本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)器，特別是涉及非易失性存儲(chǔ)器及其靈敏放大電路、電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在存儲(chǔ)器的讀操作過(guò)程中，對(duì)于讀出速度影響最大的一般是預(yù)充操作，原因是存儲(chǔ)器陣列的位線(bl)通路寄生電容cl較大(幾百甚至幾千個(gè)cell漏端電容以及bl線的電容，容值可以達(dá)到幾個(gè)pf)，將位線(bl)預(yù)充到預(yù)設(shè)的電壓需要提供較多的電量；但是僅僅提高電壓vclamp在預(yù)充階段的電壓還無(wú)法保證快速預(yù)充，原因是參考電流提供模塊僅能夠提供有限電流(其電流值介于cell的擦除、編程電流之間)，無(wú)法為放大管提供足夠的驅(qū)動(dòng)。為解決該問(wèn)題，引入預(yù)充信號(hào)，該信號(hào)控制預(yù)充電流提供模塊，外部的控制器將讀出周期分為兩個(gè)部分：

2、1)預(yù)充階段，在此階段prec為低電平，控制預(yù)充電流提供模塊為預(yù)充階段提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流，將位線(bl)預(yù)充到所需的電壓，在此階段，不論cell的電流大小，vspa節(jié)點(diǎn)的電壓始終為一個(gè)較高的電平(接近vcc)；

3、2)放大階段，在此階段prec變高，控制預(yù)充電流提供模塊停止提供驅(qū)動(dòng)電流，參考電流提供模塊提供的參考電流與流過(guò)放大管的cell電流將決定vspa節(jié)點(diǎn)的電壓，從而決定輸出。

4、不足之處在于，為防止預(yù)充不完全導(dǎo)致的讀出數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，控制邏輯一般會(huì)給出盡量寬的預(yù)充信號(hào)，以保證任一靈敏放大電路個(gè)體對(duì)任一位線(bl)操作，在整個(gè)工作電壓、溫度范圍以及可能的工藝漂移情況下，均能保證位線(bl)被完全預(yù)充，從而導(dǎo)致在很多情況下，預(yù)充信號(hào)的寬度是大于靈敏放大電路所需的，這就限制了讀周期的進(jìn)一步降低，從而限制了讀速度的提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┝朔且资源鎯?chǔ)器及其靈敏放大電路、電子設(shè)備，無(wú)需外部控制器提供預(yù)充信號(hào)，降低了對(duì)于控制器的要求，也減少了控制器與靈敏放大電路的接口信號(hào)規(guī)模。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N適用于非易失性存儲(chǔ)器的靈敏放大電路，該靈敏放大電路包括：參考電流提供模塊，用于提供參考電流；預(yù)充電流提供模塊，用于在預(yù)充階段為位線提供充電電流，位線用于耦接存儲(chǔ)單元；放大管，放大管的第一端耦接位線，放大管的第二端用于耦接預(yù)充電流提供模塊的輸出端和參考電流提供模塊的輸出端；第一放大模塊，第一放大模塊的第一端耦接放大管的控制端，第一放大模塊的第二端耦接放大管的第一端；第二放大模塊，第二放大模塊的第一端耦接放大管的第一端；反相單元，反相單元的輸入端耦接第二放大模塊的第二端，反相單元的輸出端耦接預(yù)充電流提供模塊的控制端；比較模塊，比較模塊輸入端耦接放大管的第二端；其中，第二放大模塊用于在位線電壓低于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，輸出第一電壓至反相單元，反相單元用于對(duì)第一電壓反相得到第二電壓，并輸出至預(yù)充電流提供模塊的控制端，預(yù)充電流提供模塊進(jìn)入預(yù)充階段為位線提供充電電流。

3、其中，第一放大模塊包括：第一晶體管，第一晶體管的第一端耦接電源電壓端；第二晶體管，第二晶體管的第一端耦接第一開(kāi)關(guān)管的第二端，第二晶體管的第二端接地；第二晶體管和第一晶體管之間的耦接點(diǎn)耦接放大管的控制端；其中，響應(yīng)于讀命令，第晶體管管導(dǎo)通，提供第三電壓至放大管的控制端，使放大管導(dǎo)通，且預(yù)充電流提供模塊進(jìn)入預(yù)充階段為位線進(jìn)行預(yù)充操作。

4、其中，第一晶體管為pmos管，第二晶體管為nmos管。

5、其中，第二放大模塊包括：第三晶體管，第三晶體管的第一端耦接電源電壓端；第四晶體管，第四晶體管的第一端耦接第三晶體管的第二端，第四晶體管的第二端接地；第四晶體管的控制端耦接位線，第三晶體管和第四晶體管之間的耦接點(diǎn)耦接反相單元的輸入端；其中，響應(yīng)于讀命令，第四晶體管截止，第三晶體管導(dǎo)通，提供第一電壓至反相單元。

6、其中，第三晶體管為pmos管，第四晶體管為nmos管。

7、其中，響應(yīng)于位線電壓預(yù)充至目標(biāo)電壓，第四晶體管mn3導(dǎo)通，提供第三電壓至反相單元，反相單元用于對(duì)第三電壓反相得到第四電壓，并輸出至預(yù)充電流提供模塊的控制端，預(yù)充電流提供模塊停止為位線提供充電電流。

8、其中，第四晶體管的偏置電流小于第二晶體管的偏置電流。

9、其中，第一放大模塊為第一放大器，第一放大器的輸出端耦接放大管的控制端，第一放大器的反相輸入端耦接放大管的第一端，第一放大器的同相輸入端耦接參考電壓端；第二放大模塊為第二放大器，第二放大器的輸出端耦接反相單元，第二放大器的反相輸入端耦接放大管的第一端，第二放大器的同相輸入端耦接參考電壓端；其中，第二放大器對(duì)應(yīng)的參考電壓小于第一放大器對(duì)應(yīng)的參考電壓。

10、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N非易失性存儲(chǔ)器，該非易失性存儲(chǔ)器包括如第一方面提供的靈敏放大電路。

11、第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括如第二方面提供的非易失性存儲(chǔ)器。

12、本申請(qǐng)的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本申請(qǐng)?zhí)峁┑姆且资源鎯?chǔ)器及其靈敏放大電路、電子設(shè)備，在靈敏放大電路內(nèi)部設(shè)置第二放大模塊和反相單元，利用第二放大模塊和反相單元提供控制預(yù)充電流提供模塊的預(yù)充信號(hào)，使預(yù)充電流提供模塊進(jìn)入預(yù)充階段為位線提供充電電流，無(wú)需外部控制器提供預(yù)充信號(hào)，降低了對(duì)于控制器的要求，也減少了控制器與靈敏放大電路的接口信號(hào)規(guī)模，進(jìn)一步，因無(wú)需外部控制器提供預(yù)充信號(hào)，無(wú)需嚴(yán)格按照外部控制器提供的預(yù)充信號(hào)的信號(hào)寬度進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取，可根據(jù)靈敏放大電路內(nèi)部的實(shí)際情況完成預(yù)充信號(hào)的開(kāi)啟和關(guān)閉，能夠縮短讀數(shù)據(jù)的周期，從而提高數(shù)據(jù)的讀取速度。

技術(shù)特征：

1.一種適用于非易失性存儲(chǔ)器的靈敏放大電路，其特征在于，所述靈敏放大電路包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靈敏放大電路，其特征在于，所述第一放大模塊包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靈敏放大電路，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靈敏放大電路，其特征在于，所述第二放大模塊包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的靈敏放大電路，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的靈敏放大電路，其特征在于，響應(yīng)于所述位線電壓預(yù)充至目標(biāo)電壓，所述第四開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通，提供第三電壓至所述反相單元，所述反相單元用于對(duì)所述第三電壓反相得到第四電壓，并輸出至所述預(yù)充電流提供模塊的控制端，所述預(yù)充電流提供模塊停止為所述位線提供充電電流。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的靈敏放大電路，其特征在于，所述第四晶體管的偏置電流小于所述第二晶體管的偏置電流。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靈敏放大電路，其特征在于，

9.一種非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述非易失性存儲(chǔ)器包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的靈敏放大電路。

10.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括如權(quán)利要求9所述的非易失性存儲(chǔ)器。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了非易失性存儲(chǔ)器及其靈敏放大電路、電子設(shè)備。該靈敏放大電路包括：參考電流提供模塊、預(yù)充電流提供模塊、放大管、第一放大模塊、第二放大模塊、反相單元和比較模塊。其中，第二放大模塊用于在位線電壓低于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，輸出第一電壓至反相單元，反相單元用于對(duì)第一電壓反相得到第二電壓，并輸出至預(yù)充電流提供模塊的控制端，預(yù)充電流提供模塊進(jìn)入預(yù)充階段為位線提供充電電流。通過(guò)上述方式，無(wú)需外部控制器提供預(yù)充信號(hào)，降低了對(duì)于控制器的要求，也減少了控制器與靈敏放大電路的接口信號(hào)規(guī)模。

技術(shù)研發(fā)人員：倪成峰,祝瑞元,張其營(yíng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海江波龍微電子技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/24