本實用新型涉及晶體培養技術領域，尤其涉及一種晶體培養裝置。

背景技術：

靜態晶體培養法是將配體和配位中心離子溶解后，配成培養液，放置與容器中，等待自然揮發或溫度調節等獲得晶體自組裝生長的過程。現在已經有很多類似這種反應應用在實際生產過程中，因此就提出了對原先技術更深的要求。通常情況下，采用培養皿進行培養液的放置，并不能連續疊加，且培養完成后，固液分離是個非常大的難題，通常的傾倒法容易嚴重破壞原有晶體的形態。

技術實現要素：

本實用新型為了克服現有技術中的晶體培養皿在倒水時傾斜導致破壞晶體形態、晶體培養效率低的不足，提供了一種在排水時不會破壞晶體形態、晶體培養質量高的晶體培養裝置。

為了實現上述目的，本實用新型采用如下技術方案：

一種晶體培養裝置，包括底座、設在底座上的若干培養皿，所述培養皿的內底面中心設有連接筒，連接筒內設有轉動管，轉動管依次穿過每個培養皿上的連接筒將培養皿串接疊合在一起，轉動管的下端穿過底座與底座之間轉動連接，所述連接筒的上端側面設有液位孔，所述連接筒的下端另一側面設有排液孔，所述轉動管的側面設有若干與培養皿上的排液孔一一對應的排液缺口，當轉動管上的排液缺口轉動到與液位孔同側時，排液缺口與液位孔連通，當排液缺口轉動到與排液孔同側時，排液缺口與排液孔連通。

先把排液缺口轉動到與液位孔同側，然后分別向每個培養皿內注入培養液，多余而對培養液會從經過液位孔、排液缺口后從轉動管的下端排掉，從而使得每個培養皿內的液位一致；晶體在培養皿內完全反應后需要將水排掉，此時轉動管轉動一個角度，使得排液缺口與排液孔連通，此時每個培養皿內的水都通過轉動管排掉，無需把培養皿傾斜倒水，不會破壞晶體形態，提高晶體培養質量同時可以根據需要增加培養皿的數量，提高晶體單次培養量。

作為優選，所述連接筒的上端端面為內錐面，所述培養皿的外底面中心設有限位凸環，所述限位凸環的下端端面為與內錐面配合的外錐面。培養皿上下疊合時，限位凸環能保證培養皿之間同軸疊合，不易錯位，確保轉動管能夠穩定插入并轉動。

作為優選，所述轉動管的下端設有下限位套，所述轉動管的上端設有上限位套。下限位套、上限位套對轉動管的兩端限位，防止轉動管軸向移動而錯位。

作為優選，所述培養皿的側面設有凸耳，所述的凸耳上設有定位孔，所述的底座上設有依次貫穿定位孔的定位桿。每個培養皿均通過定位桿、轉動管定位，從而確保每個培養皿中的排液孔、液位孔的位置一致。

作為優選，所述培養皿的開口端側面設有傾斜的注液槽。培養皿疊合后，通過注液槽向培養皿內注入培養液。

因此，本實用新型在排水時不會破壞晶體形態、晶體培養質量高。

附圖說明

圖1為本實用新型的一種結構示意圖。

圖2為培養皿的結構示意圖。

圖3為圖1中A處局部放大示意圖。

圖中：底座1、培養皿2、連接筒3、內錐面30、液位孔31、排液孔32、轉動管4、排液缺口40、限位凸環5、外錐面50、凸耳6、定位孔7、定位桿8、注液槽9、下限位套10、上限位套11。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步描述：

如圖1和圖2所示的一種晶體培養裝置，包括底座1、設在底座上的若干培養皿2，培養皿2的內底面中心設有連接筒3，連接筒3內設有轉動管4，轉動管依次穿過每個培養皿上的連接筒將培養皿串接疊合在一起，連接筒3的上端端面為內錐面30，培養皿的外底面中心設有限位凸環5，限位凸環的下端端面為與內錐面配合的外錐面50，培養皿2的側面設有凸耳6，凸耳上設有定位孔7，底座上設有依次貫穿定位孔的定位桿8，培養皿2的開口端側面設有傾斜的注液槽9；轉動管的下端穿過底座與底座之間轉動連接，轉動管的下端設有下限位套10，轉動管的上端設有上限位套11。

如圖3所示，連接筒3的上端側面設有液位孔31，連接筒的下端另一側面設有排液孔32，轉動管4的側面設有若干與培養皿上的排液孔一一對應的排液缺口40，當轉動管上的排液缺口轉動到與液位孔同側時，排液缺口與液位孔連通，當排液缺口轉動到與排液孔同側時，排液缺口與排液孔連通。

結合附圖，本實用新型的使用方法如下：先把排液缺口轉動到與液位孔同側，然后通過注液槽分別向每個培養皿內注入培養液，多余而對培養液會從經過液位孔、排液缺口后從轉動管的下端排掉，從而使得每個培養皿內的液位一致；晶體在培養皿內完全反應后需要將水排掉，此時轉動管轉動一個角度，使得排液缺口與排液孔連通，此時每個培養皿內的水都通過轉動管排掉，無需把培養皿傾斜倒水，不會破壞晶體形態，提高晶體培養質量同時可以根據需要增加培養皿的數量，提高晶體單次培養量。