本發明涉及一種根據權利要求1前序部分所述的方法。

背景技術：

由WO 2015/120939 A1公知這種方法。如果期望在微機械構件的空穴中有確定的內壓，或者在空穴中應包含具有確定的化學組分的氣體混合物，則通常在封裝微機械構件時或者在襯底晶片與罩晶片之間的鍵合過程中調節內壓或化學組分。在封裝時例如將罩與襯底連接，由此罩與襯底共同包圍空穴。通過調節在封裝時在周圍環境中存在的氣體混合物的大氣或壓力和/或化學組分，可以因此調節在空穴中的確定的內壓和/或確定的化學組分。

通過由WO 2015/120939 A1已知的方法可以有針對性地調節在微機械構件的空穴中的內壓。通過該方法尤其可能的是，制造具有第一空穴的微機械構件，其中，在第一空穴中可以設定第一壓力和第一化學組分，該第一壓力或第一化學組分不同于在封裝時刻的第二壓力和第二化學組分。

在根據WO 2015/120939 A1的用于有針對性地調節微機械構件的空穴中的內壓的方法中，在罩中或者說在罩晶片中或在襯底中或者說在傳感器晶片中產生到空穴的窄的進入通道。接著以所期望的氣體和所期望的內壓通過進入通道充滿空穴。最后借助激光器局部地加熱圍繞進入通道的區域，襯底材料局部液化并且在固化時密封地封閉進入通道。

技術實現要素：

本發明的任務是，以相對于現有技術簡單并且成本有利的方式提供一種用于制造相對于現有技術機械牢固的以及具有長使用壽命的微機械構件的方法。此外，本發明的任務是，提供一種相對于現有技術緊湊的、機械牢固的并且具有長使用壽命的微機械構件。根據本發明，這尤其適用于具有(第一)空穴的微機械構件。通過根據本發明的方法和根據本發明的微機械構件也還能夠實現微機械構件，在該微機械構件中，在第一空穴中可以設定第一壓力和第一化學組分，并且在第二空穴中可以設定第二壓力和第二化學組分。例如設置這樣的用于制造微機械構件的方法，對于該微機械構件有利的是，在第一空穴中包含第一壓力，并且在第二空穴中包含第二壓力，其中，第一壓力應不同于第二壓力。那么這例如是如下情況，即用于轉速測量的第一傳感器單元和用于加速度測量的第二傳感器單元應集成到微機械構件中。

該目的由此實現：通過調節吸收部分的延伸尺度并且通過調節在吸收部分中的吸收強度而使得在襯底或罩中出現的應力最小化來，實現能量或熱量的引入。

由此以簡單并且成本有利的方式提供一種用于制造微機械構件的方法，通過該方法可以在空間上控制能量或熱量在襯底或罩中的引入。因此，可以在襯底或罩中在空間上有針對性地控制材料區域從固態聚集態到液態聚集態的第一過渡和在時間上緊接著第一過渡的、材料區域從液態聚集態到固態聚集態的第二過渡。此外，可以根據能量或熱量在襯底或罩內部的空間分布通過根據本發明的方法在空間上有針對性地將襯底或罩的與襯底或罩的材料區域相鄰的區域置于與現有技術相比升高的溫度上。因此，與現有技術相比可以降低在襯底或罩中、尤其在進入開口區域中的溫度梯度。由此能夠實現，在襯底或罩中、尤其在進入開口區域中的相鄰區域的在溫度升高時的熱膨脹和/或在溫度降低時的熱收縮可以相互補償，并因此與現有技術相比可以降低在封閉的進入開口區域中、尤其通過在第三方法步驟之后的冷卻過程產生的機械應力或固有應力。局部產生的應力或張力的減小或降低是特別有利的，因為由此與現有技術相比可以提高相對于形成裂紋的阻力，并因此與現有技術相比可以降低直接在封閉進入開口之后、在繼續加工微機械構件期間或者在產品壽命期間構件失效的可能性。通過避免裂紋尤其能夠實現進入開口的密封封閉，從而與現有技術相比降低由于進入開口不密封的封閉而限制微機械構件功能的可能性。

通過根據本發明的方法，與現有技術相比通過在空間上有針對性地提高在襯底或罩中的溫度尤其能夠降低在剛剛固化的材料區域與包圍該材料區域的材料之間的溫度梯度。該溫度梯度尤其可以在材料區域固化的時刻和在時間上材料區域剛剛固化之后降低。因此可以有利地實現，材料區域的熱收縮基本相當于包圍該材料區域的材料的熱收縮，或者說這兩個熱收縮可以相互補償。因此有利地實現，與現有技術相比可以降低在封閉的進入開口區域中、尤其在時間上在材料區域冷卻之后產生的機械應力。

根據本發明，溫度梯度在材料區域是液態聚集態的時刻上或者說位于熔化狀態中不那么重要，因為材料區域在該時刻上基本無應力。但是根據本發明例如設置，在材料區域處于液態聚集態的時刻上溫度梯度與現有技術相比也降低。根據本發明尤其避免或降低，在時間上在材料區域固化之后以這樣的方式建立應力，即，剛剛固化的材料區域比包圍該材料區域的材料明顯更熱或者說熱很多，并由此在冷卻過程中得到比包圍該材料區域的較冷材料經受更劇烈的/不同的熱膨脹。根據本發明設置，在材料中或者說在襯底或罩中在材料區域固化過程中和在冷卻過程中的溫度梯度保持盡可能小，由此在冷卻之后在構件中保留的機械應力盡可能小。

根據本發明的方法的另一優點是，借助于將能量或熱量有針對性地在空間上引入到襯底或罩中可以熱激活位錯的運動。因此有利地能夠通過熱激活的位錯運動或者說通過變簡單的位錯運動使襯底或罩至少部分地或者說至少部分局部地在進入開口區域中、尤其在時間上在第二過渡之后塑性地變形。因此與現有技術相比，可以借助于有針對性地引入能量或熱量降低或減小由于塑性變形而局部產生的應力或者說應力峰值。

根據本發明的方法對于在第三方法步驟中應用激光點焊方法的方法尤其有利，因為通過根據本發明的方法由于點焊而在進入開口區域中或者說在封閉的進入開口區域中能夠局部地有效降低引入到材料中的應力，或者說能夠再分布到更加遠離進入開口的區域中。局部產生的應力的減小或降低是尤其有利的，因為由此與現有技術相比可以提高相對于形成裂紋的阻力，并且由此與現有技術相比可以降低直接在封閉進入開口之后、在繼續加工微機械構件期間或者在產品壽命期間構件失效的可能性。

根據本發明，吸收部分的延伸尺度例如指的是吸收部分基本上垂直于主延伸平面的延伸尺度。替代地或附加地，吸收部分的延伸尺度例如指的是吸收部分的基本平行于主延伸平面的延伸尺度。在此尤其指的是襯底或罩的區域，在該區域中能量或熱量的吸收大于零，或者說大于預給定的能量或熱量的吸收。與本發明相關地，吸收強度例如理解為在吸收區域內部的基本垂直于主延伸平面的空間延伸尺度的強度分布。替代地或附加地，吸收強度例如理解為在吸收區域內部的基本平行于主延伸平面的空間延伸尺度的強度分布。在此可以在空間上有針對性地調節強度分布的吸收強度值。在此例如設置，強度分布設置為恒定的，或者設置為隨著與襯底或罩的背離第一空穴的表面的距離的增加而變化。例如設置，吸收強度隨著與襯底或罩的背離第一空穴的表面的距離增加而持續地降低。在此例如設置，在襯底或罩中90％的吸收是在表面與距離表面1μm之間的區域中實現。此外例如設置，吸收強度隨著與背離第一空穴的襯底或罩的表面的距離的增加而基本上指數地降低。在此例如設置，在襯底或在罩中90％的吸收是在表面與距離表面1μm之間的區域中實現。此外例如設置，吸收強度隨著與襯底或罩的背離第一空穴的表面的距離的增加首先增加，然后經過最大值并且接著降低。在此例如設置，在距離表面1μm與距離表面50μm之間、優選在距離表面5μm與距離表面30μm之間、尤其優選在距離表面10μm與距離表面20μm之間的區域中實現在襯底或在罩中90％的吸收。此外例如設置，吸收強度隨著與襯底或罩的背離空穴的表面的距離增加首先基本恒定，然后降低并且接著基本恒定。在此例如設置，在表面與距離表面1μm之間的區域中實現在襯底或在罩中90％的吸收。通過如上所述吸收部分的延伸尺度和在吸收部分中的吸收強度能夠有利地實現，將能量或熱量基本上三維可控制地在襯底或罩中引入。最后，吸收部分指的是襯底或罩的區域，在該區域中實現在襯底或罩中90％的吸收。

與本發明相關地，可以如此理解概念“微機械構件”，即該概念不僅包括微機械構件而且包括微電子機械構件。

本發明優選設置用于制造具有一個空穴的微機械構件或者說用于具有一個空穴的微機械構件。但是本發明例如也設置用于具有兩個空穴或者具有多于兩個即三個、四個、五個、六個或多于六個空穴的微機械構件。

優選地，通過借助于激光將能量或熱量引入到襯底或罩的吸收該能量或熱量的部分中來封閉進入開口。在此優選將能量或熱量在時間上先后地分別引入到多個微機械構件的襯底或罩的吸收部分中，這些微機械構件例如在一個晶片上共同制造。但是替代地也設置為，將能量或熱量在時間上并行地引入到多個微機械構件的襯底或罩的各個吸收部分中，例如在使用多個激光束或者說激光裝置的情況下。

在從屬權利要求以及參照附圖的描述中可給出本發明的有利構型和擴展方案。

根據優選的擴展方案設置，罩與襯底包圍第二空穴，其中，在第二空穴中存在第二壓力并且包含具有第二化學組分的第二氣體混合物。

根據優選的擴展方案設置，根據所使用的激光束的激光波長調節吸收部分的延伸尺度并且調節在吸收部分中的吸收強度。由此能夠有利地實現，充分利用襯底或罩的整體吸收特性，以便將能量或熱量有針對性地引入到襯底或罩中。

與本發明相關地，激光器的激光束理解為連續或者不連續發射的電磁射線。激光器例如是脈沖激光器或者連續波激光器。此外，根據本發明設置，連續波激光器這樣運行：連續地發射電磁射線，或者說連續地入射到襯底或罩的吸收部分上。此外設置，電磁射線入射到襯底或罩的吸收部分上并且被該部分至少部分地吸收。

根據優選的擴展方案設置，根據襯底或罩的材料調節吸收部分的延伸尺度并且調節在吸收部分中的吸收強度。由此能夠有利地調節空間結構化的吸收特性。

根據優選的擴展方案設置，根據襯底或罩的摻雜調節吸收部分的延伸尺度并且調節在吸收部分中的吸收強度。由此能夠以有利的方式特別準確地調節吸收區域的延伸尺度和在吸收區域中的吸收強度。

根據優選的擴展方案設置，根據襯底或罩的溫度調節吸收部分的延伸尺度并且調節在吸收部分中的吸收強度。由此以有利的方式提供襯底或罩的整體吸收特性的進一步影響可能性。

根據優選的擴展方案設置，根據在襯底中和/或在襯底上或者在罩中和/或在罩上的層和/或結構調節吸收部分的延伸尺度并且調節在吸收部分中的吸收強度。由此能夠有利地提供吸收部分的不同深度輪廓和在深度輪廓內部的不同吸收強度。

根據優選的擴展方案設置，這樣根據層和/或結構調節吸收部分的延伸尺度并且調節在吸收部分中的吸收強度：所述層和/或所述結構是沉積的層和/或結構。由此能夠有利地制造具有由現有技術公知的層技術方法的不同深度輪廓。

根據優選的擴展方案設置，這樣根據層和/或結構調節吸收部分的延伸尺度并且調節在吸收部分中的吸收強度：所述層和/或結構是摻雜的層和/或結構。由此能夠有利地實現吸收率非常敏感的調節。

本發明的另一主題是具有襯底和與襯底連接并且與襯底包圍第一空穴的罩的微機械構件，其中，在第一空穴中存在第一壓力并且包含具有第一化學組分的第一氣體混合物，其中，襯底或罩包括封閉的進入開口，其中，襯底或罩包括在將能量或熱量引入到襯底或罩的吸收部分中之后通過調節吸收部分的延伸尺度并且通過調節在吸收部分中的吸收強度用于使在襯底中或在罩中產生的應力最小化而固化的并且封閉進入開口的材料區域。由此以有利的方式提供緊湊的、機械牢固的并且成本有利的具有調節的第一壓力的微機械構件。根據本發明的方法的所述優點相應地也適用于根據本發明的微機械構件。

根據優選的擴展方案設置，微機械構件包括

-用于引入能量或熱量的襯底或罩的材料和/或

-用于引入能量或熱量的襯底或罩的摻雜和/或

-用于引入能量或熱量的在襯底中和/或在襯底上或者在罩中和/或在罩上的層和/或結構。由此能夠有利地實現，所述微機械構件具有特別小的機械應力或者說僅在進入開口區域中具有小于臨界的機械應力的機械應力，因此相對于裂紋形成是特別牢固的。

根據優選的擴展方案設置，罩與襯底包圍第二空穴，其中，在第二空穴中存在第二壓力并且包含具有第二化學組分的第二氣體混合物。由此以有利的方式提供緊湊的、機械牢固的且成本有利的具有設定的第一壓力和第二壓力的微機械構件。

根據優選的擴展方案設置為，第一壓力小于第二壓力，其中，在第一空穴中布置有用于測量轉速的第一傳感器單元，并且在第二空穴中布置有用于測量加速度的第二傳感器單元。由此以有利的方式提供機械牢固的用于測量轉速和測量加速度的微機械構件，該微機械構件不僅對于第一傳感器單元而且對于第二傳感器單元具有優化的運行條件。

附圖說明

圖1以示意性視圖示出根據本發明的示例實施方式的具有敞開的進入開口的微機械構件。

圖2以示意性視圖示出根據圖1的具有封閉的進入開口的微機械構件。

圖3以示意性視圖示出根據本發明的示例實施方式的用于制造微機械構件的方法。

圖4、圖5和圖6以示意性視圖示出根據本發明的示例實施方式調節吸收部分的延伸尺度和調節在吸收部分中的吸收強度。

具體實施方式

在不同的附圖中相同的部件總是設置有相同的參考標記，并因此通常也分別只命名或提及一次。

在圖1和圖2中示出根據本發明的示例實施方式的微機械構件1的示意性視圖，該微機械構件在圖1中具有敞開的進入開口11并且在圖2中具有封閉的進入開口11。在此微機械構件1包括襯底3和罩7。襯底3和罩7相互間優選密封地連接并且共同包圍第一空穴5。微機械構件1例如如此構造，使得襯底3和罩7附加地共同包圍第二空穴。然而，第二空穴在圖1中和在圖2中未示出。

例如在第一空穴5中、尤其在如圖2中所示的進入開口11封閉的情況下存在第一壓力。此外，在第一空穴5中包含具有第一化學組分的第一氣體混合物。此外，例如在第二空穴中存在第二壓力，并且在第二空穴中包含具有第二化學組分的第二氣體混合物。優選地，進入開口11布置在襯底3中或罩7中。在這里的本實施例中，進入開口11示例性地布置在罩7中。然而，根據本發明對此替代地也可以設置，進入開口11布置在襯底3中。

例如設置，第一空穴5中的第一壓力小于第二空穴中的第二壓力。例如也設置，在第一空穴5中布置有在圖1中和圖2中未示出的用于轉速測量的第一微機械傳感器單元，而在第二空穴中布置有在圖1和圖2中未示出的用于加速度測量的第二微機械傳感器單元。

在圖3中以示意性視圖示出根據本發明的示例實施方式的用于制造微機械構件1的方法。在此，

-在第一方法步驟101中，在襯底3中或在罩7中構造連接第一空穴5與微機械構件1的周圍環境9的、尤其是狹長的進入開口11。圖1示例性地示出在第一方法步驟101之后的微機械構件1。此外，

-在第二方法步驟102中，調節第一空穴5中的第一壓力和/或第一化學組分或者說使第一空穴5通過進入通道以所期望的氣體和所期望的內壓力充滿。此外例如，

-在第三方法步驟103中，通過借助于激光將能量或熱量引入到襯底3的或罩7的吸收部分21中來封閉進入開口11。例如替代地也設置，

-在第三方法步驟103中，僅優選通過激光局部加熱環繞進入通道的區域并且密封地封閉進入通道。因此有利地可能的是，根據本發明的方法也可設置其他不同于激光器的能量源來封閉進入開口11。圖2示例性地示出第三方法步驟103之后的微機械構件1。

在時間上在第三方法步驟103之后，在圖2中示例性示出的橫向區域15中在罩7的背離空穴5的表面上以及在垂直于橫向區域15到微機械構件1的表面上的投影、即沿著進入開口11并且向著第一空穴5的方向的深度中產生機械應力。該機械應力、尤其是局部的機械應力尤其存在于罩7的在第三加工步驟103中過渡到液態聚集態并且在第三方法步驟103后過渡到固態聚集態并且封閉進入開口11的材料區域13與罩7的在第三方法步驟103中保持固態聚集態的剩余區域之間的界面上和界面附近。在此罩7的在圖2中封閉進入開口11的材料區域13尤其關于它的橫向的、尤其平行于表面延伸的延伸尺度或成形部而言并且尤其關于它的垂直于橫向延伸尺度、尤其垂直于表面延伸的大小或造型結構而言僅視為示意性的或者說示意性地示出。

圖4、圖5和圖6以示意性視圖示出根據本發明的示例實施方式調節吸收部分的延伸尺度和調節在吸收部分中的吸收強度。在此設置，通過調節基本垂直于襯底3或罩7的主延伸平面100的吸收部分的延伸尺度并且通過調節基本垂直于主延伸平面100的吸收部分中的吸收強度而使得在襯底3或罩7中產生的機械應力最小化來實現能量或熱量的引入。換言之，在圖4、圖5和圖6中示出第三方法步驟103的方法變型方案，其中，通過有針對性地影響襯底3或罩7的吸收特性，例如通過激光束1201，這樣實現熱量引入或能量引入，使得在襯底3或罩7中的剩余應力最小化或者說降低到非臨界程度。

替代或附加地，例如也設置第三方法步驟103的方法變型方案，其中，通過有針對性地影響襯底3或罩7的反射特性和/或透射特性，例如通過激光束1201，這樣實現能量或熱量引入或者能量引入，使得在襯底3或罩7中的剩余應力最小化或者說降低到非臨界程度。

例如設置，根據所使用的激光束1201的激光波長調節吸收部分的延伸尺度并且調節在吸收部分中的吸收強度。在此例如能夠實現借助于所使用的激光波長在激光材料加工時影響襯底或罩的吸收特性。在此例如波長或激光波長的變化對襯底或罩的吸收特性整體產生影響。例如設置，借助于有針對性地調節激光波長，這樣調節引入到材料或者說襯底3或者罩7中的熱量，使得在冷卻之后、即在時間上在第三方法步驟103之后，在材料中或者說在襯底3或罩7中保留的應力與現有技術相比降低。此外例如也設置，襯底3或罩7包括硅。在此例如設置，激光波長小于1000nm。在此能量或熱量在襯底或罩的背離第一空穴5的表面上特別強烈地被吸收。在此例如到襯底3或罩7的深度中、即從背離第一空穴5的表面向著第一空穴5的方向產生的熱量分布由在襯底3或在罩7中的熱傳導確定。這在圖4中示例性地示出。

在通過所使用的激光束1201的激光波長控制能量或熱量的引入并且使用包括硅的襯底3或使用包括硅的罩7的情況下，借助于這種狀況：硅是半導體材料并因此襯底3或罩7的吸收特性強烈地取決于波長并由此取決于光子的量子能。例如設置，激光波長大于1000nm。在此有利的是，對于波長大于1000nm，硅的吸收劇烈降低，因為光子能不再足夠克服直接能帶隙。因此例如通過使用更長的波長有針對性地調節激光束更深的引入。這在圖5中示例性地示出。在此在圖5中示出的吸收部分的基本垂直于主延伸平面100的延伸尺度與在圖4中所示的吸收部分的基本垂直于主延伸平面100的延伸尺度相比增大地示出。在此，增大的延伸尺度例如通過較大的激光波長達到。

根據本發明，例如通過適配激光波長來設置對能量滲透深度的控制。在此這樣選擇激光波長，使得達到所期望的能量滲透深度。根據本發明，例如設置使用紅外激光。在此例如設置，激光波長在780nm到1600nm之間，優選在1030nm到1500nm之間，尤其優選在1080nm到1100nm之間。替代地例如也設置，激光波長在1030nm到1080nm之間。此外替代地設置，激光波長在1100nm到1500nm之間。但是根據本發明例如也設置，激光波長通過非線性光學效應和可調的光源或者說可調光源的元件、例如光學參數的振蕩器(OPO)和/或光學參數的放大器(OPV或OPA))有針對性地與所使用的襯底或罩中的材料相配合，或者說與所期望的吸收部分的延伸尺度和在吸收部分中的吸收強度相配合。

此外例如設置，根據襯底3或罩7的材料調節吸收部分的延伸尺度并且調節在吸收部分中的吸收強度。在此尤其設置，襯底3或罩7的材料包括硅。在此例如設置，通過局部的材料改變和材料更換可以調節空間結構化的吸收特性。

此外例如也設置，調節根據襯底3或罩7的摻雜調節吸收部分的延伸尺度并且調節在吸收部分中的吸收強度。在此有利地實現，提高在導電帶中的電子密度和/或提高在價帶中的空洞密度，并由此提高在長波長范圍中的吸收。這例如由此達到：襯底3或罩7包括硅并且襯底3或罩摻雜有雜質原子。

此外例如設置，根據襯底3或罩7的溫度調節吸收部分的延伸尺度并且調節在吸收部分中的吸收強度。在此例如設置，襯底3或罩7在第三方法步驟103之前和/或在第三方法步驟103期間通過熱源加熱。這例如設置為與襯底3或罩7接觸的熱源、例如加熱板，或者也設置為與襯底3或罩7不接觸的熱源、例如紅外燈。替代地或附加地，例如也設置由接觸的和不接觸的熱源組成的組合，例如爐子。在使用襯底3或罩7的溫度時，例如在使用硅時，有利地利用這種情況：硅隨著溫度升高也在長波長范圍中更強烈地吸收。這有利地由此實現，即，在溫度升高的情況下存在更多光子，以便實現經過間接能帶隙的過渡并且更多電子位于導電帶中并由此提供用于吸收的帶內過渡。

此外例如也設置，根據在襯底3中和/或在襯底3上或在罩7中和/或在罩7上的層1203和/或結構實現調節吸收部分的延伸尺度并且調節在吸收部分中的吸收強度。在圖6中示例性地示出在罩7中的層。由此能夠有利地實現，與在均勻材料中的使用相比也可以進一步在材料內部、即不在襯底3或罩7表面上接收大部分能量。在均勻材料中基本在所照射的表面上根據郎伯-比爾定律(Lambert-beerschen Gesetz)接收大部分能量。

在使用吸收層和/或結構時，例如設置，最大能量沉積設置在構件深度中。換言之，例如設置，在吸收部分中的吸收強度在與背離第一空穴5的表面基本向著第一空穴5的方向間隔開間距的區域中具有最大值。為此例如設置，

-使用低摻雜的硅作為基礎材料，或者說襯底3或罩包括低摻雜的硅，并且

-使用激光波長、例如在1200nm到1400nm之間的激光波長，低摻雜的硅對于該激光波長基本是可穿透的，并且

-在目標深度中沉淀出高吸收的層或結構，其中，通過該高吸收層調節所期望的能量分布。這在圖6中示例性地示出。由此能夠有利地實現，激光束以這種方式可以一直滲透到吸收層/結構，而不會有值得注意的削弱，并且激光束在吸收層/結構區域中被有針對性地吸收。例如設置，高吸收層或結構包括高摻雜的硅和/或雜質材料和/或金屬。

根據本發明還示例性地設置，這樣根據層1203和/或結構實現調節吸收部分的延伸尺度并且調節在吸收部分中的吸收強度：所述層1203和/或所述結構是沉積的層和/或結構。例如通過一個吸收層或者多個吸收層設置吸收控制。在此例如設置，所述一個層或多個層埋在微機械構件1中，或者說與微機械構件1的表面間隔開地布置。在此例如設置，

-在第四方法步驟中，以吸收層或者以多個吸收層對襯底3或罩7覆層，并且

-在第五方法步驟中，以另一層對吸收層或者多個吸收層覆層。

在此例如設置，所述另一層包括硅或聚合硅或多晶硅。例如也設置，

-在第六方法步驟中，在所述另一層上淀積另一吸收層，并且

-在第七方法步驟中，在所述另一吸收層上淀積第三層。例如也設置，此外在相應的吸收層上還分別淀積其他吸收層和其他層。以這種方式能夠有利地產生任意的深度輪廓。

此外根據本發明設置，這樣根據層1203和/或結構調節吸收部分的延伸尺度并且調節在吸收部分中的吸收強度：所述層1203和/或所述結構是摻雜的層和/或結構。由此通過相應的摻雜輪廓能夠實現不同的吸收輪廓。例如設置，摻雜的層和/或摻雜的結構包括摻雜的硅。在此例如非常敏感地通過摻雜濃度影響吸收率。由此能夠有利地通過調節摻雜輪廓來調節吸收或者說能量沉積的任意深度輪廓。例如設置，通過涂覆的摻雜材料源的熱激活擴散或者通過離子注入在硅襯底上構造相應的層而產生摻雜輪廓。

根據本發明例如也設置，使引入的熱量針對給出的期望的熔化深度最小化。引入到材料中并且在冷卻后保留的應力敏感地取決于所引入的熱量，使得也可以通過相應地適配的吸收管理降低該熱量。除了在第三方法步驟103之后在襯底3或在罩7中產生的應力的數值、符號和方向以外，應力的位置或者說空間分布對于它對裂紋產生和構件失效的影響是重要的。因此應力在構件深度中相比于在表面上不那么重要。通過將吸收區域“埋”到構件的深度中也能夠降低裂紋傾向。

最后，根據本發明例如也設置，根據其他參數實現襯底3或罩7的吸收特性或透射特性或反射特性。