本發(fā)明屬于晶體測溫技術(shù)，具體涉及一種微型測溫晶體的封裝方法。

背景技術(shù)：

晶體測溫技術(shù)是一項創(chuàng)新的溫度測量技術(shù)，晶體測溫技術(shù)是以輻照缺陷的熱穩(wěn)定性為基礎(chǔ)建立起來的測溫方法。基于“溫度記憶效應(yīng)”的微型輻照晶體測溫技術(shù)是以輻照缺陷的熱穩(wěn)定性為基礎(chǔ)建立起來的測溫方法，基于輻射環(huán)境下誘使碳化硅晶格變化，當(dāng)經(jīng)歷高溫過程時擴張的晶格結(jié)構(gòu)會釋放的“溫度記憶效應(yīng)”。

這種技術(shù)具有明顯的非侵入特征，屬于非干涉式測試技術(shù)，測溫晶體傳感器體積微小、無需測試引線、測溫精度高，可以高密度、陣列式的安排測點等優(yōu)點。可以隨待測部件一起運行，依靠測溫晶體自身的“溫度記憶效應(yīng)”實現(xiàn)試驗件最高溫溫度的準(zhǔn)確測量。

國外的晶體測溫技術(shù)研究比較成熟，不管是美國、俄羅斯還是烏克蘭，他們都有一批專業(yè)的技術(shù)人員從事測溫晶體的安裝與應(yīng)用研究工作，發(fā)展至今已經(jīng)形成了完善的研發(fā)及應(yīng)用體系，他們采用完成的測溫晶體安裝方法來完成測溫晶體的封裝。

國內(nèi)開展晶體測溫的制造、試驗等技術(shù)研究較晚，投入的資源十分有限。國內(nèi)從上世紀(jì)90年代末期開始接觸微型輻照晶體測溫技術(shù)，還未檢索到用于封裝微型測溫晶體的方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是：為了解決微型測溫晶體的封裝問題，本發(fā)明提供了一種高可靠的測溫晶體封裝方法。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：

一種微型測溫晶體的封裝方法，包括如下步驟:

步驟1：微小孔底部涂覆填裝膠

在試件中安裝微型測溫晶體的微小孔底部涂覆一層填裝膠，厚度在0.05mm到0.07mm。

步驟2：放置微型測溫晶體

將微型測溫晶體放置于試件微小孔底部中間位置，使其貼在微小孔底部。

步驟3：灌裝填裝膠

將填裝膠灌裝于微小孔內(nèi)，直至將微小孔填與試件表面齊平。

步驟4：烘干固化

將裝配好的試件放置于高溫爐中進(jìn)行烘干固化。

步驟5：安裝蓋片

將試件從高溫爐中取出，在微小孔頂部位置通過點焊的方式安裝蓋片。

還包括配制填裝膠步驟:質(zhì)量配比為19～21％的硅酸鈉，質(zhì)量配比為34～36％的二氧化硅，質(zhì)量配比為24～26％的氧化鋯，質(zhì)量配比為14～16％的二氧化鈦，質(zhì)量配比為4～6％的濃度50％的乙醇，各組份的含量之和為100％，混合均勻，所述材料的細(xì)度不大于10μm；

微小孔的底部為平底，微小孔直徑為0.5mm到0.6mm，微小孔的深度為0.48mm到0.52mm。

步驟4中，烘干固化的條件為：100℃，1小時，同時要求控制高溫爐升降溫速率不超過5℃/min，以保證固化的可靠性。

所述型測溫晶體的封裝方法，其特征在于，步驟5中，蓋片的直徑為0.28mm到0.32mm，厚度為0.048mm到0.052mm，材料為高溫合金。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明微型測溫晶體的封裝方法通過創(chuàng)造性的試驗，控制工藝條件，實現(xiàn)微型測溫晶體的可靠封裝。附著力好，具有較大的實際應(yīng)用價值。本發(fā)明微型測溫晶體的封裝方法先在微小孔底部涂覆一層填裝膠，然后將微型測溫晶體放置于微小孔內(nèi)，然后用填裝膠將微小孔填滿，在高溫爐中進(jìn)行烘干固化，再在微小孔頂部位置安裝蓋片，實現(xiàn)微型測溫晶體的高可靠性封裝，進(jìn)而使其發(fā)揮溫度測量功能。

附圖說明

圖1是微型測溫晶體封裝的示意圖；

圖2是本發(fā)明微型測溫晶體封裝方法的流程圖。

1-試件、2-微型測溫晶體、3-蓋片、4-封裝于微小孔內(nèi)的填裝膠。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明：

本發(fā)明微型測溫晶體的封裝方法先將填裝膠涂覆于微小孔底部，再將微型測溫晶體放置于微小孔底部中間位置，再在微小孔頂部位置安裝蓋片，實現(xiàn)微型測溫晶體的高可靠性封裝。

請參閱圖2，其給出了本發(fā)明微型測溫晶體的封裝方法的具體工藝，其流程步驟如下：

步驟1：微小孔底部涂覆填裝膠

在安裝微型測溫晶體的微小孔底部涂覆一層填裝膠，厚度在0.05mm到0.07mm。

步驟2：放置微型測溫晶體

將微型測溫晶體放置于微小孔底部中間位置，使其貼在微小孔底部。

步驟3：灌裝填裝膠

將填裝膠灌裝于微小孔內(nèi)，直至將微小孔填與試件表面齊平。

步驟4：烘干固化

將裝配好的試件放置于高溫爐中進(jìn)行烘干固化。

步驟5：安裝蓋片

將試件從高溫爐中取出，在微小孔頂部位置通過點焊的方式安裝蓋片。

還包括配制填裝膠步驟:質(zhì)量配比為19～21％的硅酸鈉，質(zhì)量配比為34～36％的二氧化硅，質(zhì)量配比為24～26％的氧化鋯，質(zhì)量配比為14～16％的二氧化鈦，質(zhì)量配比為4～6％的濃度50％的乙醇，各組份的含量之和為100％，混合均勻，所述組分材料的細(xì)度不大于10μm；

所述的混合均勻步驟可以是先將各組分研磨至細(xì)度不大于10μm，再混合均勻；也可以是先將上述組分混合，經(jīng)研磨后，研磨時間1小時以上，至細(xì)度不大于10μm，成封裝測溫晶體的填裝膠的均勻混合。

微小孔的底部為平底，微小孔直徑為0.5mm到0.6mm，微小孔的深度為0.48mm到0.52mm。

步驟4中，烘干固化的條件為：100℃，1小時，同時要求控制高溫爐升降溫速率不超過5℃/min，以保證固化的可靠性。

蓋片的直徑為0.28mm到0.32mm，厚度為0.048mm到0.052mm，材料為高溫合金。