專利名稱：熱處理板判斷值的設定方法
技術領域：
本發明涉及半導體設備技術領域，尤其涉及一種用于集成電路晶圓烘焙的熱處理板判斷值的設定方法。
背景技術：
隨著集成電路的集成度不斷提高，半導體技術也持續的飛速發展。隨著半導體性能要求的不斷提高，集成電路芯片的尺寸也越來越小，光刻工藝逐漸成為芯片制造中核心的工序。通常在一個完整的芯片制造工藝中，需要進行多次光刻工序，如在一個完整的45納米工藝芯片制造工藝中，視性能要求的不同大約需要40至60次光刻工序；而隨著器件尺寸的縮小，光刻的圖形也相應不斷縮小，光阻的厚度及光刻完成后的尺寸也越來越小；當芯片生產工藝從微米級到目前最先進的15納米工藝時，光刻所使用的波長也隨著芯片工藝的進步不斷縮小，已經從汞的I、G系線發展到紫外區域的193nm紫外線、極紫外線EUV，乃至電子束，即光刻已成為一項精密加工技術。在光刻工藝中，現有的光刻設備配備了各種熱處理板，所述熱處理板的溫度控制會影響到光刻膠的軟烘、顯影的后烘和硬烘等工藝。例如，半導體器件制造的光刻工序中，在晶圓上涂覆光刻膠液；形成光刻膠膜的光刻膠涂覆處理；對光刻膠膜進行規定圖案曝光的曝光處理；曝光后促進光刻膠膜內的化學反應的加熱處理(Post-exposure Baking,曝光·后烘烤)；對曝光后的光刻膠膜進行顯像的現象處理等依次進行，并在所述晶圓上形成規定的光刻膠圖案。所述曝光后的烘烤等的加熱處理通常在加熱處理裝置中進行。所述加熱處理裝置設有放置所述晶圓并進行加熱的熱處理板。現有的熱處理板通常使用一體化設計，以在晶圓面內實現同時加熱，并同時采用數個熱電偶均勻分布以監控熱處理板的溫度，使得溫度控制通常在±0. 2°C之間。請參閱圖4、圖5，其中，所述第四曲線22表征所述晶圓處于非正確狀態的溫度值與時間積分的關系圖；所述第五曲線表21征所述晶圓處于正確狀態的溫度值與時間積分的關系圖。在對所述晶圓面內進行加熱處理之前，具有所述熱處理板(未圖示)的溫控檢測系統通過所述非正確狀態和所述正確狀態之間的不同溫度值判斷所述晶圓是否處于正確狀態。所述熱處理板判斷值23需要將所述非正常狀態和所述正常狀態下的不同溫度值轉換成溫度積分值211、221后進行設定。請參閱圖6，并結合參閱4、圖6，顯然地，所述溫度積分值的設定需要模擬非正確狀態和正確狀態，并通過不同的溫度值計算所述熱處理板判斷值。現有的判斷值的獲得需要特別的專業軟件，而且相關數據獲取設備3的結構異常復雜，操作不便，具有較高的出錯率。故針對現有技術存在的問題，本案設計人憑借從事此行業多年的經驗，積極研究改良，于是有了發明一種熱處理板判斷值的設定方法
發明內容
本發明是針對現有技術中，傳統的熱處理板判斷值的設定方法需要特別的專業軟件，而且相關數據獲取設備結構復雜，操作不便，具有較高的出錯率等缺陷，提供一種熱處理板判斷值的設定方法。為了解決上述問題，本發明提供一種熱處理板判斷值的設定方法，所述熱處理板判斷值的設定方法包括執行步驟SI :設置第一判斷值，所述第一判斷值高于所述正常狀態下的溫度積分值；執行步驟S2 :運行II1片虛擬晶圓，并觸發所述溫控檢測系統(未圖示)報警，進而獲得所述正常狀態下的溫度積分值；所述Il1為自然數，所述正常狀態下的不同溫度積分值的平均值記為 ,所述正常狀態下的不同溫度積分值的標準差記為δ 10執行步驟S3 :設置第二判斷值，所述第二判斷值高于所述非正常狀態下的溫度積分值；
執行步驟S4 :運行η2片虛擬晶圓，并觸發所述溫控檢測系統報警，進而獲得所述非正常狀態下的溫度積分值；所述η2為自然數，所述正常狀態下的不同溫度積分值的平均值記為^，所述正常狀態下的不同溫度積分值的標準差計記為δ 2。執行步驟S5 :計算所述熱處理板判斷值；其中，所述熱處理板判斷值的實部r的計算方法如下，!·=(!!「4.5xJ1) +去 +4.5x<f,J可選的，所述Ii1S 8。可選的，所述n2>8。可選的，所述熱處理板判斷值的設定方法之誤差小于3%。綜上所述，本發明所述熱處理板判斷值的設定方法進行判斷值的設定不僅操作簡便，節約工時，同時計算精度高，誤差小，極易推廣使用。


圖I所示為本發明熱處理板判斷值的設定方法的流程圖；圖2所示為通過本發明所述熱處理板判斷值的設定方法所獲得的判斷值；圖3所示為利用本發明所述的熱處理板判斷值的設定方法進行判斷值設定的裝置結構示意圖；圖4所示為晶圓處于正確狀態和非正確狀態下的溫度與時間積分關系圖；圖5所示為傳統熱處理板判斷值的設定方法所獲得的判斷值；圖6所示為傳統熱處理板判斷值的設定方法在設定過程中數據獲取的設備結構示意圖。
具體實施例方式為詳細說明本發明創造的技術內容、構造特征、所達成目的及功效，下面將結合實施例并配合附圖予以詳細說明。請參閱圖I、圖2，圖I所示為本發明熱處理板判斷值的設定方法的流程圖。圖2所示為通過本發明所述熱處理板判斷值的設定方法所獲得的判斷值。所述熱處理板判斷值的設定方法包括以下步驟執行步驟SI :設置第一判斷值，所述第一判斷值高于所述正常狀態下的溫度積分值；執行 步驟S2 :運行Ii1片虛擬晶圓，并觸發所述溫控檢測系統(未圖示)報警，進而獲得所述正常狀態下的溫度積分值；其中，所述Il1為自然數。在本發明中，所述Il1優選的為H1彡8。在本發明中，為了便于闡述，將所述正常狀態下的不同溫度積分值的平均值記為將所述正常狀態下的不同溫度積分值的標準差記為執行步驟S3 :設置第二判斷值，所述第二判斷值高于所述非正常狀態下的溫度積分值；執行步驟S4 :運行η2片虛擬晶圓，并觸發所述溫控檢測系統報警，進而獲得所述非正常狀態下的溫度積分值；其中，所述112為自然數。在本發明中，所述η2優選的為112>8。在本發明中，為了便于闡述，將所述正常狀態下的不同溫度積分值的平均值記為^ ,將所述正常狀態下的不同溫度積分值的標準差記為執行步驟S5 :計算所述熱處理板判斷值；其中，所述熱處理板判斷值的實部r的計算方法如下，

權利要求
1.一種熱處理板判斷值的設定方法，包括 執行步驟Si:設置第一判斷值，所述第一判斷值高于所述正常狀態下的溫度積分值；執行步驟S2 :運行II1片虛擬晶圓，并觸發所述溫控檢測系統報警，進而獲得所述正常狀態下的溫度積分值；所述Ii1為自然數，所述正常狀態下的不同溫度積分值的平均值為^，所述正常狀態下的不同溫度積分值的標準差為S!; 執行步驟S3 :設置第二判斷值，所述第二判斷值高于所述非正常狀態下的溫度積分 值； 執行步驟S4 :運行n2片虛擬晶圓，并觸發所述溫控檢測系統報警，進而獲得所述非正常狀態下的溫度積分值；所述n2為自然數，所述正常狀態下的不同溫度積分值的平均值為^ 將所述正常狀態下的不同溫度積分值的標準差為S2; 執行步驟S5 :計算所述熱處理板判斷值；所述熱處理板判斷值的實部r的計算方法如
2.如權利要求I所述的熱處理板判斷值的設定方法，其特征在于，所述Ii1^ 8。
3.如權利要求I所述的熱處理板判斷值的設定方法，其特征在于，所述n2^ 8。
4.如權利要求I所述的熱處理板判斷值的設定方法，其特征在于，所述熱處理板判斷值的設定方法之誤差小于3%。
全文摘要
一種熱處理板判斷值的設定方法，包括步驟S1設置第一判斷值；步驟S2運行n1片虛擬晶圓，并觸發所述溫控檢測系統報警，進而獲得所述正常狀態下的溫度積分值；所述正常狀態下的不同溫度積分值的平均值記為所述正常狀態下的不同溫度積分值的標準差記為δ1；步驟S3設置第二判斷值；步驟S4運行n2片虛擬晶圓，并觸發所述溫控檢測系統報警，進而獲得所述非正常狀態下的溫度積分值；所述正常狀態下的不同溫度積分值的平均值記為將所述正常狀態下的不同溫度積分值的標準差記為δ2；步驟S5計算所述熱處理板判斷值，本發明所述熱處理板判斷值的設定方法進行判斷值的設定不僅操作簡便，節約工時，同時計算精度高，誤差小，極易推廣使用。
文檔編號G05B13/04GK102929133SQ201210366199
公開日2013年2月13日 申請日期2012年9月27日 優先權日2012年9月27日
發明者虞良, 凌意明, 韓玉龍, 王世輝 申請人:上海宏力半導體制造有限公司