本發明涉及通信技術領域，特別是涉及一種指紋識別模組。

背景技術：

隨著科學技術的進步，指紋識別技術的發展越來越快，其應用場景不斷擴大，如可以應用于考勤系統、手機解鎖和車載系統等。

目前，在指紋識別模組中，多是將傳感區集成在IC(integrated circuit，集成電路)表面，用環氧樹脂塑封，然后再增加蓋板等對整個IC進行保護。

應用這種方式，將導致IC尺寸較大，同時，因為指紋識別模組所用的環氧樹脂的價格較高，使得生產成本較高。

技術實現要素：

本發明的目的是提供一種指紋識別模組，以降低生產成本。

為解決上述技術問題，本發明提供如下技術方案：

一種指紋識別模組，包括：基底、設置于所述基底表面的指紋識別傳感區和與所述指紋識別傳感區連接的集成電路IC，所述指紋識別傳感區的表面設置有第一保護層，所述第一保護層為蓋板、噴繪油漆和絲印油墨中的一種。

在本發明的一種具體實施方式中，所述指紋識別傳感區包括：設置于所述基底表面的信號接收層、設置于所述信號接收層遠離所述基底的表面的隔離層、設置于所述隔離層遠離所述信號接收層的表面的信號發送層、設置于所述信號發送層遠離所述隔離層的表面的第二保護層。

在本發明的一種具體實施方式中，所述信號接收層為第一鉬鋁鉬金屬走線層。

在本發明的一種具體實施方式中，所述第一鉬鋁鉬金屬走線層為物理濺射而成的金屬走線層。

在本發明的一種具體實施方式中，所述信號發送層為第二鉬鋁鉬金屬走線層。

在本發明的一種具體實施方式中，所述第二鉬鋁鉬金屬走線層為物理濺射而成的金屬走線層。

在本發明的一種具體實施方式中，所述隔離層為第一氮化硅層。

在本發明的一種具體實施方式中，所述第一氮化硅層為化學沉積而成的層。

在本發明的一種具體實施方式中，所述第二保護層為第二氮化硅層。

在本發明的一種具體實施方式中，所述第二氮化硅層為化學沉積而成的層。

應用本發明實施例所提供的指紋識別模組，在基底表面設置指紋識別傳感區，指紋識別傳感區與IC連接，在指紋識別傳感區的表面設置有第一保護層，該第一保護層為蓋板、噴繪油漆和絲印油墨中的一種。指紋識別傳感區直接與IC連接，使用蓋板、噴繪油漆或者絲印油墨方式對指紋識別傳感區進行保護，相較于現有技術中使用環氧樹脂對IC進行塑封，再增加蓋板等對整個IC進行保護，降低了生產成本，同時可以將IC尺寸做小。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例中一種指紋識別模組的結構示意圖；

圖2為本發明實施例中指紋識別傳感區的結構示意圖；

附圖中標記如下：

10-基底、20-指紋識別傳感區、30-IC、40-第一保護層、21-信號接收層、22-隔離層、23-信號發送層、24-第二保護層。

具體實施方式

為了使本技術領域的人員更好地理解本發明方案，下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步的詳細說明。顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

參見圖1所示，為本發明實施例所提供的一種指紋識別模組的結構示意圖。該指紋識別模組包括基底10、設置于基底10表面的指紋識別傳感區20和與指紋識別傳感區20連接的集成電路IC30，指紋識別傳感區20的表面設置有第一保護層40，第一保護層40為蓋板、噴繪油漆和絲印油墨中的一種。

在本發明實施例中，指紋識別模組可以包括基底10、設置于基底10表面的指紋識別傳感區20和與指紋識別傳感區20連接的IC30，指紋識別傳感區20與IC30可以通過COG(Chip on Glass，表示IC直接綁定在玻璃上)方式連接。基底具體可以是無堿玻璃。

在指紋識別傳感區20的表面可以設置有第一保護層40，該第一保護層40可以為蓋板、噴繪油漆和絲印油墨中的一種。即在指紋識別傳感區20的表面通過增加蓋板、噴繪油漆或者絲印油墨的方式保護指紋識別傳感區20。可以根據實際需要確定具體使用哪一種。

應用本發明實施例所提供的指紋識別模組，在基底10表面設置指紋識別傳感區20，指紋識別傳感區20與IC30連接，在指紋識別傳感區20的表面設置有第一保護層40，該第一保護層40為蓋板、噴繪油漆和絲印油墨中的一種。指紋識別傳感區直接與IC連接，使用蓋板、噴繪油漆或者絲印油墨方式對指紋識別傳感區進行保護，相較于現有技術中使用環氧樹脂對IC進行塑封，再增加蓋板等對整個IC進行保護，降低了生產成本，同時可以將IC尺寸做小。

參見圖2所示，在本發明的一個實施例中，指紋識別傳感區20包括：設置于基底10表面的信號接收層21、設置于信號接收層21遠離基底10的表面的隔離層22、設置于隔離層22遠離信號接收層21的表面的信號發送層23、設置于信號發送層23遠離隔離層22的表面的第二保護層24。

在本發明實施例中，指紋識別傳感區20為多層結構，其中在基底10表面鍍有信號接收層21，該信號接收層21為金屬走線層，具體可以是第一鉬鋁鉬(MoAlMo)金屬走線層，還可以是鉬金屬走線層。第一鉬鋁鉬金屬走線層為物理濺射而成的金屬走線層。在制作時，在基底10的整個表面通過物理濺射的方法鍍一層鉬鋁鉬金屬走線作為接收信號通道，即Rx通道。具體工藝過程為：濺射、涂膠、曝光、顯影、濕刻、脫膜，最后形成走線。

在信號接收層21遠離基底10的表面鍍有隔離層22，該隔離層22為非金屬層，具體可以是第一氮化硅層。第一氮化硅層為化學沉積而成的層。在制作時，在信號接收層21遠離基底10的整個表面通過化學沉積的方法鍍一層氮化硅。具體工藝過程為：化學沉積、涂膠、曝光、顯影、干刻、脫膜，最后形成走線。

在隔離層22遠離信號接收層21的表面鍍有信號發送層23，該信號發送層23為金屬走線層，具體可以是第二鉬鋁鉬金屬走線層，還可以是鉬金屬走線層。第二鉬鋁鉬金屬走線層為物理濺射而成的金屬走線層。在制作時，在隔離層22遠離信號接收層21的整個表面通過物理濺射的方法鍍一層鉬鋁鉬金屬走線作為發送信號通道，即Tx通道。具體工藝過程為：濺射、涂膠、曝光、顯影、濕刻、脫膜，最后形成走線

隔離層22的作用是將Tx通道和Rx通道隔離，起到絕緣作用。

在信號發送層23遠離隔離層22的表面鍍有第二保護層24，該第二保護層24為非金屬層，具體可以是第二氮化硅層。第二氮化硅層為化學沉積而成的層。在制作時，在信號發送層23遠離隔離層22的整個表面通過化學沉積的方法鍍一層氮化硅。具體工藝過程為：化學沉積、涂膠、曝光、顯影、干刻、脫膜，最后形成走線。

第二保護層24的作用是保護信號發送層23，防止其被氧化和腐蝕。

在本發明實施例中，金屬走線的線寬可以為8um～10um，同層走線的最小線距可以為8um～10um，不同層走線的最小線距為1um～3um。

本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其它實施例的不同之處，各個實施例之間相同或相似部分互相參見即可。

本文中應用了具體個例對本發明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發明的技術方案及其核心思想。應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以對本發明進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本發明權利要求的保護范圍內。