本發明涉及冗余電源領域，尤其涉及一種用于非冗余電源實現冗余的電路。

背景技術：

ATX電源作用是把交流220V的電源轉換為計算機內部使用的直流5V，12V，24V的電源。與AT電源相比，ATX電源增加了“+3.3V、+5VSB、PS－ON。

隔離冗余方式是指一臺或者多臺UPS作為第一級電源保護設備，另外一臺機器作為二級電源，備用使用。一級電源有各自的負載總線,二級電源為所有一級電源設備提供旁路電源。工作時二級電源空載運行，但是，在一個周波的時間內要求它可以承擔從0％到100％的負載。當一級電源從市電模式切換到旁路模式時，轉換開關會自動將其與二級電源斷開。

然而現有非冗余ATX電源一般不使用冗余功能，若用戶需要使用具備有冗余功能的ATX電源，需要重新購買價格昂貴的電源。因此，現有技術無法將非冗余ATX電源用于需要冗余功能的系統中是本領域人員需要解決的技術問題。

技術實現要素：

本發明實施例提供了一種用于非冗余電源實現冗余的電路，用于解決現有技術無法將非冗余ATX電源用于需要冗余功能的系統中的技術問題。

本發明實施例提供一種用于非冗余電源實現冗余的電路，包括：至少兩個隔離電路、輸出端；

所述隔離電路包括：具備ORING功能的控制芯片、與所述控制芯片數量相同的MOS管、與所述控制芯片數量相同的輸入端；

所述控制芯片的VDD端通過第一電容接地并通過第一電阻連接所述輸入端；

所述控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；

所述控制芯片的BYP端通過第二電容連接所述輸入端；

所述控制芯片的A端連接所述輸入端并通過第三電容連接所述輸出端并通過第四電容接地；

所述控制芯片的C端連接所述輸出端；

所述控制芯片的GATE端連接所述MOS管的柵極；

所述MOS管的源極連接所述輸入端；

所述MOS管的漏極連接所述輸出端；

所述MOS管的源極連接第一二極管的正極，所述MOS管的漏極連接所述第一二極管的負極。

優選地，所述隔離電路還包括第二電阻；

所述控制芯片的RSET端通過所述第二電阻接地。

優選地，所述隔離電路的輸入端通過第五電容接地。

優選地，所述第五電容為儲能電容。

優選地，所述輸出端通過第六電容接地。

優選地，所述第六電容為儲能電容。

優選地，所述隔離電路具體為兩個隔離電路，兩隔離電路通過自身所述MOS管的漏極相連接。

所述隔離電路具體包括第一隔離電路和第二隔離電路；

所述第一隔離電路包括：具備ORING功能的第一控制芯片U1、第一MOS管MOS1、第一輸入端VIN1；

所述第一控制芯片的VDD端通過電容C3接地并通過電阻R1連接所述第一輸入端；

所述第一控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；

所述第一控制芯片的BYP端通過電容C1連接所述第一輸入端；

所述第一控制芯片的A端連接所述第一輸入端并通過電容C2連接所述輸出端并通過電容C4接地；

所述第一控制芯片的C端連接所述輸出端；

所述第一控制芯片的GATE端連接所述第一MOS管的柵極；

所述第一MOS管的源極連接所述第一輸入端；

所述第一MOS管的漏極連接所述輸出端；

所述第一MOS管的源極連接第一二極管的正極，所述第一MOS管的漏極連接所述第一二極管的負極；

所述第二隔離電路包括：具備ORING功能的第二控制芯片U2、第二MOS管MOS2、第二輸入端VIN2；

所述第二控制芯片的VDD端通過電容C7接地并通過電阻R4連接所述第二輸入端；

所述第二控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；

所述第二控制芯片的BYP端通過電容C8連接所述第二輸入端；

所述第二控制芯片的A端連接所述第二輸入端并通過電容C6連接所述輸出端并通過電容C5接地；

所述第二控制芯片的C端連接所述輸出端；

所述第二控制芯片的GATE端連接所述第二MOS管的柵極；

所述第二MOS管的源極連接所述第二輸入端；

所述第二MOS管的漏極連接所述輸出端；

所述第二MOS管的源極連接第二二極管的正極，所述第二MOS管的漏極連接所述第二二極管的負極。

優選地，所述兩個隔離電路還包括電阻R2和電阻R3；

所述第一控制芯片的RSET端具體通過所述R2接地；

所述第二控制芯片的RSET端具體通過所述R3接地。

優選地，所述兩個隔離電路還包括電容EC1、電容EC2、電容EC3、電容EC4；

所述第一輸入端通過所述電容EC1接地；

所述輸出端分別通過所述電容EC2、所述電容EC3接地；

所述第二輸入端通過所述電容EC4接地。

優選地，所述電容EC1、所述電容EC2、所述電容EC3、所述電容EC4具體為儲能電容。

本發明實施例提供一種用于非冗余電源實現冗余的系統，包括上述的一種用于非冗余電源實現冗余的電路、與所述隔離電路數量相同的ATX電源；

所述ATX電源的電源輸出端分別連接所述隔離電路，用于通過所述隔離電路輸出電能。

優選地，本系統還包括ATX供電系統；

所述一種用于非冗余電源實現冗余的電路的輸出端連接所述ATX供電系統；

所述ATX供電系統用于提供電源輸出至負載。

從以上技術方案可以看出，本發明實施例具有以下優點：

本發明實施例通過具備ORING功能的控制芯片控制關斷或導通與所述控制芯片數量相同的MOS管，從而實現兩個以上電源的冗余，解決了現有技術無法將非冗余ATX電源用于需要冗余功能的系統中的技術問題。

此外，本發明實施例還通過儲能電容為輸入端和輸出端儲能與濾波。

本發明實施例提供的一種用于非冗余電源實現冗余的系統采用ATX電源通過隔離電路，進而輸出電能，為負載供電，實現了非冗余電源的冗余供電。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為本發明實施例中提供的一種用于非冗余電源實現冗余的電路的一個實施例的電路示意圖；

圖2為本發明實施例中提供的一種用于非冗余電源實現冗余的電路的另一個實施例的電路示意圖；

圖3為本發明實施例中提供的一種用于非冗余電源實現冗余的電路的另一個實施例的電路示意圖；

圖4為本發明實施例中提供的一種用于非冗余電源實現冗余的系統的一個實施例的示意圖。

具體實施方式

本發明實施例提供了一種用于非冗余電源實現冗余的電路，用于解決現有技術無法將非冗余ATX電源用于需要冗余功能的系統中的技術問題。

為使得本發明的發明目的、特征、優點能夠更加的明顯和易懂，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，下面所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而非全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發明保護的范圍。

請參閱圖1，本發明實施例提供一種用于非冗余電源實現冗余的電路的一個實施例，包括：至少兩個隔離電路、輸出端；

隔離電路包括：具備ORING功能的控制芯片、與控制芯片數量相同的MOS管、與控制芯片數量相同的輸入端；

控制芯片的VDD端通過第一電容接地并通過第一電阻連接輸入端；

控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；

控制芯片的BYP端通過第二電容連接輸入端；

控制芯片的A端連接輸入端并通過第三電容連接輸出端并通過第四電容接地；

控制芯片的C端連接輸出端；

控制芯片的GATE端連接MOS管的柵極；

MOS管的源極連接輸入端；

MOS管的漏極連接輸出端；

MOS管的源極連接第一二極管的正極，MOS管的漏極連接第一二極管的負極。

以上是對本發明實施例提供的一種用于非冗余電源實現冗余的電路的一個實施例進行詳細的描述，以下將對本發明實施例提供的一種用于非冗余電源實現冗余的電路的另一個實施例進行詳細的描述。

請參閱圖2，本發明實施例提供一種用于非冗余電源實現冗余的電路的另一個實施例，包括：至少兩個隔離電路、輸出端；

隔離電路包括：具備ORING功能的控制芯片、與控制芯片數量相同的MOS管、與控制芯片數量相同的輸入端；

控制芯片的VDD端通過第一電容接地并通過第一電阻連接輸入端；

控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；

控制芯片的BYP端通過第二電容連接輸入端；

控制芯片的A端連接輸入端并通過第三電容連接輸出端并通過第四電容接地；

控制芯片的C端連接輸出端；

控制芯片的GATE端連接MOS管的柵極；

MOS管的源極連接輸入端；

MOS管的漏極連接輸出端；

MOS管的源極連接第一二極管的正極，MOS管的漏極連接第一二極管的負極。

隔離電路還包括第二電阻；

控制芯片的RSET端通過第二電阻接地。

隔離電路的輸入端通過第五電容接地。

第五電容為儲能電容。

輸出端通過第六電容接地。

第六電容為儲能電容。

圖1中的倒三角符號是接地符號。

以上是對本發明實施例提供的一種用于非冗余電源實現冗余的電路的另一個實施例進行詳細的描述，以下將對本發明實施例提供的一種用于非冗余電源實現冗余的電路的另一個實施例進行詳細的描述。

請參閱圖3，本發明實施例提供一種用于非冗余電源實現冗余的電路的另一個實施例，包括：兩個隔離電路，兩隔離電路通過自身所述MOS管的漏極相連接，具體包括第一隔離電路和第二隔離電路，輸出端VOUT1；

第一隔離電路包括：具備ORING功能的第一控制芯片U1、第一MOS管MOS1、第一輸入端VIN1；

第一控制芯片的VDD端通過電容C3接地并通過電阻R1連接第一輸入端VIN1；

第一控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；

第一控制芯片的BYP端通過電容C1連接第一輸入端VIN1；

第一控制芯片的A端連接第一輸入端VIN1并通過電容C2連接輸出端VOUT1并通過電容C4接地；

第一控制芯片的C端連接輸出端VOUT1；

第一控制芯片的GATE端連接第一MOS管的柵極；

第一MOS管的源極連接第一輸入端VIN1；

第一MOS管的漏極連接輸出端VOUT1；

第一MOS管的源極連接第一二極管的正極，第一MOS管的漏極連接第一二極管的負極；

第二隔離電路包括：具備ORING功能的第二控制芯片U2、第二MOS管MOS2、第二輸入端VIN2；

第二控制芯片的VDD端通過電容C7接地并通過電阻R4連接第二輸入端VIN2；

第二控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；

第二控制芯片的BYP端通過電容C8連接第二輸入端VIN2；

第二控制芯片的A端連接第二輸入端VIN2并通過電容C6連接輸出端VOUT1并通過電容C5接地；

第二控制芯片的C端連接輸出端VOUT1；

第二控制芯片的GATE端連接第二MOS管的柵極；

第二MOS管的源極連接第二輸入端VIN2；

第二MOS管的漏極連接輸出端VOUT1；

第二MOS管的源極連接第二二極管的正極，第二MOS管的漏極連接第二二極管的負極。

兩個隔離電路還包括電阻R2和電阻R3；

第一控制芯片的RSET端具體通過R2接地；

第二控制芯片的RSET端具體通過R3接地。

兩個隔離電路還包括電容EC1、電容EC2、電容EC3、電容EC4；

第一輸入端VIN1通過電容EC1接地；

輸出端VOUT1分別通過電容EC2、電容EC3接地；

第二輸入端VIN2通過電容EC4接地。

電容EC1、電容EC2、電容EC3、電容EC4具體為儲能電容。

需要說明的是，在圖3中VIN1與VIN2代表不同電源的輸入，經過由具備ORING功能的控制芯片(U1/U2)，去控制N溝道MOS的導通，到MOS導通后，合為VOUT1電壓給系統供電，EC1/EC2/EC3/EC4為儲能與濾波電容。

以上是對本發明實施例提供的一種用于非冗余電源實現冗余的電路的另一個實施例進行詳細的描述，以下將對本發明實施例提供的一種用于非冗余電源實現冗余的系統的一個實施例進行詳細的描述。

本發明實施例提供一種用于非冗余電源實現冗余的系統的一個實施例，包括上述的一種用于非冗余電源實現冗余的電路、與隔離電路數量相同的ATX電源；

ATX電源的電源輸出端分別連接隔離電路，用于通過隔離電路輸出電能。

本系統還包括ATX供電系統；

本發明實施例提供的一種用于非冗余電源實現冗余的電路的輸出端連接ATX供電系統；

ATX供電系統用于提供電源輸出至負載。

請參閱圖4，本發明實施例提供的一種用于非冗余電源實現冗余的系統的其中一個應用例包括兩個ATX電源包括第一電源和第二電源、4個本發明實施例提供的一種用于非冗余電源實現冗余的電路(圖4中的本發明電路)，以及ATX供電系統。

每個用于非冗余電源實現冗余的電路中包括兩個隔離電路，兩個隔離電路分別連接第一電源的輸出端和第二電源的輸出端：圖4中5VSB1、12V1、5V1、3.3V1都是第一電源的輸出端，5VSB2、12V2、5V2、3.3V2都是第二電源的輸出端，5VSB1和5VSB2分別連接一個用于非冗余電源實現冗余的電路中的兩個隔離電路；12V1和12V2分別連接另一個用于非冗余電源實現冗余的電路中的兩個隔離電路；5V1和5V2分別連接另一個用于非冗余電源實現冗余的電路中的兩個隔離電路；3.3V1和3.3V2分別連接另一個用于非冗余電源實現冗余的電路中的兩個隔離電路。

每個用于非冗余電源實現冗余的電路的輸出端連接ATX供電系統：第一個用于非冗余電源實現冗余的電路的輸出端為5VSB；第二個用于非冗余電源實現冗余的電路的輸出端為12V；第三個用于非冗余電源實現冗余的電路的輸出端為5V；第四個用于非冗余電源實現冗余的電路的輸出端為3.3V。

需要說明的是，本方案功能是將非冗余ATX構架的電源用于具備冗余的系統需求中。本發明實施例實現非冗余電源滿足冗余系統的使用；實現不同的ATX電源可用于同一系統上；實現使用功耗小，系統供電效率高。

所屬領域的技術人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的系統，裝置和單元的具體工作過程，可以參考前述方法實施例中的對應過程，在此不再贅述。

以上所述，以上實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的精神和范圍。