本發明涉及一種太陽能收集器，所述太陽能收集器由雙壁玻璃管構成。尤其，本發明涉及一種用于真空密封地封閉雙壁玻璃管的方法和一種用于真空密封地封閉雙壁玻璃管的設備。

背景技術：

在太陽能熱收集器中，最有效的系統是：使用具有外部的增透層、例如由MgF₂構成的增透層的雙壁玻璃管。然后，將要加熱的液態介質(水)直接在內管中加熱。在雙壁之間的介質用于熱絕緣。在理想情況下，所述介質是真空。在所述方法方式中需要：在真空室中，在真空下直接在MgF₂蒸鍍工藝之后，以首先敞開的另一端部可靠地封閉在一個端部處已經熔化的雙壁玻璃管。

借助于燃氣火焰、借助于激光器的加熱以及在玻璃焊料輔助下進行根據現有技術的、用于在真空下熔化雙壁玻璃管的最后的方法步驟。在之前提到的方法中的缺點是，例如，火焰法在真空中的操作是成問題的，尤其要考慮由燃燒殘渣構成的雜質。這通常引起密封性問題。激光法的缺點是：例如在真空接收器中聚焦是非常耗費的并且是成本高的。此外，必須從外部加熱玻璃焊料。

技術實現要素：

能夠視為本發明的目的的是，提出一種尤其在生產和制造太陽能收集器時用于真空密封地封閉雙壁玻璃管的方法。

根據一個實施例，提出一種用于真空密封地封閉具有內玻璃管和外玻璃管的雙壁玻璃管的方法。所述方法具有如下步驟：在真空室內部存在期望的負壓的情況下，在真空室內部提供雙壁玻璃管。作為下一步驟提出：借助于至少一個加熱導體在雙壁玻璃管的第一端部處以導電的方式加熱外玻璃管和/或內玻璃管。在第三步驟中，以導電的方式加熱的玻璃管在雙壁玻璃管的第一端部處變形，尤其持久地變形，使得外玻璃管和內玻璃管接觸進而氣密地封閉雙壁玻璃管的第一端部。

因此，提供一種在真空條件/負壓條件下真空密封地封閉雙壁玻璃管的方法，所述方法的操作簡單，絲毫不產生雜質或燃燒殘渣并且也關于在從相應的部件輸送到真空中時的常見的密封性問題方面是不成問題的。根據本發明的以導電的方式的加熱不需要附加材料、例如焊料，在激光工藝中的金屬的輔助元件等。這允許在真空接收器中、即在真空室中進行簡單的安裝，并且對于至少一個加熱元件的供電僅需要最小的真空穿通件。能夠實現到雙壁玻璃管的直接的熱傳遞和因此快速的工藝控制。

所述用于真空密封地封閉雙壁玻璃管的方法尤其能夠是用于制造太陽能收集器的生產方法或生產方法的一部分。

在方法的一個實施例中，在真空室中將內玻璃管和外玻璃管之間的空隙抽真空。至少一個加熱導體同樣位于真空室中并且安裝在那。顯然地，在本實施例中和在本發明的任意其他實施例中能夠使用兩個或也使用更多個加熱導體或加熱模塊。在下文中，在實施例的段落中詳細闡述本發明的所述方面。加熱導體在真空室內部的設置能夠實現通過將加熱導體直接安置到雙壁玻璃管的表面上來加熱和封閉這兩個玻璃管。在此，加熱導體能夠施加到玻璃管的內表面和/或外表面上。這能夠實現到玻璃管的表面上的直接的熱傳遞。能夠直接在抽真空過程之后借助于導電的加熱導體進行一個或多個表面的接觸。如果期望，那么在此雙壁玻璃管能夠旋轉，使得確保均勻的加熱。這是實施例的在下文中再詳細闡述的部分。

雙壁玻璃管的第一端部的變形例如能夠通過移動所使用的加熱導體來進行。但是，在否則靜止的、不移動的加熱導體的情況下移動雙壁玻璃管也是本發明的一部分。在使用兩個加熱導體的情況下、例如在使用如圖2中示出的兩個加熱導體半部的情況下，能夠通過將相應的加熱導體半部相對彼此在垂直位置中移動來進行變形。在實現期望的變形之后能夠將加熱導體從雙壁玻璃管移除，使得能夠使用冷卻過程。

對于使用兩個加熱導體的情況，因此能夠將所述兩個加熱導體設置用于加熱外管和內管，使得能夠進行這兩個管的同時加熱。此外，存在根據另一實施例的附加的可能性：在單獨的室隔間中蒸鍍吸收層、例如增透覆層。所述方法基本上能夠實現減少抽真空時間進而能夠實現更合理的生產流程。換言之，借助于根據本發明的方法，如果期望在蒸鍍工藝之后或直接在蒸鍍工藝之后，在負壓/真空下可靠地封閉在一個端部處已經熔化的雙壁玻璃管。在此，之前提到的蒸鍍工藝是根據本發明的另一實施例的可選的補充。

例如，能夠借助于一個或多個陶瓷加熱導體、尤其借助于硅滲透的碳化硅(SiSiC)加熱導體進行根據本發明的以導電的方式進行的加熱。尤其，這種加熱導體能夠構成為，使得所述加熱導體的輪廓形狀配合地容納要封閉的玻璃管。換言之，能夠通過一個或多個加熱導體部分地或完全地環繞雙壁玻璃管的環周，并且在相應的接觸面處用于到雙壁玻璃管的熱傳遞。

在此，變形和封閉的過程僅能夠持續幾秒。然而也可行的是：根據本發明的方法在較長的時間段期間執行。用于在太陽能收集器領域中使用的玻璃管的玻璃的典型的熔化溫度為200和500℃之間。因此，雙壁玻璃管在該范圍中通過加熱導體進行加熱是本發明的一部分。雙壁玻璃管通過加熱導體所達到的優選的溫度范圍是300℃和350℃之間的范圍。然而也可行的是：使用其他材料、例如石英玻璃，由此熔化溫度升高至1000℃。典型地，在真空室內部使用10^-2mbar的負壓或還更小的壓力。然而也可行的是：使用不同的壓力，而不脫離本發明的保護范圍。

在此可行的是：或者以導電的方式僅加熱外玻璃管，或者以導電的方式僅加熱內玻璃管，或者以導電的方式加熱外玻璃管和內玻璃管。根據圖2的示例的實施例示出：從外部安置的部分圓柱作為加熱導體接觸雙壁玻璃管的外管，并且將熱能輸出給所述外管。同樣可從圖3中獲取直觀的描述。然而，本發明的一部分是：加熱導體沿著縱軸線引入雙壁的管中并且從內部接觸、加熱、變形雙壁玻璃管的內玻璃管，進而將整個管封閉。這兩個加熱和變形可能性的組合也是本發明的一部分。

根據一個實施例，所提供的加熱導體輸送和/或移向雙壁玻璃管，并且借助于電流將加熱導體加熱。由于與玻璃管的直接接觸，玻璃管被加熱并且達到其熔點。借助于玻璃管和加熱導體之間的相對運動能夠使之前以導電的方式加熱的玻璃管變形，使得整體上產生玻璃管的氣密地封閉的端部。換言之，在加熱導體內部產生電流，所述電流引起加熱導體的加熱。

在此，全自動化地執行所述方法或者也借助于用戶干預執行所述方法。例如，能夠將雙壁玻璃管手動地引入真空室、即接收器中，然而全自動地引入真空室中也是可行的。

根據本發明的另一實施例，通過在真空室內部的至少一個加熱導體進行以導電的方式加熱和變形。

換言之，雙壁玻璃管不僅通過加熱導體加熱，而且通過所述加熱導體變形。例如，能夠借助于機械的控制裝置、例如借助于液壓的提升或下降設備在真空室內部移動加熱導體，所述加熱導體直接或間接地設置在所述機械的控制裝置上。所述關于加熱導體移動的方面能夠示例地從實施例中得到，所述實施例在圖2和3中示例地描述。

根據本發明的另一實施例，所述方法具有產生雙壁玻璃管和加熱導體之間的相對運動的步驟，由此引起雙壁玻璃管在第一端部處變形。

在此，一個或多個加熱元件的平移運動例如用于：使雙壁玻璃管的外部的玻璃壁在其加熱的狀態中向內壓到內部的玻璃壁上。兩個加熱導體的這種平移運動例如能夠從圖2和3得到。然而也可行的是：通過加熱導體執行旋轉和平移運動的組合。因為其為相對運動，所以同樣可行的是：一個或多個加熱導體在方法執行期間靜止地設置，并且通過相應的設備移動雙壁玻璃管，使得在玻璃管處產生變形和尤其引起的氣密的封閉。

根據本發明的另一實施例，在方法中使用至少兩個加熱導體。在此，在本實施例中，兩個加熱導體作為部分罩構成用于包住雙壁玻璃管的各一部分。因此，本實施例的方法還具有如下步驟：借助于第一加熱導體至少部分地包住外玻璃管，并且具有如下步驟：借助于第二加熱導體至少部分地包住外玻璃管。通過垂直于雙壁玻璃管移動兩個加熱導體以使以導電的方式加熱的玻璃管變形和氣密地封閉，實現雙壁玻璃管的期望的封閉。

在圖2的示例的、非限制性的實施例中說明兩個部分罩形式的加熱導體的這種垂直的移動。因此在此，產生兩個加熱導體和雙壁玻璃管的外玻璃管之間的形狀配合，使得從加熱導體到玻璃管的特別良好的導熱是可行的。這縮短方法的持續時間并且能夠實現特別有效的封閉方法。

本發明的一個或多個加熱導體能夠由不同的材料構成。一方面，為一個/多個加熱導體提供陶瓷材料。優選能夠是硅滲透的碳化硅(SiSiC)。對于SiSiC替代地，例如能夠使用碳纖維增強的碳(CFC)或碳纖維增強的碳化硅。在此，C纖維也能夠通過SiC纖維取代。原則上考慮將致密燒結的SiC考慮作為加熱導體材料，當然，電流流動特性不完全表現為如在其他提到的特性中那樣好。

對于陶瓷的加熱導體材料替代地，也能夠使用金屬的加熱導體。例如鎳和/或鎳基合金、鉭和/或鉭基合金、鈮和/或鈮基合金。使用由前述材料構成的混合物也是本發明的一部分。

根據本發明的另一實施例，加熱導體由陶瓷形成、尤其由硅滲透的碳化硅(SiSiC)形成。

材料SiSiC由于其良好的熱導率根據本實施例優選使用在本發明的封閉方法中。以電的方式在SiSiC中產生熱實際上同樣是特別有利的。SiSiC是由SiC多孔基本結構構成的復合材料。以熔化金屬冶金的方式將硅滲透到所述結構中，由此實現無孔的均勻的復合結構。根據本發明，所述復合結構是極好的加熱導體并且以有利的方式適合于本發明的所述實施例。

根據本發明的另一實施例，通過將加熱導體直接安置到雙壁玻璃管的表面上以及在將真空室抽真空過程之后來以導電的方式進行加熱。

根據本發明的另一實施例，將位于內玻璃管和外玻璃管之間的體積抽真空。

要注意的是：對于本發明而言，原則上，低真空條件、即大約0.01mbar是足夠的。當然，當用戶期望并且對于具體應用情況需要較小的壓力時，同樣能夠使用較小的壓力。當然，原則上要考慮的是：由此可實現的提高的熱絕緣作用反對成本密集的高或高度真空工藝。

根據本發明的另一實施例，在以導電的方式加熱期間產生內玻璃管和外玻璃管相對于加熱導體的旋轉運動。

例如可行的是：使加熱導體圍繞靜止的玻璃管以旋轉運動的方式來運動。替選地同樣可行的是：將加熱導體靜止地設置在真空室中并且產生玻璃管的旋轉運動。然而，這兩種旋轉運動的組合也是可行的。例如，雙壁玻璃管能夠安置到滾動引導裝置上，所述滾動引導裝置是根據本發明的設備的一部分。在此情況下，所述滾動引導裝置同樣設置在真空室中。管的不通過加熱導體加熱的部分能夠置于用于產生旋轉的滾動引導裝置上。電驅動器能夠旋轉所述滾動引導裝置，使得整體上能夠產生雙壁玻璃管相對于至少一個加熱導體的旋轉運動。根據本發明的設備的相應的電子裝置的相應的控制裝置同樣是本發明的一部分。

由于至少一個加熱導體和玻璃管之間的相對旋轉，能夠確保均勻的加熱。這能夠實現可靠地封閉加熱的玻璃區域，而不使本身還未達到在管中所需的溫度的區域變形。

根據本發明的另一實施例，所述方法具有如下步驟：在玻璃管變形和氣密地封閉之前，在雙壁玻璃管的外表面上蒸鍍附加層、尤其增透層。

例如，增透層能夠是MgF₂層。然而也可行的是：使用其他材料，以便在真空室內部對雙壁玻璃管覆層。

根據本發明的另一實施例，提出一種用于真空密封地封閉具有內玻璃管和外玻璃管的雙壁玻璃管的設備。根據另一實施例，所述設備構成和設置為用于執行根據本發明的其中所描述的方法。

根據另一實施例，所述設備具有真空室，以在所述真空室內部提供期望的負壓。此外，所述設備具有保持元件，以在真空室內部固定雙壁玻璃管。同樣，所述設備具有用于以導電的方式加熱雙壁玻璃管的至少一個加熱導體。所述設備構成為，用于使雙壁玻璃管在玻璃管的一個端部處變形，使得雙壁玻璃管的第一端部能夠氣密地被封閉，其中所述雙壁玻璃蓋固定在保持元件上且通過加熱導體以導電的方式加熱。

換言之，所述設備提供如下功能：將保持和固定在設備中的雙壁玻璃管在真空/負壓下借助于電能和到雙壁玻璃上的熱傳導加熱，使得所述雙壁玻璃管可機械地變形并且借助于例如加熱導體的移動將雙壁管擠壓到一起。因此，所述設備構成為，用于使所述管端部變形和氣密地封閉。隨后，能夠將加熱導體從雙壁玻璃管移除，使得能夠使用冷卻過程。

在此，在本實施例中或在任意其他實施例中可行的是：所述設備包含這種雙壁玻璃管。然而，將設備根據其具有雙壁玻璃管的功能進行描述，由此說明設備的結構上的和功能上的特征和特性。

根據本發明的另一實施例，所述設備具有第一部分圓柱罩作為第一加熱導體，以及具有第二部分圓柱罩作為第二加熱導體。在此，兩個部分圓柱罩構成用于直接地且形狀配合地接觸和包住由保持元件固定的雙壁玻璃管的外玻璃管。

所述實施例能夠從圖3的還未詳細說明的實施例中夠得到。圖4同樣示出在此提到的所述實施例的這種特征。

根據另一實施例，所述設備具有第一氣動設備和第二氣動設備。在此，第一氣動設備構成為，用于將第一加熱導體沿朝第二加熱導體的方向移動。第二氣動設備構成為，用于將第二加熱導體沿朝第一加熱導體的方向移動。

換言之，借助于氣動設備產生雙壁玻璃管和兩個加熱導體之間的相對運動，使得借助于外玻璃壁和/或內玻璃壁的期望的變形可實現期望的封閉。在此，在本實施例中或任意其他實施例中，所述設備能夠匹配于不同的玻璃管。例如，能夠減小或增大所使用的加熱導體的間距，使得能夠加工不同的玻璃管的不同的直徑。

根據本發明的另一實施例，加熱導體構成為，用于在以導電的方式加熱期間執行移動，使得實現使雙壁玻璃管變形和封閉。

在此，加熱導體也能夠構成為，用于在加熱之后執行移動。能夠通過不同的機械驅動器和/或電驅動器進行移動。例如，能夠通過氣動設備控制加熱導體以平移移動，使得玻璃管被擠壓到一起。

根據本發明的另一實施例，設備的保持元件通過至少一個加熱導體提供。優選地，保持元件以部分圓柱罩的形式構成。

換言之，在本實施例中，加熱導體提供固定雙壁玻璃管以及以導電的方式加熱玻璃管的功能。如從圖3中能夠示范性地得出：玻璃管在那置于下部的部分圓柱形的加熱導體上，并由所述加熱導體保持。同樣，通過上部的部分圓柱形的加熱導體進一步進行固定，由此在工藝期間實現穩定性。

根據另一實施例，所述設備具有供電單元，所述供電單元以20至400伏的工作電壓工作。供電單元是直流電流源。換言之，玻璃管通過一個/多個加熱導體在20至400伏的工作電壓下加熱。

根據另一實施例，所述設備具有交流電單元作為供電單元。在需要較高電壓水平時尤其表明是這種情況。因此，能夠減少可能的等離子電弧。

附圖說明

下面，根據附圖詳細深入本發明的實施例。

圖1示出根據本發明的一個實施例的用于真空密封地封閉雙壁玻璃管的方法的流程示意圖。

圖2示出貫穿根據本發明的一個實施例的用于真空密封地封閉雙壁玻璃管的設備的一部分的橫截面。

圖3示出根據本發明的一個實施例的用于真空密封地封閉雙壁玻璃管的設備。

圖4示出用于真空密封地封閉雙壁玻璃管的設備的另一實施例。

在下文中參照附圖根據優選實施例的示意描述再次更詳細地闡述本發明。從中也得到本發明的其他細節和優點。

在圖中的描述是示意性的且不是符合比例的。在附圖描述中，對相同的或類似的元件使用相同的附圖標記。

具體實施方式

圖1的方法是用于真空密封地封閉雙壁玻璃管的方法并且尤其能夠視為用于制造太陽能收集器的生產方法或生產方法的一部分。在圖1中用步驟S1示出：在真空室內部存在期望的負壓的情況下，在真空室內部提供雙壁玻璃管。這種玻璃管能夠視為太陽能收集器。在步驟S2中，以導電的方式加熱外玻璃管和/或內玻璃管，更確切地說在雙壁玻璃管的第一端部處加熱。這借助于使用至少一個加熱導體進行。以導電的方式加熱的玻璃管在雙壁玻璃管的第一端部處變形，使得外玻璃管和內玻璃管接觸進而氣密地封閉雙壁玻璃管的第一端部。該變形和封閉的步驟在圖1中用步驟S3示出。

在此要注意的是：所述實施例能夠通過之前和之后描述的步驟來補充。例如，能夠產生雙壁玻璃管和加熱導體之間的相對運動，由此使雙壁玻璃管在第一端部處變形和封閉。同樣，能夠將位于內玻璃管和外玻璃管之間的體積抽真空。附加地或替代地，能夠產生雙壁玻璃管相對于加熱導體的旋轉運動。這能夠通過例如滾動設備實現，所述滾動設備同樣是根據本發明的設備的相應的真空室的一部分。根據圖1的方法能夠實現通過直接安置加熱導體、尤其陶瓷加熱導體來加熱和封閉兩個玻璃管，并且能夠實現直接在抽真空過程之后進行到玻璃管的表面上的直接的熱傳遞。例如，能夠通過將相應的加熱導體相對于彼此移動進行變形。同樣存在如下可能性：在單獨的室隔間中蒸鍍吸收層。因此，圖1的方法能夠實現減少抽真空時間，進而實現更合理的生產流程。同樣，在真空室中簡單的安裝是可行的。在真空區中僅需要對加熱導體供電。到雙壁玻璃管上的直接的熱傳遞和因此快速的工藝控制能夠通過圖1的方法實現。

圖2示出用于真空密封地封閉雙壁玻璃管206的設備200的一部分。在此，圖2在上部示出在雙壁玻璃管變形之前和封閉之前，雙壁玻璃管206的以及與加熱導體202、204的相應的接觸的狀態。與此相對，在圖2的下部中示出在玻璃管變形之后和氣密之后的雙壁玻璃管206。圖2的實例的兩個加熱導體202、204構成為，使得所述加熱導體的輪廓形狀配合地容納要封閉的玻璃管206、尤其外部的子管201。雙壁玻璃管的環周通過兩個加熱導體部分地環繞，并且在接觸面處進行期望的熱傳遞。因此，在此形成兩個加熱導體和雙壁玻璃管的外玻璃管之間的形狀配合，使得從加熱導體到玻璃管的特別良好的導熱是可行的。圖2示出外玻璃管201和內玻璃管203的橫截面。同樣，在圖2的上部中示出分別處于加熱位置中的、即與雙壁玻璃管206接觸的第一加熱導體202和第二加熱導體204。在此，箭頭205表示：產生加熱導體202、204與雙壁玻璃管206之間的相對運動、尤其相對旋轉。

在圖2的下部中示出在變形之后的外玻璃管201并且同樣示出在變形之后的內玻璃管203。同樣在圖2的下部中示出處于變形位置的第一加熱導體202，而且也圖2中示出處于變形位置中的第二加熱導體204。換言之，所述設備構成為，用于使雙壁玻璃管206在玻璃管的一個端部處變形，使得氣密地封閉雙壁玻璃管的第一端部，其中所述雙壁玻璃管固定在保持元件(在圖2中未示出)上且通過加熱導體202、204以導電的方式加熱。這個狀態在圖2的下部中示出。在此要說明的是：圖2的上部中的第一加熱導體202的位置與圖2的下部中的加熱導體202的位置相同。同樣的內容適用于在圖2的上圖中示出的第二加熱導體204和在圖2的下圖中示出的第二加熱導體204。設備200構成為用于產生雙壁玻璃管和加熱導體202、204之間的相對運動，由此在第一端部處引起雙壁玻璃管的變形。在此，在圖2的下部中用附圖標記207示出：由于兩個加熱導體的移動，在方法結束時，這兩個加熱導體與在方法開始時相比相對于彼此更近地設置，如這在圖2的上部中示出。在圖2的實例中，這兩個加熱導體分別沿徑向方向相向移動。這例如能夠通過用于產生移動的液壓的或氣動的機械裝置實現。示例的實施方式根據圖3闡述。

圖3示出用于真空密封地封閉雙壁玻璃管的設備300的另一實施例。在此，設備300借助于其部件和具有雙壁玻璃管的功能進行描述，由此說明設備300的結構上的和功能上的特征和特性。在此，設備300具有用于外管的上部的第一加熱導體301并且在圖3中在加熱位置中示出。同樣，設備300具有用于外管的下部的加熱導體，所述下部的加熱導體同樣在加熱位置中示出。設備具有上部的氣動缸303，借助于所述上部的氣動缸能夠產生上部的加熱導體的豎直運動。所述平移運動用箭頭311在圖3中表明。在圖3中，外玻璃管以304示出而內玻璃管以305示出。同樣，電端子306和307設置在設備300的右側和左側上。如從圖3中能夠得出：下部的加熱導體302以部分圓柱罩的形式構成并且提供用于雙壁玻璃管的保持元件。同樣，上部的加熱導體301固定雙壁玻璃管的位置。下部的氣動缸309以與上部的氣動缸303類似的方式實現下部的加熱導體的平移運動。在此，在設備300中存在基板308，在基板上側向地設置有引導桿310，所述引導桿引導加熱導體的平移運動，所述平移運動通過氣動缸303和309產生。根據圖3的設備的進一步構成的實施例，在設備300中存在滾動引導裝置，所述滾動引導裝置能夠在加熱期間產生雙壁玻璃管的旋轉。所有部件、尤其氣動缸和旋轉設備的相應的電控制裝置同樣能夠包含在內。同樣從圖3中得出：呈第一和第二加熱導體形式的兩個部分圓柱罩以與外玻璃管直接且形狀配合地接觸且對其進行包住的形式構成。整體上，所述設備能夠實現在制造太陽能收集器時、尤其在真空密封地封閉雙壁玻璃管時減少抽真空時間，所述雙壁玻璃管用作太陽能收集器。

圖4示出用于真空密封地封閉雙壁玻璃管的設備400的另一實施例。設備400具有用于外管的上部的加熱導體401和用于內管的加熱導體402。在此，外管用403表示而內管用404表示。同樣，用于外管403的下部的加熱導體405在圖4中示出。襯套406用于絕緣。襯套406具有電絕緣體的功能。本發明的用戶能夠根據需求選擇襯套406的材料。由于相對高的工藝溫度，通常不考慮例如由塑料構成的絕緣體。非常適合的例如是氧化陶瓷的材料，例如氧化鋁、氧化鋯、氧化釔、氧化硅或其混合物。此外，還考慮鋁硅酸鹽的物質種類，例如莫來石和堇青石。供電單元407優選構成為直流電源/直流工藝。由于可能的等離子擊穿，應不超過大約800伏。但是在一些情況下，大于800伏的電壓也是可行的。適合于工藝的、與加熱導體的電阻率、其橫截面積和長度相關的工作電壓處于20至400伏的范圍中。作為交流電單元的實施方案同樣是可行的，并且當應以更高電壓水平運行時尤其是這種情況。因此，能夠減少可能的等離子擊穿。

圖4的設備400具有由礦物材料構成的支架408，所述支架直至1400℃是電絕緣的。在此，能夠使用不同的材料。在此，圖4的上部的、之前所描述的部分是根據本發明的設備在加熱階段之內的狀態。在圖4的下部中，現在示出根據本發明的設備400在變形階段之內的狀態。在此，外管409以其變型的配置示出。同樣，用于外管401的上部的加熱導體在向下移動的位置中示出。用于內管的加熱導體402同樣在下部中示出以及也示出內管404和用于外管的下部的加熱導體405。支架408同樣在圖4的下部中示出。同樣的內容適用于襯套406和系統407。

本發明原則上能夠用于不同類型的用于真空密封地封閉雙壁玻璃管的方法，并且不局限于權利要求1和從屬權利要求的特征的所說明的組合。此外，得到其他的可能性：將從權利要求、實施例的描述中或直接從附圖中得出的各個特征彼此組合。

補充地需要指出：“包括”不排除其他元件或步驟，并且“一個”或“一”不排除復數。此外，要指出的是：參照上面的實施例所描述的特征或步驟也能夠以與其他上文所描述的實施例的其他特征或步驟組合地使用。在權利要求中的附圖標記不視為限制。