技術領域:
本發明涉及臭氧制造技術領域,具體涉及一種單電極高壓放電片。
背景技術:
:
現有技術的臭氧發生片包括片狀基體,所述片狀基體一面印有感應層,另一面印有被絕緣介質覆蓋的放電層,印有感應層和放電層的面分別設有焊盤連接。此種臭氧發生片,由于放電電極直接與空氣接觸,電極處易吸附灰塵,絕緣性能差,臭氧片使用壽命短,而且臭氧發生量較小。
技術實現要素:
:
本發明提供一種單電極高壓放電片,解決了現有技術的臭氧量小,使用壽命短,絕緣性能差等問題,具有提高臭氧發生量,延長使用壽命和提高絕緣性能等有益效果。
為解決現有技術中存在的不足與缺陷,
本技術:
實施例提供一種單電極高壓放電片,包括上片狀基體、下片狀基體,所述下片狀基體一面印有放電電極和焊盤,印有放電電極一面和下片狀基體通過疊壓燒結而成,所述上片狀基體的上端設有孔位,所述焊盤通過上片狀基體的孔位漏出,并在焊盤表面鍍鎳。
進一步的,所述放電電極的材料為金屬導電漿料。
進一步的,所述放電電極在上片狀基體和下片狀基體之間,通過疊燒而成。
進一步的,所述焊盤的材料為金屬導電漿料。
進一步的,所述焊盤的表面鍍一層鎳。
進一步的,所述上片狀基體和下片狀基體是在1600-1650℃疊燒而成。
進一步的,所述上片狀基體和下片狀基體的材料為氧化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化鋁陶瓷、碳化硅陶瓷等。
進一步的,至少需要兩片間接式臭氧發生片才能產生臭氧。
進一步的,可根據電壓的大小調節臭氧量的大小。
進一步的,所述的孔位的尺寸稍微大于焊盤的尺寸。
進一步的,述的孔位與焊盤的位置設計在基體或放電電極的邊緣。
本申請實施例中提供的技術方案,至少具有如下技術效果或優點:
1.本實施例采用一種單電極高壓放電片,包括上片狀基體、下片狀基體,本申請實施例臭氧發生片至少需兩個一種單電極高壓放電片才能產生臭氧,增加了接觸面積,解決了發生臭氧量小的問題,具有提高臭氧發生量的有益效果。
2.本實施例采用一種單電極高壓放電片,包括上片狀基體、下片狀基體,所述下片狀基體一面印有放電電極和焊盤,印有放電電極一面和下片狀基體通過疊壓燒結而成,放電處幾乎不吸附灰塵。解決了產品的絕緣性能差和使用時間短的問題,具有大大提高了產品的絕緣性能延長使用時間的有益效果。
3.本發明單電極高壓放電片由于其較好的絕緣性,可以在水中進行耐壓測試,可以更容易檢查出陶瓷基片成型后是否有暗裂等潛在隱患。
附圖說明
圖1表示臭氧發生片結構示意圖;
圖2表示臭氧發生片的a-a剖面圖
其中,1-焊盤、2-孔位、3-上片狀基體、4-放電電極、5-下片狀基體。
具體實施方式
為了使本發明的技術方案更加清楚明白,下面結合附圖對本發明做進一步詳細說明。
參照圖1、圖2,一種單電極高壓放電片,包括上片狀基體3、下片狀基體5,所述下片狀基體5一面印有放電電極4和焊盤1,印有放電電極4一面和下片狀基體3通過疊壓燒結而成,所述上片狀基體3的上端設有孔位2,所述焊盤1通過上片狀基體3的孔位漏出,并在焊盤1表面鍍鎳,所述金屬導電材料為鎢、鉬、鎳、釕等,由于鎢、鉬、鎳、釕具有耐高溫的特性,所以大大提高了臭氧發生片在高溫下使用壽命。
所述放電電極4在上片狀基體3和下片狀基體5之間,通過疊燒而成。由于放電電極4的設置在上片狀基體和下片狀基體5之間,被上下基體完全覆蓋,保護了放電電極4工作時不被空氣中的臟物所污染,解決了臭氧發生片工作時放電電極4被空氣中的臟物污染的的問題,從而具有延長臭氧發生片的使用壽命的有益效果。
所述上片狀基體3和下片狀基體5的材料為陶瓷,陶瓷具有良好的絕緣性,可以在水中進行耐壓測試,可以更容易檢查出陶瓷基片成型后是否有暗裂等潛在隱患。
所述焊盤1的表面有一層鍍層,其材質為鎳,由于鎳具有中等硬度,并且具有良好的延展性,從而增加了可焊性。
所述片狀基體3、5是在1600-1650℃疊燒而成。
所述片狀基體3、5的材料為氧化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化鋁陶瓷、碳化硅陶瓷等。
至少需要兩片單電極高壓放電片才能產生臭氧。
可根據電壓的大小調節臭氧量的大小,電壓越大臭氧發生量越大,同時可以控制臭氧量的發生,具有臭氧量發生穩定的有益效果。
本實施例采用一種單電極高壓放電片,包括上片狀基體、下片狀基體,本申請實施例單電極高壓放電片至少需兩個單電極高壓放電片才能工作,增加了接觸面積,解決了發生臭氧量小的問題,具有提高臭氧發生量的有益效果。
本實施例采用一種單電極高壓放電片,包括上片狀基體、下片狀基體,所述下片狀基體一面印有放電電極和焊盤,印有放電電極一面和下片狀基體通過疊壓燒結而成,放電處幾乎不吸附灰塵。解決了產品的絕緣性能差和使用時間短的問題,具有大大提高了產品的絕緣性能延長使用時間的有益效果。
最后應說明的是,以上具體實施方式僅用以說明本發明的技術方案而非限制,盡管參考實施例對本發明進行了詳細的說明,本領域的普通技術人員應當理解,可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換,而不脫離本發明技術方案的精神和范圍,其均應涵蓋在本發明的權利要求范圍當中。