本發(fā)明屬于微電子和電源管理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于雙向計(jì)數(shù)控制的穩(wěn)壓電路。

背景技術(shù)：

穩(wěn)壓電源可以為各種電器設(shè)備供電，也可以為芯片內(nèi)部供電。常見的穩(wěn)壓控制電路主要包括線性穩(wěn)壓源，開關(guān)電容式穩(wěn)壓電路，以及開關(guān)電源電路。其中線性穩(wěn)壓源采用運(yùn)算放大器實(shí)時(shí)調(diào)整輸出電壓，能夠精確控制輸出電壓值，電壓紋波小，但是難以滿足大的降壓需要；開關(guān)電容式穩(wěn)壓電路，外圍元件少，電路簡(jiǎn)單，但是驅(qū)動(dòng)能力較弱，降壓幅度有限；開關(guān)電源電路，效率高，功耗小，電壓調(diào)整范圍大，但是外圍元件較多，存在一定的電磁干擾問(wèn)題。

針對(duì)大的降壓幅度，大的驅(qū)動(dòng)能力，小的電壓紋波的需要，目前的設(shè)計(jì)方案存在外圍元件多，電路復(fù)雜的缺點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種基于雙向計(jì)數(shù)控制的穩(wěn)壓電路，是一種滿足特定需求的降壓控制方案，具有驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，電壓紋波極小，降壓幅度大，控制電路功耗低，外圍元件少的優(yōu)點(diǎn)。其降壓穩(wěn)定值控制在一個(gè)較小的電壓區(qū)間，并能夠?qū)崟r(shí)檢測(cè)，及時(shí)調(diào)整輸出電壓大小以使其能夠保持穩(wěn)定在目標(biāo)電壓區(qū)間內(nèi)。

本發(fā)明提供的基于雙向計(jì)數(shù)控制的穩(wěn)壓電路，包括限流電阻Rz、穩(wěn)壓二極管Zener、功率晶體管NMOS、電容C、分壓檢測(cè)電阻串RJ1、RJ2、RJ3、比較器1、比較器2、邏輯電路、振蕩器、雙向計(jì)數(shù)器、電平轉(zhuǎn)換器以及數(shù)模轉(zhuǎn)換器，所有模塊的功能以及連接關(guān)系如下：

限流電阻Rz，限制流過(guò)穩(wěn)壓二極管Zener的電流，其一端連接輸入電壓端口，另一端連接穩(wěn)壓二極管Zener的負(fù)端；

穩(wěn)壓二極管Zener，將高的輸入電壓轉(zhuǎn)化為一較低的受溫度影響的電壓值VDDH，其正端連接地，負(fù)端連接限流電阻Rz，并連接至數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入端3；

功率晶體管NMOS，為負(fù)載提供電流，其漏端連接輸入電壓端口，柵端連接數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出端4，源端連接電容C上極板、分壓檢測(cè)電阻串中RJ1的上端以及輸出電壓端口；

電容C，減小輸出電壓紋波，其上極板連接功率晶體管NMOS源端，下極板連接地；

分壓檢測(cè)電阻串RJ1、RJ2、RJ3，檢測(cè)輸出電壓值，其中RJ1、RJ2、RJ3首尾相串聯(lián)，RJ1上端連接至功率晶體管NMOS源端，RJ2上端連接至比較器1的負(fù)輸入端，RJ3上端連 接至比較器2的負(fù)輸入端，RJ3下端連接至地；

比較器1，將上限電壓檢測(cè)信號(hào)與參考電壓信號(hào)進(jìn)行比較，當(dāng)參考電壓信號(hào)小于上限電壓檢測(cè)信號(hào)時(shí)，輸出低電平，當(dāng)參考電壓信號(hào)大于上限電壓檢測(cè)信號(hào)時(shí)，輸出高電平，其正輸入端連接參考電壓，負(fù)輸入端連接分壓檢測(cè)電阻串中RJ2上端，輸出端連接邏輯電路的輸入端3；

比較器2，將下限電壓檢測(cè)信號(hào)與參考電壓信號(hào)進(jìn)行比較，當(dāng)參考電壓信號(hào)小于下限電壓檢測(cè)信號(hào)時(shí)，輸出低電平，當(dāng)參考電壓信號(hào)大于下限電壓檢測(cè)信號(hào)時(shí)，輸出高電平，其正輸入端連接參考電壓，負(fù)輸入端連接分壓檢測(cè)電阻串中RJ3上端，輸出端連接邏輯電路的輸入端2；

邏輯電路，根據(jù)輸入端3接收到的比較器1的輸出信號(hào)和輸入端2接收到的比較器2的輸出信號(hào)以及輸入端1接收到的雙向計(jì)數(shù)器輸出端6輸出的計(jì)數(shù)是否達(dá)到最大或者最小值判斷信號(hào)，產(chǎn)生正向計(jì)數(shù)信號(hào)，反向計(jì)數(shù)信號(hào)和停止計(jì)數(shù)信號(hào)，分別通過(guò)輸出端4、5、6輸出到雙向計(jì)數(shù)器輸入端3、2、1，當(dāng)比較器1和比較器2都輸出高電平時(shí)，正向計(jì)數(shù)信號(hào)為1，反向計(jì)數(shù)信號(hào)為0，停止計(jì)數(shù)信號(hào)在雙向計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)達(dá)到最大值時(shí)為1，在雙向計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)未達(dá)到最大值時(shí)為0；當(dāng)比較器1輸出低電平，比較器2輸出高電平時(shí)，正向計(jì)數(shù)信號(hào)為0，反向計(jì)數(shù)信號(hào)為0，停止計(jì)數(shù)信號(hào)為1；當(dāng)比較器1和比較器2都輸出低電平時(shí)，正向計(jì)數(shù)信號(hào)為0，反向計(jì)數(shù)信號(hào)為1，停止計(jì)數(shù)信號(hào)在雙向計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)達(dá)到最小值時(shí)為1，在雙向計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)未達(dá)到最小值時(shí)為0，邏輯電路輸入端1連接雙向計(jì)數(shù)器的輸出端6，輸入端2連接比較器2的輸出端，輸入端3連接比較器1的輸出端，其三個(gè)輸出端4、5、6分別連接至雙向計(jì)數(shù)器的輸入端3、輸入端2、輸入端1；

振蕩器，產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)，其輸出端接雙向計(jì)數(shù)器的輸入端4；

雙向計(jì)數(shù)器，根據(jù)輸入端1、2、3接收到的邏輯電路輸出端6、5、4輸出的計(jì)數(shù)控制信號(hào)，在輸入端4接收到振蕩器輸出的時(shí)鐘上升沿到來(lái)的時(shí)刻進(jìn)行正向計(jì)數(shù)，反向計(jì)數(shù)和停止計(jì)數(shù)，當(dāng)正向計(jì)數(shù)信號(hào)為1，反向計(jì)數(shù)信號(hào)為0，停止計(jì)數(shù)信號(hào)為0時(shí)進(jìn)行正向計(jì)數(shù)；當(dāng)正向計(jì)數(shù)信號(hào)為0，反向計(jì)數(shù)信號(hào)為1，停止計(jì)數(shù)信號(hào)為0時(shí)進(jìn)行反向計(jì)數(shù)；當(dāng)停止計(jì)數(shù)信號(hào)為1時(shí)停止計(jì)數(shù)，并將n位高電平值為VDD、低電平值為零電平的計(jì)數(shù)信號(hào)通過(guò)輸出端5輸出到電平轉(zhuǎn)換器輸入端1，將計(jì)數(shù)是否達(dá)到最大或者最小值判斷信號(hào)通過(guò)輸出端6輸入到邏輯電路輸入端1，其輸入端1、輸入端2、輸入端3分別連接至邏輯電路三個(gè)輸出端6、5、4，輸入端4連接至振蕩器輸出端，其輸出端5接電平轉(zhuǎn)換器輸入端1，輸出端6連接至邏輯電路輸入端1；

電平轉(zhuǎn)換器，對(duì)輸入端1接收到的雙向計(jì)數(shù)器輸出端5輸出的n位高電平值為VDD、低 電平值為零電平計(jì)數(shù)信號(hào)值進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，將高電平為VDD的信號(hào)升壓，轉(zhuǎn)化為穩(wěn)壓二極管Zener產(chǎn)生的VDDH大小的高電平信號(hào)，對(duì)其輸出的低電平信號(hào)保持為零電平信號(hào)不變，并將輸出端2輸出的n位高電平值為VDDH，低電平值為零電平的信號(hào)輸入到數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入端2，將輸出端2的信號(hào)反相后通過(guò)輸出端3輸入到數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入端1，其輸入端1連接雙向計(jì)數(shù)器輸出端5，其輸出端2連接數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入端2，其輸出端3連接數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入端1；

數(shù)模轉(zhuǎn)換器，將輸入端3接收的穩(wěn)壓信號(hào)VDDH分壓為1、2、3……N個(gè)電壓值，N＝2ⁿ，根據(jù)輸入端2接收到的電平轉(zhuǎn)換器輸出端2輸出的高電平為VDDH、低電平為零的n位信號(hào)，以及輸入端1接收到電平轉(zhuǎn)換器輸出端3輸出的n位與輸入端2接收到的信號(hào)互為反相的信號(hào)，控制N個(gè)電壓值依次通過(guò)輸出端4輸入到功率晶體管NMOS的柵端，控制輸出信號(hào)的大小，當(dāng)雙向計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)值增大時(shí)，輸入到NMOS柵端的電壓依次遞增；當(dāng)雙向計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)值減小時(shí)，輸入到NMOS柵端的電壓依次遞減；當(dāng)雙向計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)值不變時(shí)，輸入到NMOS柵端的電壓不變，其輸入端1接電平轉(zhuǎn)換器的輸出端3，輸入端2接電平轉(zhuǎn)換器的輸出端2，輸入端3接穩(wěn)壓二極管Zener的負(fù)端，其輸出端4接功率晶體管NMOS的柵端。

本發(fā)明的電路工作過(guò)程為，輸入高電壓信號(hào)經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓二極管Zener穩(wěn)壓，產(chǎn)生較低的受溫度影響的穩(wěn)壓信號(hào)VDDH，接入數(shù)模轉(zhuǎn)換器，將VDDH分壓為一系列電壓，并控制不同的分壓值接入功率晶體管NMOS的柵端，控制輸出電壓的大小，分壓檢測(cè)電阻串檢測(cè)輸出電壓的大小，并通過(guò)比較器1、比較器2與參考電壓信號(hào)進(jìn)行比較，當(dāng)上限電壓檢測(cè)信號(hào)與下限電壓檢測(cè)信號(hào)均低于參考電壓信號(hào)時(shí)，代表輸出電壓信號(hào)低于穩(wěn)壓范圍，比較器1和比較器2均輸出高電平，邏輯電路產(chǎn)生正向計(jì)數(shù)信號(hào)，控制雙向計(jì)數(shù)器進(jìn)行正向計(jì)數(shù)，計(jì)數(shù)值經(jīng)過(guò)電平轉(zhuǎn)換器將大小為VDD高電平轉(zhuǎn)化為大小VDDH的高電平，低電平為零電平值保持不變，輸入數(shù)模轉(zhuǎn)換器，控制其輸出到功率晶體管NMOS柵端的分壓值依次升高；當(dāng)上限電壓檢測(cè)信號(hào)與下限電壓檢測(cè)信號(hào)均高于參考電壓信號(hào)時(shí)，代表輸出電壓信號(hào)高于穩(wěn)壓范圍，比較器1和比較器2均輸出低電平，邏輯電路產(chǎn)生反向計(jì)數(shù)信號(hào)，控制雙向計(jì)數(shù)器進(jìn)行反向計(jì)數(shù)，計(jì)數(shù)值經(jīng)過(guò)電平轉(zhuǎn)換器將大小VDD高電平轉(zhuǎn)化為大小為VDDH的高電平，低電平為零電平值保持不變，輸入數(shù)模轉(zhuǎn)換器，控制其輸出到功率晶體管NMOS柵端的分壓值依次降低；當(dāng)上限電壓檢測(cè)信號(hào)高于參考電壓信號(hào)，下限電壓檢測(cè)信號(hào)低于參考電壓信號(hào)，代表輸出電壓信號(hào)處于穩(wěn)壓范圍，比較器1輸出低電平，比較器2輸出高電平，邏輯電路產(chǎn)生停止計(jì)數(shù)信號(hào)，控制雙向計(jì)數(shù)器不計(jì)數(shù)，數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出到功率晶體管NMOS柵端的分壓值不變，將輸出電壓穩(wěn)定在所設(shè)定的穩(wěn)壓區(qū)間。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果：

1、本發(fā)明技術(shù)方案中外圍元件較少，僅有一個(gè)大的穩(wěn)壓電容C，減小了外圍電路面積；

2、電路采用分壓檢測(cè)電阻串，比較器，邏輯電路，雙向計(jì)數(shù)器，電平轉(zhuǎn)換器，數(shù)模轉(zhuǎn)換器來(lái)控制輸出電壓信號(hào)在一個(gè)小的電壓設(shè)定區(qū)間內(nèi)保持恒定，控制電路功耗低，穩(wěn)定性高；

3、采用了數(shù)模轉(zhuǎn)換器控制功率晶體管NMOS柵壓信號(hào)，可以滿足大的降壓需求；

綜上所述，本發(fā)明技術(shù)方案提供了一種基于雙向計(jì)數(shù)控制的穩(wěn)壓電路方案，具有大的驅(qū)動(dòng)能力，極小的電壓紋波，大的降壓幅度，又具有控制電路功耗低，外圍元件少的優(yōu)點(diǎn)。可以將降壓穩(wěn)定值控制在一個(gè)較小的電壓區(qū)間，并能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)，及時(shí)調(diào)整輸出電壓大小。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的基于雙向計(jì)數(shù)控制的穩(wěn)壓電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的基于雙向計(jì)數(shù)控制的穩(wěn)壓電路詳細(xì)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的基于雙向計(jì)數(shù)控制的穩(wěn)壓電路關(guān)鍵信號(hào)的波形示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、內(nèi)容和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來(lái)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

首先，解釋本發(fā)明技術(shù)方案的關(guān)鍵特征在于：

通過(guò)分壓檢測(cè)電阻串檢測(cè)輸出電壓值，與比較器比較，通過(guò)邏輯電路產(chǎn)生雙向計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)控制信號(hào)，雙向計(jì)數(shù)器進(jìn)行正向計(jì)數(shù)，反向計(jì)數(shù)或者停止計(jì)數(shù)，計(jì)數(shù)值輸入電平轉(zhuǎn)換器，經(jīng)過(guò)電平轉(zhuǎn)換后，輸入數(shù)模轉(zhuǎn)換器，控制功率晶體管NMOS柵端的電壓大小，從而調(diào)控輸出電壓的大小；

實(shí)施例

本實(shí)施例首先描述本發(fā)明所提供的一種基于雙向計(jì)數(shù)控制的穩(wěn)壓電路的框架結(jié)構(gòu)以及各結(jié)構(gòu)的連接關(guān)系：

如圖1所示，所述開關(guān)陣列式降壓電路，包括限流電阻Rz、穩(wěn)壓二極管Zener、功率晶體管NMOS、電容C、分壓檢測(cè)電阻串RJ1、RJ2、RJ3、比較器1、比較器2、邏輯電路、振蕩器、雙向計(jì)數(shù)器、電平轉(zhuǎn)換器以及數(shù)模轉(zhuǎn)換器，所有模塊的連接關(guān)系如下：

限流電阻Rz，其一端連接輸入電壓端口，另一端連接穩(wěn)壓二極管Zener的負(fù)端；

穩(wěn)壓二極管Zener，其正端連接地，負(fù)端連接限流電阻Rz，并連接至數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入端3；

功率晶體管NMOS，其漏端連接輸入電壓端口，柵端連接數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出端4，源端連接電容C上極板、分壓檢測(cè)電阻串中RJ1的上端以及輸出電壓端口；

電容C，其上極板連接功率晶體管NMOS源端，下極板連接地；

分壓檢測(cè)電阻串RJ1、RJ2、RJ3，其中RJ1、RJ2、RJ3首尾相串聯(lián)，RJ1上端連接至功率晶體管NMOS源端，RJ2上端連接至比較器1的負(fù)輸入端，RJ3上端連接至比較器2的負(fù)輸入端，RJ3下端連接至地；

比較器1，其正輸入端連接參考電壓，負(fù)輸入端連接分壓檢測(cè)電阻串中RJ2上端，輸出端連接邏輯電路的輸入端3；

比較器2，其正輸入端連接參考電壓，負(fù)輸入端連接分壓檢測(cè)電阻串中RJ3上端，輸出端連接邏輯電路的輸入端2；

邏輯電路，其輸入端1連接雙向計(jì)數(shù)器的輸出端6，輸入端2連接比較器2的輸出端，輸入端3連接比較器1的輸出端，其三個(gè)輸出端4、5、6分別連接至雙向計(jì)數(shù)器的輸入端3、輸入端2、輸入端1；

振蕩器，其輸出端接雙向計(jì)數(shù)器的輸入端4；

雙向計(jì)數(shù)器，其輸入端1、輸入端2、輸入端3分別連接至邏輯電路三個(gè)輸出端6、5、4，輸入端4連接至振蕩器輸出端，其輸出端5接電平轉(zhuǎn)換器輸入端1，輸出端6連接至邏輯電路輸入端1；

電平轉(zhuǎn)換器，其輸入端1連接雙向計(jì)數(shù)器輸出端5，其輸出端2連接數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入端2，其輸出端3連接數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入端1；

數(shù)模轉(zhuǎn)換器，其輸入端1接電平轉(zhuǎn)換器的輸出端3，輸入端2接電平轉(zhuǎn)換器的輸出端2，輸入端3接穩(wěn)壓二極管Zener的負(fù)端，其輸出端4接功率晶體管NMOS的柵端。

接下來(lái)具體描述所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器的具體結(jié)構(gòu)以及相應(yīng)的工作流程：

如圖2所示，所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器包括電阻串R₁、R₂、……、R_N、Rb，二叉樹開關(guān)陣列第1列M_1,1、M_1,2、……、M_1,N，第2列M_2,1、M_2,2、……M_2,N/2，第n列M_n,1、M_n,2、……M_n,N/2^n-1，因?yàn)閚與N的關(guān)系為N＝2ⁿ，故第n列開關(guān)為M_n,1、M_n,2；

所述電阻串R₁、R₂、……、R_N、Rb用于將穩(wěn)壓信號(hào)值分壓為N個(gè)電壓值；

所述二叉樹開關(guān)陣列由PMOS晶體管組成，第1列M_1,1、M_1,2、……、M_1,N，第2列M_2,1、M_2,2、……M_2,N/2，第n列M_n,1、M_n,2，用于通過(guò)不同開關(guān)的導(dǎo)通或者閉合，將N個(gè)電壓值中的一個(gè)傳遞給功率晶體管NMOS的柵端，從而控制輸出電壓保持在一定的電壓區(qū)間；

其中，所述電阻串R₁、R₂、……、R_N、Rb相串聯(lián)，R₁上端連接至穩(wěn)壓二極管Zener的負(fù)端，Rb下端連接至地，每個(gè)電阻R₁、R₂、……、R_N上端分別連接至二叉樹開關(guān)陣列第1列 M_1,1、M_1,2、……、M_1,N的源端；

所述二叉樹開關(guān)陣列第1列M_1,1、M_1,2、……、M_1,N源端分別連接電阻串R₁、R₂、……、R_N每個(gè)電阻的上端，處于奇數(shù)位的開關(guān)M_1,1、M_1,3……M_1,N-1，分別與處于偶數(shù)位的開關(guān)M_1,2、M_1,4、……M_1,N的漏端兩兩相連，并連接至二叉樹開關(guān)陣列第2列M_2,1、M_2,2、……M_2,N/2的源端，處于奇數(shù)位的開關(guān)M_1,1、M_1,3……M_1,N-1的柵端接電平轉(zhuǎn)換器輸出的處于偶數(shù)位的開關(guān)M_1,2、M_1,4……M_1,N的柵端接電平轉(zhuǎn)換器輸出的DH<1>；

所述二叉樹開關(guān)陣列第2列M_2,1、M_2,2、……M_2,N/2的源端分別連接第1列開關(guān)處于奇數(shù)位的開關(guān)M_1,1、M_1,3……M_1,N-1，與處于偶數(shù)位的開關(guān)M_1,2、M_1,4、……M_1,N漏端兩兩相連的輸出端，第2列處于奇數(shù)位的開關(guān)M_2,1、M_2,3……M_2,N/2-1，分別與處于偶數(shù)位的開關(guān)M_2,2、M_2,4……M_2,N/2漏端兩兩相連，并連接至二叉樹開關(guān)陣列第3列M_3,1、M_3,2、……M_3,N/4的源端，處于奇數(shù)位的開關(guān)M_2,1、M_2,3……M_2,N/2-1的柵端接電平轉(zhuǎn)換器輸出的處于偶數(shù)位的開關(guān)M_2,2、M_2,4……M_2,N/2的柵端接電平轉(zhuǎn)換器輸出的DH<2>；

所述二叉樹開關(guān)陣列第3列、第4列……第N-1列連接方式以上述方式類推；

所述二叉樹開關(guān)陣列第N列M_n,1、M_n,2源端分別連接第N-1列開關(guān)處于奇數(shù)位的開關(guān)M_n-1,1、M_n-1,3，與處于偶數(shù)位的開關(guān)M_n-1,2、M_n-1,4漏端兩兩相連的輸出端，第N列開關(guān)M_n,1、M_n,2的漏端相連接，并連接至功率晶體管NMOS的柵端，開關(guān)M_n,1的柵端接電平轉(zhuǎn)換器輸出的開關(guān)M_n,2的柵端接電平轉(zhuǎn)換器輸出的DH<n>。

如圖3所示，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的基于雙向計(jì)數(shù)控制的穩(wěn)壓電路關(guān)鍵信號(hào)的波形示意圖：

當(dāng)輸出電壓信號(hào)小于所設(shè)定的電壓范圍時(shí)，上限電壓檢測(cè)信號(hào)與下限電壓檢測(cè)信號(hào)均小于參考電壓信號(hào)，正向計(jì)數(shù)信號(hào)為1，反向計(jì)數(shù)信號(hào)為0，由于計(jì)數(shù)值尚未達(dá)到最大值，故停止計(jì)數(shù)信號(hào)為0，雙向計(jì)數(shù)器進(jìn)行正向計(jì)數(shù)，通過(guò)電平轉(zhuǎn)換器控制數(shù)模轉(zhuǎn)換器，控制功率晶體管NMOS柵壓信號(hào)不斷增大，輸出電壓信號(hào)不斷增大，當(dāng)輸出電壓信號(hào)上升至所設(shè)定的電壓范圍內(nèi)，在振蕩器時(shí)鐘上升沿到來(lái)時(shí)，上限電壓檢測(cè)信號(hào)大于參考電壓信號(hào)，下限電壓檢測(cè)信號(hào)小于參考電壓信號(hào)，正向計(jì)數(shù)信號(hào)為0，反向計(jì)數(shù)信號(hào)為0，停止計(jì)數(shù)信號(hào)為1，雙向計(jì)數(shù)器停止計(jì)數(shù)，通過(guò)電平轉(zhuǎn)換器控制數(shù)模轉(zhuǎn)換器，控制功率晶體管NMOS柵壓信號(hào)保持不變，輸出電壓信號(hào)保持穩(wěn)定不變。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變形，這些改進(jìn)和變形也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。