專利名稱：共平面開關模式液晶顯示器以及其中定向層的制造方法
技術領域：
本發明涉及一種液晶顯示器件，尤其涉及一種能夠改善LCD(液晶顯示器)圖像質量的IPS(共平面開關)模式LCD的制造方法以及在其中形成定向層的方法。
背景技術：
通常，在用于在屏幕上顯示圖像數據的顯示器件中，陰極射線管(CRT)已經得到了廣泛的應用，但是由于其與顯示區域相比體積大并且重量重而導致了很多不便。
隨著電子工業的發展，原來用途僅限于電視(TV)和監視器的顯示器件正在用于個人計算機、筆記本電腦、無線終端、交通儀表面板、電子顯示板等。而且，由于信息通信技術的發展，也使得發送大容量的圖像信息成為可能。因此，可以處理并顯示大容量圖像信息的下一代顯示器件的重要性逐漸提高。
要求該下一代顯示器件實現重量輕、外形薄、亮度高、屏幕尺寸大、功耗低和低造價。在下一代顯示器件中，液晶顯示(LCD)器件受到更多的關注。
LCD可以比其他平板顯示器表現更出色的分辨率并且在實現移動圖像方面與CRT相比具有更快的響應時間。
扭曲向列(TN)模式LCD為當前廣泛應用的其中一種LCD。在該TN模式LCD中，在兩基板上分別形成電極并且排列液晶指向矢從而使其扭曲90°之后，向電極施加驅動電壓以驅動該液晶指向矢。
但是，該TN模式LCD具有視角窄的嚴重缺陷。
近來，為了解決窄視角的問題正在積極研究采用新模式的LCD。作為新模式LCD的實例，提出了共平面開關(IPS)模式LCD、光學補償雙折射(OCB)模式LCD等。
該IPS模式LCD通過在單個基板上形成兩個電極并在兩個電極之間施加電壓而產生水平電場從而在相對于該基板的水平方向上驅動該液晶分子。換句話說，該液晶分子的主軸關于該基板不豎直而足水平旋轉。
為此，該IPS模式LCD在根據視覺方向的液晶雙折射中具有很小的變化并因此與TN模式LCD相比具有出色的視角特性。
下面參照附圖詳細說明現有技術的IPS模式LCD。
圖1所示為現有技術IPS模式LCD的截面圖。
現有技術IPS模式LCD包括第一基板118、第二基板119和插入該第一基板118和第二基板119之間的液晶層130。該第一基板118和第二基板119彼此相對粘結。首先，在第一基板118上沉積金屬并對其構圖以形成多條柵線和柵極109。該柵極109分支于柵線并設置于薄膜晶體管(TFT)中。
接下來，在所產生的包括柵極109的基板上形成柵絕緣層120。在該柵絕緣層120上形成具有有源層115a和歐姆接觸層115b的半導體層115。
在柵絕緣層120上形成數據線110。該數據線110和柵線形成矩陣結構。
這樣，在形成數據線110時，同時形成TFT的源極116和漏極117。
沿平行于柵線的方向形成公共線和公共電極113。
在產生的結構上形成鈍化層128。
此后，形成像素電極114使其電連接到漏極117并且與數據線110平行。
在產生的結構上形成第一定向層129。
同時，在第二基板上形成黑矩陣121以防止漏光。在該黑矩陣121的開口中形成包括紅、綠和藍色濾色片圖案的濾色片層122。
接下來，在該濾色片層上形成涂覆層123從而平整該濾色片層并保護該濾色片層122。
然后，在該涂覆層123上形成第二定向層126。
圖2A和2B所示為當現有技術IPS模式LCD分別處于截止狀態和導通狀態時的截面圖。
圖2A所示為IRS模式LCD的截止狀態。由于沒有施加水平電場，因此在該液晶層211中不存在運動。
圖2B所示為施加預定電壓(即，處于導通狀態)時液晶的排列。設置在對應于公共電極113和像素電極114位置的液晶211a不存在相變，但是，由于當在公共電極113和像素電極114之間施加預定電壓時由于產生的水平電場K，設置于公共電極113和像素電極114之間的液晶211b沿與水平電場K相同的方向排列。
即，由于液晶沿水平電場方向移動，因此該IPS模式LCD具有寬視角。
圖3所示為現有技術IPS模式LCD制造方法的流程圖。
在操作S100，制造具有圖1所示結構的上、下基板。
在操作S110，執行清洗工序以去除來自形成有多個圖案的基板外界的顆粒。在操作S120，采用定向印刷裝置在基板上印刷聚酰亞胺(PI)(定向層溶液)。
在操作S130，通過向定向層溶液施加高溫加熱烘干包含于該溶液中的溶劑，并且然后執行固化工序。
在操作S140，采用研磨器件沿一個方向研磨該固化的定向層表面，從而形成溝槽。
在操作S150，在除液晶注入孔以外的上基板邊緣形成粘合劑密封圖案。然后，在下基板散布襯墊料。
在操作S160，以幾微米的精度彼此相對的粘結兩個基板以防止漏光。
在操作S170，將該粘結的基板切割為單元。切割工序包括用于在上下基板上形成線條的劃線工序以及通過在劃線后的基板上施加外力用于將其分割為單元的折斷工序。
在操作S180，液晶通過液晶注入孔注入到切割為單元的兩基板之間的間隙中，并且然后密封該注入孔以完成該LCD的制造。
這里，通過液晶分子的排列狀態改變其物理特性，并響應諸如電場的外力而發生改變。
由于液晶分子具有該特性，液晶分子排列狀態的控制技術對于研究液晶的物理屬性和LCD的構造來說是必不可少的。
具體地說，沿一個方向均勻排列液晶分子的研磨工序對于LCD的正常驅動及其均勻顯示特性是必不可少的。
以下將詳細說明用于確定液晶分子初始排列方向的定向層形成工序。
該定向層的形成包括沉積高聚合體薄層工序和沿一個方向排列定向層的工序。
該定向層由聚酰亞胺基有機材料形成并采用研磨工序排列。
根據該研磨工序，在基板上沉積聚酰亞胺基有機材料并在約60-80℃下揮發其溶劑。其后，在大約80-200℃下固化該沉積的材料以形成定向層。采用諸如絲絨的研磨布沿一個方向研磨該定向層以形成其排列方向。
該研磨工序可以實現容易而穩定的排列工序并因此適用于LCD的批量生產。
但是，當采用包裹有劣質研磨布的輥研磨該定向層時，該研磨工序會產生缺陷。
即，由于通過研磨布和定向層之間的直接接觸執行該研磨工序，因此液晶單元可能由于顆粒產生污染。而且，TFT可能由于靜電放電而受到損傷，在該研磨工序后需要額外的清洗工序，并且該液晶分子可能在寬屏幕LCD中不均勻排列。因此，會降低LCD的產量。
圖4A和4B分別為當在現有技術IPS模式LCD的像素區域中形成諸如像素電極和公共電極的電極圖案時在臺階部分中的液晶排列狀態的截面圖和平面圖。
為了改善視角，將超IPS(S-IPS)模式LCD應用于現有的IPS模式LCD中。而且，采用3到4輪掩模工序制造該IPS模式LCD從而減少制造工序的數量。但是，該基板的臺階差異更大并因此在研磨工序期間出現更多的排列缺陷。
在圖4A和4B中，由于在構圖于下基板的像素電極330上形成定向層351，因此在像素電極330的邊緣區域出現臺階差異。
在與下基板相對的上基板上形成濾色片層360和定向層352，并且在上、下基板之間形成液晶層390。
由于出現在像素區域中電極圖案邊緣內的臺階差異，不能實現良好排列，從而在液晶驅動方面產生問題。
如果該液晶處于常黑模式，當沒有施加電壓時顯示黑色。
但是，在沒有施加柵電壓時的截止狀態，圖4A和4B的區域A中出現漏光。
即，在沒有施加電壓時，該液晶分子必須沿與定向層351和352的研磨方向相同的方向排列。
但是，電極的臺階邊緣部分產生具有不同于研磨方向的排列方向的非均勻液層391并且還導致均勻液層392的液晶具有不同于該研磨方向的排列方向。
該非均勻液晶導致光的相位延遲。該相位延遲使得線性偏振光變為橢圓偏振光。該橢圓偏振光引起形成于濾色片層附近的均勻液晶層發生相位延遲，結果產生大的相位延遲。
因此，當在常黑模式沒有施加電壓時，背光組件的光穿過區域A。這導致在黑色顯示狀態下漏光并且對比度降低，從而很難實現較高的圖像質量。
為了改善視角，S-IPS模式LCD得到應用。而且，采用34輪掩模工序制造該IPS模式LCD從而減少了該制造工序的數量。在這些IPS模式LCD中，基板臺階差異的增加導致了排列缺陷的增加。
因此，需要一種用于防止由于臺階邊緣部分而導致圖像質量下降的顯示器件及方法，其可以提高黑色亮度和對比度。

發明內容
因此，本發明涉及一種在IPS模式LCD的制造方法以及在其中形成定向層的方法，其基本上可以消除由于現有技術的局限性和不足產生的一個或者多個問題。
本發明的優點在于提供一種LCD的制造方法以及在其中形成定向層的方法，該方法可以減少由于臺階部分導致的漏光。具體地說，在基板的整個表面上執行研磨工序后，采用非研磨方法的UV(紫外光)照射后處理(post-process)基板的整個表面或者臺階部分，并且通過采用掩模部分地向諸如出現漏光的電極邊緣的漏光區域照射光。
本發明的附加優點、目的和特征部分將在以下的描述中得以闡明，一部分通過以下的分析對熟悉本領域的普通技術人員顯而易見，或者通過實踐本發明來認識它們。本發明的這些優點可通過書面描述及其權利要求以及附圖中具體指出的結構來實現和得到。
為了實現上述和其它優點并根據本發明的目的，作為具體而廣泛的說明，本發明提供了一種IPS模式LCD的制造方法，該方法包括在第一基板上形成柵線和公共線，所述柵線和所述公共線沿水平方向以預定距離彼此間隔；垂直于所述柵線形成數據線；形成平行于所述數據線的多個公共電極，并形成與所述公共電極交叉的像素電極；在包括像素電極的第一基板上形成第一定向層；通過采用研磨工序對所述第一定向層執行主排列工序；用掩模覆蓋所述第一定向層，所述掩模具有透光部分和遮光部分；通過在所述掩模上對所述第一定向層照射具有預定能量的光束在所述柵線、數據線、公共電極和像素電極的臺階部分的至少其中之執行從排列工序；在與所述第一基板相對的第二基板上形成濾色片層和黑矩陣；并在所述第一基板和第二基板之間形成液晶層。
在本發明的另一方面，提供了形成定向層的方法，包括在具有臺階部分的基板上形成定向層；研磨所述定向層；用掩模覆蓋所述定向層；以及在所述掩模上照射光。
可以理解上述的概括性描述和以下的詳細說明均為示例性的和解釋性的并旨在提供進一步如權利要求所述的本發明的解釋。


包含用來提供本發明進一步理解并結合進來組成本申請一部分的附圖，其示出了本發明的實施方式，并和說明書一起用于解釋本發明的原理。在附圖中圖1所示為現有技術IPS模式LCD的截面圖；圖2A和2B所示為當現有技術IPS模式LCD分別處于截止狀態和導通狀態時的截面圖；圖3所示為現有技術IPS模式LCD制造方法的流程圖；圖4A和4B分別為在現有技術IPS模式LCD的臺階部分中液晶排列狀態的截面圖和平面圖；圖5所示為根據本發明實施方式的IPS模式LCD中陣列基板的平面圖；圖6A到6E所示為根據本發明實施方式的IPS模式LCD制造方法的截面圖；圖7所示為根據本發明實施方式的IPS模式LCD的臺階部分的截面圖；圖8A所示為在根據本發明實施方式的IPS模式LCD中當僅對定向層執行作為主排列工序的研磨時的示意圖；圖8B所示為在根據本發明實施方式的IPS模式LCD中當對主排列工序后的定向層執行作為從排列工序的光照射時的示意圖；以及圖9到圖11所示為用于說明根據本發明的IPS模式LCD效果的照片。
具體實施例方式
現在詳細說明本發明的實施方式，其實施例在附圖中示出。在整個附圖中盡可能使用相同的附圖標記表示相同或相近的部件。
圖5所示為根據本發明實施方式的IPS模式LCD陣列基板的平面圖。
在圖5中，根據本發明實施方式的IPS模式LCD的陣列基板410包括彼此間隔一定距離并沿一個方向平行設置的多條柵線412，沿一個方向平行于柵線412相鄰設置的公共線416，以及與柵線412和公共線416交叉并與柵線412一起限定像素區域P的數據線424。
在柵線412和數據線424的交叉部分形成薄膜晶體管(TFT)。該薄膜晶體管包括柵極414、半導體層(圖6的427)、源極426和漏極428。該源極426與數據線424連接，并且柵極414與柵線412連接。
在像素區域P中形成像素電極430和公共電極417。像素電極430與漏極428連接。設置公共電極417與像素電極430平行并與公共線416連接。
像素電極430包括多個垂直部分430b和水平部分430a。該垂直部分430b延伸自漏極428并以預定距離彼此間隔，使得該垂直部分430b平行于數據線424設置。水平部分430a在公共線416上與垂直部分430b連接在一起。
公共電極417包括多個垂直部分417b和水平部分417a。該垂直部分417b從公共線416垂直向下延伸并平行于像素電極430的垂直部分430b交替設置。該水平部分417a與垂直部分417b連接在一起。
在公共線416的部分水平部分417a上形成像素電極430的水平部分430a，在二者之間設置有柵絕緣層(圖6的419)。像素電極的430的水平部分430a和公共線416構成存儲電容C。
以Z字形結構形成數據線424、像素電極430和公共電極417。
以下將說明圖5所示的IPS模式LCD的制造方法。
圖6A到6E所示為根據本發明實施方式的IPS模式LCD制造方法的截面圖。
在圖6A中，在陣列基板410上沉積具有低電阻率的低阻金屬以防止信號延遲。然后通過光刻對該低阻金屬層構圖以形成柵線(圖5的412)和分支于柵線412的TFT的柵極414。
該低阻金屬可以是銅(Cu)、鋁(Al)、鋁合金(AlNd)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢化鉬(MoW)等。
在形成柵線412和柵極414的過程中，形成公共線(圖5的416)和多個公共電極417。該公共線416平行于柵線412設置并且多個公共電極417分支于公共線416。
然后，通過等離子體增強型化學汽相沉積(PECVD)等工序在產生的具有柵線412結構的整個表面上通過沉積無機絕緣材料(例如，氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx))形成柵絕緣層419。
在柵絕緣層419上沉積諸如非晶硅的材料并選擇性地去除以在柵絕緣層419上以島狀形成半導體層427。
盡管未示出，通過將雜質離子注入非晶硅中并對其構圖可以進一步形成歐姆接觸層。
在圖6B中，在柵絕緣層419上方的整個表面上沉積諸如鉻、鋁、銅、鉬、鈦、鉭、鎢化鉬和鋁合金的金屬然后采用光刻對其構圖從而形成數據線424。數據線424在垂直方向上與柵線412交叉并因此限定像素區域。同時，在半導體層427的兩端形成源極426和漏極428。
通過在形成有數據線424的陣列基板410的整個表面上涂敷氮化硅層或者諸如苯并環丁烯的有機絕緣層形成鈍化層438。然后，在漏極428形成接觸孔(未示出)。
采用透明導電材料(例如，氧化銦錫(ITO)或者氧化鋅錫(IZO))在整個表面上沉積透明導電層然后對其構圖以形成多個像素電極430。該多個像素電極430與漏極428連接并設置于與數據線424平行的公共電極417之間。因此，交替設置該像素電極430和公共電極417。
盡管未示出，當像素電極430由金屬材料形成時，在形成鈍化層438之前，該像素電極430可以在形成數據線424的同時由與數據線424相同的材料形成。
在圖6C中，在包括像素電極430的整個表面上形成定向層。通過在基板上印刷聚酰亞胺樹脂并烘干形成定向層。該聚酰亞胺樹脂具有很好的抗熱性并與液晶具有良好的親和力。然后，采用研磨工序執行主排列工序。
除了聚酰亞胺樹脂以外，該定向層材料可以是包括通過UV照射選擇性斷開其化學鍵的聚合體，如聚酰亞胺酸、聚乙烯亞胺、聚乙烯醇、聚酰胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚亞苯基鄰苯二酰胺、聚酯、聚亞安酯和聚異丁烯酸甲酯，定向層的材料。
該定向層的介電常數為2到5并且其折射率為1到2。
在圖6D中，對經過主排列工序的第一定向層381執行從排列工序。
具體地說，該主排列工序為通過采用研磨布433(例如，絲絨、人造纖維、尼龍等)在由聚酰亞胺形成的定向層481上沿一個方向研磨第一定向層481形成排列方向的研磨工序。
然后，通過向研磨后的第一定向層481照射光來執行從排列工序。
所述光可以使用線性偏振光、部分偏振光或者非偏振光。
采用光照射執行主排列工序，然后通過作為從排列工序的研磨工序處理該排列。
此外，可以同時執行主排列工序和從排列工序。
當研磨方向與光排列方向一致時，該排列達到最大化。
這樣，通過諸如對已經經過主排列工序的第一定向層481執行光照射的從排列工序可以實現電極部分周圍的臺階部分的均勻排列。
此時，用分別具有透光部分440a和540a以及遮光部分440b和540b的掩模覆蓋基板時執行從排列工序。
采用掩模440和550的原因在于通過在漏光區域采用該掩模照射紫外光可以最小化側面缺陷。
因此，可以解決由于側面缺陷導致的影像殘留問題。
參照圖7，掩模440和540的透光部分440a和540a對應于出現漏光的臺階部分。
在臺階部分漏光區域的寬度(L)為L＝d/tanθ。
在掩模440和540中的透光部分440a和540a的寬度(a)為a＝L+2M＝d/tanθ+2×M其中M(掩模邊緣)≤10μm，100＜d(臺階高度)＜600045°＜θ≤90°這樣，采用具有對應于發生漏光的臺階部分的透光區域440a和540a的掩模440和540向基板500照射光。
如上所述，通過向由于主排列工序的研磨工序導致的定向層不均勻的電極530周圍臺階部分局部照射光來執行從排列工序，從而消除了由于液晶590扭曲導致的漏光現象。
參照圖6E，采用黑色樹脂或者具有高反射率的金屬(例如，鉻或者氧化鉻(CrOx))形成黑矩陣473以防止在濾色片基板470上液晶不被控制的柵線、數據線和TFT區域漏光。
然后，通過采用電鍍方法、色素分布方法或者涂敷方法在黑矩陣473的開口之間形成用于色彩再現的R、G和B濾色片475，盡管未示出，為了保護濾色片475，可以在包括濾色片475的結構的整個表面上形成涂覆層479。
然后，通過印刷與液晶具有良好親和力并具有很好感光特性的聚酰亞胺材料在涂敷層479上形成第二定向層477。通過采用與第一定向層481的排列工序和采用掩模進行局部光照射的從排列工序相同的研磨工序形成具有平行于第一定向層481的排列方向的第二定向層477。
然后，在陣列基板410或者濾色片基板470上形成柱狀襯墊料(未示出)。采用液晶注入或者液晶滴注方法在陣列基板410或者濾色片基板470的顯示區域形成液晶層488。接下來，沿陣列基板410或者濾色片基板470的邊緣形成密封部分，并且在真空狀態下將列基板410和濾色片基板470粘結在一起。
圖8A和8B所示為在根據本發明實施方式的IPS模式LCD中電極部分的液晶排列的平面圖。
如圖8A和8B所示，在根據本發明的IPS模式LCD的基板600中形成臺階部分的電極630上形成定向層。
這里，電極的臺階高度(d)為100?！躣≤7000。
電極的倒錐形角度(θ)為45°＜θ＜90°。
參照圖8A，通過主排列工序在基板600上形成定向層。
在主排列工序中，采用研磨布(例如，絲絨、人造纖維、尼龍)沿一個方向研磨由定向材料(例如，聚酰亞胺)形成的定向層，從而形成排列方向。
在研磨臺階差異大于100-7000的電極部分B的邊緣的情況下，由于研磨布因為臺階部分不能與臺階部分充分接觸因此不能實現排列。而且，因為研磨布在經過該臺階部分時可能出現紊亂，因此排列結構可能不均勻。
因此，如圖8B所示，對已經經過主排列工序的定向層執行采用掩模進行光照射的從排列工序。
這樣，如果對第一定向層執行諸如光照射的從排列工序，則位于電極部分周圍的臺階部分的排列可以變均勻。
此時，光照射能量為0.001-5J/cm2。
在由具有透光部分和遮光部分的掩模覆蓋基板的同時執行從排列工序。
該掩模的透光部分對應于發生漏光的臺階部分。
這樣，采用具有對應于發生漏光的臺階部分的透光部分的掩模向基板照射光。
因此，通過局部照射圍繞于電極周圍的臺階部分額外地執行從排列工序，該電極周圍的臺階部分由于作為主排列工序的掩模工序導致排列不均勻，從而去除漏光。
此時，研磨方向與光定向層方向一致。
光照射可以使用線性偏振光、部分偏振光和非偏振UV光。
圖9到圖11所示為用于說明根據本發明的IPS模式LCD效果的照片。
圖9(a)和9(b)所示為當電極部分的臺階差異為3000并且電極圓錐角為60°時在主、從排列工序后漏光程度的照片。
具體地，在圖9(a)，由于當執行作為主排列工序的研磨工序時電極部分周圍排列不均勻而出現漏光。相反，在圖9(b)，當在主排列工序后圍繞電極部分局部執行作為從排列工序的光照射時漏光得到明顯降低。
圖10(a)和10(b)所示為當電極部分的臺階差異為2000并且電極圓錐角為35°時在主、從排列工序后漏光程度的照片。
在圖10(a)，由于當執行作為主排列工序的研磨工序時電極部分周圍排列不均勻出現漏光。相反，在圖10(b)，當在主排列工序后圍繞電極部分局部執行作為從排列工序的光照射時漏光得到明顯降低。
圖11(a)和11(b)所示為當電極部分的臺階差異為5000并且電極圓錐角為75°時在主、從定向工序后漏光程度的照片。
在圖11(a)，由于當執行作為主排列工序的研磨工序時電極部分周圍排列不均勻出現漏光。相反，在圖11(b)，當在主排列工序后圍繞電極部分局部執行作為從排列工序的光照射時漏光得到明顯降低。
如上所述，在IPS模式LCD的定向層的整個表面上執行研磨工序后，通過采用掩模在電極周圍的臺階部分上局部執行偏振和非偏振光照射。因此，可以防止漏光并提高對比度。而且，可以獲得很高的圖像質量，從而提高產品的可靠性。
此外，當在研磨后的定向層上照射非偏振光時，不需要任何單獨的偏振裝置即可獲得很高的圖像質量。因此，可以簡化制造工序并降低制造成本。
而且，通過采用掩模向漏光區域照射UV光，可以最小化側面缺陷并防止圖像殘留。
顯然，對于熟悉本領域的技術人員來說可以對本發明進行各種改進和變型。因而，本發明意在覆蓋落入由所附權利要求及其等效物限定的本發明的改進和變型。
權利要求
1.一種共平面模式液晶顯示器的制造方法，該方法包括在第一基板上形成柵線和公共線，所述柵線和所述公共線沿水平方向彼此間隔預定距離；形成垂直于所述柵線的數據線；形成平行于所述數據線的多個公共電極，并形成與所述公共電極相交叉的像素電極；在包括所述像素電極的所述第一基板上形成第一定向層；通過采用研磨工序對所述第一定向層執行主排列工序；用掩模覆蓋所述第一定向層，所述掩模具有透光部分和遮光部分；通過在所述掩模上對所述第一定向層照射具有預定能量的光束在所述柵線、數據線、公共電極和像素電極的臺階部分的至少其中之一執行從排列工序；在與所述第一基板相對的第二基板上形成濾色片層和黑矩陣；以及在所述第一基板和第二基板之間形成液晶層。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在所述第二基板上形成第二定向層；通過采用研磨工序對所述第二定向層執行主排列工序；用掩模覆蓋所述第二定向層，所述掩模具有透光部分和遮光部分；通過對所述掩模照射具有預定能量的光束在所述第二定向層的整個表面上執行從排列工序。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述從排列工序中所述具有預定能量的光束為線性偏振光、部分偏振光和非偏振光。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在對應于所述臺階部分的位置處形成所述掩模的透光部分。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，掩模中所述透光部分的寬度a為a＝L+2M＝d/tanθ+2×M，其中M、d和θ分別表示掩模邊緣、臺階高度和圓錐角。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述掩模邊緣M為M≤20μm。
7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述臺階高度d為100?！躣≤7000。
8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述圓錐角為10°＜θ≤90°。
9.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述光束的照射能量為0.001-5J/cm2。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述定向層具有2到5的介電常數。
11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述定向層具有1到2的折射率。
12.一種形成定向層的方法，包括在具有臺階部分的基板上形成定向層；研磨所述定向層；用掩模覆蓋所述定向層；以及向所述掩模照射光。
13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述掩模具有透光部分和遮光部分。
14.根據權利要求12或者13所述的方法，其特征在于，所述掩模的透光部分對應于所述臺階部分。
15.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述定向層由選自由聚酰亞胺酸、聚乙烯亞胺、聚乙烯醇、聚酰胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚亞苯基鄰苯二酰胺、聚酯、聚亞安酯、聚異丁烯酸甲酯組成的組中的材料形成。
16.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述照射光為線性偏振光、部分偏振光和非偏振光。
17.根據權利要求16所述的方法，其特征在于，所述光照射的能量為0.001-5J/cm2。
18.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述定向層具有2到5的介電常數。
19.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述定向層具有1到2的折射率。
全文摘要
本發明公開了一種具有改善圖像質量的IPS模式LCD的制造方法。在IPS模式LCD定向層的表面上執行研磨工序后，通過采用掩模在電極周圍的臺階部分局部執行偏振或者非偏振光照射。因此可以防止漏光并提高對比度。而且，可以獲得高質量的圖像，從而提高產品的可靠性。此外，當在研磨后的定向層上照射非偏振光時，不通過任何單獨的偏振裝置即可獲得高圖像質量。因此可以簡化制造工序并降低制造成本。
文檔編號H01L21/027GK1797210SQ20051013270
公開日2006年7月5日 申請日期2005年12月20日 優先權日2004年12月30日
發明者樸修賢 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社