本申請涉及顯示裝置領域，特別是涉及一種內嵌式觸控oled顯示裝置。

背景技術：

隨著電子科技的發展，目前大多數電子產品，如手機、數碼相機、掌上游戲機、儀表儀器等的鍵盤或鼠標已逐漸被觸摸屏替代。觸摸屏主要由觸摸檢測部件和觸摸屏控制器組成，觸摸檢測部件安裝在顯示器屏幕前面，用于檢測用戶觸摸位置，接收后送觸摸屏控制器；而觸摸屏控制器的主要作用是從觸摸點檢測裝置上接收觸摸信息，并將它轉換成觸點坐標，再送給中央處理器，它同時能接收中央處理器發來的命令并加以執行。

在目前現有技術中，為實現有機發光二極管(organiclight-emittingdiode，oled)顯示屏的觸控功能，一種方案是將觸摸屏與oled顯示屏均單獨制作，然后通過光學透明膠將觸摸屏貼合在oled的上表面以形成完整的oled觸控顯示屏，但這種結構會增加oled觸控顯示屏的厚度，增加貼合工藝，不利于oled觸控顯示屏的輕薄化；另一種方案是將觸控單元制作在oled顯示屏的薄膜封裝層上方，但觸控單元的制程是在位于該薄膜封裝層及其之下的膜層制作完成之后進行的，這些膜層材料的一些特性會對觸控單元的制程產生較大限制，從而增加整個觸控oled顯示裝置的制作難度，降低其質量。

技術實現要素：

本申請主要解決的技術問題是提供一種內嵌式觸控oled顯示裝置，以提高內嵌式觸控oled顯示裝置的輕薄化，降低其工藝難度，提高其質量。

為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種內嵌式觸控oled顯示裝置。所述內嵌式觸控oled顯示裝置包括：薄膜封裝層；有機平坦層，設置在所述薄膜封裝層上；像素定義層，設置在所述有機平坦層上，定義有多個像素區域；觸控電極層，設置在所述像素定義層靠近所述有機平坦層的表面上，和/或設置在所述像素定義層遠離所述有機平坦層的表面上。

本申請實施例的有益效果是：區別于現有技術，本申請實施例將觸控電極層設置在像素定義層靠近有機平坦層的表面上，和/或設置在像素定義層遠離有機平坦層的表面上，通過這種設置方式，不僅能夠將觸控電極層內嵌于oled顯示屏中，提高內嵌式觸控oled顯示裝置的輕薄化；而且能夠改善oled顯示屏中位于像素定義層上的膜層的材料性能對觸控電極層的限制，從而能夠降低內嵌式觸控oled顯示裝置的工藝難度，提高其質量。

附圖說明

圖1是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第一實施例的結構示意圖；

圖2a是圖1實施例的觸控電極層的一部分結構的結構示意圖；

圖2b是圖1實施例的觸控電極的整體結構的結構示意圖；

圖3是圖1實施例的觸控電極層的另一部分結構的結構示意圖；

圖4a是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第二實施例的結構示意圖；

圖4b是圖4a實施例的部分結構的結構示意圖；

圖5是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第三實施例的結構示意圖；

圖6a是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第四實施例的結構示意圖；

圖6b是圖6a實施例的感應電極與驅動電極的結構示意圖；

圖7是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置的制作方法第一實施例的流程示意圖；

圖8是圖7實施例的結構示意圖；

圖9是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置的制作方法第二實施例的流程示意圖；

圖10是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置的制作方法第三實施例的流程示意圖。

具體實施方式

請一并參閱圖1、圖2a及圖2b，圖1是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第一實施例的結構示意圖；圖2a是圖1實施例的觸控電極層的一部分結構的結構示意圖；圖2b是圖1實施例的觸控電極的整體結構的結構示意圖。本實施例包括：陣列基板101、有機平坦層102、像素定義層103及觸控電極層104；其中，有機平坦層102設置在陣列基板101上；像素定義層103設置在有機平坦層102上，且像素定義層103定義有多個像素區域105；觸控電極層104設置在像素定義層103靠近有機平坦層102的表面上，并用于檢測對本實施例內嵌式觸控oled顯示屏106的觸控操作。

本實施例的觸控電極層104設置在像素定義層103靠近有機平坦層102的表面上，可以理解為觸控電極層104完全不嵌入，或部分或完全嵌入有機平坦層102的表面。

區別于現有技術，本申請實施例將觸控電極層104設置在像素定義層103靠近有機平坦層102的表面上，不僅能夠將觸控電極層104內嵌于oled顯示屏中，提高本實施例內嵌式觸控oled顯示裝置的輕薄化；而且能夠改善oled顯示屏中位于像素定義層103上的膜層的材料性能對觸控電極層104的限制，從而能夠降低內嵌式觸控oled顯示裝置106的工藝難度，提高其質量。

其中，本實施例的陣列基板101具體包括由下至上依次設置的導向膜層107、緩沖層108、源漏區層109、第一柵極絕緣層110、第一柵極111、第二柵極絕緣層112、第二柵極113、介質層114及源漏極層115，這些結構都是陣列基板的常用結構，這里不詳細介紹，當然，在其它實施例中可以采用其它結構的陣列基板代替陣列基板101。

可選地，本實施例的陣列基板101的源漏極層115中還設有多條引線116，即多條引線116與源漏極層115同層設置，且在陣列基板101上的有機平坦層102設置有多個通孔117，以使觸控電極層104通過多個通孔117分別與多條引線116連接，從而能夠實現觸控電極層104在源漏極層115走線，使觸控電極層104的引線116與源漏極層115的源漏電極引線同層引出，二者可以共用同一電路板結合區，通過該結合區，能將觸控電極層104的電信號及源漏極層115的電信號送入驅動電路，從而實現觸控與顯示的一體化。這種結構能夠減少內嵌式觸控oled顯示屏106的厚度、簡化其生產工藝，節約其生產成本。

可選地，本實施例觸控電極層104包括交叉設置且絕緣的多條感應電極201及多條驅動電極202(如圖2a所示)；且多條感應電極201及多條驅動電極202均分布于多個像素區域間105的間隙的投影處，以減少對像素區域105的遮擋。

可選地，為提高觸控電極層104的導電性及柔韌性，本實施例的多條感應電極201及多條驅動電極202均為ag、ti、al、mo任一金屬材質或任意多個金屬的合金材質。當然，在其它實施例中可以其它金屬材質，或其它合金材質，或其它非金屬材質，在此不做限定。

可選地，本實施例的多條感應電極201及多條驅動電極202同層設置，且均設置在像素定義層103靠近有機平坦層102的表面上。為了保證多條感應電極201及多條驅動電極202相互絕緣，可將每條驅動電極202分成多節，并設置多個導電橋203(如圖2b)，使導電橋203位于感應電極201的上方，且連接感應電極201與驅動電極202的交叉處204兩側的驅動電極202，這種方式就能實現同層交叉設置的多條感應電極201及多條驅動電極202相互絕緣；當然，在其它實施例中，也可以將每條感應電極201分成多節，并設置多個導電橋203連接感應電極201與驅動電極202的交叉處204兩側的感應電極201，以實現上述技術效果。當然，在其它實施例中，可以將導電橋301設置于感應電極302的下方(如圖3所示)。

當然，本實施例還可以包括位于導電橋203上且起保護作用的保護層205及位于感應電極201和驅動電極202下方的絕緣層206。對于圖3實施例的結構，也可以采用類似的擴展結構。

可選地，本實施例的通孔117包括多個第一通孔207和多個第二通孔208，多個第一通孔207及多個第二通孔208均貫穿有機平坦層102至源漏極層115(如圖1所示)，以使多條感應電極201通過多個第一通孔207與相應的引線116連接，多條驅動電極202通過多個第二通孔208與相應的引線116連接。

可選地，本實施例還包括構成內嵌式觸控oled顯示屏106的其它結構，如設置在像素定義層103上的發光層118，及設置于發光層118上的薄膜封裝層119，從上述介紹可知，觸控電極層104位于發光層118之下，也就是說在內嵌式觸控oled顯示屏106的制作過程中，先形成觸控電極層104，再形成發光層118，因此能夠改善發光層118的有機發光材料的不耐高溫的特性對觸控電極層104的制作過程中高溫制程的限制，從而能夠降低內嵌式觸控oled顯示裝置106的工藝難度，提高其質量。

可選地，本實施例的發光層118包括陰極層120，多條感應電極201及多條驅動電極202與陰極層120形成多個觸控電容(未標出)。

具體地，請一并參閱圖4a、圖4b，圖4a是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第二實施例的結構示意圖；圖4b是圖4a實施例的部分結構的結構示意圖。本實施例的多條感應電極401及多條驅動電極402相應位置處設置有斷點403，從而將整個觸控電極層404劃分成若干個獨立的觸控電極單元405。每個觸控單元401與陰極層406間分別形成電容407(如圖4b所示)。每個獨立的觸控電極單元405通過通孔408與源漏極層的引線409連接，并將該引線409延伸至結合區410。當觸摸本實施例內嵌式觸控oled顯示裝置的屏幕時，會改變電容407的電容值；通過引線409能檢測該電容值的變化，從而能夠獲得觸摸位置信息及執行相應的操作。本實施例對每個觸控單元電極405中的通孔408的數量不做具體限定，可以是一個、或兩個、或多個。

請參閱圖5，圖5是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第三實施例的結構示意圖。本實施例與圖1實施例的區別在于，觸控電極層501設置在像素定義層502遠離有機平坦層503的表面上。相應地，觸控電極層501的多條感應電極及多條驅動電極均設置在像素定義層502遠離有機平坦層503的表面上。本實施例的多個通孔504均貫穿像素定義層502及有機平坦層503至源漏極層505，以使觸控電極層501的多條感應電極及多條驅動電極通過多個通孔504與相應的引線506。關于本實施例其它具體結構及擴展與圖1實施例相同，這里不贅述。

請一并參閱圖6a、圖6b，圖6a是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第四實施例的結構示意圖；圖6b是圖6a實施例的感應電極與驅動電極的結構示意圖。本實施例與圖1實施例的區別在于，多條感應電極601與多條驅動電極604非同層設置，具體地，多條感應電極601均設置在像素定義層602遠離有機平坦層603的表面上，多條驅動電極604均設置在像素定義層602靠近有機平坦層603的表面上，二者間通過像素定義層602絕緣。本實施例的多個第一通孔604均貫穿像素定義層602及有機平坦層603至源漏極層605，以使多條感應電極601通過多個第一通孔604與相應的引線606；多個第二通孔607均貫穿有機平坦層603至源漏極層605，以使多條驅動電極604通過多個第二通孔607與相應的引線606。關于本實施例其它具體結構及擴展與圖1實施例相同，這里不贅述。

請一并參閱圖7、圖8，圖7是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置的制作方法第一實施例的結構示意圖；圖8是圖7實施例的結構示意圖。本實施例用于制作上述圖1實施例的內嵌式觸控oled顯示裝置。本實施例具體包括以下步驟：

步驟701：形成陣列基板801，其中，陣列基板801設置有源漏極層802。陣列基板801的結構已在上述裝置實施例中進行了介紹，且陣列基板801的制作工藝可采用現有技術進行，這里不進行介紹。

步驟702：在源漏極層802中形成多條引線803。

具體地，本實施例的源漏極層802的源電極804及漏電極805與多條引線803可以采用同一道工藝制成。

步驟703：在多條引線803及源漏極層802上形成有機平坦化層806。

步驟704：在有機平坦化層806上形成多個通孔807。

多個通孔807可以但不局限于采用曝光顯影方式形成。

步驟705：在有機平坦化層806遠離陣列基板801的表面上形成觸控電極層808；并使觸控電極層808通過多個通孔807分別與多條引線803連接。

本實施例的觸控電極層可以但不局限于利用預設圖案的光罩，通過干法刻蝕的方法形成。

區別于現有技術，本實施例不僅能夠將觸控電極層808內嵌于oled顯示屏中，提高本實施例內嵌式觸控oled顯示裝置的輕薄化；而且能夠改善oled顯示屏中位于有機平坦層806之上的膜層的材料性能對觸控電極層808的限制，從而能夠降低本實施例內嵌式觸控oled顯示裝置的工藝難度，提高其質量。

可選地，本實施例在步驟705之后還包括在有機平坦化層806及觸控電極層808上依次形成像素定義層809及發光層810，以改善發光層810的有機發光材料的不耐高溫的特性對觸控電極層808的制作過程中高溫制程的限制。

請參閱圖9，圖9是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置的制作方法第二實施例的結構示意圖。本實施例包括步驟901-步驟906。本實施例用于制作圖5實施例的內嵌式觸控oled顯示裝置。本實施例與圖7實施例的區別在于，先在有機平坦層上形成像素定義層，然后在像素定義層上形成觸控電極層，使得觸控電極層設置于像素電極層遠離有機平坦層的表面上，且通孔貫穿像素定義層與有機平坦層。本實施例的其它步驟與圖7實施例相同，這里不贅述。

請參閱圖10，圖10是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置的制作方法第三實施例的結構示意圖。本實施例用于制作圖6實施例的內嵌式觸控oled顯示裝置。本實施例包括步驟1001-步驟106。本實施例與圖7實施例的區別在于，先在有機平坦層上形成觸控電極層的驅動電極，然后在有機平坦層及驅動電極上形成像素定義層，最后在像素定義層上形成觸控電極層的感應電極，使得觸控電極層的驅動電極與感應電極分別位于像素電極層靠近有機平坦層的表面上及像素電極層遠離有機平坦層的表面上，且連接驅動電極的第一通孔貫穿有機平坦層，連接感應電極的第二通孔貫穿像素定義層及有機平坦層。本實施例的其它步驟與圖7實施例相同，這里不贅述。

區別于現有技術，本實施例不僅能夠將觸控電極層內嵌于oled顯示屏中，提高本實施例內嵌式觸控oled顯示裝置的輕薄化；而且能夠改善oled顯示屏中位于像素定義層之上的膜層的材料性能對觸控電極層的限制，從而能夠降低本實施例內嵌式觸控oled顯示裝置的工藝難度，提高其質量。

以上所述僅為本申請的實施方式，并非因此限制本申請的專利范圍，凡是利用本申請說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本申請的專利保護范圍內。