本技術(shù)涉及測試優(yōu)化，特別是涉及版圖優(yōu)化評估方法、測試結(jié)構(gòu)、裝置及存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（complementary?metal?oxide?semiconductor，cmos）數(shù)字電路中，電路的工作頻率與性能是強(qiáng)相關(guān)的，頻率越高，性能越好?；パa(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體是指制造大規(guī)模集成電路芯片用的一種技術(shù)或用這種技術(shù)制造出來的芯片。環(huán)形振蕩器（ring?oscillator，ro）因其與cmos工藝良好的兼容性，通常被用于實(shí)現(xiàn)cmos數(shù)字電路的頻率控制，ro的頻率一般被用于表征數(shù)字cmos電路的高頻性能。

2、相關(guān)技術(shù)中，環(huán)形振蕩器的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其由奇數(shù)級個(gè)反相器首尾相連所構(gòu)成，當(dāng)ro起振后，級與級之間的電位會在高電位與低電位之間跳變，穩(wěn)定在一定的頻率下。由于電容通交流隔直流的特性，ro在工作時(shí)，級間等效電容c（寄生電容）會對級間電位的變化速度造成影響，從而影響ro的工作頻率。在對環(huán)形振蕩器進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，目前只關(guān)注了后段連線的寄生電容，只關(guān)注后段連線的寄生電容無法準(zhǔn)確的評估環(huán)形振蕩器的性能，從而導(dǎo)致環(huán)形振蕩器的性能差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對上述技術(shù)問題，提供一種環(huán)形振蕩器的版圖優(yōu)化評估方法、測試結(jié)構(gòu)、裝置及存儲介質(zhì)。

2、第一方面，本技術(shù)提供了一種環(huán)形振蕩器的版圖優(yōu)化評估方法，所述方法包括：獲取第一版圖；構(gòu)建多種類型的測試電容結(jié)構(gòu)對應(yīng)的延時(shí)關(guān)系；所述延時(shí)關(guān)系包括基于測試電容結(jié)構(gòu)的延時(shí)、電容值和/或結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)的數(shù)據(jù)關(guān)系；獲取版圖優(yōu)化類型；基于所述版圖優(yōu)化類型對應(yīng)的延時(shí)關(guān)系，對所述第一版圖進(jìn)行延時(shí)優(yōu)化，和/或，對第二版圖進(jìn)行延時(shí)評估；其中，所述第一版圖為原始環(huán)形振蕩器的版圖；第二版圖為優(yōu)化后環(huán)形振蕩器的版圖。

3、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述構(gòu)建多種類型的測試電容結(jié)構(gòu)對應(yīng)的延時(shí)關(guān)系包括：基于原始環(huán)形振蕩器，構(gòu)建多種類型的多個(gè)測試電容結(jié)構(gòu)，確定每個(gè)所述測試電容結(jié)構(gòu)的電容值；基于所述多種類型的多個(gè)測試電容結(jié)構(gòu)，分別對應(yīng)構(gòu)建多個(gè)測試環(huán)形振蕩器；根據(jù)測試環(huán)形振蕩器的延時(shí)，獲得每個(gè)所述測試電容結(jié)構(gòu)的延時(shí)；基于每種類型的多個(gè)所述測試電容結(jié)構(gòu)對應(yīng)的延時(shí)、電容值和/或結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)，構(gòu)建每種類型的所述測試電容結(jié)構(gòu)的延時(shí)關(guān)系。

4、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述基于原始環(huán)形振蕩器，構(gòu)建多種類型的多個(gè)測試電容結(jié)構(gòu)，包括構(gòu)建基于前段cmos電容的多個(gè)第一類測試電容結(jié)構(gòu)；所述第一類測試電容結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)包括前段cmos結(jié)構(gòu)中溝道的柵長；具體包括：所述第一類測試電容結(jié)構(gòu)包括有源區(qū)、柵極、接觸孔和金屬線；所述柵極部分覆蓋在所述有源區(qū)上形成至少一個(gè)溝道；在所述溝道兩端的源極區(qū)域和漏極區(qū)域分別設(shè)置接觸孔，并將所述接觸孔都連接到金屬線接出；所述第一類測試電容結(jié)構(gòu)的兩端分別設(shè)置在所述柵極和金屬線上；調(diào)整所述第一類測試電容結(jié)構(gòu)中所述溝道的柵長，生成多個(gè)所述第一類測試電容結(jié)構(gòu)。

5、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述基于原始環(huán)形振蕩器，構(gòu)建多種類型的多個(gè)測試電容結(jié)構(gòu)，包括構(gòu)建基于中段電容的多個(gè)第二類測試電容結(jié)構(gòu)；所述第二類測試電容結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)包括中段電容結(jié)構(gòu)中接觸孔的數(shù)量；具體包括：所述第二類測試電容結(jié)構(gòu)包括有源區(qū)、柵極、接觸孔和金屬線；所述柵極部分覆蓋在所述有源區(qū)上形成至少一個(gè)溝道；在所述溝道兩端的源極區(qū)域和漏極區(qū)域分別設(shè)置接觸孔，并將所述接觸孔連接到金屬線接出；所述第二類測試電容結(jié)構(gòu)的兩端分別設(shè)置在所述柵極和金屬線上；調(diào)整所述第二類測試電容結(jié)構(gòu)中接觸孔的數(shù)量，生成多個(gè)所述第二類測試電容結(jié)構(gòu)。

6、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述基于原始環(huán)形振蕩器，構(gòu)建多種類型的多個(gè)測試電容結(jié)構(gòu)，包括構(gòu)建后段電容的多個(gè)第三類測試電容結(jié)構(gòu)；所述第三類測試電容結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)包括后段電容結(jié)構(gòu)中金屬線間的正對面積；具體包括：所述第三類測試電容結(jié)構(gòu)包括第一金屬線和第二金屬線；其中，所述第一金屬線和第二金屬線，是原始環(huán)形振蕩器中包括的一個(gè)金屬層的兩根金屬線，或者是原始環(huán)形振蕩器中包括的兩個(gè)相鄰金屬層的金屬線；所述第一金屬線和第二金屬線分別作為所述第三類測試電容結(jié)構(gòu)的兩端分別設(shè)置在所述第一金屬線和第二金屬線上；調(diào)整所述第三類測試電容結(jié)構(gòu)中第一金屬線和第二金屬線之間的正對面積，生成多個(gè)所述第三類測試電容結(jié)構(gòu)。

7、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述基于原始環(huán)形振蕩器，構(gòu)建多種類型的多個(gè)測試電容結(jié)構(gòu)，包括構(gòu)建基于前段結(jié)電容的多個(gè)第四類測試電容結(jié)構(gòu)；所述第四類測試電容結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)包括前段結(jié)電容結(jié)構(gòu)中摻雜有源區(qū)的面積；具體包括：所述第四類測試電容結(jié)構(gòu)包括第一襯底、第二摻雜有源區(qū)、接觸孔和金屬線；所述第一襯底和第二摻雜有源區(qū)形成pn結(jié)，在所述第二摻雜有源區(qū)上設(shè)置接觸孔，并將所述接觸孔連接到金屬線接出；其中，所述第一襯底和第二摻雜有源區(qū)，是p型襯底和n型摻雜有源區(qū)，或者n型襯底和p型摻雜有源區(qū)；且所述第一襯底和第二摻雜有源區(qū)的設(shè)計(jì)與原始環(huán)形振蕩器的結(jié)構(gòu)匹配設(shè)計(jì)；所述第四類測試電容結(jié)構(gòu)的兩端分別設(shè)置在所述第一襯底和金屬線上；調(diào)整所述第四類測試電容結(jié)構(gòu)中第二摻雜有源區(qū)的面積，生成多個(gè)所述第四類測試電容結(jié)構(gòu)。

8、在其中一個(gè)實(shí)施例中，基于所述多種類型的多個(gè)測試電容結(jié)構(gòu)，分別對應(yīng)構(gòu)建多個(gè)測試環(huán)形振蕩器，包括：在原始環(huán)形振蕩器的每個(gè)級間節(jié)點(diǎn)之間，分別連入相同的測試電容結(jié)構(gòu)，形成所述測試電容結(jié)構(gòu)對應(yīng)的測試環(huán)形振蕩器；通過調(diào)整原始環(huán)形振蕩器中連入的測試電容結(jié)構(gòu)的類型和/或結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)，對應(yīng)構(gòu)建多個(gè)測試環(huán)形振蕩器；其中，在原始環(huán)形振蕩器的每個(gè)級間節(jié)點(diǎn)之間，分別連入相同的測試電容結(jié)構(gòu)，包括：將所述測試電容結(jié)構(gòu)的兩端分別接在所述級間節(jié)點(diǎn)，以及地線或者電源線上。

9、在其中一個(gè)實(shí)施例中，基于所述版圖優(yōu)化類型對應(yīng)的延時(shí)關(guān)系，對所述第一版圖進(jìn)行延時(shí)優(yōu)化，包括：基于原始環(huán)形振蕩器的延時(shí)和目標(biāo)延時(shí)需求，計(jì)算延時(shí)差值；根據(jù)至少一個(gè)所述版圖優(yōu)化類型，確定至少一個(gè)目標(biāo)延時(shí)關(guān)系；基于所述目標(biāo)延時(shí)關(guān)系和延時(shí)差值，優(yōu)化原始環(huán)形振蕩器的結(jié)構(gòu)，獲得優(yōu)化后環(huán)形振蕩器的版圖；其中，所述目標(biāo)延時(shí)關(guān)系包括基于測試電容結(jié)構(gòu)的延時(shí)和電容值的數(shù)據(jù)關(guān)系，基于測試電容結(jié)構(gòu)的電容值和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)的數(shù)據(jù)關(guān)系，和/或，基于測試電容結(jié)構(gòu)的延時(shí)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)的數(shù)據(jù)關(guān)系。

10、在其中一個(gè)實(shí)施例中，基于所述版圖優(yōu)化類型對應(yīng)的延時(shí)關(guān)系，對第二版圖進(jìn)行延時(shí)評估，包括：根據(jù)至少一個(gè)所述版圖優(yōu)化類型，確定至少一個(gè)目標(biāo)延時(shí)關(guān)系；基于第一版圖和第二版圖，確定優(yōu)化后環(huán)形振蕩器和原始環(huán)形振蕩器的至少一種類型的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)差異；基于所述目標(biāo)延時(shí)關(guān)系和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)差異，評估優(yōu)化后環(huán)形振蕩器的延時(shí)，以完成對第二版圖的延時(shí)評估；其中，所述目標(biāo)延時(shí)關(guān)系包括基于測試電容結(jié)構(gòu)的延時(shí)和電容值的數(shù)據(jù)關(guān)系，基于測試電容結(jié)構(gòu)的電容值和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)的數(shù)據(jù)關(guān)系，和/或，基于測試電容結(jié)構(gòu)的延時(shí)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)的數(shù)據(jù)關(guān)系。

11、第二方面，本技術(shù)還提供了一種環(huán)形振蕩器的性能測試結(jié)構(gòu)，包括多種類型的測試電容結(jié)構(gòu)；性能測試結(jié)構(gòu)應(yīng)用于上述第一方面中任一所述的環(huán)形振蕩器的版圖優(yōu)化評估方法；所述測試電容結(jié)構(gòu)基于原始環(huán)形振蕩器的部分結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，所述部分結(jié)構(gòu)包括前段cmos結(jié)構(gòu)、中段電容結(jié)構(gòu)、后段電容結(jié)構(gòu)和前段結(jié)電容結(jié)構(gòu)中的至少一種。

12、在其中一個(gè)實(shí)施例中，包括基于前段cmos電容的第一類測試電容結(jié)構(gòu)；所述第一類測試電容結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)包括前段cmos結(jié)構(gòu)中溝道的柵長；具體包括：所述第一類測試電容結(jié)構(gòu)包括有源區(qū)、柵極、接觸孔和金屬線；所述柵極部分覆蓋在所述有源區(qū)上形成至少一個(gè)溝道；在所述溝道兩端的源極區(qū)域和漏極區(qū)域分別設(shè)置接觸孔，并將所述接觸孔都連接到金屬線接出；所述第一類測試電容結(jié)構(gòu)的兩端分別設(shè)置在所述柵極和金屬線上；不同的所述第一類測試電容結(jié)構(gòu)具有不同的溝道柵長。

13、在其中一個(gè)實(shí)施例中，包括基于中段電容的第二類測試電容結(jié)構(gòu)；所述第二類測試電容結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)包括中段電容結(jié)構(gòu)中接觸孔的數(shù)量；具體包括：所述第二類測試電容結(jié)構(gòu)包括有源區(qū)、柵極、接觸孔和金屬線；所述柵極部分覆蓋在所述有源區(qū)上形成至少一個(gè)溝道；在所述溝道兩端的源極區(qū)域和漏極區(qū)域分別設(shè)置接觸孔，并將所述接觸孔連接到金屬線接出；所述第二類測試電容結(jié)構(gòu)的兩端分別設(shè)置在所述柵極和金屬線上；不同的所述第二類測試電容結(jié)構(gòu)具有不同的接觸孔數(shù)量。

14、在其中一個(gè)實(shí)施例中，包括后段電容的第三類測試電容結(jié)構(gòu)；所述第三類測試電容結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)包括后段電容結(jié)構(gòu)中金屬線間的正對面積；具體包括：所述第三類測試電容結(jié)構(gòu)包括第一金屬線和第二金屬線；其中，所述第一金屬線和第二金屬線，是原始環(huán)形振蕩器中包括的一個(gè)金屬層的兩根金屬線，或者是原始環(huán)形振蕩器中包括的兩個(gè)相鄰金屬層的金屬線；所述第三類測試電容結(jié)構(gòu)的兩端分別設(shè)置在所述第一金屬線和第二金屬線上；不同的所述第三類測試電容結(jié)構(gòu)具有第一金屬線和第二金屬線之間的不同正對面積。

15、在其中一個(gè)實(shí)施例中，包括基于前段結(jié)電容的第四類測試電容結(jié)構(gòu)；所述第四類測試電容結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)包括前段結(jié)電容結(jié)構(gòu)中摻雜有源區(qū)的面積；具體包括：所述第四類測試電容結(jié)構(gòu)包括第一襯底、第二摻雜有源區(qū)、接觸孔和金屬線；所述第一襯底和第二摻雜有源區(qū)形成pn結(jié)，在所述第二摻雜有源區(qū)上設(shè)置接觸孔，并將所述接觸孔連接到金屬線接出；其中，所述第一襯底和第二摻雜有源區(qū)，是p型襯底和n型摻雜有源區(qū)，或者n型襯底和p型摻雜有源區(qū)；且所述第一襯底和第二摻雜有源區(qū)的設(shè)計(jì)與原始環(huán)形振蕩器的結(jié)構(gòu)匹配設(shè)計(jì)；所述第四類測試電容結(jié)構(gòu)的兩端分別設(shè)置在所述第一襯底和金屬線上；不同的所述第四類測試電容結(jié)構(gòu)具有不同的第二摻雜有源區(qū)面積。

16、在其中一個(gè)實(shí)施例中，包括至少一個(gè)測試環(huán)形振蕩器；在原始環(huán)形振蕩器的每個(gè)級間節(jié)點(diǎn)之間，分別連入相同的測試電容結(jié)構(gòu)，形成所述測試電容結(jié)構(gòu)對應(yīng)的測試環(huán)形振蕩器；不同的測試環(huán)形振蕩器，原始環(huán)形振蕩器中連入的測試電容結(jié)構(gòu)的類型和/或結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)不同；其中，在原始環(huán)形振蕩器的每個(gè)級間節(jié)點(diǎn)之間，分別連入相同的測試電容結(jié)構(gòu)，包括：將所述測試電容結(jié)構(gòu)的兩端分別接在所述級間節(jié)點(diǎn)，以及地線或者電源線上。

17、第三方面，本技術(shù)還提供了一種環(huán)形振蕩器的版圖優(yōu)化評估裝置，所述裝置包括：第一獲取模塊，用于獲取第一版圖；構(gòu)建模塊，用于構(gòu)建多種類型的測試電容結(jié)構(gòu)對應(yīng)的延時(shí)關(guān)系；所述延時(shí)關(guān)系包括基于測試電容結(jié)構(gòu)的延時(shí)、電容值和/或結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)的數(shù)據(jù)關(guān)系；第二獲取模塊，用于獲取版圖優(yōu)化類型；優(yōu)化模塊，用于基于所述版圖優(yōu)化類型對應(yīng)的延時(shí)關(guān)系，對所述第一版圖進(jìn)行延時(shí)優(yōu)化，和/或，對第二版圖進(jìn)行延時(shí)評估；其中，所述第一版圖為原始環(huán)形振蕩器的版圖；第二版圖為優(yōu)化后環(huán)形振蕩器的版圖。

18、第四方面，本技術(shù)還提供了一種計(jì)算機(jī)設(shè)備。所述計(jì)算機(jī)設(shè)備包括存儲器和處理器，所述存儲器存儲有計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)上述第一方面中任一項(xiàng)所述的環(huán)形振蕩器的版圖優(yōu)化評估方法。

19、第五方面，本技術(shù)還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)。所述計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)上述第一方面中任一項(xiàng)所述的環(huán)形振蕩器的版圖優(yōu)化評估方法。

20、上述環(huán)形振蕩器的版圖優(yōu)化評估方法及性能測試結(jié)構(gòu)，獲取第一版圖，并構(gòu)建多種類型的測試電容結(jié)構(gòu)對應(yīng)的延時(shí)關(guān)系。其中，延時(shí)關(guān)系包括基于測試電容結(jié)構(gòu)的延時(shí)、電容值和/或結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)的數(shù)據(jù)關(guān)系。再獲取版圖優(yōu)化類型，基于版圖優(yōu)化類型對應(yīng)的延時(shí)關(guān)系，對第一版圖進(jìn)行延時(shí)優(yōu)化和/或?qū)Φ诙鎴D進(jìn)行延時(shí)評估。其中第一版圖為原始環(huán)形振蕩器的版圖，第二版圖為優(yōu)化后環(huán)形振蕩器的版圖。通過構(gòu)建多種類型的測試電容結(jié)構(gòu)對應(yīng)的延時(shí)關(guān)系，再通過該延時(shí)關(guān)系基于版圖優(yōu)化類型，對第一版圖進(jìn)行延時(shí)優(yōu)化和/或?qū)Φ诙鎴D進(jìn)行延時(shí)評估，從而能夠更加精準(zhǔn)的評估環(huán)形振蕩器的性能，從而提高環(huán)形振蕩器的性能。