本實用新型涉及導電玻璃技術領域，尤其是一種全透觸摸屏消影導電玻璃。

背景技術：

目前，電容屏產品使用非常廣泛，而電容屏中的雙面鍍導電玻璃是其主要器件，雙面鍍導電玻璃的導電薄膜在性能方面要求比較嚴，比如均勻性、耐熱性能、耐酸堿性能、耐高溫高濕性能等；在制作透明電路的時候，由于工藝難度增加，在制作電路時常采用酸刻電路。在制作過程中，容易蝕刻掉不應該刻蝕的部位，并且存在電路蝕刻的蝕痕影跡，影響其電磁屏蔽、靜電保護功能，存在的蝕痕影跡會對觀看圖案產生影響。

鑒于上述原因，現研發出一種全透觸摸屏消影導電玻璃。

技術實現要素：

本實用新型的目的是為了克服現有技術中的不足，提供一種全透觸摸屏消影導電玻璃，具有良好的電磁屏蔽、靜電防護和消影作用，并且能夠完全代替現有的傳統導電玻璃，為下游客戶提供低耗能、高均勻性、低成本的制作電容屏用導電玻璃。

本實用新型為了實現上述目的，采用如下技術方案：一種全透觸摸屏消影導電玻璃，是由：玻璃基板、錫面、ITO膜、透明層構成；玻璃基板的兩個表面均為錫面，在玻璃基板上表面的錫面上方設置ITO膜，在玻璃基板下表面的錫面下方設置透明層，所述透明層下方設置ITO膜。

所述透明層采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅。

加工原理：

第一步，對玻璃基板進行處理，

A、對玻璃基板進行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片處理；

B、對切割后的玻璃基板進行磨邊和倒角，先X磨邊，再倒角，旋轉90°再對Y磨邊及倒角；

C、刷洗吹干；

D、對磨邊和倒角后的玻璃基板進行拋光；

E、再刷洗吹干；

第二步，對玻璃基板濺射透明層；

A、對拋光刷洗吹干后玻璃基板進行加熱；采用的加熱溫度為150-280攝氏度；

B、利用磁控濺射真空鍍膜設備對加熱后的玻璃基板下表面的錫面下方濺射透明層，所述透明層采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；

第三步，在玻璃基板第二步濺射的基礎上，進行ITO膜濺射；

A、對濺射透明層后的玻璃基板進行加熱；加熱溫度采用280-380攝氏度；

B、利用磁控濺射真空鍍膜設備，對加熱后的玻璃基板，在玻璃基板的上表面的錫面上方和透明層的下方同時濺射ITO膜；

C、對濺射ITO膜后的玻璃基板，經緩沖室做退火處理：先降溫至200攝氏度，再加溫至300攝氏度穩定，完成對玻璃基板的鍍膜。

本實用新型的有益效果是：本實用新型能夠保護氧化銦錫導電膜刻蝕線路，不受制作過程工藝中的酸溶液的蝕刻，避免在制作過程中蝕刻掉不應該刻蝕的部位，在制作過程中使氧化銦錫導電膜刻蝕線路達到設計要求，具有良好的電磁屏蔽、靜電防護和消影作用，并且能夠完全代替現有的傳統導電玻璃，為下游客戶提供低耗能、高均勻性、低成本的制作電容屏用導電玻璃。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型作進一步說明：

圖1是，總裝結構示意圖；

圖1中：玻璃基板1、錫面2、ITO膜3、透明層4。

具體實施方式

下面結合附圖與具體實施方式對本實用新型作進一步詳細說明：

如圖所示，玻璃基板1的兩個表面均為錫面2，在玻璃基板1上表面的錫面2上方設置ITO膜3，在玻璃基板1下表面的錫面2下方設置透明層4，所述透明層4下方設置ITO膜3。

所述透明層4采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅。