一種半芯片制造用研磨組合物的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種半芯片制造用研磨組合物，其特征在于，包括下列重量份數的物質：親水基表面活性劑11-19份，多聚甲醛5-19份，多聚甲醛4-6份，硫酸鋅6-8份，硫酸鎂1-3份，硫酸銀4-9份，硫酸銅3-8份，分子篩2-3份，硅藻土5-12份，硼酸鈉3-10份，納米有機蒙脫土4-10份，滑石粉4-6份，硬脂酸鋅4-6份，氯化鈣2-5份。本發明的化學機械研磨劑中包括親水基表面潔性劑材料，可以降低化學機械研磨劑和正在水性薄膜間的表面張力，使化學機械研磨劑和琉水性薄膜更緊密貼合。
【專利說明】一種半芯片制造用研磨組合物

【技術領域】
[0001]本發明涉及一種半芯片制造用研磨組合物。

【背景技術】
[0002]在半導體制造中，化學機械研磨(CMP)技術可以實現整個晶圓的平坦化，成為芯片制造工藝中重要的步驟之一。在化學機械研磨中，化學機械研磨劑(Slurry)是化學機械研磨技術的關鍵要素之一，其性能直接影響拋光后表面的質量。設計化學機械研磨劑時，希望能達到去除速率高、平面度好、膜厚均勻、無殘留、缺陷少等效果。


【發明內容】

[0003]本發明所要解決的技術問題是提供一種半芯片制造用研磨組合物。
[0004]為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是:
一種半芯片制造用研磨組合物，其特征在于，包括下列重量份數的物質:親水基表面活性劑11-19份，多聚甲醛5-19份，多聚甲醛4-6份，硫酸鋅6-8份，硫酸鎂1-3份，硫酸銀4-9份，硫酸銅3-8份,分子篩2-3份,娃操土 5-12份,硼酸鈉3-10份,納米有機蒙脫土 4-10份，滑石粉4-6份，硬脂酸鋅4-6份，氯化鈣2-5份。
[0005]本發明的化學機械研磨劑中包括親水基表面潔性劑材料，可以降低化學機械研磨劑和正在水性薄膜間的表面張力，使化學機械研磨劑和琉水性薄膜更緊密貼合，從而減少琉水性薄膜表面上的殘留物和顆粒等缺陷，改善化學機械研磨的效果。

【具體實施方式】
[0006]實施例1
一種半芯片制造用研磨組合物，其特征在于，包括下列重量份數的物質:親水基表面活性劑11-19份，多聚甲醛5-19份，多聚甲醛4-6份，硫酸鋅6-8份，硫酸鎂1-3份，硫酸銀4-9份，硫酸銅3-8份,分子篩2-3份,娃操土 5-12份,硼酸鈉3-10份,納米有機蒙脫土 4-10份，滑石粉4-6份，硬脂酸鋅4-6份，氯化鈣2-5份。
【權利要求】
1.一種半芯片制造用研磨組合物，其特征在于，包括下列重量份數的物質:親水基表面活性劑11-19份，多聚甲醛5-19份，多聚甲醛4-6份，硫酸鋅6-8份，硫酸鎂1-3份，硫酸銀4-9份，硫酸銅3-8份，分子篩2-3份，娃操土 5-12份，硼酸鈉3-10份，納米有機蒙脫土4-10份，滑石粉4-6份，硬脂酸鋅4-6份，氯化鈣2-5份。
【文檔編號】C09K3/14GK104046330SQ201410296834
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年6月28日 優先權日:2014年6月28日
【發明者】范向奎 申請人:青島寶泰新能源科技有限公司