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一種以濃硫酸為插層劑制備單層或寡層氮化硼納米片的方法與流程

文檔序號:11228731閱讀:來源:國知局

技術特征:

技術總結
本發明提供一種以濃硫酸為插層劑制備單層或寡層氮化硼納米片的方法,包括如下步驟:室溫下,將市售的塊體氮化硼原料與濃硫酸均勻混合,攪拌,使濃硫酸插入氮化硼層間,得到均勻混合溶液;將均勻混合溶液快速倒入定量超純水中,進行超聲分散,得到氮化硼分散液;將氮化硼分散液經抽濾,洗滌至抽濾液pH值為中性后,再將濾渣均勻地分散到超純水中,得到均勻分散液;將均勻分散液靜置,去除大塊未被剝離的氮化硼,取上層清液,即得到氮化硼納米片分散液;將氮化硼納米片分散液中的氮化硼納米片分離出來,干燥,即得到產品氮化硼納米片。本發明具有反應設備簡單、反應時間短、成本低、產率高、環境友好、易于規模化生產、產品質量好等特點。

技術研發人員:袁頌東;朱星;袁澤緯;熊劍;江國棟
受保護的技術使用者:深圳市澤緯科技有限公司
技術研發日:2017.07.18
技術公布日:2017.09.12
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