一種利用dram不良品的方法【專利摘要】本發明公開了一種利用DRAM不良品的方法，通過在工廠生產、系統自檢和使用過程中動態檢測DRAM中的錯誤Cell，記錄記錄缺陷地址信息和查找Cell的替代Cell的替代地址信息，并更新缺陷表格，系統訪問時根據缺陷表格中記錄的信息正確的訪問無錯誤的Cell，通過動態增加缺陷列表來存儲DRAM芯片的缺陷地址信息和替換地址信息，可實現將％80以上的DRAM廢品顆粒變為可用顆粒，隨著DRAM制程向納米級發展，經濟效益將會更加明顯，且能夠解決在DRAM顆粒在出廠后、使用中逐漸出現的錯誤，將使用過程中發現變壞的Cell的地址信息可以被動態地加入到缺陷表格中，從而延長系統的使用壽命。【專利說明】-種利用DRAM不良品的方法【
技術領域：
】[0001]本發明涉及信息存儲領域，尤其涉及一種生產過程中帶有壞塊的DRAM不良品的方法。【
背景技術：
】[0002]DRAM是傳統的PC、服務器中不可缺少的主存儲設備，同時也是當今如日中天的移動智能設備的必備。然而，隨著DRAM制造的工藝節點不斷的向下演進，其制造過程中出現的缺陷越來越多，造成良率的不斷下降。業界通常在DRAM內部設計冗余的Row(行）和Column(列）來替代有缺陷的行和列。[0003]例如，在4x4的Cell(存儲單元）陣列中，WL4和BL8分別為冗余的行、列，假設有兩個Cell(WL1，BL2)(WL3,BL4)出現了缺陷，表現為讀或者寫功能不正常，通常的做法是用行、列替換的辦法：采用BL8替代BL2，WL4替代WL3。這個替代動作由地址譯碼電路來完成：列地址譯碼器將對BL2的訪問被映射到BL8;行地址譯碼器將對WL3的訪問映射到WL4。[0004]這個傳統的辦法可以解決當前的大部分狀況：錯誤Cell比較集中數量可能很多，但主要分布在少量的行或者列上面，且在使用過程中基本不會動態增加。從這個行列替代的方法可以看出，冗余的行、列的Cell使用效率很低，分別只有1/9和1/5。如果Cell(WL2，BL3)再出錯，則只能依靠增加更多的冗余的行、列來替代了。DRAM廠商出于成本的考慮，不會無限增加冗余的行、列的數量。因此，仍然會有一定比例的DRAM芯片因為錯誤的Cell個數或者分布超過了冗余的行、列的替換能力而被作為不良品廢棄。這個問題隨著制造工藝節點進一步變小而變得更加嚴重，所以需要一種能夠提高DRAM利用率的方法。[0005]另外，這個傳統的辦法只能在DRAM廠商測試DRAM顆粒的時候進行，在賣到系統廠商之后不能做任何修改。也就是說，DRAM顆粒在系統上使用過程中出現的一些Cell慢慢變壞的這類錯誤傳統的行、列替代法無能為力。這類錯誤一旦出現，一般只能返修，更換出現問題的顆粒，且可能造成整個產品或設備報廢，成本很高。【
發明內容】[0006]針對DRAM芯片在工廠生產時錯誤的Cell個數或者分布超過了冗余的行、列的替換能力和DRAM芯片在使用過程中動態產生錯誤的Cell造成整個DRAM報廢，無法正常使用的缺陷，本發明通過增加可動態更新的缺陷表格來實現可繼續使用上述需要報廢的不良品的目的。[0007]為了實現上述目的，本發明目的在于提出了一種利用DRAM不良品的方法，其特征在于：[0008]步驟1.1，系統自檢或自動測試機測試DRAM，查找DRAM中出現錯誤的Ce11，并記錄缺陷地址信息；[0009]步驟1.2,確定可替代步驟1.1查找到的Cell的替代Cell的替代地址信息；[0010]步驟1.3,將步驟1.2和步驟1.1獲取到的缺陷地址信息和替代地址信息創建缺陷表格，所述缺陷表格至少存儲了DRAM不良品的所有缺陷地址信息和替代地址信息；[0011]步驟1.4,系統訪問DRAM，系統總線通過地址映射單元相訪問DRAM，地址映射單元接收到系統總線請求的地址信息，查詢缺陷表格，根據缺陷表格中的信息，判斷當前訪問的地址信息是否需要地址重映射，如果需要則通過地址映射單元將替代地址替代缺陷地址實現系統總線所要訪問的地址轉換成實際無缺陷的地址，保證系統總線訪問地址的連續性和正確性。[0012]所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于還包括計算DRAM的有效地址范圍，將DRAM原始物理Cell總數減去出現錯誤的Cell得到有效的Cell總數，實現計算DRAM的有效地址范圍，并將該信息反饋給系統，系統根據該信息計算有效地址范圍。[0013]所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于在DRAM內部設置一個微處理器，微處理器設置有DRAM自檢程序，系統上電后，微處理器自動執行DRAM自檢程序，更新缺陷表格的信息，同時實現計算DRAM的有效地址范圍，并將該信息反饋給系統。[0014]所述的微處理器上還設有校驗程序，校驗在讀/寫DRAM過程中是否出現Cell錯誤，如果出現Cell錯誤，則記錄缺陷地址信息并確定可替代Cell的替代地址信息，更新缺陷表格信息。[0015]本發明通過動態增加缺陷列表來存儲DRAM芯片的缺陷地址信息和替換地址信息，可實現將％80以上的DRAM廢品顆粒變為可用顆粒，隨著DRAM制程向納米級發展，經濟效益將會更加明顯，且能夠解決在DRAM顆粒在出廠后、使用中逐漸出現的錯誤，將使用過程中發現變壞的Cell的地址信息可以被動態地加入到缺陷表格中，從而延長系統的使用壽命。【專利附圖】【附圖說明】[0016]圖1是：利用DRAM不良品的方法的系統框圖；[0017]圖2是：本發明一種具體實施例地址轉換示意圖。【具體實施方式】[0018]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。[0019]圖1是利用DRAM不良品的方法的系統框圖，外部系統總線由地址總線Addressbus和數據總線Databusg構成，地址總線Addressbus與地址映射單元Address_remap_unit相連接，地址映射單元Address_remap_unit將地址總線Addressbus輸入的外部系統請求訪問地址查詢缺陷表格Defect_table，缺陷表格Defect_table存儲了系統中所有DRAM芯片的所有缺陷地址及其替代地址信息，地址映射單元Address_remap_unit根據缺陷表格Defect_table中的信息將系統總線請求的訪問地址轉換成為實際的DRAM無缺陷的重定位地址Address_remap，有缺陷的地址被跳過，從而保證從系統總線上看到的DRAM地址空間仍然是連續的，雖然總長度減小了。減小的地址空間數量就取決于DRAM的缺陷地址個數和分布。最終，經過Address_remap_unit轉換后的重定位地址Address_remap通過DRAM控制器DRAM_ctrl在DRAMchips中都尋址到的都是沒有缺陷Cell，最終實現DRAM的訪問。[0020]圖2是本發明一種具體實施例地址轉換示意圖，DRAM的實際物理空間為256byte，缺陷列表包括如下信息和有效DRAM大小DRAM_SIZE信息：[0021]【權利要求】1.一種利用DRAM不良品的方法，其特征在于：步驟1.1，系統自檢或自動測試機測試DRAM，查找DRAM中出現錯誤的Cel1，并記錄缺陷地址信息；步驟1.2,確定可替代步驟1.1查找到的Cell的替代Cell的替代地址信息；步驟1.3,將步驟1.2和步驟1.1獲取到的缺陷地址信息和替代地址信息創建缺陷表格，所述缺陷表格至少存儲了DRAM不良品的所有缺陷地址信息和替代地址信息；步驟1.4,系統訪問DRAM，系統總線通過地址映射單元相訪問DRAM，地址映射單元接收到系統總線請求的地址信息，查詢缺陷表格，根據缺陷表格中的信息，判斷當前訪問的地址信息是否需要地址重映射，如果需要則通過地址映射單元將替代地址替代缺陷地址實現系統總線所要訪問的地址轉換成實際無缺陷的地址，保證系統總線訪問地址的連續性和正確性。2.根據權利要求1所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于還包括計算DRAM的有效地址范圍，將DRAM原始物理Cell總數減去出現錯誤的Cell得到有效的Cell總數，實現計算DRAM的有效地址范圍，并將該信息反饋給系統，系統根據該信息計算有效地址范圍。3.根據權利要求2所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于在DRAM內部設置一個微處理器，微處理器設置有DRAM自檢程序，系統上電后，微處理器自動執行DRAM自檢程序，更新缺陷表格的信息，同時實現計算DRAM的有效地址范圍，并將該信息反饋給系統。4.根據權利要求3所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于所述的微處理器上還設有校驗程序，校驗在讀/寫DRAM過程中是否出現Cell錯誤，如果出現Cell錯誤，則記錄缺陷地址信息并確定可替代Cell的替代地址信息，更新缺陷表格信息。【文檔編號】G06F12/02GK104111895SQ201410361135【公開日】2014年10月22日申請日期:2014年7月25日優先權日:2014年7月25日【發明者】黃運新申請人:記憶科技(深圳)有限公司