本公開涉及集成電路(ic)設計。更具體地，本公開涉及ic設計的定制布局。

背景技術：

工藝技術和ic設計軟件工具的改進持續數十年以縮小器件尺寸。然而，隨著工藝技術接近并且移動通過20納米(nm)工藝節點，縮小器件尺寸變得越來越困難。具體地，在這些工藝節點處優化性能和功率二者已經變得非常困難，即使不是不可能。

三維(3d)多柵極器件設計(作為一種這樣的多柵極技術的finfet技術)承諾朝著更小的器件尺寸繼續不間斷地行進。特別地，與傳統的平面器件設計相比，這些3d多柵極器件設計允許優化性能和功率二者。

圖1a示出了finfet器件。finfet器件具有三維結構，三維結構包括在硅襯底102和氧化物層104上方上升的源極106、漏極108和柵極110。對于相同的平面面積，3d結構比平面柵極給予finfet器件更大的體積。柵極110的三維結構“纏繞”在包括源極106和漏極108的導電溝道周圍，這使得柵極110對通過導電溝道的電流具有優秀的控制。由于柵極110“纏繞”在導電溝道周圍，所以看起來好像在導電溝道的三個側面中的每個側面上都有柵極。這就是為什么finfet器件被稱為“多柵極”器件的原因。注意，導電溝道(其包括源極106和漏極108)被成形為類似于“鰭”，因此稱為“鰭式場效應晶體管”或簡稱為“finfet”。當器件處于關斷狀態時，允許非常少的電流泄漏通過finfet的本體。這允許finfet器件具有比平面器件更低的閾值電壓，這與類似大小的平面器件相比導致更快的開關速度和更低的泄漏和動態功耗。

重要的是確保“鰭”的寬度很窄，使得當finfet處于截止狀態時，柵極對電流具有優秀的控制并且非常少的電流泄漏通過finfet的本體。然而，這意味著每個“鰭”的驅動強度也很低。存在至少兩種方法來增加finfet器件的驅動強度。一種方法是增加“鰭”的高度。然而，可靠地制造具有不同鰭部高度的finfet可能是非常具有挑戰性的。由一些半導體制造設備使用的另一種方法是并行地使用多個finfet器件。圖1b示出如何可以并行地使用多個finfet器件以增加驅動強度。圖1b所示的finfet器件包括多個源極152和多個漏極154。總驅動電流是通過“鰭”的各個電流的總和。注意，通過每個“鰭”的電流由相同的柵極(即，柵極150)控制。還要注意，在該方法中，“鰭”的高度保持相同；器件縮放通過在同一器件中具有多個“鰭”來實現。

使用傳統的ic設計工具來創建和操縱ic設計布局(尤其是包括多柵極器件(諸如finfet器件)的ic設計布局)可能非常耗時而且很麻煩。

技術實現要素：

本文中描述的一些實施例提供用于創建和操縱包括多柵極器件(諸如finfet器件)的ic設計布局的ic設計工具。具體地，一些實施例提供便于多柵極器件的定制布局的圖形用戶界面(gui)特征。

在操作期間，一些實施例可以將多柵極器件放置在ic設計布局中，使得多柵極器件的器件接觸件(例如，柵極、源極或漏極接觸件)關于互連軌道的集合對準，其中ic設計布局中的電路元件之間的電連接沿著互連軌道而布線。接下來，實施例可以相對于器件接觸件的位置而移動多柵極器件的擴散區，使得擴散區關于鰭部軌道的集合對準，其中每個多柵極器件的每個鰭部位于鰭部軌道。注意，互連軌道的集合中的相鄰的互連軌道可以彼此間隔第一距離，并且鰭部軌道的集合中的相鄰的鰭部軌道可以彼此間隔第二距離。在一些實施例中，第二距離可以不同于第一距離，例如小于第一距離。

在將多柵極器件放置在ic設計中之前，一些實施例可以接收用于放置多柵極器件的放置位置。接下來，實施例可以基于互連軌道的集合中最接近放置位置的互連軌道來確定多柵極器件的快速放置位置。

在一些實施例中，針對ic設計中的網的集合中的每個網，可以將不同的彩色圖案分配給ic設計的布局中與該網相對應的形狀的集合，其中形狀的集合中的每個形狀與可以基于ic設計來制造的ic芯片中的物理結構相對應。接下來，實施例可以在ic設計工具的gui中顯示ic設計的布局，其中ic設計的布局中的每個形狀通過使用被分配給該形狀的彩色圖案顯示在ic設計工具的gui中。具體地，一些實施例可以利用一個或多個彩色圖案對ic設計布局中的形狀進行著色，其中要彼此電連接的形狀通過使用相同的彩色圖案被著色。所得到的視圖可以經由gui呈現給用戶，以幫助用戶基于彩色圖案來電連接ic設計布局中的各形狀。

一些實施例可以在ic設計的布局中顯示gui對象的集合以用于創建電接觸件，其中gui對象的集合中的每個gui對象與ic設計的布局中的形狀相對應。接下來，實施例可以在與用戶選擇的每個gui對象相對應的每個形狀處創建電接觸件。然后，實施例可以使用布線器來在由用戶通過選擇相應的gui對象而創建的電接觸件之間創建電連接。具體地，在一些實施例中，可以在ic設計布局中顯示gui對象以用于創建電接觸件。每個gui對象(例如，正方形符號)可以對應于多柵極器件中的形狀(例如，對應于柵極的矩形)。接下來，針對由用戶(例如通過鼠標點擊)選擇的每個gui對象，實施例可以在gui對象的位置處創建電接觸件。然后，布線器可以用于在通過在ic設計布局中選擇gui對象而創建的電接觸件之間創建電連接。

一些實施例可以在ic設計的布局中顯示gui對象的集合以用于在ic設計的布局中切割形狀，其中gui對象的集合中的每個gui對象與ic設計的布局中能夠切割至少一個形狀的位置相對應，并且其中兩個網之間的短路與ic設計的布局中使用兩個不同的彩色圖案著色的兩個鄰接形狀相對應。接下來，針對被用戶選擇的每個gui對象，該過程可以在與所選擇的gui對象相對應的位置處切割至少一個形狀。在一些實施例中，可以在ic設計布局中顯示gui對象以用于在多柵極器件中切割多晶硅形狀。具體地，每個gui對象(例如，正方形符號)可以對應于多柵極器件中的形狀(例如，對應于柵極的矩形)。接下來，針對被用戶(例如通過兩次連續的鼠標點擊)選擇的每個gui對象，實施例可以切割在所選擇的gui對象的位置處的多晶硅形狀。

在一些實施例中，多柵極器件可以用參數化單元表示，參數化單元包括(1)用于源極、漏極和柵極連接位置的參數、以及(2)用于器件尺寸的參數，其中每個參數值被指定為互連節距的倍數(互連節距可以定義為從一個互連軌道的中心到相鄰互連軌道的中心的距離)。例如，如果互連節距等于d納米，并且如果參數化單元中的參數的值等于“3”，則這意味著參數值等于3d納米。

附圖說明

圖1a示出了作為特定的多柵極技術的finfet器件。

圖1b示出如何可以并行地使用多個finfet器件以增加驅動強度。

圖2a示出了根據本文中描述的一些實施例的布線網格。

圖2b示出了根據本文中描述的一些實施例的鰭部軌道的集合。

圖3a至圖3e示出了根據本文中描述的一些實施例ic設計布局工具的gui如何可以用于放置多柵極器件。

圖4a至圖4g示出了根據本文中描述的一些實施例的可以用于容易地且快速地連接多柵極器件的gui。

圖5a示出了根據本文中描述的一些實施例的用于放置多柵極器件的過程。

圖5b示出了根據本文中描述的一些實施例的用于促進ic設計的定制布局的過程。

圖5c示出了根據本文中描述的一些實施例的用于在ic設計的布局中創建接觸件的過程。

圖5d示出了根據本文中描述的一些實施例的用于在ic設計的布局中切割一個或多個形狀的過程。

圖6示出了根據本文中描述的一些實施例的定制布局系統。

具體實施方式

以下說明被給出以使本領域任何技術人員能夠實現和使用本發明，并且在特定應用及其要求的上下文中提供。對所公開的實施例的各種修改對于本領域技術人員將是顯而易見的，并且在不脫離本發明的精神和范圍的情況下，本文中定義的一般原理可以應用于其它實施例和應用。因此，本發明不限于所示的實施例，而是符合與本文中公開的原理和特征一致的最寬范圍。

ic設計概述

ic設計軟件工具可以用于創建ic設計。一旦ic設計完成，其可以進行制造、封裝和組裝以產生ic芯片。整個ic設計和制造工藝可以涉及多個實體，例如，一個公司可以創建在ic設計流程中使用的軟件工具，另一公司可以使用該軟件工具以使用ic設計流程來創建ic設計，以及又一公司可以基于使用ic設計流程創建的ic設計來制造ic芯片。ic設計流程中的任何一個步驟的改進導致整個ic設計和制造工藝的改進。例如，在ic設計流程中使用的改進的軟件工具改進整個ic設計和制造工藝。ic設計流程可以包括多個步驟，并且每個步驟可以涉及使用一個或多個ic設計軟件工具。下面描述ic設計步驟和相關軟件工具的一些示例。這些示例僅用于說明性目的，而不旨在將實施例限于所公開的形式。

一些ic設計軟件工具使得ic設計者能夠描述ic設計者想要實現的功能。這些工具還使得ic設計者能夠執行假設規劃以改善功能、檢查成本等。在邏輯設計和功能驗證期間，可以編寫hdl(硬件描述語言)(例如systemverilog)代碼，并且可以檢查設計的功能精度，例如，可以檢查設計以確保其產生正確的輸出。

在綜合和用于測試的設計期間，可以使用一個或多個ic設計軟件工具將hdl代碼轉換成網表。此外，可以針對目標技術優化網表，并且可以設計和實現測試以檢查完成的芯片。在網表驗證期間，可以檢查網表是否符合時序約束以及是否與hdl代碼對應。

在設計規劃期間，可以針對時序和頂層布線而構造并且分析芯片的總體布圖規劃。在物理實現期間，電路元件可以位于布局中并且可以電耦合。本文中描述的一些實施例提供可以在用于創建ic設計(例如，包括多柵極器件的ic設計)的布局的設計規劃期間使用的軟件工具，從而改善整個ic設計和制造工藝。具體地，本文中描述的一些實施例可以提高一個或多個ic設計工具的用戶友好性、性能和/或qor。

在分析和提取期間，可以在晶體管級驗證電路的功能，并且可以提取寄生效應。在物理驗證期間，可以檢查設計以確保制造、電氣問題、光刻問題和電路的正確性。

在分辨率增強期間，可以對布局執行幾何操作以改進設計的可制造性。在掩模數據準備期間，設計可以被“流片”以產生在制造期間使用的掩模。

多柵極器件的定制布局概述

ic設計布局中的電路元件可以使用沿著布線網格而布線的導線彼此電連接。圖2a示出了根據本文中描述的一些實施例的布線網格。金屬軌道202通常布置在一組等間隔的水平和垂直線中。兩個相鄰金屬軌道之間的距離被稱為金屬節距。在圖2a中，垂直和水平金屬節距相等，但是它們在一般情況下不必相等。當需要在一個電路元件的輸出端子p1與另一電路元件的輸入端子p2之間進行電連接時，金屬線可以沿著水平和垂直的金屬軌道布線，如圖2a所示。

半導體制造技術可能需要沿著布局中的預定的鰭部軌道的集合來定位鰭部。圖2b示出了根據本文中描述的一些實施例的鰭部軌道的集合。當finfet器件放置在ic設計布局中時，finfet器件通常需要滿足兩個約束。首先，finfet器件的鰭部必須沿著鰭部軌道定位。第二，柵極的端部必須與鰭部軌道對齊，即，柵極的長度必須是鰭部節距的倍數。

注意，finfet器件的源極和漏極位于鰭部軌道上，并且在傳統的電路布局工具中，柵極的電接觸件也與鰭部軌道對齊。當finfet器件與其它電路元件電連接時，導線將必須從finfet器件的柵極、源極和漏極布線到其它電路元件的端子。傳統的電路布局工具基于鰭部軌道來放置finfet器件。遺憾的是，如圖2b所示，鰭部軌道204可能不與金屬軌道202對齊。因此，針對用以做出所需器件連接的布局工程師，傳統的電路布局工具可能導致非最佳端子位置，因為鰭部和金屬節距不匹配。傳統的電路布局工具也具有其它缺點。傳統的電路布局工具幫助布局工程師通過使用飛線(flightline)或網高亮顯示(nethighlight)來可視化需要連接的位置。然而，finfet技術還需要添加切割層以獲得適當的連接，但是飛線不能用于示出需要切割的布局形狀的位置。此外，一旦finfet器件被放置，則傳統的電路布局工具不幫助布局工程師在滿足越來越復雜的設計規則的同時完成布局。傳統的電路布局工具確實指出給定的ic設計布局何時違反一個或多個設計規則，但是簡單地知道ic設計布局違反了可以總計達700頁的一套設計規則不是非常有用。如果工具可以幫助布局工程師首先減少或消除設計規則違反的發生，則ic設計布局工具將更加有用。

本文中描述的一些實施例提供不具有上述缺點的ic設計布局工具。具體地，一些實施例使得布局工程師容易在finfet器件之間進行所需的連接。在一些實施例中，finfet器件可以放置在互連軌道(即，用于布線電連接的網格)上而不是鰭部軌道上。在將器件放置在互連軌道上之后，然后將擴散區對齊到最近的鰭部軌道，從而將finfet器件的邊界與鰭部軌道對齊。

一些實施例的特征在于具有在互連軌道中指定的源極/漏極和柵極連接以及器件占據面積的參數的finfet參數化單元(pcell)，而不是以長度為單位的實數(例如，而不是以納米指定器件占用面積)。

一旦所有可能的連接都在互連網格上，一些實施例在現有布局的頂部上使用二維(2d)彩色編碼棒圖。在本公開中被稱為“連接矩陣”的該顏色編碼棒圖可以用于分配布線通道并且非常快速地做出從ic設計中的金屬層向下到所有器件的連接。這然后允許由布線器來進行實際連接。

在連接矩陣中，將顏色添加到現有形狀以示出需要進行連接的位置以及需要基于網來添加切割的位置。具體地，多晶硅上的沖突顏色示出了需要多晶硅切割的位置。通過對ic設計布局中的現有對象著色，布局工程師可以可視化連接性，而不向gui中的視圖添加任何雜亂。這與將飛線添加到已經雜亂的布局視圖的傳統的ic設計布局工具形成對比。此外，由于人類視覺的限制，飛線(其在傳統的ic設計布局工具中使用)通常限于大約10種顏色或10個獨特的沒有重復顏色的網。與傳統的工具相反，本文中描述的一些實施例可以使用彩色形狀的點圖案來支持大約60個獨特的網。

在一些實施例中，連接矩陣可以與finfetpcell集成以使布局工程師能夠使用鼠標點擊進行連接(例如，通過添加通孔)或斷開連接(例如，通過切割多晶硅)。一些實施例可以通過在進行連接以去除將違反drc(設計規則檢查)規則的不再有效的連接時適配連接矩陣來實現按構造正確連接。以下部分提供了一些上述實施例的進一步細節。

在定制布局中放置多柵極器件

圖3a至圖3e示出了根據本文中描述的一些實施例的ic設計布局工具的gui如何可以用于放置多柵極器件。圖3a至圖3e僅用于說明的目的，而不旨在將本文中描述的實施例限于所公開的形式。

ic設計布局圖300可以在ic設計布局工具的gui窗口中示出。水平條紋對應于鰭部軌道，其標記為f1至f12。每個接觸件被表示為一個正方形，其中具有一個十字。例如，在finfet器件302和304中，接觸件306和308分別被表示為具有十字的正方形。接觸件306和308用于產生與相應的擴散區的電連接。可以做出類似的接觸件以產生與柵極的電接觸件(參見例如圖4d中針對柵極結構408示出的接觸件)。此外，注意，柵極通常豎直地延伸，并且不以圖3a所示的方式終止(參見例如從電路布局圖400的頂部邊緣延伸到底部邊緣的柵極結構408)。在一些半導體制造技術中，使用偽柵極來終止finfet器件的源極和漏極。三個細豎直矩形對應于柵極，中間的細矩形是finfet器件的實際柵極，而另外兩個柵極是用于終止源極和漏極區域的偽柵極。例如，在finfet器件304中，使用豎直矩形來表示柵極310和偽柵極316。擴散區(例如finfet器件304中的擴散312)使用陰影圖案來表示。局部互連使用粗豎直矩形來表示，例如，finfet器件304中的局部互連314。最后，水平金屬軌道使用細水平線(例如，鰭部軌道f5和f6之間的細水平線)來表示，并且豎直金屬軌道使用細豎直線來表示。

注意，每個finfet器件中的接觸件可以相對于該器件的其余部分位于不同的位置。例如，接觸件308大約在finfet器件304的頂部和底部邊緣的中間，而接觸件306更接近finfet器件302的底部邊緣。這是因為本文中描述的一些實施例首先將finfet器件放置在金屬軌道(其固定接觸件的位置)上，然后finfet器件的擴散區被允許“擺動”，使得其對齊到最近的鰭部軌道(這使得接觸件對于不同的finfet器件實例位于不同位置)。

在圖3b中，finfet器件350可以包括偽柵極352、接觸件354、局部互連356、柵極358和擴散區360。圖3c示出了gui視圖，其示出了布線網格(其使用虛線示出)和可以在ic設計布局中(例如，使用鼠標)移動的finfet器件350的實例。一旦布局工程師已經選擇了期望的位置，則布局工程師可以指示ic設計布局工具放置finfet器件。在接收到指令時，ic設計布局工具可以移動finfet器件，使得接觸件與網格點362對準，網格點362是與接觸件最接近的網格點。圖3d示出了在網格點362與接觸件對準之后的視圖。然而，如圖3d所示，擴散區可能不與鰭部網格(為了清楚起見在圖3d中未示出)對齊。本文中描述的一些實施例然后可以將擴散區對齊到鰭部網格，即，移動擴散區，使得擴散區與鰭部網格中最近的鰭部軌道對齊。圖3e示出了在擴散區已被對齊到鰭部網格之后的視圖。注意，在圖3e中，接觸件相對于擴散區的位置已經改變，因為當擴散區被對齊到鰭部網格時，接觸件不移動。

以此方式，本文中描述的一些實施例可以使得布局工程師能夠快速且容易地將finfet器件放置在ic設計布局中，使得finfet器件的接觸件與布線網格對準以及finfet器件的擴散區與鰭部網格對齊。

多柵極器件的定制布局的連接矩陣

一旦已經放置多柵極器件(例如，finfet器件)，布局工程師就可以電連接器件。圖4a至圖4g示出了根據本文中描述的一些實施例的可以用于容易且快速地連接多柵極器件的gui。具體地，圖4a至圖4g示出了如何容易且快速地連接用于2輸入多路復用器的finfet。圖4a至圖4g僅用于說明的目的，而不旨在將本文中描述的實施例限于所公開的形式。

在圖4a中，電路布局圖400包括一行pmosfinfet器件402和一行nmosfinfet器件404。使用細長豎直矩形表示柵極。注意，存在用于pmosfinfet器件和相應的nmosfinfet器件的單柵極結構。例如，柵極結構408針對在頂部的pmosfinfet器件和在底部的相應nmosfinfet器件創建單個電連接的柵極。位于細長豎直矩形之間的粗短豎直矩形表示用于連接finfet器件的源極和漏極的局部互連。

圖4b示出了如何使用連接矩陣來視覺地突出要彼此電連接的finfet器件的結構著色。例如，使用特定圖案來陰影的所有結構都需要彼此電連接。圖4b中的正方形是可以創建接觸件或可以切割多晶硅的位置。圖4c注釋圖4b以說明連接矩陣的這些方面。如圖4c所示，以下區域利用相同的陰影圖案被示出并且對應于彼此電連接的結構：(1)對應于電源電壓連接的區域；(2)對應于2輸入mux的三個輸入(兩個mux輸入和一個選擇輸入)的區域；(3)對應于接地連接的區域；以及(4)對應于2輸入mux的輸出的區域。正方形對應于接觸件和切割位置。

注意，柵極結構408的頂半部和底半部具有不同的陰影圖案，這表示它們不應當彼此電連接。因此，柵極結構408將需要被切割，使得頂部pmosfinfet器件和底部nmosfinfet器件的柵極不彼此電連接(這在隨后的附圖中描述和示出)。另一方面，柵極結構410僅具有一種陰影圖案。因此，不需要切割柵極結構410，因為頂部pmosfinfet器件和底部nmosfinfet器件的柵極被假定為要彼此電連接。具體地，在一些實施例中，布局工程師可以通過點擊正方形來創建接觸件或切割多晶硅(例如，柵極結構408)。

圖4d示出了在布局工程師使用連接矩陣創建接觸件并且切割多晶硅之后的gui視圖。注意，柵極結構408在中間被切割，但是柵極結構410沒有被切割。此外，注意，已經針對需要電連接到其它結構的每個結構創建了接觸件(包括通孔結構)。為了清楚起見，ic設計布局中的其它層未在圖4d中示出。這些層在圖4e中示出。回想一下，有四個區域對應于接地電壓連接。在圖4e中，右側的三個區域通過局部互連彼此電連接。左側的剩余的區域可以通過在金屬層中布線來與其它區域電連接。

一旦布局工程師已經使用連接矩陣來在ic設計布局中的適當位置處創建接觸件以及切割多晶硅，則布局工程師可以“關閉”連接矩陣以查看如圖4f所示的原始布局。接下來，布局工程師可以使用布線器來布線金屬連接以完成ic設計布局。最終結果在圖4g中示出。圖4g還包含注釋以突出顯示2輸入mux的不同部分。具體地，電源連接被注釋為“vp”，接地連接被注釋為“gd”，兩個輸入被注釋為“a0”和“a1”，輸出被注釋為“z”，并且選擇輸入被注釋為“s”。

促進多柵極器件的定制布局的過程

圖5a示出根據本文中描述的一些實施例的用于放置多柵極器件的過程。該過程可以開始于接收用于在ic設計布局中放置多柵極器件的布局位置(操作502)。接下來，該過程可以在ic設計布局中放置多柵極器件，使得多柵極器件的器件接觸件(例如，柵極、源極或漏極接觸件)關于互連軌道的集合對齊，其中ic設計布局中的電路元件之間的電連接沿著互連軌道布線(操作504)。該過程然后可以相對于器件接觸件的位置而移動多柵極器件的擴散區，使得擴散區關于鰭部軌道的集合對齊，其中每個多柵極器件的每個鰭部位于鰭部軌道上(操作506)。

圖5b示出了根據本文中描述的一些實施例的用于促進ic設計的定制布局的過程。該過程可以開始于針對ic設計中的網的集合中的每個網，向ic設計的布局中與該網相對應的形狀的集合分配不同的彩色圖案，其中形狀的集合中的每個形狀與可以基于ic設計來制造的ic芯片中的物理結構相對應(操作522)。彩色圖案可以是顏色和圖案的組合。在圖4b中，例如，對應于“接地”網的形狀可以被分配“純紅色”彩色圖案，而對應于“輸出”網的形狀可以被分配“純藍色”彩色圖案。盡管在參照圖4b的上述示例中已經使用了“實心”圖案，但是gui通常可以使用任何圖案，例如，gui可以使用不同類型的陰影圖案。如果只有一種顏色可用于對gui中的形狀著色，則gui可以使用不同的陰影圖案來標識屬于不同網的形狀。接下來，該過程可以在ic設計工具的gui中顯示ic設計的布局，其中ic設計的布局中的每個形狀通過使用被分配給該形狀的彩色圖案來顯示在ic設計工具的gui中(操作524)。在一些實施例中，該過程可以開始于接收ic設計布局和關于與ic設計布局中的多柵極器件相對應的形狀的連接信息。接下來，該過程可以利用一個或多個彩色圖案對ic設計布局中的形狀進行著色，其中使用相同的彩色圖案對要彼此電連接的形狀著色。然后，該過程可以經由gui向用戶顯示具有彩色形狀的ic設計布局，從而便于用戶基于彩色圖案來電連接ic設計布局中的各形狀。

圖5c示出了根據本文中描述的一些實施例的用于在ic設計的布局中創建接觸件的過程。該過程可以開始于在ic設計的布局中顯示gui對象的集合以用于創建電接觸件，其中gui對象的集合中的每個gui對象與ic設計的布局中的形狀相對應(操作532)。接下來，該過程可以在與被用戶選擇的每個gui對象相對應的每個形狀處創建電接觸件(操作534)。然后，該過程可以使用布線器來在由用戶通過選擇相應的gui對象而創建的電接觸件之間創建電連接(操作536)。在一些實施例中，該過程可以開始于在ic設計布局中顯示gui對象以用于在一個或多個多柵極器件中創建具有一個或多個形狀的電接觸件。接下來，該過程可以從用戶接收對一個或多個gui對象的選擇。然后，該過程可以在被用戶選擇的每個gui對象處創建電接觸件。接下來，該過程可以使用布線器來在通過選擇gui對象而創建的ic設計布局中的電接觸件之間創建電連接。

圖5d示出了根據本文中描述的一些實施例的用于在ic設計的布局中切割一個或多個形狀的過程。該過程可以開始于在ic設計的布局中顯示gui對象的集合以用于在ic設計的布局中切割形狀，其中gui對象的集合中的每個gui對象與ic設計的布局中能夠切割至少一個形狀的位置相對應，并且其中兩個網之間的短路與ic設計的布局中使用兩個不同的彩色圖案著色的兩個鄰接形狀相對應(操作542)。接下來，針對被用戶選擇的每個gui對象，該過程可以在與所選擇的gui對象相對應的位置處切割至少一個形狀(操作544)。在一些實施例中，該過程可以開始于在ic設計布局中顯示gui對象以用于在多柵極器件中切割多晶硅形狀。接下來，該過程可以從用戶接收對一個或多個gui對象的選擇。然后，該過程可以在多柵極器件中在被用戶選擇的每個gui對象處切割多晶硅形狀。

術語“定制布局系統”通常是指便于ic設計的定制布局的基于硬件的系統，尤其是包括多柵極器件的ic設計。圖6示出了根據本文中描述的一些實施例的定制布局系統。定制布局系統602可以包括處理器604、存儲器606和存儲設備608。具體地，存儲器606中的存儲器位置可以通過處理器604可尋址的，從而使得處理器604能夠訪問(例如，經由加載/存儲指令)和操縱(例如，經由邏輯/浮點/算術指令)存儲在存儲器606中的數據。定制布局系統602可以耦合到顯示設備614、鍵盤610和定點設備612。存儲設備608可以存儲操作系統616、定制布局軟件工具618和數據620。數據620可以包括定制布局軟件工具618所需的輸入和/或由定制布局軟件工具618生成的輸出。

定制布局系統602可以自動地(或通過用戶的幫助)執行在本公開中隱含地或明確地描述的一個或多個操作。例如，定制布局系統602可以將定制布局軟件工具618加載到存儲器606中，然后定制布局軟件工具618可以用于創建或編輯ic設計的定制布局。

呈現以上說明以使得本領域任何技術人員能夠實現和使用實施例。對所公開的實施例的各種修改對于本領域技術人員將是顯而易見的，并且在不脫離本公開的精神和范圍的情況下，本文中定義的一般原理適用于其它實施例和應用。因此，本發明不限于所示出的實施例，而是符合與本文中公開的原理和特征一致的最寬范圍。

本公開中描述的數據結構和代碼可以部分地或完全地存儲在計算機可讀存儲介質和/或硬件模塊和/或硬件裝置上。計算機可讀存儲介質包括但不限于易失性存儲器、非易失性存儲器、磁和光存儲器件(諸如盤驅動器、磁帶、cd(光盤)、dvd(數字多功能盤或數字視頻盤))、或者現在已知或后來開發的能夠存儲代碼和/或數據的其它介質。本公開中描述的硬件模塊或裝置包括但不限于專用集成電路(asic)、現場可編程門陣列(fpga)、專用或共享處理器、和/或現在已知的或后來開發的其它硬件模塊或裝置。

本公開中描述的方法和過程可以部分地或完全地實施為存儲在計算機可讀存儲介質或器件中的代碼和/或數據，使得當計算機系統讀取和執行代碼和/或數據時，計算機系統執行相關聯的方法和過程。方法和過程也可以部分地或完全地在硬件模塊或裝置中實施，使得當硬件模塊或裝置被激活時，它們執行相關聯的方法和過程。注意，方法和過程可以使用代碼、數據和硬件模塊或裝置的組合來實現。

已經僅出于說明和描述的目的呈現了本發明的實施例的以上說明。它們不旨在窮盡的或將本發明限制為所公開的形式。因此，很多修改和變化對于本領域技術人員將是顯而易見的。另外，上述公開不旨在限制本發明。本發明的范圍由所附權利要求限定。