本發明涉及材料加工技術領域，尤其涉及一種控制藍寶石晶片拋光ttv/ltv的方法。

背景技術：

目前藍寶石襯底單面拋光主要目的：1、去除表面殘留劃痕，2、保持ttv/ltv一致性及穩定性，藍寶石襯底單面拋光的過程是化學機械拋光原理，由于為了效率及產品相對穩定性，拋光過程多采用高壓力，高溫度加工方式進行，此方案去除速率可以有效的提高，快速的去除殘留劃痕；由于高速的腐蝕去除，相對于晶片本身質量晶片邊緣ttv/ltv破壞相對嚴重。

以現有藍寶石晶片拋光為例，由于晶片邊緣5mm位置，ttv/ltv數值相對于晶片中心區域平整度較差，通常晶片中心區域ttv均值達到2.0um左右，ltv均值達到1.0um左右，此數值可以滿足客戶最大利用率水準。但是由于晶片邊緣ttv均值/ltv均值略差于中心區域。客戶不能完全利用，造成成本的浪費。

技術實現要素：

針對上述現有技術存在的不足，本發明提供了一種控制藍寶石晶片拋光ttv/ltv的方法，對盤面實施邊緣修整，將盤面邊緣按晶片不良尺寸進行計算修低，使晶片在加工過程中，邊緣磨損相對較低，從而保證較高去除速率同時，保證晶片ttv/ltv質量的穩定性，解決了現有技術中存在的不足。

本發明是通過以下技術方案來實現的：一種控制藍寶石晶片拋光ttv/ltv的方法及裝置，其具體控制步驟包括：

步驟一，首先通過現有設備對藍寶石晶片進行拋光；

步驟二，對拋光后的藍寶石晶片進行測繪；

步驟三，通過測繪分析得出藍寶石晶片邊緣ttv/ltv偏高的區域；

步驟四，根據對藍寶石晶片邊緣ttv/ltv數值的分析結合晶片最大利用率原則對拋光盤面進行修整；

步驟五，用調整后的拋光盤面對藍寶石晶片進行拋光，測量拋光后藍寶石晶片的ttv/ltv。

進一步的，對藍寶石晶片進行單面拋光，拋光采用高溫、高壓的加工方式。

進一步的，對晶片邊緣產生不良位置處進行測繪。

一種控制藍寶石晶片拋光ttv/ltv的裝置，包括壓力氣缸、拋光盤面、轉動主軸，驅動裝置和基座，驅動裝置設置于基座內，轉動主軸與驅動裝置連接，拋光盤面與轉動主軸連接，壓力氣缸位于拋光盤面上方，藍寶石晶片位于拋光盤面和壓力氣缸之間，所述拋光盤面與藍寶石晶片在水平面上的投影位置不完全重合；

進一步的，所述拋光盤面與藍寶石晶片不完全接觸。

本發明的有益效果：

本發明提供了一種控制藍寶石晶片拋光ttv/ltv的方法及裝置，對盤面實施邊緣修整，將盤面邊緣按晶片不良尺寸進行計算修低，使晶片在加工過程中，邊緣磨損相對較低，從而保證較高去除速率同時，保證晶片ttv/ltv質量的穩定性，通過本發明所采用的實施方案，有效的控制了晶片邊緣的ttv/ltv，從而提高了藍寶石晶片整體平整度，大大增加了晶片利用率。

附圖說明

圖1為本發明的方法流程圖；

圖2是本發明的結構示意圖。

圖中：1、壓力氣缸，2、晶片，3、拋光盤面，4、轉動主軸，5、驅動裝置，6、基座。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明進一步說明，需要說明的是，本實施例是描述性的，不是限定性的，不能由此限定本發明的保護范圍。

如圖1、圖2所示，一種控制藍寶石晶片拋光ttv/ltv的方法及裝置，包括壓力氣缸1、拋光盤面3、轉動主軸4，驅動裝置5和基座6，驅動裝置設置于基座內，轉動主軸與驅動裝置連接，拋光盤面與轉動主軸連接，壓力氣缸位于拋光盤面上方，藍寶石晶片2位于拋光盤面和壓力氣缸之間，所述拋光盤面與藍寶石晶片在水平面上的投影位置不完全重合；具體控制方法的步驟包括：

步驟一，首先通過現有設備(為市場上的現有設備，在此具體型號不明確指出)對藍寶石晶片進行拋光；

步驟二，對拋光后的藍寶石晶片進行測繪；

步驟三，通過測繪分析得出藍寶石晶片邊緣ttv/ltv不符合要求的區域；

步驟四，根據對藍寶石晶片邊緣ttv/ltv數值的分析結合晶片最大利用率原則對拋光盤面進行修整；

步驟五，用調整后的拋光盤面對藍寶石晶片進行拋光，測量拋光后藍寶石晶片的ttv/ltv。

進一步的，對藍寶石晶片進行單面拋光，拋光采用高溫、高壓的加工方式。

進一步的，所述拋光盤面與藍寶石晶片不完全接觸。

本發明所述的一種高速拋光保持晶片ttv/ltv的控制方法及裝置，在保持晶片高速率去除的基礎上，保持晶片ttv/ltv質量，如圖2中左側所示，傳統的盤面尺寸與晶片實現完全接觸，通過數據分析，晶片ttv/ltv相對變化質量最差的地方位于晶片的邊緣，基于以上因素，我們對拋光盤面按照上述的五個步驟作出調整，按照晶片邊緣變化明顯的區域長度，對盤面實施邊緣修整，如圖2中右側所示，將盤面邊緣按晶片不良尺寸進行計算修低，使晶片在加工過程中，邊緣磨損相對較低，從而保證較高去除速率同時，保證晶片ttv/ltv質量穩定性。

例如：本實施例中根據實際對晶片易產生不良位置進行測繪發現，晶片邊緣5mm位置區域由于線性速度加工原理，邊緣磨損較為嚴重，通常5mm以內ltv區域平整度可達到1.0um左右，但是邊緣5mm位置ltv區域平整度達到1.5um左右，相對于中心區域下降較為嚴重，為了改善客戶對于晶片的利用率，實現晶片邊緣ltv高標準的原則，按照上述五個步驟對拋光盤面進行修整，采用修整后的拋光盤面對藍寶石進行拋光，經過實際加工可到達1.0-1.2um的高平整度要求，ttv均值2.0um左右，通過調整使得晶片邊緣5mm位置，ttv均值可達到2.2um(改善前2.5um左右)。

上面結合附圖對本發明進行了示例性描述，顯然本發明具體實現并不受上述方式的限制，只要采用了本發明的構思和技術方案進行的各種非實質性改進或未經過改進本發明的構思和技術方案直接用于其他場合的，均在本發明的保護范圍之內。

技術特征：

技術總結
本發明涉及材料加工技術領域，尤其涉及一種控制藍寶石晶片拋光TTV/LTV的方法及裝置，首先通過現有設備對藍寶石晶片進行拋光；然后對拋光后的藍寶石晶片進行測繪；在通過測繪分析得出藍寶石晶片邊緣TTV/LTV偏高的區域；根據對藍寶石晶片邊緣TTV/LTV數值的分析結合晶片最大利用率原則對拋光盤面進行修整；最后用調整后的拋光盤面對藍寶石晶片進行拋光，測量拋光后藍寶石晶片的TTV/LTV，直到達到平整度要求。本發明在加工過程中，邊緣磨損相對較低，從而保證較高去除速率同時，保證晶片TTV/LTV質量的穩定性，有效的控制了晶片邊緣的TTV/LTV，從而提高了藍寶石晶片整體平整度，大大增加了晶片利用率。

技術研發人員：王鑫
受保護的技術使用者：青島嘉星晶電科技股份有限公司
技術研發日：2017.07.14
技術公布日：2017.09.08