本公開內(nèi)容的實施方式總體涉及形成實質(zhì)上沒有空隙和接縫的高縱橫比特征結(jié)構(gòu)的化學(xué)物質(zhì)和方法。

背景技術(shù)：

1、存儲器器件通過涉及在層中豎直地堆疊存儲器單元的密度縮放來實現(xiàn)增加的容量。這些高縱橫比結(jié)構(gòu)帶來各種處理挑戰(zhàn)，特別是在大面積間隙填充中。當(dāng)前，大面積間隙填充是使用等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝來沉積含硅膜完成的。除保形性挑戰(zhàn)之外，常規(guī)pecvd工藝往往還產(chǎn)生接縫和空隙挑戰(zhàn)。含硅膜隨后被蝕刻以形成存儲器開口，所述存儲器開口填充有導(dǎo)電金屬以形成連接。形成連接可能導(dǎo)致開裂和其他缺陷，這可能在下游工藝中成問題。

2、因此，需要實現(xiàn)具有實質(zhì)上沒有空隙和接縫的結(jié)構(gòu)的高產(chǎn)量且高質(zhì)量器件的大面積間隙填充工藝和化學(xué)物質(zhì)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在一些實施方式中，提供了一種在3d?nand結(jié)構(gòu)內(nèi)形成高縱橫比結(jié)構(gòu)的方法。所述方法包括將前驅(qū)物遞送到設(shè)置在具有兩個或更多個交替層的多層堆疊內(nèi)的高縱橫比開口。所述前驅(qū)物選自由以下項組成的組：二氨基硅烷、氨基硅烷以及以上項的組合。所述方法包括將含氧化合物遞送到所述高縱橫比開口。所述前驅(qū)物和所述含氧化合物循環(huán)地交替來填充所述高縱橫比開口。

2、在一些實施方式中，提供了一種形成3d?nand結(jié)構(gòu)的方法。所述方法包括將前驅(qū)物遞送到設(shè)置在具有兩個或更多個交替層的多層堆疊內(nèi)的高縱橫比開口。所述前驅(qū)物選自由以下項組成的組：二氨基硅烷、氨基硅烷以及以上項的組合。所述方法包括將含氧等離子體遞送到所述高縱橫比開口。所述前驅(qū)物和所述含氧等離子體循環(huán)地交替來用含硅材料填充所述高縱橫比開口。所述方法包括在所述含硅材料內(nèi)蝕刻開口。

3、在一些實施方式中，提供了一種在基板上形成3d?nand結(jié)構(gòu)的方法。所述方法包括將前驅(qū)物遞送到設(shè)置在具有兩個或更多個交替層的多層堆疊內(nèi)的高縱橫比開口，所述前驅(qū)物包括二氨基硅烷。所述方法包括將含氧等離子體遞送到所述高縱橫比開口。所述前驅(qū)物和所述含氧等離子體循環(huán)地交替來用含硅材料填充所述高縱橫比開口。所述高縱橫比開口包括約10:1或更大的縱橫比。

技術(shù)特征：

1.一種在3d?nand結(jié)構(gòu)內(nèi)形成高縱橫比結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多層堆疊包括與多個介電層交替的多個導(dǎo)電層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述前驅(qū)物包括具有以下結(jié)構(gòu)的化合物：

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述前驅(qū)物包括具有以下結(jié)構(gòu)的化合物：

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述前驅(qū)物進一步包括具有式r2-si-si-r2的組分，其中每個r獨立地是包括以下項的基團：含碳基團、含氫基團、含氧基團、含氮基團、含硅基團或者以上項的組合。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述前驅(qū)物進一步包括具有式r2-si-si-r2的組分，其中一個或多個r獨立地包括異丙基基團、丁基基團、胺基基團或者以上項的組合。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述前驅(qū)物進一步包括甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷、丁硅烷以及以上項的組合。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述高縱橫比開口的比率為約10:1或更大。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中填充所述高縱橫比開口進一步包括形成選自由以下項組成的組的含硅材料：硅鍺（sige）、氧化硅（sio）、氮化硅（sin）、碳化硅（sic）、氮氧化硅（sion）、碳氧化硅（sioc）以及以上項的組合。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含氧化合物選自由以下項組成的組：o3（例如，臭氧）、h2o2（例如，過氧化物）、氧等離子體以及以上項的組合。

11.一種形成3d?nand結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述含氧等離子體被脈沖達約2秒至約10秒。

13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中前驅(qū)物與含氧等離子體的時間脈沖比為約1:20至約1:5。

14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述含氧等離子體從耦接到功率源的遠程等離子體源提供來以約100w至約300w的功率和約13mhz至約60mhz的頻率激勵遞送到所述遠程等離子體源的氣體。

15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中在所述含硅材料內(nèi)蝕刻所述開口包括氟碳自由基等離子體蝕刻工藝。

16.一種在基板上形成3d?nand結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：

17.如權(quán)利要求16所述的方法，所述方法進一步包括維持約100℃至約450℃的基板溫度。

18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中遞送所述前驅(qū)物和所述含氧等離子體是具有每循環(huán)約1.5?至每循環(huán)約3?的每循環(huán)生長的原子層沉積工藝。

19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述前驅(qū)物包括具有式r2si-nr2的組分，其中每個r獨立地選自由以下項組成的組：含碳基團諸如支鏈或直鏈基團、含氫基團、含氧基團、含氮基團、含硅基團以及以上項的組合。

20.一種存儲器器件，所述存儲器器件包括：

技術(shù)總結(jié)
提供了一種在3D?NAND結(jié)構(gòu)內(nèi)形成高縱橫比結(jié)構(gòu)的方法。所述方法包括將前驅(qū)物遞送到設(shè)置在具有兩個或更多個交替層的多層堆疊內(nèi)的高縱橫比開口。所述前驅(qū)物選自由以下項組成的組：二氨基硅烷、氨基硅烷以及以上項的組合。所述方法包括將含氧化合物遞送到所述高縱橫比開口。所述前驅(qū)物和所述含氧化合物循環(huán)地交替來填充所述高縱橫比開口。

技術(shù)研發(fā)人員：吉蒂卡·巴賈,蘇普里亞·戈什,蘇米特·辛格·羅伊,達爾尚·撒卡爾,戈皮·錢德蘭·拉馬錢德蘭,巴斯卡爾·喬蒂·布雅,阿卜希吉特·B·馬爾利克
受保護的技術(shù)使用者：應(yīng)用材料公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/24