專利名稱：用gtem小室測(cè)試電小尺寸散射體反向散射截面的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種GTEM小室的應(yīng)用，尤其涉及一種用GTEM小室測(cè)試電小尺寸散射體反向散射截面的方法。
背景技術(shù)：
在傳統(tǒng)的反向散射截面的測(cè)試方法中，需要將被測(cè)散射體放置在自由空間或特制的暗室中，同時(shí)需用標(biāo)定的參考散射體以及其他輔助設(shè)備，測(cè)試方法復(fù)雜。這些測(cè)試環(huán)境和測(cè)試方法或者不可避免的受電磁干擾，使得測(cè)量誤差比較大；或者費(fèi)時(shí)費(fèi)力、成本高、且占地面積大。因此，需要一種相對(duì)簡(jiǎn)單、廉價(jià)的測(cè)試設(shè)備，用GTEM小室進(jìn)行電小尺寸散射體的最大反向散射截面測(cè)試是一個(gè)非常合適的選擇。與自由空間、電波暗室、半電波暗室比較， 用GTEM小室測(cè)試的主要優(yōu)點(diǎn)為能夠較好的屏蔽外界電磁干擾，提供準(zhǔn)確的電場(chǎng)強(qiáng)度值，設(shè)備成本低廉、占地面積小，且本發(fā)明提供的測(cè)試方法操作簡(jiǎn)單、直觀方便，提供的計(jì)算公式驗(yàn)證嚴(yán)謹(jǐn)，結(jié)果準(zhǔn)確。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種操作簡(jiǎn)單、成本低廉的用GTEM小室測(cè)試電小尺寸散射體反向散射截面的方法。本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明的用GTEM小室測(cè)試電小尺寸散射體反向散射截面的方法，包括步驟A.連接GTEM小室前端口和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀；B.在所選定的頻率上，測(cè)量得到GTEM小室在沒(méi)有放置待測(cè)散射體時(shí)的S11值；C.將待測(cè)散射體擺放在GTEM小室中的特制非金屬轉(zhuǎn)臺(tái)上；D.在所選定的頻率上，測(cè)量得到GTEM小室在放置待測(cè)散射體時(shí)的S' n值；E.用本方法所提出的公式1計(jì)算出此待測(cè)電小尺寸散射體的反向散射截面。由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所述的用GTEM小室測(cè)試電小尺寸散射體反向散射截面的方法，在得到GTEM小室前端口在未放置待測(cè)散射體時(shí)的S11,以及已放置待測(cè)散射體時(shí)的S' n之后，用本發(fā)明所提出的公式進(jìn)行計(jì)算。操作簡(jiǎn)單、設(shè)備成本低廉。


圖1為本發(fā)明中GTEM小室測(cè)試電小尺寸散射體反向散射截面的布置示意圖；圖2為本發(fā)明中GTEM小室坐標(biāo)及待測(cè)散射體位置示意圖；圖3為本發(fā)明中GTEM小室、待測(cè)散射體和測(cè)試儀器連接示意圖；圖中1、GTEM小室，2、中板，3、底板，4、端口，5、轉(zhuǎn)臺(tái)，6、待測(cè)散射體(EUT)，7、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的用GTEM小室測(cè)試電小尺寸散射體反向散射截面的方法，其較佳的具體實(shí)施方式
如圖1、圖2、圖3所示，包括步驟A.如圖3所示，連接GTEM小室前端口和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀7 ；B.在所選定的頻率上，測(cè)量得到GTEM小室在沒(méi)有放置待測(cè)散射體時(shí)的S11值；C.如圖1所示，將待測(cè)散射體6擺放在GTEM小室中的特制非金屬轉(zhuǎn)臺(tái)上，位置如圖2所示；D.在所選定的頻率上，測(cè)量得到GTEM小室在放置待測(cè)散射體時(shí)的S' n值；E.用本方法所提出的公式1計(jì)算出此待測(cè)電小尺寸散射體的反向散射截面。所述的待測(cè)散射體滿足所述GTEM小室測(cè)試過(guò)程中電小尺寸的要求。所述的待測(cè)散射體放置在所述GTEM小室的中板2與底板3之間的1/3 2/3區(qū)域內(nèi)。根據(jù)所得的測(cè)試結(jié)果，用本發(fā)明所提出的計(jì)算公式計(jì)算反向散射截面
權(quán)利要求
1.一種用GTEM小室測(cè)試電小尺寸散射體反向散射截面的方法，其特征在于，包括步驟A.連接GTEM小室前端口和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀；B.在所選定的頻率上，測(cè)量得到GTEM小室在沒(méi)有放置待測(cè)散射體時(shí)的S11值；C.將待測(cè)散射體擺放在GTEM小室中的特制非金屬轉(zhuǎn)臺(tái)上；D.在所選定的頻率上，測(cè)量得到GTEM小室在放置待測(cè)散射體時(shí)的S'η值； Ε.用本方法所提出的公式1計(jì)算出此待測(cè)電小尺寸散射體的反向散射截面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用GTEM小室測(cè)試電小尺寸散射體反向散射截面的方法，其特征在于，所述的待測(cè)散射體放置在所述GTEM小室的中板與底板之間的1/3 2/3區(qū)域內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用GTEM小室測(cè)試電小尺寸散射體反向散射截面的方法，其特征在于，特定轉(zhuǎn)臺(tái)是由非金屬材料構(gòu)成的，它可以沿Χ、Υ、Ζ軸做360度旋轉(zhuǎn)，通過(guò)旋轉(zhuǎn)，可以測(cè)試待測(cè)散射體任意方向的反向散射截面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用GTEM小室測(cè)試電小尺寸散射體反向散射截面的方法，其特征在于，得到待測(cè)散射體的返回功率后，通過(guò)本方法給出的公式1計(jì)算反向散射截面
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用GTEM小室測(cè)試電小尺寸散射體反向散射截面的方法，首先將待測(cè)電小尺寸散射體6擺放在GTEM小室的特制非金屬轉(zhuǎn)臺(tái)5上；GTEM小室的前端口4與矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀7連接；通過(guò)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀得到GTEM小室前端口返回電壓和入射電壓和比值；最后通過(guò)本方法提出的公式計(jì)算出散射體的反向散射截面。本方法操作簡(jiǎn)單，成本低廉。
文檔編號(hào)G01R29/08GK102565552SQ20121000752
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2012年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月11日
發(fā)明者劉曉陽(yáng), 李書(shū)芳, 洪衛(wèi)軍, 王明陽(yáng), 邢曙光, 陳喬, 陳志雨 申請(qǐng)人:北京郵電大學(xué)