本發明涉及電容觸摸屏加工工藝領域，具體是一種電容觸摸屏玻璃傳感器中替換鉬鋁鉬金屬膜層的加工工藝。
背景技術：
電容觸摸屏可實現多點和準確的觸摸感應，而且結構簡單、透光率≥88%，是當前顯示觸控技術發展的主流方向。玻璃傳感器是電容觸摸屏的重要部件，現有玻璃傳感器生產流程中，將鉬鋁鉬通過濺射的方式整面鍍在玻璃傳感器上，而后將鍍好鉬鋁鉬的玻璃傳感器附著上二氧化硅，最后用曝光、顯影及化學蝕刻的方式制成線路。這種工藝的缺點是產品鍍膜次數多且面積大，工藝繁多且生產成本較高。
技術實現要素：
本發明的目的是提供一種電容觸摸屏玻璃傳感器中替換鉬鋁鉬金屬膜層的加工工藝，以解決現有技術玻璃傳感器加工工藝鍍膜次數多、成本高的問題。
為了達到上述目的，本發明所采用的技術方案為：
電容觸摸屏玻璃傳感器中替換鉬鋁鉬金屬膜層的加工工藝，其特征在于：包括以下步驟：
（1）、在玻璃基板上真空濺射ITO薄膜層，濺射時真空度保持在0.01~0.5Pa，溫度保持在220~300℃；
（2）、在步驟（1）得到的ITO薄膜層上涂布光刻膠，使光刻膠覆蓋ITO薄膜層，然后進行預烘，預烘的溫度為80~90℃；
（3）、對光刻膠進行曝光，并在光刻膠上光刻電極和走線圖形，曝光條件為：采用紫外光，光通量為100~120mj，電極和走線圖案的光罩是鉻版，距離玻璃基板的尺寸為100um~200um；
（4）、采用NaOH溶液對光刻膠顯影并硬化，NaOH溶液的濃度為0.1~0.08MOL/L，溫度為20~35℃，時間為50秒~120秒，硬化時的溫度為100~120℃，時間30~35分鐘；
（5）、蝕刻ITO薄膜層，形成ITO薄膜層的電極和走線，蝕刻使用材料為HCL和HO2的混合液，其中HCL質量占混合液的60%~65%，HO2質量占混合液的40%~35%，蝕刻時溫度為40~45℃,時間為120~220秒；
（6）、采用NaOH溶液去除光刻膠，留出ITO薄膜層電極及走線，NaOH溶液的濃度為2.0~1.5MOL/L，溫度為40~45℃，時間為100~120秒，然后用純水漂洗、風干；
（7）、在ITO薄膜層上不鍍金屬的部分絲印藍膜，使藍膜覆蓋住不鍍金屬的部分，籃膜絲印厚度＞30um，然后進行烘烤，烘烤溫度為140~160℃，時間為20~40min，烘烤完畢后，取出冷卻，恢復到常溫；
（8）、使用堿性除油劑清洗玻璃基板表面，以去除油脂，堿性除油劑的濃度為40~60g/L，溫度為40~45℃，時間為300秒~420秒，然后用純水漂洗、風干；
（9）、使用活化劑活化玻璃表面，以增加潔凈度，活化劑濃度為24~36ml/L，溫度為30~35℃，時間為200秒~240秒，然用純水漂洗、風干；
（10）、使用化學鎳溶液在玻璃基板電極和走線位置化學沉積鍍鎳金屬，化學鎳溶液濃度為6.5~7.0g/L，溫度為50~60℃，時間為200秒~220秒，然后用純水漂洗、風干；
（11）、使用化學薄金溶液在玻璃基板鍍有鎳金屬的電極和走線位置化學沉積鍍金金屬，化學薄金溶液的濃度為18~20ml/㎡，溫度為60~65℃，時間為220秒~250秒，然后用純水漂洗、風干后固化，固化溫度為180~200℃，時間為50~60分鐘；
（12）、按照產品圖紙尺寸，使用鉆石導輪切割、裂片出所需大小，以去除邊角料，制成成品。
所述的電容觸摸屏玻璃傳感器中替換鉬鋁鉬金屬膜層的加工工藝，其特征在于：步驟（1）中，濺射得到的ITO薄膜層的厚度為10nm~20nm。
所述的電容觸摸屏玻璃傳感器中替換鉬鋁鉬金屬膜層的加工工藝，其特征在于：步驟（2）中，光刻膠的厚度為1600~2000nm，均勻性保持在5%以內。
所述的電容觸摸屏玻璃傳感器中替換鉬鋁鉬金屬膜層的加工工藝，其特征在于：步驟（8）中，堿性除油劑型號為UE-3300，步驟（9）中，活化劑型號為UE-2000，步驟（10）中，化學鎳溶液型號為UE-600，步驟（11）中，化學薄金溶液型號為 UE-100。
本發明將玻璃傳感器的電極和走線位置空出，其余部分絲印藍膜遮蓋，最后在電極和走線位置鍍上鎳和金，烘烤成型。本發明使產品工藝減少，良率增高，并且能夠降低材料和人工成本。
附圖說明
圖1為本發明原理示意圖。
具體實施方式
如圖1所示，電容觸摸屏玻璃傳感器中替換鉬鋁鉬金屬膜層的加工工藝，包括以下步驟：
（1）、在玻璃基板上真空濺射ITO薄膜層，濺射時真空度保持在0.01~0.5Pa，溫度保持在220~300℃；
（2）、在步驟（1）得到的ITO薄膜層上涂布光刻膠，使光刻膠覆蓋ITO薄膜層，然后進行預烘，預烘的溫度為80~90℃；
（3）、對光刻膠進行曝光，并在光刻膠上光刻電極和走線圖形，曝光條件為：采用紫外光，光通量為100~120mj，電極和走線圖案的光罩是鉻版，距離玻璃基板的尺寸為100um~200um；
（4）、采用NaOH溶液對光刻膠顯影并硬化，NaOH溶液的濃度為0.1~0.08MOL/L，溫度為20~35℃，時間為50秒~120秒，硬化時的溫度為100~120℃，時間30~35分鐘；
（5）、蝕刻ITO薄膜層，形成ITO薄膜層的電極和走線，蝕刻使用材料為HCL和HO2的混合液，其中HCL質量占混合液的60%~65%，HO2質量占混合液的40%~35%，蝕刻時溫度為40~45℃,時間為120~220秒；
（6）、采用NaOH溶液去除光刻膠，留出ITO薄膜層電極及走線，NaOH溶液的濃度為2.0~1.5MOL/L，溫度為40~45℃，時間為100~120秒，然后用純水漂洗、風干；
（7）、在ITO薄膜層上不鍍金屬的部分絲印藍膜，使藍膜覆蓋住不鍍金屬的部分，籃膜絲印厚度＞30um，然后進行烘烤，烘烤溫度為140~160℃，時間為20~40min，烘烤完畢后，取出冷卻，恢復到常溫；
（8）、使用堿性除油劑清洗玻璃基板表面，以去除油脂，堿性除油劑的濃度為40~60g/L，溫度為40~45℃，時間為300秒~420秒，然后用純水漂洗、風干；
（9）、使用活化劑活化玻璃表面，以增加潔凈度，活化劑濃度為24~36ml/L，溫度為30~35℃，時間為200秒~240秒，然用純水漂洗、風干；
（10）、使用化學鎳溶液在玻璃基板電極和走線位置化學沉積鍍鎳金屬，化學鎳溶液濃度為6.5~7.0g/L，溫度為50~60℃，時間為200秒~220秒，然后用純水漂洗、風干；
（11）、使用化學薄金溶液在玻璃基板鍍有鎳金屬的電極和走線位置化學沉積鍍金金屬，化學薄金溶液的濃度為18~20ml/㎡，溫度為60~65℃，時間為220秒~250秒，然后用純水漂洗、風干后固化，固化溫度為180~200℃，時間為50~60分鐘；
（12）、按照產品圖紙尺寸，使用鉆石導輪切割、裂片出所需大小，以去除邊角料，制成成品。
步驟（1）中，濺射得到的ITO薄膜層的厚度為10nm~20nm。
步驟（2）中，光刻膠的厚度為1600~2000nm，均勻性保持在5%以內。
步驟（8）中，堿性除油劑型號為UE-3300，步驟（9）中，活化劑型號為UE-2000，步驟（10）中，化學鎳溶液型號為UE-600，步驟（11）中，化學薄金溶液型號為 UE-100。