一種高頻磁場探頭的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種高頻磁場探頭，包括設置在銅管內的圓環(huán)形探頭線圈，探頭線圈由半鋼同軸電纜繞制而成，延伸出銅管外的半鋼同軸電纜尾端設置有屏蔽層，屏蔽層內的半鋼同軸電纜內芯的一端連接SMA接頭，屏蔽層內的半鋼同軸電纜內芯的另一端連接屏蔽層，屏蔽層內的半鋼同軸電纜內芯的兩端之間連接有電阻。本實用新型通過標定出高頻磁場探頭的線性度曲線并測試標準脈沖磁場，即可對變電站遭受故障、雷擊和開關操作時產生的強瞬態(tài)電磁脈沖進行測量，能夠有效避免引發(fā)二次設備的誤動，保證二次設備的正常工作。
【專利說明】一種高頻磁場探頭
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種傳感裝置，尤其涉及一種高頻磁場探頭。
【背景技術】
[0002]由于變電站內GIS周圍存在著各種穩(wěn)態(tài)的和暫態(tài)的電場、磁場，這些電磁干擾源將對安裝在GIS附近匯控柜內的自動控制、通訊和保護系統(tǒng)等二次設備造成干擾。尤其是當變電站遭受故障、雷擊和開關操作時，會產生很強的瞬態(tài)電磁脈沖，這種瞬態(tài)電磁場分布在空間各點的幅值變化范圍很大，而且具有很寬的頻譜范圍，如果電磁屏蔽措施做的不好，將會引發(fā)二次設備的誤動而導致出現(xiàn)不必要的麻煩和損失。為了評估這種瞬態(tài)電磁干擾的嚴重性，亟需一種能夠對瞬態(tài)場進行測量和研究的裝置。
實用新型內容
[0003]本實用新型的目的是提供一種高頻磁場探頭，能夠對變電站遭受故障、雷擊和開關操作時產生的強瞬態(tài)電磁脈沖進行測量，避免引發(fā)二次設備的誤動，保證二次設備的正常工作。
[0004]本實用新型采用下述技術方案:
[0005]一種高頻磁場探頭，包括設置在銅管內的圓環(huán)形探頭線圈，探頭線圈由半鋼同軸電纜繞制而成，延伸出銅管外的半鋼同軸電纜尾端設置有屏蔽層，屏蔽層內的半鋼同軸電纜內芯的一端連接SMA接頭，屏蔽層內的半鋼同軸電纜內芯的另一端連接屏蔽層，屏蔽層內的半鋼同軸電纜內芯的兩端之間連接有電阻。
[0006]延伸出銅管外的半鋼同軸電纜相對一側的銅管上設置有缺口。
[0007]所述的缺口寬度為lmm-2mm。
[0008]所述的探頭線圈由半鋼同軸電纜繞制單匝制成，圓環(huán)形探頭線圈的直徑為5cm，半鋼同軸電纜內芯直徑為0.9mm。
[0009]所述的銅管直徑為4mm。
[0010]所述的屏蔽層為銅屏蔽層。
[0011]所述的電阻阻值為0.02歐。
[0012]本實用新型在圓環(huán)形探頭線圈外部設置銅管，并在延伸出銅管外的半鋼同軸電纜尾端設置屏蔽層，屏蔽層內的半鋼同軸電纜內芯的兩端之間連接電阻，當通過圓環(huán)形探頭線圈的磁通發(fā)生變化時，屏蔽層內電阻的兩端會產生感應電壓，感應電壓可通過半鋼同軸電纜和SMA接頭輸出。工作人員通過標定出高頻磁場探頭的線性度曲線并測試標準脈沖磁場，即可對變電站遭受故障、雷擊和開關操作時產生的強瞬態(tài)電磁脈沖進行測量，能夠有效避免引發(fā)二次設備的誤動，保證二次設備的正常工作。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型的結構示意圖。【具體實施方式】
[0014]如圖1所示，本實用新型包括設置在銅管I內的圓環(huán)形探頭線圈，探頭線圈由半鋼同軸電纜2繞制而成，延伸出銅管I外的半鋼同軸電纜2尾端設置有屏蔽層3，屏蔽層3內的半鋼同軸電纜內芯4的一端連接SMA接頭5，屏蔽層3內的半鋼同軸電纜內芯4的另一端連接屏蔽層3，屏蔽層3內的半鋼同軸電纜內芯4的兩端之間連接有電阻6，電阻6與圓環(huán)形探頭線圈內的半鋼同軸電纜內芯4形成閉合回路。為了防止銅管I形成的屏蔽層中產生環(huán)流而影響測量的準確性，本實用新型還在延伸出銅管I外的半鋼同軸電纜2相對一側的銅管I上設置有缺口 7。本實施例中，探頭線圈由半鋼同軸電纜2繞制后單匝制成，圓環(huán)形探頭線圈的直徑為5cm，銅管I直徑為4mm，半鋼同軸電纜內芯4直徑為0.9mm，銅管I上設置的缺口 7寬度為lmm-2mm，屏蔽層3采用銅屏蔽層，屏蔽層3內設置的電阻6阻值為0.02歐。
[0015]本實用新型在使用時，當通過圓環(huán)形探頭線圈的磁通發(fā)生變化時，屏蔽層3內電阻6的兩端會產生感應電壓，感應電壓可通過半鋼同軸電纜2和SMA接頭5輸出。工作人員通過標定出本實用新型所述高頻磁場探頭的線性度曲線并測試標準脈沖磁場，即可對變電站遭受故障、雷擊和開關操作時產生的強瞬態(tài)電磁脈沖進行測量。由于本實用新型所述高頻磁場探頭為屏蔽對稱結構，能夠極大地增強抗干擾能力。
【權利要求】
1.一種高頻磁場探頭，其特征在于:包括設置在銅管內的圓環(huán)形探頭線圈，探頭線圈由半鋼同軸電纜繞制而成，延伸出銅管外的半鋼同軸電纜尾端設置有屏蔽層，屏蔽層內的半鋼同軸電纜內芯的一端連接SMA接頭，屏蔽層內的半鋼同軸電纜內芯的另一端連接屏蔽層，屏蔽層內的半鋼同軸電纜內芯的兩端之間連接有電阻。
2.根據(jù)權利要求1所述的高頻磁場探頭，其特征在于:延伸出銅管外的半鋼同軸電纜相對一側的銅管上設置有缺口。
3.根據(jù)權利要求2所述的高頻磁場探頭,其特征在于:所述的缺口寬度為lmm-2mm。
4.根據(jù)權利要求1、2或3所述的高頻磁場探頭，其特征在于:所述的探頭線圈由半鋼同軸電纜繞制單匝制成，圓環(huán)形探頭線圈的直徑為5cm，半鋼同軸電纜內芯直徑為0.9mm。
5.根據(jù)權利要求4所述的高頻磁場探頭，其特征在于:所述的銅管直徑為4mm。
6.根據(jù)權利要求5所述的高頻磁場探頭，其特征在于:所述的屏蔽層為銅屏蔽層。
7.根據(jù)權利要求6所述的高頻磁場探頭，其特征在于:所述的電阻阻值為0.02歐。
【文檔編號】G01R33/02GK203572948SQ201320735002
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年11月20日 優(yōu)先權日:2013年11月20日
【發(fā)明者】張少鋒, 趙磊, 郭磊, 李曉綱, 李予全, 任歡, 張曉鵬, 白銀浩, 曹杰, 張遠 申請人:國家電網公司, 國網河南省電力公司電力科學研究院