技術特征：

技術總結
本發明制備了一種高直流擊穿場強的聚丙烯/納米復合電介質的制備方法，(1)選用硅烷偶聯劑KH570對AlN納米粒子和α相Al2O3納米粒子進行表面修飾，增強了無機納米粒子與聚合物基體的橋接作用；(2)將聚丙烯基料添加在高溫的轉矩流變儀腔體中，待顆粒熔融后，分別加入經硅烷偶聯劑修飾的AlN和Al2O3納米粒子，在高溫下高速攪拌一定時間，制備得到納米粒子分散均勻的納米復合電介質；(3)用平板硫化機采用三明治結構熱壓制得厚度為150μm的聚丙烯/AlN和聚丙烯/Al2O3的薄膜試樣。采用連續升壓方式測試直流擊穿場強，測試結果表明：聚丙烯/AlN和聚丙烯/Al2O3納米復合電介質的直流擊穿場強相比于純聚丙烯介質分別提高了13％和35％。

技術研發人員：謝東日;閔道敏;李盛濤;湛海涯;閔超
受保護的技術使用者：西安交通大學;中國西電電氣股份有限公司
技術研發日：2017.07.07
技術公布日：2017.09.15