專利名稱：：透明導電膜淀積設備、用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備及其形成方法
技術領域：
：本發明涉及膜淀積設備以及用于通過MOCVD方法連續地形成具有多層結構的透明導電膜的膜形成方法。
背景技術：
：在太陽能電池生產步驟中的形成透明導電膜的步驟中，使用濺射方法和金屬有機化學汽相淀積(MOCVD)方法。MOCVD方法中的反應在低溫(200。C或更低)下進行，并且該方法是化學汽相淀積方法。因此，MOCVD方法是溫和的膜淀積方法，其不會引發對于其他薄構成層的機械損害，這與例如濺射方法的技術不同，在這些技術中能量粒子的轟擊損害了下部薄構成層。在生產CIGS型薄膜太陽能電池中，在其光入射側上的薄構成層上形成透明導電膜。利用MOCVD方法所形成的透明導電膜具有增強緩沖層的效用(功能)的功能。然而在濺射方法的情況下，已知透明導電膜引發對于緩沖層的損害，而不是增強其效用，從而降低了太陽能電池的性能。已經公開了用于利用MOCVD方法來形成透明導電膜的技術(例如參見專利文獻1和2)。其中公開的技術包括對加熱后的支持物上的基板進行加熱，排空腔室，使基板在腔室中保持大約20分鐘從而使得它的溫度均勻，然后利用MOCVD方法執行膜淀積大約30分鐘，由此淀積大約1l^m的透明導電膜。在專利文獻3中描述了MOCVD方法的膜淀積設備。該設備具有這樣的構造，其中通過氣體引入開口將氣體引入到石英反應管中，并通過氣體排放開口來排出該反應管中的氣體。該反應管中設有基座，該基座由碳制成，以及在該基座上設置基板。該設備具有這樣的結構，其中，利用布置在反應管之外的高頻線圈對基座和基板進行感應加熱。在該膜淀積設備中，主要使用烷基鋁作為要施加到基板上的有機金屬化合物。該MOCVD方法淀積設備不是用于連續地形成具有多層結構的透明導電膜的設備，并且具有不能形成面積較大的透明導電膜的問題。另一方面，公開了用于連續形成薄半導體膜的設備(例如見專利文獻4)，其中，設有兩個或更多的反應腔室，并且在這些反應腔室中接連地執行膜淀積。然而，該用于連續膜淀積的設備不是用于利用MOCVD方法來形成透明導電膜的設備，而是用于形成薄半導體膜的設備。具有這樣的問題，也就是難以直接地將該用于連續形成薄半導體膜的設備轉用于通過MOCVD方法來進行透明導電膜的連續形成。專利文獻1:JP-B-6-14557專利文獻2:JP-A-6-209116專利文獻3:JP-A-2-122521專利文獻4:日本專利No.2842551此外，已經采用了現有技術的MOCVD方法膜淀積設備，這種設備包括例如圖5所示的用于烷基鐸的MOCVD方法膜淀積設備；以及例如圖6中所示的專用于該設備中的噴管。該設備是用于基板的批處理的設備。首先，腔室在空氣中開放，從而引入基板(在下文中，包括基板和除了透明導電膜之外的CIGS型薄膜太陽能電池所需要的層的結構被稱為基板，其中所述層包括形成在基板上的光吸收層和緩沖層)。將基板放置在加熱板上之后，使得腔室進入真空狀態。將基板加熱到設定溫度之后，通過原料引入端口將原料(例如有機金屬化合物，例如二乙基鋅Zn(C2Hs)2、乙硼垸B2H6以及純水H20)引入。使用載氣，通過分別與原料相對應的噴管，在基板上噴射這些原料。在一定的時期(以一定的厚度)在基板上淀積透明導電膜。之后，停止原料的饋給。然后將腔室在空氣中幵放(腔內壓力回到大氣壓)并且將基板取出。由于該過程是批處理，所以之后將下一個基板放置在加熱板上。接著，重復上述的相同操作，從而在基板上形成透明導電膜。該設備具有以下1到3的特征。1.噴管的特征在于這樣的結構，其在真空中均勻地噴射有機金屬化合物、乙硼烷和純水，如圖6所示。具有這樣的問題由于從加熱板輻射的熱而導致生長期間升高噴管的溫度，以及淀積物積聚在噴管上，所以噴管維修是必要的。此外，具有這樣的問題由于現有技術的噴管結構在用于有機金屬化合物、水和乙硼烷的噴射部之間具有間隔，在噴管的背側甚至在腔室的上部上出現產品積聚，并導致了原料的低使用效率以及對于頻繁維護的必要。2.因為在生長透明導電膜期間在金屬加熱板上直接地放置基板，加熱板的熱分布直接地導致透明導電膜的分布。因此具有這樣的問題，在加熱板具有不均勻熱分布的情況下，形成薄層電阻等不均勻的透明導電膜。3.該設備僅具有一個腔室。因此具有這樣的問題，基板處理的速度較低，并且膜淀積的速度較低。
發明內容本發明要解決的問題用于消除上述問題的本發明的第一目的，是改進原料的使用效率并減少維護的必要性。第二目的是形成具有均勻薄層電阻的透明導電膜。第三目的是改進薄膜淀積速度，同時維持高薄膜質量。(1)用于消除上述問題的本發明，提供具有膜淀積腔室的透明導電膜淀積設備，其中，在抽空該腔室后，在對基板進行加熱的同時，利用金屬有機化學汽相淀積(MOCVD)方法，將有機金屬化合物(烷基鋅Zn(CnH2^;n是整數)2，優選地為二乙基鋅Zn(C2H5)2)、乙硼烷(B2H6)以及水(水汽)在汽相下進行反應，從而在基板上形成包括n型半導體的透明導電膜，其中使用乙硼烷和惰性氣體分別作為電導率調節的摻雜劑和載氣，以及使用有機金屬化合物和純水作為用于膜淀積的原料，并且在設備內部設有一組板狀構造的噴管，其包括管形噴管，這些噴管具有在其噴射側上形成的噴射孔，用于同時地或分開地噴射包括有機金屬化合物、乙硼烷和純水的三種原料，并且這些噴管布置為在同一個平面內彼此相鄰，且在它們之間不留下間隔，該設備進一步設有對該組噴管進行冷卻的噴管冷卻機構。(2)本發明提供用于多層透明導電膜的連續形成的串聯式(in-linetype)膜淀積設備，該設備包括基板附著部分，在此在空氣中將基板附著到定位器；裝料部分，在此執行抽空；多層淀積處理部分，其包括兩個或更多淀積處理部分，用于在對基板進行加熱的同時，通過將有機金屬化合物(烷基鋅Zn(CnH2n+1;n是整數)2，優選地為二乙基鋅Zn(C2H5)2)、乙硼垸(B2H6)以及水(水汽)在汽相下進行反應，利用金屬有機化學汽相淀積(MOCVD)方法，在基板上形成包括n型半導體的多層透明導電膜；取出部分，在這里將真空中的具有多層透明導電膜的基板返回到大氣壓力；基板分離部分，在這里將具有多層透明導電膜的基板從定位器分離；以及定位器返回部分，在這里將在基板分離部分中分離了具有多層透明導電膜的基板的定位器返回到基板附著部分，并且其中，在將基板順序地移動通過這些部分的同時，連續地執行膜淀積，從而在基板上形成包括多層n型半導體的多層透明導電膜，其中在多層淀積處理部分中的每個淀積處理部分中，分別使用乙硼烷和惰性氣體作為用于導電率調節的摻雜劑和載氣，以及使用有機金屬化合物和純水作為用于膜淀積的原料，并且在淀積處理部分內設有一組板狀結構的噴管，其包括管形噴管，這些噴管具有在其噴射側上形成的噴射孔，用于同時或分開地噴射包括有機金屬化合物、乙硼烷和純水的三種原料，并且這些噴管被布置為在相同的平面內彼此相鄰且在它們之間不留下間隔，該淀積處理部分還設有對該組噴管進行冷卻的噴管冷卻機構。(3)本發明提供以上(2)所述的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備，其中，裝料部分和取出部分分別設有預熱機構和基板冷卻機構，從而以提高的膜淀積速度通過兩個或多個淀積處理部分來形成具有必需厚度的多層膜。(4)本發明提供以上(l)、(2)或(3)所述的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備，其中，噴管冷卻機構包括冷卻管，每個冷卻管被布置在這組噴管的噴管之間，而在它們之間不留下間隔。(5)本發明提供以上(l)、(2)或(3)所述的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備，其中，噴管冷卻機構包括一組彼此鄰近布置的冷卻管、或者扁平冷卻器，其中，將該組冷卻管或該扁平冷卻器設置在與噴射側相對的側(背側)上的板狀結構的噴管組上。(6)本發明提供用于如以上(2)所述的多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備，其中，定位器是用于固定基板并將基板傳輸通過膜淀積設備中的每個部分的生產夾具，并且由具有高導熱率的部件(例如碳復合物)制成，其表面涂敷有具有高導熱率和髙機械強度的金屬涂層(例如鎳淀積)，其中定位器具有用于基板固定的銷。(7)本發明提供用于在基板上的包括多層n型半導體的多層透明導電膜的連續形成的方法，該方法包括在空氣中將基板附著到定位器上的步驟；將附著到定位器上的基板抽空的步驟；將通過金屬有機化學汽相淀積(MOCVD)方法進行的膜淀積重復地執行兩次或更多次從而在基板上形成包括n型半導體的多層透明導電膜的步驟，其中，該金屬有機化學汽相淀積(MOCVD)方法包括在對基板進行加熱的同結果，對于使用形成具有電》茲波屏蔽層而沒有接地部分的PDP濾光片的方法的情況下，與使用具有接地部分的電磁波屏蔽膜的常規技術相比，可更容易地和簡單地制備所述PDP濾光片。而且，可以達到與常規PDP濾光片等同的電磁波屏蔽效果。工業實用性根據本發明，可不同地形成PDP濾光片的層壓結構，以及在制備PDP濾光片時，可以應用如巻帶式工藝的連續制備工藝，從而實現PDP濾光片的大量生產和高生產力。另外，可以將需要透明導電膜型電磁波屏蔽層的結構的部分功能相同的結構的功能層形成為單一結構，從而能簡單制備多功能PDP濾光片。在定位器上布置用于基板固定的銷，能夠處理具有任何期望尺寸的基板。在本發明中，裝料部分和取出部分可分別地設有預熱機構和基板冷卻機構。這些機構與兩個或更多淀積處理部分結合，使得能夠以提高的膜淀積速度形成多層膜，而不損害膜的質量。圖1是示出用于多層透明導電膜的連續形成的本發明的膜淀積設備的構造的視圖2是示出復合噴管的構造的視圖，這些復合噴管被布置在用于多層透明導電膜的連續形成的本發明的膜淀積設備中的每個淀積處理部分中；圖3是示出兩種情況下的透明導電膜的薄膜特性(薄層電阻的分布)的對比的視圖，在一種情況下，使用由具有高導熱率的碳復合材料制成的定位器，利用本發明的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備，從而形成透明導電膜；而在另一種情況下，利用現有技術的膜淀積設備來形成透明導電膜，在該膜淀積設備中，直接將基板布置在加熱板上用于加熱；圖4是示出在利用根據本發明的噴管形成的透明導電膜以及利用現有技術的噴管形成的透明導電膜中的膜質量和膜淀積重復數目之間的關系的圖5是示出現有技術的MOCVD設備的構造的視圖6是示出現有技術的MOCVD設備的噴管的結構的視圖。參考數字的描述1用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備2基板附著部分3裝料部分3A預熱機構4多層淀積處理部分41淀積處理部分4n淀積處理部分4A復合噴管4a用于有機金屬化合物以及乙硼垸的噴射噴管4b水噴射噴管4c冷卻管5取出部分5A基板冷卻機構6基板分離部分7定位器返回部分7a定位器A基板具體實施例方式本發明提供用于在基板上連續地形成包括多層n型半導體的多層透明導電膜的膜淀積設備以及形成該多層透明導電膜的方法。如圖1所示，該設備包括基板附著部分2，在這里在空氣中將基板A附著到定位器7a;裝料部分3，在這里執行抽空；多層淀積處理部分4，其包括兩個或多個淀積處理部分(41到4n)，用于在對基板進行加熱的同時，通過將有機金屬化合物(二乙基鋅Zn(C2Hs)2)、乙硼烷(B2H6)以及水(水汽)在汽相下進行反應，利用金屬有機化學汽相淀積(MOCVD)方法，在加熱的基板上形成包括n型半導體(例如ZnO)的透明導電膜；取出部分5，在這里將具有多層透明導電膜的基板排出到空氣中(壓力返回到大氣壓力)；基板分離部分6，在這里將具有多層透明導電膜的基板A從定位器7a分離；以及定位器返回部分7，在這里定位器7a被返回到基板附著部分2，其中在基板分離部分中從所述定位器7a分離具有多層透明導電膜的基板。在該設備中，連續地執行膜淀積，同時順序地移動基板通過這些部分，從而在基板上形成包括多層n型半導體的多層透明導電膜。在圖1所示的多層淀積處理部分4中的每個淀積處理部分41…4n中，當形成由ZnO制成的透明導電膜時，發生以下的化學反應。主要反應為以下的l和2。1.Zn(C2H5)2+2H204Zn(OH)2+2C2H62.Zn(OH)2—ZnO+H20少量ft乙硼垸(B2H6)包括在ZnO中。特別地，發生以下反應Zn(C2H5)2+H20+nB2H6—ZnO:B+2C2H6+nB20設n相當小。圖1所示的多層淀積處理部分4中的每個淀積處理部分41…4n設有復合噴管(噴管組)4A，該復合噴管(噴管組)4A是圖2所示的平面形式(一板式結構)，并噴射經受MOCVD反應的反應物，并且其具有噴管冷卻機構。每個復合噴管4A包括第一噴管4a，用于噴射有機金屬化合物和乙硼垸；第二噴管4b，用于噴射純水；以及冷卻管4c。噴管4a和4b以及管4c是彼此獨立的。它們每個包括具有近似方形截面形狀的管。復合噴管4A具有扁平板式平板結構，在該結構中，以如下的次序交替緊密地布置(放置)第一噴管4a、第二噴管4b和冷卻管4c，并使得它們之間不留間隔。第一噴管4a和第二噴管4b具有用于噴射各個反應物的小孔(噴射孔)h，以一定間隔在噴管的下側(基板淀積側)上形成孔h。順便說一下，可以將噴管修改為這樣的類型，其中通過相同的噴管同時噴射三種反應物，也就是有機金屬化合物、乙硼烷和純水；或者將噴管修改為這樣的類型，其中分開地噴射有機金屬化合物、乙硼垸和純水。只要噴管和管可以緊密地布置并使得它們之間不留下間隔，噴管4a和4b以及冷卻管4c地截面形狀可以為另外形狀，例如圓形。示出的冷卻管是例子，并且可以布置比圖中更少或更多的冷卻管。在如上所述的該組噴管之間的插入冷卻管的位置中，可以采用這樣的結構，其中將一組冷卻管或扁平冷卻器布置在與噴射側相對的側(背側)上的噴管組上，以至于與該組噴管接觸，從而冷卻整組的噴管。該結構的特征在于可以分別對復合噴管進行直接冷卻。冷卻管4c對噴管4a和4b進行冷卻，從而抑制用于膜淀積的原料也就是有機金屬化合物、乙硼烷和純水在噴管周圍發生反應。由于噴管4a和4b以及冷卻管4c具有平板(一板式)結構，其中它們被緊密地布置并且它們之間不留有間隔，所以在噴管的背側上或腔室的上部上不積聚原料(該結構起到附著防止板的作用)。因此，減少了要使用的原料的量。上述實施例是其中淀積ZnO作為透明導電膜的實施例。然而，在淀積氧化鋁Al203的情況下，要被用作原料的有機金屬化合物為Al(CnH2n+1)3，優選地為A1(CH3)3或A1(C2H5)3。定位器7a是用于固定基板并將其傳輸通過膜淀積設備中的每個部分的生產夾具，并由具有高導熱率的部件(碳復合物)制成。為了增強具有低機械強度的碳材料的機械強度的目的，將具有高導熱率和高機械強度的金屬涂層(例如，鎳淀積)施加到其表面上。此外，布置用于基板固定的銷，從而使得定位器能夠接收任何尺寸的基板。裝料部分3設有預熱機構3A，用于利用加熱器從上對基板進行加熱，并且取出部分5設有基板冷卻機構5A，用于利用冷卻板從下對基板進行冷卻。下面給出的表1顯示了在兩種情況之間的用于透明導電膜的原料的使用效率的對比情況，一種情況下，利用圖2所示的復合噴管4A形成透明導電膜，該復合噴管4A布置在用于多層透明導電膜的連續形成的本發明的膜淀積設備的多層淀積處理部分4中的每個淀積處理部分41…4n中(在下文中稱為根據本發明的復合噴管4A);另一種情況下，利用現有技術的膜淀積設備中的圖6所示的噴管形成透明導電膜。在采用根據本發明的噴管的生產設備和采用現有技術噴管的生產設備之間的原料使用效率的比較<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>如表1中所示，發現根據本發明的復合噴管4A在原料使用效率上比現有技術的膜淀積設備的噴管更高。圖3示出了在兩種情況之間的透明導電膜的膜特性(薄層電阻分布)的對比，一種情況下，使用由具有高導熱率的碳復合材料制成的定位器，利用本發明的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備，形成透明導電膜；在另一種情況下，利用將基板直接放置在加熱板上進行加熱的現有技術的膜淀積設備形成透明導電膜。如圖3所示，發現在本發明的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備中使用由碳復合材料制成的定位器形成的透明導電膜，比在現有技術的膜淀積設備中直接將基板直接放置在加熱板上進行加熱的情況具有更均勻的膜特性(薄層電阻分布)。順便說一下，薄層電阻在6-8[Q/口]的范圍內均勻分布。下面給出的表2示出在兩種情況之間的基板處理速度的比較，在一種情況下，利用本發明的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備來形成透明導電膜，在該膜淀積設備中裝料部分3和取出部分5分別地設有預熱機構3A和基板冷卻機構5A;而在另一種情況下，利用現有技術的膜淀積設備來形成透明導電膜。本發明的生產設備和現有技術生產設備之間的基板處理速度的比較<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>如表2所示，發現本發明的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備獲得比現有技術的膜淀積設備更短的膜淀積時間。如下給出的表3示出兩種CIS型薄膜太陽能電池之間的太陽能電池特性的比較，一種使用利用本發明的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備形成的透明導電膜；另一種使用利用現有技術的膜淀積設備形成的透明導電膜。利用本發明的生產設備生產的CIS型薄膜太陽能電池和利用現有技術的生產設備生產的CIS型薄膜太陽能電池之間的太陽能電池特性的比較(集成結構；30cmX120cm尺寸)<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>如表3所示，發現本發明的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備獲得比現有技術的膜淀積設備更好的太陽能電池特性。此外，圖4示出兩種情況下膜質量(薄層電阻)和膜淀積操作的數目之間的關系，一種情況下，利用根據本發明的噴管連續地形成透明導電膜；而另一種情況下，利用現有技術的噴管分批形成透明導電膜。在使用現有技術的噴管分批重復地執行膜淀積的情況下的透明導電膜的薄層電阻(見圖6)以及在使用根據本發明的噴管連續地執行膜淀積的情況下的透明導電膜的薄層電阻(見圖2)之間的對比證明了如下情況。在使用現有技術的噴管的情況下，隨著膜淀積操作的數目增加，噴管被加熱，并且饋給到基板上的原料減少，導致膜厚度的減小，并由此導致圖4所示的透明導電膜的薄層電阻的增加。因此具有這樣的問題，即太陽能電池具有降低的轉換效率。與之相反，在利用根據本發明的噴管連續地執行膜淀積的情況下，由于噴管冷卻機構，使透明導電膜的薄層電阻是不變的。權利要求1.一種具有膜淀積腔室的透明導電膜淀積設備，其中在抽空該腔室之后，在對基板進行加熱的同時，利用金屬有機化學汽相淀積(MOCVD)方法，將有機金屬化合物(烷基鋅Zn(CnH2n+1；n是整數)2，優選地為二乙基鋅Zn(C2H5)2)、乙硼烷(B2H6)以及水(水汽)在汽相下進行反應，從而在基板上形成包括n型半導體的透明導電膜，其中使用乙硼烷和惰性氣體分別作為電導率調節的摻雜劑和載氣，以及使用有機金屬化合物和純水作為用于膜淀積的原料，并且在該設備內部設有一組板狀構造的噴管，其包括管形噴管，這些噴管具有在其噴射側上形成的噴射孔，用于同時地或分開地噴射包括有機金屬化合物、乙硼烷和純水的三種原料，并且這些噴管布置為在同一個平面內彼此相鄰，且在它們之間不留下間隔，并且該設備進一步設有對該組噴管進行冷卻的噴管冷卻機構。2.—種用于多層透明導電膜的連續形成的串聯式膜淀積設備，其包括基板附著部分，在此在空氣中將基板附著到定位器；裝料部分，在此執行抽空；多層淀積處理部分，其包括兩個或更多淀積處理部分，用于在對基板進行加熱的同時，通過將有機金屬化合物(烷基鋅Zn(CnH2n+1;n是整數)2，優選地為二乙基鋅Zn(C2H5)2)、乙硼烷(B2H6)以及水(水汽)在汽相下進行反應，利用金屬有機化學汽相淀積(MOCVD)方法，在基板上形成包括n型半導體的多層透明導電膜；取出部分，在此將真空中的具有多層透明導電膜的基板返回到大氣壓力；基板分離部分，在此將具有多層透明導電膜的基板從定位器分離；以及定位器返回部分，在此將在基板分離部分中分離了具有多層透明導電膜的基板的定位器返回到基板附著部分，并且其中，在將基板順序地移動通過這些部分的同時，連續地執行膜淀積，從而在基板上形成包括多層n型半導體的多層透明導電膜，其中在所述多層淀積處理部分中的每個淀積處理部分中，分別使用乙硼垸和惰性氣體作為用于導電率調節的摻雜劑和載氣，以及使用有機金屬化合物和純水作為用于膜淀積的原料，并且在淀積處理部分內設有一組板狀結構的噴管，其包括管形噴管，這些噴管具有在其噴射側上形成的噴射孔，用于同時或分開地噴射包括有機金屬化合物、乙硼烷和純水的三種原料，并且這些噴管被布置為在相同的平面內彼此相鄰且在它們之間不留下間隔，該淀積處理部分還設有對該組噴管進行冷卻的噴管冷卻機構。3.根據權利要求2所述的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備，其中，所述裝料部分和取出部分分別設有預熱機構和基板冷卻機構，從而以提高的膜淀積速度通過兩個或多個淀積處理部分來形成具有必需厚度的多層膜。4.根據權利要求1、2或3所述的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備，其中，所述噴管冷卻機構包括冷卻管，每個冷卻管被布置在該組噴管的噴管之間，并且在它們之間不留下間隔。5.根據權利要求1、2或3所述的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備，其中，所述噴管冷卻機構包括一組彼此鄰近布置的冷卻管、或者扁平冷卻器，其中，將該組冷卻管或該扁平冷卻器設置在與噴射側相對的側(背側)上的板狀結構的噴管組上。6.根據權利要求2所述的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備，其中，所述定位器是用于固定基板并將基板傳輸通過膜淀積設備中的每個部分的生產夾具，并且由具有高導熱率的部件(例如碳復合物)制成，其表面涂敷有具有高導熱率和高機械強度的金屬涂層(例如鎳淀積)，所述定位器具有用于基板固定的銷。7.—種用于在基板上進行包括多層n型半導體的多層透明導電膜的連續形成的串聯式膜淀積方法，該方法包括在空氣中將基板附著到定位器上的步驟；將附著到定位上的基板抽空的步驟；將通過金屬有機化學汽相淀積(MOCVD)方法進行的膜淀積重復地執行兩次或更多次從而在基板上形成包括n型半導體的多層透明導電膜的步驟，其中，該金屬有機化學汽相淀積(MOCVD)方法包括在對基板進行加熱的同時，將有機金屬化合物(烷基鋅Zn(CnH2n+1;n是整數)2，優選地為二乙基鋅Zn(C2H5)2)、乙硼垸(B2H6)以及水(水汽)在汽相下進行反應；將真空中具有多層透明導電膜的基板返回到大氣壓力的步驟；將具有多層透明導電膜的基板從定位器分離的步驟；以及將分離了具有多層透明導電膜的基板的定位器返回到基板附著部分的步驟。8.根據權利要求7的用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積方法，其中，在形成多層透明導電膜的步驟中，分別使用乙硼垸和惰性氣體作為用于導電率調節的摻雜劑和載氣，以及使用有機金屬化合物和純水作為用于膜淀積的原料，并且在設備內部設有一組板狀結構的噴管，其包括管形噴管，這些噴管具有在其噴射側上形成的噴射孔，用于同時地或分開地噴射包括有機金屬化合物、乙硼烷和純水的三種原料，并且這些噴管被布置為在相同平面內彼此相鄰，而在它們之間不留下間隔，并且該設備還設有對該組噴管進行冷卻的噴管冷卻機構。全文摘要節省原料并增加膜淀積速度，同時保持膜的均勻度和較高的膜質量。提供一種用于多層透明導電膜的連續形成的膜淀積設備，其包括基板附著部分；裝料部分，在此執行抽空；多層淀積處理部分，其包括兩個或更多淀積處理部分，用于通過在汽相下對有機金屬化合物(乙二酸鋅)、乙硼烷和水進行反應，利用MOCVD方法在基板上形成透明導電膜；基板取出部分；基板分離部分；以及定位器返回部分，在這里將基板定位器返回到基板附著部分。在將基板順序地移動通過這些部分的同時接連地執行膜淀積。每個淀積處理部分設有用于噴射有機金屬化合物、乙二酸鋅和水的噴管以及設有用于對該噴管冷卻的冷卻機構。文檔編號H01L51/42GK101107695SQ20068000291公開日2008年1月16日申請日期2006年1月20日優先權日2005年1月21日發明者田中良明申請人:昭和硯殼石油株式會社