專利名稱：一種近化學計量比鉭酸鋰晶體的制備方法
技術領域：
本發明涉及一種用于近化學計量比鉭酸鋰晶體的制備方法，特別是高光學均勻性的近化學計量比鉭酸鋰晶體的制備方法。
背景技術：
由于按照分子式化學計量配比的鉭酸鋰晶體不是固液同成分共熔，即鉭離子物質的量與鋰離子物質的量之比[Ta] : [Li]=l的鉭酸鋰熔體，結晶出來的固體成分與熔體成分不一致，其[Ta] :[Li]>l，從而使熔體的成分不斷發生變化，結晶的固體成分也不斷發生變化。因此難以得到成分均勻的鉭酸鋰晶體。固液同成分共熔配比的鉭酸鋰晶體為[Li]/ [Li+Ta]約為48. 46%，即鉭酸鋰晶體中鋰離子物質的量與鋰離子和鉭離子物質的量總和之比為48. 46%，這種鉭酸鋰晶體通常被稱為同成分鉭酸鋰晶體。而[Li]/[Li+Ta]接近50%的鉭酸鋰晶體，組分接近化學計量配比，通常被稱為近化學計量比鉭酸鋰晶體。
為了得到成分均勻的近化學計量比鉭酸鋰晶體，現在采用的技術有以下幾種I、助熔劑法。在化學計量比配比的鉭酸鋰原料中添加助熔劑，然后從熔體中結晶得到近化學計量比配比的鉭酸鋰晶體。但助熔劑加入量很大，使得晶體生長時生長界面需要進行充分的擴散，因此生長速度緩慢，且晶體光學質量差，容易產生包裹體等，實用價值較低。2、富鋰熔體生長法。在晶體生長時，利用富鋰的熔體直接生長近化學計量比的鉭酸鋰晶體。隨著生長的進行，往熔體中補充與生長晶體等量的近化學計量比配比的原料，使熔體的成分維持不變。這種方法需要精確稱量生長的晶體重量，然后根據晶體生長的重量往熔體中連續添加原料，因此技術難度很高，設備復雜，成品率低，成本高昂。3、擴散法。目前的擴散法是將缺鋰的鉭酸鋰晶體放入由氧化鋰與氧化鉭燒制的陶瓷中，通過高溫下的氣相擴散，使鉭酸鋰晶體鋰的含量增加，從而得到成分均勻的近化學比鉭酸鋰晶體。該方法工藝較復雜，富鋰原料難以重復利用，擴散速度慢。4、其它方法。包括區熔法、坩堝下降法等，但都局限于研究階段，尚未達到實用地
止 /J/ O上述方法中，擴散法可以制備出高光學均勻性的近化學計量比鉭酸鋰晶體，但該方法的主要問題是擴散速度緩慢，使得擴散時間長，難以制備尺寸較厚的晶體，同時其成本也較聞。

發明內容
本發明的目的是解決現有擴散法存在的擴散速度慢、成本高的問題，提供一種制備高光學均勻性近化學計量比鉭酸鋰晶體的方法。本發明方法的技術方案是將缺鋰鉭酸鋰晶體的一側與碳酸鋰質量含量為15. 8% 20. 1%的碳酸鋰和五氧化二鉭混合物經升溫、熔化、降溫結晶、粉碎，得到的粒度為O. OlmnTO. 5mm的富鋰多晶粉末A接觸，另一側與碳酸鋰質量含量為 ο. 09Γ13. 5%的碳酸鋰和五氧化二鉭混合物經升溫、熔化、降溫結晶、粉碎，得到的粒度為O. OlmnTO. 5mm的貧鋰多晶粉末B接觸，然后將晶體與多晶粉末一起放入坩堝中，將坩堝放入高溫爐在130(T150(TC溫度下進行高溫擴散處理，即可獲得近化學計量比鉭酸鋰晶體。本發明方法的具體實施經過如下步驟I.制備富鋰多晶粉末A :根據需要制備的粉末的質量，按照碳酸鋰質量含量為 15. 89Γ20. 1%的比例，分別計算、稱量出所需的高純碳酸鋰粉末和余量的高純五氧化二鉭粉末，然后混合均勻，放入鉬坩堝中加熱使其全部熔化，然后降溫冷卻，得到結晶后的多晶塊料。多晶塊料經過粉碎，用篩子分選，取粒度為O. OlmnTO. 5mm的部分得到富鋰多晶粉末A。 這樣合成的富鋰多晶粉末A為LiTaO3和Li3TaO4的混合物。2.制備貧鋰多晶粉末B :根據需要制備的粉末的質量，按照碳酸鋰質量含量為 10. 09Γ13. 5%的比例，分別計算、稱量出所需的高純碳酸鋰粉末和余量的高純五氧化二鉭粉末，然后混合均勻，放入鉬坩堝中加熱使其全部熔化，然后降溫冷卻，得到結晶后的多晶塊料。多晶塊料經過粉碎，用篩子分選，取粒度為O. OlmnTO. 5mm的部分得到貧鋰多晶粉末B。 這樣合成的貧鋰多晶粉末B為LiTaO3和LiTa3O4的混合物。3.裝料將富鋰多晶粉末A放入鉬坩堝底部，將待擴散的缺鋰鉭酸鋰晶體放在富鋰多晶粉末A的上面
，晶體的周圍裸露的粉末用鉬金片覆蓋，然后再往坩堝中放入貧鋰多晶粉末B，無須密封。4.擴散處理將鉬坩堝放入高溫爐中加熱進行擴散處理，擴散溫度為 130(Tl50(TC，擴散時間根據擴散溫度和晶體的厚度確定，擴散溫度越高、晶體厚度越小需要的擴散時間越短，反之需要的擴散時間越長。擴散結束后，降溫，依次取出上部貧鋰多晶粉末B、晶體和下部富裡多晶粉末A。所述缺鋰的鉭酸鋰晶體氧化鋰含量應低于化學計量配比，即氧化鋰的質量含量低于 6. 33%。所述坩堝是鉬金坩堝、鉭酸鋰陶瓷坩堝或其它耐高溫且高溫下不與多晶粉末反應的坩堝。鉬金片可以采用其它高溫下穩定的材料代替，當待擴散晶體自身即可完全覆蓋坩堝下部的多晶粉末時，無須使用鉬金片。本發明的優點和有益效果本發明提供的制備近化學計量比鉭酸鋰晶體的方法，也是采用擴散法，但與傳統的擴散方法相比，其區別和優點是(I)根據發明人的研究，缺鋰的鉭酸鋰晶體內存在大量的鋰空位和反位鉭本征缺陷，在鋰向晶體內部擴散時，晶體內部的鋰空位被擴散進來的鋰填充，而反位鉭將通過與本征缺陷的交換擴散遷移出晶體內部，反位鉭的擴散速度與本征缺陷數量相關聯，且反位鉭的遷移速度制約了整個擴散的速度。傳統的擴散法實施時，待擴散晶體周圍均處于富鋰氣氛中，晶體表層將很快達到近化學計量配比組分，本征缺陷急劇降低，因此反位鉭遷移出晶體內部的速度受到限制。而本發明中待擴散晶體的一側與鋰含量較高的富鋰多晶粉末A 接觸，晶體相對的另一側與鋰含量較低的貧鋰多晶粉末B接觸，將為反位鉭的擴散提供一個速度較快的擴散通道，可以大幅提高擴散速度。根據發明人的實驗數據，以Z方向切割的厚度為I. Omm的固液同成分共熔點配比鉭酸鋰晶體擴散實驗為例，采用傳統擴散方法，使用的富鋰原料為碳酸鋰質量含量為20. 1%的碳酸鋰、五氧化二鉭混合粉末制成，晶片在 1500°C擴散90小時可達到近化學計量比配比，而采用本發明的方法，分別用碳酸鋰質量含量為20. 1%和13. 0%的碳酸鋰、五氧化二鉭混合粉末制成富鋰多晶粉末A和B，同樣在 1500°C擴散約75小時即可得到同樣的結果，晶片組分達到近化學計量比配比，擴散時間減少了約17%。(2)本發明所使用的富鋰多晶粉末A和貧鋰多晶粉末B采用熔體合成，取代了原有的固相合成方法，這樣合成的多晶粉末與待擴散晶體不發生腐蝕反應，裝料時可以將待擴散晶體直接與多晶粉末接觸，無須像傳統的擴散法一樣采用復雜的隔離裝置將晶體與多晶粉末隔開，極大地降低了實施的技術難度，較少貴金屬的使用也降低了擴散法制備近化學計量比鉭酸鋰晶體的成本。(3)本發明所使用的富鋰多晶粉末A和貧鋰多晶粉末B，均可多次重復使用。當富鋰多晶粉末A的鋰含量過低時(低于按照碳酸鋰質量含量15. 8%的比例制備的富鋰多晶粉末)，與鋰含量較高的多晶粉末混合即可重新使用。而貧鋰多晶粉末B在高溫擴散過程中氧化鋰會自然揮發，貧鋰多晶粉末B可以長期使用而無需更換。而原有的擴散法所使用的富鋰原料只能使用一次或少數幾次，本發明大幅降低了擴散法制備近化學計量比鉭酸鋰晶體的成本。(4)由于本發明提高了擴散速度，因此本發明不僅可以用來制備近化學計量比鉭酸鋰晶片，也可以用來制備條狀、圓柱狀等近化學計量比鉭酸鋰晶體，拓展了擴散法的應用范圍。
具體實施例方式實施例I :(I)制備富鋰多晶粉末A :按照碳酸鋰質量含量為20. 1%的比例，計算出5000克碳酸鋰和五氧化二鉭混合粉末需要1005. O克高純碳酸鋰粉末和3995. O克高純五氧化二鉭粉末，然后用球磨機混合60分鐘，放入鉬坩堝中用中頻加熱使其全部熔化，然后降溫冷卻，得到結晶后的多晶粉末。多晶塊料經過粉碎，用篩子分選，取粒度為O. OlmnTO. 5mm的部分作為富鋰多晶粉末A。(2)制備貧鋰多晶粉末B :按照碳酸鋰質量含量為10. 0%的比例，計算出5000克碳酸鋰和五氧化二鉭混合粉末需要500. O克高純碳酸鋰粉末和4500. O克高純五氧化二鉭粉末，然后用球磨機混合60分鐘，放入鉬坩堝中用中頻加熱使其全部熔化，然后降溫冷卻，得到結晶后的多晶塊料。多晶塊料經過粉碎，用篩子分選，取粒度為O. OlmnTO. 5mm的部分作為貧鋰多晶粉末B。(3)裝料將約2400克富鋰多晶粉末A放入直徑為IOOmm鉬坩堝底部，將同成分鉭酸鋰晶體切割為XXYXZ=30. OmmX30. OmmXl. Omm的晶片(X、Y、Z表示晶體學方向，下同)，放在坩堝底部的多晶粉末A的上面，晶片的周圍裸露的粉末用鉬金片遮蓋，然后再往坩堝中放入貧鋰多晶粉末B，厚度約為2cm。(4)擴散處理將鉬坩堝放入高溫爐中加熱進行擴散處理，擴散溫度為1500°C，擴散時間為4500分鐘。擴散結束后，降溫，依次取出上部貧鋰多晶粉末B、晶片和下部富鋰多晶粉末A。
經過擴散處理后的晶片完整無開裂，經研磨、拋光，然后用顯微拉曼分析，晶片的組分[Li]/[Li+Ta] =49. 92%，非常接近化學計量配比。實施例2:(I)制備富鋰多晶粉末A :按照碳酸鋰質量含量為20. 1%的比例，計算出5000克碳酸鋰和五氧化二鉭混合粉末需要1005. O克高純碳酸鋰粉末和3995. O克高純五氧化二鉭粉末，然后用球磨機混合60分鐘，放入鉬坩堝中用中頻加熱使其全部熔化，然后降溫冷卻，得到結晶后的多晶塊料。多晶塊料經過粉碎，用篩子分選，取粒度為O. OlmnTO. 5mm的部分作為富鋰多晶粉末A。(2)制備貧鋰多晶粉末B :按照碳酸鋰質量含量為13. 5%的比例，計算出5000克碳酸鋰和五氧化二鉭混合粉末需要675. O克高純碳酸鋰粉末和4325. O克高純五氧化二鉭粉末，然后用球磨機混合60分鐘，放入鉬坩堝中用中頻加熱使其全部熔化，然后降溫冷卻，得到結晶后的多晶塊料。多晶塊料經過粉碎，用篩子分選，取粒度為O. OlmnTO. 5mm 的部分作為貧鋰多晶粉末B。(3)裝料將約2400克富鋰多晶粉末A放入直徑為IOOmm鉬坩堝底部，將同成分鉭酸鋰晶體切割為XXYXZ=30. OmmX30. OmmXl. Omm的晶片，放在坩堝底部的多晶粉末A的上面，晶片的周圍裸露的粉末用鉬金片遮蓋，然后再往坩堝中放入貧鋰多晶粉末B，厚度約為 2cm。(4)擴散處理將鉬坩堝放入高溫爐中加熱進行擴散處理，擴散溫度為1500°C，擴散時間為4500分鐘。擴散結束后，降溫，依次取出上部貧鋰多晶粉末B、晶片和下部富鋰多晶粉末A。經過擴散處理后的晶片完整無開裂，經研磨、拋光，然后用顯微拉曼分析，晶片的組分[Li]/[Li+Ta] =49. 93%，非常接近化學計量配比。實施例3 (I)制備富鋰多晶粉末A :按照碳酸鋰質量含量為15. 8%的比例，計算出5000克碳酸鋰和五氧化二鉭混合粉末需要790. O克高純碳酸鋰粉末和4210. O克高純五氧化二鉭粉末，然后用球磨機混合60分鐘，放入鉬坩堝中用中頻加熱使其全部熔化，然后降溫冷卻，得到結晶后的多晶塊料。多晶塊料經過粉碎，用篩子分選，取粒度為O. OlmnTO. 5mm的部分作為富鋰多晶粉末A。(2)制備貧鋰多晶粉末B :按照碳酸鋰質量含量為10%的比例，計算出5000克碳酸鋰和五氧化二鉭混合粉末需要500. O克高純碳酸鋰粉末和4500. O克高純五氧化二鉭粉末，然后用球磨機混合60分鐘，放入鉬坩堝中用中頻加熱使其全部熔化，然后降溫冷卻，得到結晶后的多晶塊料。多晶塊料經過粉碎，用篩子分選，取粒度為0. OlmnTO. 5mm的部分作為貧鋰多晶粉末B。(3)裝料將約2400克富鋰多晶粉末A放入直徑為IOOmm鉬坩堝底部，將同成分鉭酸鋰晶體切割為XXYXZ=30. OmmX30. OmmXl. Omm的晶片，放在坩堝底部的多晶粉末A的上面，晶片的周圍裸露的粉末用鉬金片遮蓋，然后再往坩堝中放入貧鋰多晶粉末B，厚度約為 2cm。(4)擴散處理將鉬坩堝放入高溫爐中加熱進行擴散處理，擴散溫度為1480°C，擴散時間為4800分鐘。擴散結束后，降溫，依次取出上部貧鋰多晶粉末B、晶片和下部富鋰多晶粉末A。經過擴散處理后的晶片完整無開裂，經研磨、拋光，然后用顯微拉曼分析，晶片的組分[Li]/[Li+Ta] =49. 95%，非常接近化學計量配比。實施例4 (I)制備富鋰多晶粉末A :將實施例I中制備的富鋰多晶粉末A稱取1000克、實施例3中的富鋰多晶粉末A稱取1000克，混合均勻，作為富鋰多晶粉末A。(2)制備貧鋰多晶粉末B :將實施例I中制備的貧鋰多晶粉末B稱取1000克、實施例2中的貧鋰多晶粉末B稱取1000克，混合均勻，作為貧鋰多晶粉末B。(3)裝料將約2000克富鋰多晶粉末A放入直徑為IOOmm鉬坩堝底部，將同成分鉭酸鋰晶體切割為XXYXZ=30. OmmX30. OmmXl. Omm的晶片，放在坩堝底部的多晶粉末A的上面，晶片的周圍裸露的粉末用鉬金片遮蓋，然后再往坩堝中放入貧鋰多晶粉末B，厚度約為 2cm。(4)擴散處理將鉬坩堝放入高溫爐中加熱進行擴散處理，擴散溫度為1490°C，擴散時間為4500分鐘。擴散結束后，降溫，依次取出上部貧鋰多晶粉末B、晶片和下部富鋰多晶粉末A。經過擴散處理后的晶片完整無開裂，經研磨、拋光，然后用顯微拉曼分析，晶片的組分[Li]/[Li+Ta] =49. 93%，非常接近化學計量配比。實施例5 (I)制備富鋰多晶粉末A :稱取實施例I中使用過的富鋰多晶粉末A約2000克，作為富鋰多晶粉末A。(2)制備貧鋰多晶粉末B :稱取實施例I中制備的貧鋰多晶粉末B約1500克，作為貧鋰多晶粉末B。(3)裝料將約2000克富鋰多晶粉末A放入直徑為IOOmm鉬坩堝底部，將同成分鉭酸鋰晶體切割為XXYXZ=30. OmmX30. OmmXl. Omm的晶片，放在坩堝底部的多晶粉末A的上面，晶片的周圍裸露的粉末用鉬金片遮蓋，然后再往坩堝中放入貧鋰多晶粉末B，厚度約為 2cm。(4)擴散處理將鉬坩堝放入高溫爐中加熱進行擴散處理，擴散溫度為1300°C，擴散時間為6000分鐘。擴散結束后，降溫，依次取出上部貧鋰多晶粉末B、晶片和下部富鋰多晶粉末A。經過擴散處理后的晶片完整無開裂，經研磨、拋光，然后用顯微拉曼分析，晶片的組分[Li]/[Li+Ta] =49. 92%，非常接近化學計量配比。實施例6 (I)制備富鋰多晶粉末A :將實施例5中使用過的富鋰多晶粉末A作為富鋰多晶粉末A。(2)制備貧鋰多晶粉末B :將實施例5中使用過的貧鋰多晶粉末B作為貧鋰多晶粉末B。(3)裝料將富鋰多晶粉末A放入直徑為IOOmm鉬坩堝底部，將同成分鉭酸鋰晶體切割為XXYXZ=30. OmmX30. OmmX I. Omm的晶片，放在坩堝底部的多晶粉末A的上面，晶片的周圍裸露的粉末用鉬金片遮蓋，然后再往坩堝中放入貧鋰多晶粉末B，厚度約為2cm。
(4)擴散處理將鉬坩堝放入高溫爐中加熱進行擴散處理，擴散溫度為1400°C，擴散時間為5500分鐘。擴散結束后，降溫，依次取出上部貧鋰多晶粉末B、晶片和下部富鋰多晶粉末A。經過擴散處理后的晶片完整無開裂，經研磨、拋光，然后用顯微拉曼分析，晶片的組分[Li]/[Li+Ta] =49. 92%，非常接近化學計量配比。實施例7:(I)將實施例4中使用過的富鋰多晶粉料A裝入直徑為IOOmm鉬坩堝底部，將同成分鉭酸鋰晶體切割為XXYXZ=5. OmmX5. OmmX2. 5mm的晶體塊，放在坩堝底部的多晶粉末 A的上面，晶片的周圍裸露的粉末用鉬金片遮蓋，然后再往坩堝中放入實施例4中使用過的貧鋰多晶粉末B。(2)將鉬坩堝放入高溫爐中加熱進行擴散處理，擴散溫度為1500°C，擴散時間為 12000分鐘。擴散結束后，降溫，依次取出上部貧鋰多晶粉末B、晶片和下部富鋰多晶粉末A。經過擴散處理后的晶片完整無開裂，經研磨、拋光，然后用顯微拉曼分析，晶片的組分[Li]/[Li+Ta] =49. 91%，非常接近化學計量配比。實施例8 (I)將實施例3中使用過的富鋰多晶粉料A裝入直徑為IOOmm鉬坩堝底部，將同成分鉭酸鋰晶體切割為XXYXZ=30. OmmX30. OmmXl.Omm的晶片，放在坩堝底部的多晶粉末 A的上面，晶片的周圍裸露的粉末用鉬金片遮蓋，然后再往坩堝中放入實施例2中制備的貧鋰多晶粉末B。(2)將鉬坩堝放入高溫爐中加熱進行擴散處理，擴散溫度為1500°C，擴散時間為 4800分鐘。擴散結束后，降溫，依次取出上部貧鋰多晶粉末B、晶片和下部富鋰多晶粉末A。經過擴散處理后的晶片完整無開裂，經研磨、拋光，然后用顯微拉曼分析，晶片的組分[Li]/[Li+Ta] =49. 93%，非常接近化學計量配比。
雖然本發明已以較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發明。對于本發明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，如對富鋰或貧鋰多晶粉料中各成分的含量、富鋰與貧鋰多晶粉料的質量、以及同成分鉭酸鋰晶體的尺寸等作出各種合理的變形例，這都應當視為本發明的保護范圍。
權利要求
1.一種近化學計量比鉭酸鋰晶體的制備方法，其特征在于將缺鋰鉭酸鋰晶體的一側與碳酸鋰質量含量為15. 8% 20. 1%的碳酸鋰和五氧化二鉭混合物經升溫、熔化、降溫結晶、 粉碎，得到的粒度為O. OlmnTO. 5mm的富鋰多晶粉末A接觸，另一側與碳酸鋰質量含量為 10. 09Γ13. 5%的碳酸鋰和五氧化二鉭混合物經升溫、熔化、降溫結晶、粉碎，得到的粒度為O.OlmnTO. 5mm的貧鋰多晶粉末B接觸，然后將晶體與多晶粉末一起放入坩堝中，將坩堝放入高溫爐在130(Tl50(rC溫度下進行高溫擴散處理，即可獲得近化學計量比鉭酸鋰晶體。
2.根據權利要求I所述的方法，其特征在于富鋰多晶粉末A的制備方法是，采用質量含量為15. 89Γ20. 1%的碳酸鋰和余量的五氧化二鉭粉末經過充分混合，然后升溫、熔化，再將熔體降溫結晶，結晶得到塊料通過機械粉碎，然后篩分得到粒度為O. OlmnTO. 5mm的混合顆粒，即為富鋰多晶粉末A。
3.根據權利要求I所述的方法，其特征在于貧鋰多晶粉末B的制備方法是，采用質量含量為10. 09Γ13. 5%的碳酸鋰和余量的五氧化二鉭粉末經過充分混合，然后升溫、熔化，再將熔體降溫結晶，結晶得到塊料通過機械粉碎，然后篩分得到粒度為O. OlmnTO. 5mm的混合顆粒，即為貧鋰多晶粉末B。
4.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，將富鋰多晶粉末A放入坩堝底部，將待擴散的缺鋰鉭酸鋰晶體放在這些富鋰多晶粉末A的上面，晶體周圍裸露的多晶粉末用鉬金片覆蓋，然后再往坩堝上部放入貧鋰多晶粉末B，無須密封。
5.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，擴散溫度為130(Tl50(TC之間，擴散時間根據擴散溫度和晶體的厚度進行調整，擴散溫度越高、晶體厚度越小需要的擴散時間越短， 反之需要的擴散時間越長。
6.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，缺鋰的鉭酸鋰晶體氧化鋰含量應低于化學計量配比，即氧化鋰的質量含量低于6. 33%。
7.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，坩堝是鉬金坩堝、鉭酸鋰陶瓷坩堝或其它耐高溫且高溫下不與多晶粉末反應的坩堝。
8.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，鉬金片可以采用其它高溫下穩定的材料代替，當待擴散晶體自身即可完全覆蓋坩堝下部的多晶粉末時，無須使用鉬金片。
全文摘要
一種近化學計量比鉭酸鋰晶體的制備方法,包括將碳酸鋰質量含量為15.8%~20.1%的碳酸鋰和五氧化二鉭混合物經升溫、熔化、降溫結晶、粉碎，得到富鋰多晶粉末A，將A裝入耐高溫的坩堝下部；把待擴散的缺鋰鉭酸鋰晶體放置在A上，晶體周圍裸露的A用鉑金片覆蓋；再用碳酸鋰質量含量為10.0%~13.5%的碳酸鋰和五氧化二鉭混合物經升溫、熔化、降溫結晶、粉碎，得到貧鋰多晶粉末B，將B裝入坩堝上部；然后將坩堝在高溫爐中進行擴散處理，擴散溫度為1300~1500℃，擴散時間根據擴散溫度和晶體的厚度確定，擴散溫度越高、晶體厚度越小擴散時間越短，反之越長。經過擴散處理后，可以獲得高質量的近化學計量比鉭酸鋰晶體。
文檔編號C01G35/00GK102689928SQ20121020331
公開日2012年9月26日 申請日期2012年6月19日 優先權日2012年6月19日
發明者孔勇發, 孫軍, 張華 , 張玲, 李威, 楊金鳳, 許京軍 申請人:南開大學