條狀樹脂膜構成的透明基板50的兩面形成金屬吸收層51及金屬層52之后，在該金屬層52之上利用濕式鍍敷法形成金屬層53。

也可在所述金屬層53之上進而形成第2金屬吸收層。即，也可如圖5所示，利用干式鍍敷法在由長條狀樹脂膜構成的透明基板50的兩面形成例如膜厚為15～30nm的金屬吸收層51及例如膜厚為50～1000nm的金屬層52之后，利用濕式鍍敷法形成金屬層53，然后在該金屬層53之上利用干式鍍敷法形成例如膜厚為15～30nm的第2金屬吸收層54。該第2金屬吸收層與所述金屬吸收層51相同，是通過使用由cu單質、ni單質、或ni系合金構成的金屬材料在含有氧氣的反應性氣體環境下利用反應成膜法進行成膜而獲得，所述ni系合金是在ni中添加選自ti、al、v、w、ta、si、cr、ag、mo、cu、zn的1種以上元素而形成。

通過如此地在利用干式鍍敷法及濕式鍍敷法而厚膜化后的金屬層的兩面形成金屬吸收層，能夠在將使用該積層體基板而制作的電極基板膜組裝至觸控面板時，不易通過反射看見由金屬制積層細線構成的網眼構造的電路圖案。另外，即使是于使用僅在由長條狀樹脂膜構成的透明基板的單面形成金屬吸收層及金屬層而獲得的積層體基板，制作電極基板膜的情況下，也能夠不易從該透明基板看見電路圖案。

另外，如果構成利用反應成膜法而形成的金屬吸收層的金屬氧化物過度氧化，那么金屬吸收層會變為透明，因此理想的是將氧化水平抑制在視覺上成為黑化膜的程度。如果利用反應成膜法形成金屬吸收層，那么各金屬元素會與氧原子形成非化學計量的化合物，通過這種非化學計量的氧化物，而在視覺上呈現為黑色。

作為所述反應成膜法，除了使用如圖1所示的磁控濺鍍陰極17～20的濺鍍法以外，還有離子束濺鍍、真空蒸鍍、離子鍍覆、cvd等干式鍍敷法。金屬吸收層在各波長下的光學常數(折射率、消光系數)較大程度上受反應的程度即氧化度所影響，而并非僅由ni系合金構成的金屬材料所決定。另外，在為ni-cu合金的情況下，根據ni與cu的調配比率，有時即使是不使用反應成膜法的方法(即不使用反應性氣體的成膜法)，也會形成被視認為黑色膜的金屬吸收層。

通過對利用所述方法而制作的積層體基板的積層膜進行圖案化加工而形成線寬為例如20μm以下的金屬制積層細線，能夠獲得電極基板膜。具體來講，通過下述蝕刻處理等對圖5所示的積層體膜的積層膜進行圖案化加工，由此能夠獲得如圖6所示的電極基板膜。此圖6所示的電極基板膜具有網眼構造的電路圖案，所述電路圖案設置于由樹脂膜構成的透明基板50的兩面，且由例如線寬為20μm以下的金屬制積層細線構成，此金屬制積層細線是由從透明基板50側數起為第1層的金屬吸收層51a、為第2層的金屬層52a、53a及為第3層的第2金屬吸收層54a所構成。

通過如此地將電極基板膜的電極(配線)圖案形成為條紋狀或格子狀，能夠將其用于觸控面板。被以此方式配線加工為電極(配線)圖案的金屬制積層細線由于維持著積層體基板的積層構造，所以具有即使是在高亮度照明下也極難視認設置于透明基板的電極等的電路圖案的特征。即，如果于在氬氣中添加氧氣而獲得的反應性氣體環境下進行反應性濺鍍成膜，那么由于獲得作為金屬吸收層的黑色膜，所以在被照射時能夠將光的反射率抑制得較低，由此，對金屬吸收層進行蝕刻加工而獲得的電極等的電路圖案在高亮度照明下不易被視認。

作為對所述積層體基板進行圖案化加工而形成電極基板膜的方法，可舉出眾所周知的減成法。減成法是如下方法：在積層體基板的積層膜表面形成光阻膜，對于欲形成電極圖案的部位以保留光阻膜的方式進行曝光及顯影處理，通過化學蝕刻將從光阻膜露出的積層膜部分去除，而形成電極圖案。作為所述化學蝕刻的蝕刻液，可使用氯化鐵水溶液或氯化銅水溶液。

以上，對本發明的一具體例的電極基板膜用積層體基板的制造方法進行了說明，積層體基板的用途并不限定于觸控面板用電極基板膜，也可用于軟性配線基板等。在將積層體基板用于軟性配線基板的情況下，積層體基板是第1覆膜及第2覆膜各自為至少兩層的積層構造，例如優選第1層是ni系合金層，且第2層由以銅層形成的金屬層所構成，所述ni系合金層是在ni中添加選自由ti、al、v、w、ta、si、cr、ag、mo、cu及zn所組成的群中1種以上元素而形成。

也可在該第2層的金屬層之上還設置著第3層，該第3層優選由第2ni系合金層構成，所述第2ni系合金層例如是在ni中添加選自由ti、al、v、w、ta、si、cr、ag、mo、cu、及zn所組成的群的1種以上元素而形成。這些第1及第2ni合金層理想的是ni-cr系合金，其膜厚適宜為3～50nm。另外，銅層的膜厚優選50nm以上，更優選15μm以下。作為長條狀樹脂膜，除了電極基板膜用積層體膜中所使用的構成透明基板的樹脂膜以外，在不要求透明性的情況下也可使用經著色的膜。例如，可使用聚酰亞胺膜等樹脂膜。

[實施例]

使用如圖1所示的成膜裝置(濺鍍卷繞鍍膜機)，在含有氧氣的反應性氣體環境下進行反應濺鍍，由此在長條狀樹脂膜f的兩面分別成膜第1覆膜及第2覆膜。具體地進行說明，罐狀輥16使用外徑為600mm、寬度為750mm的不銹鋼制圓筒部件，并對其表面實施硬鉻鍍敷。前進料輥15與后進料輥21均使用外徑為150mm、寬度為750mm的不銹鋼制圓筒部件，并對其表面實施硬鉻鍍敷。在磁控濺鍍陰極17、18安裝金屬吸收層用ni-cu靶材，在磁控濺鍍陰極19、20安裝金屬層用cu靶材。

構成透明基板的長條狀樹脂膜f使用寬度為600mm、長度為1200m的pet膜。將該長條狀樹脂膜f設置于卷出輥11，并將其前端部經由各種輥群而卷繞于卷取輥24。罐狀輥16中所循環的冷媒的溫度控制為0℃。在該狀態下，通過多臺干式真空泵將真空室10內排氣至5pa，然后再使用多臺渦輪分子泵及低溫盤管排氣至1×10^-4pa。然后，以2m/min的搬送速度搬送長條狀樹脂膜f而進行濺鍍成膜。

濺鍍成膜時，在進行金屬吸收層的成膜的磁控濺鍍陰極17、18中，從分別配設于其附近的氣體釋放管25a·25b、26a·26b以300sccm的流量導入氬氣，以15sccm的流量導入氧氣，并以可獲得膜厚為30nm的ni-cu氧化層的方式進行電力控制。另一方面，在進行金屬層(銅層)的成膜的磁控濺鍍陰極19、20中，從分別配設于其附近的氣體釋放管27a·27b、28a·28b以300sccm的流量導入氬氣，并以可獲得膜厚為80nm的cu層的方式進行電力控制。

在長條狀樹脂膜f的單面完成第1覆膜的成膜之后，向真空室10導入大氣，將已被卷取的長條狀樹脂膜從卷取輥24拆下并設置于卷出輥11。然后，在利用與第1覆膜的成膜的情況相同的方法進行真空排氣之后，以2m/min的搬送速度搬送長條狀樹脂膜f，除了進行下述離子束處理以外按照與所述第1覆膜的成膜的情況相同的步驟進行第2覆膜的成膜。

即，在該第2覆膜的成膜中，與所述第1覆膜的成膜的情況不同，一邊利用循環著溫度被控制為0℃的冷媒的冷卻輥13對長條狀樹脂膜f進行冷卻，一邊啟動作為干式蝕刻手段29的離子源，以100sccm的離子束用氣體供給量對第1覆膜的成膜面側實施離子束處理。另外，為了調查改變了干式蝕刻處理條件時的效果，每隔固定時間便改變對離子源的供給電力及離子束用供給氣體的種類而進行離子束處理。另外，為了進行比較，在停止離子源并且不供給離子束用供給氣體的條件下進行第2覆膜的成膜。

在第2覆膜的成膜完成后，在大氣中將已被卷取的積層體基板卷出，通過目視確認第1覆膜的寬度方向的兩端的色差。其次，對于第1覆膜及第2覆膜兩者通過電鍍以銅厚成為1μm的方式進行成膜，再次通過成膜裝置，利用與所述相同的方法，在第1覆膜及第2覆膜之上形成膜厚為30nm的第2金屬吸收層。另外，在該第2金屬吸收層的成膜時未進行離子束處理。以此方式，制造出在透明基板的兩面積層下述積層膜而形成的試樣1～7的積層體基板，所述積層膜由從該透明基板數起成為第1層的金屬吸收層的ni-cu氧化膜、成為第2層的金屬層的cu膜及成為第3層的第2金屬吸收層的ni-cu氧化膜構成。

對于所獲得的試樣1～7的各積層體基板，在開始成膜后對100m、500m及900m的位置進行取樣，使用氯化鐵水溶液作為蝕刻液而進行蝕刻，由此進行蝕刻性的評價。作為評價基準，如果寬度方向的中央部與距離端部50mm的部分的蝕刻速度差未達3秒，那么判斷為“合格”，如果該速度差為3秒以上，那么判斷為“不合格”。另外，通過目視確認有無產生皺褶。將這些評價結果與所述通過目視而得出的色差的評價及使用數學式1由離子源的供給電力和其值而算出的照射電力一起示于下述表1。

[表1]

(注)表中帶*的試樣是比較例。

根據所述表1，可知：在對第1覆膜的成膜面側實施了離子束處理的試樣1～6中，均不具有色差，另外，蝕刻性也良好。與此相對地，在未實施離子束處理的試樣7中，雖然與試樣1～6一樣未發現皺褶的產生，但在第1覆膜的兩端部發現了色差。另外，在蝕刻性的評價中，試樣7的所有樣本均不合格。