專利名稱：一種真空填孔技術的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種晶圓填孔技術，尤其涉及一種真空填孔技術。
背景技術：
終端產品的發展趨勢和規格需求，始終是組件技術發展的驅動力。若以三大信息產品類別——信息、通訊和消費性產品的發展以及其對組件的主要需求來看，始終仍不脫離小型化、高速/高效能、低成本、高容量、同/異質性整合等幾個構面區追求。在整個WLCSP 或者是3D IC成本中，填充孔洞占總成本41 %，是非常重要的一環。TSV即是將晶圓穿孔(鐳射貫孔或蝕刻)后，將電子回路經由此孔由晶圓表面貫穿至晶圓背后，以達到使用晶圓背面制作回路的目的，并達到WLCSP的目的。目前的填孔技術主要有擠壓法和電鍍法擠壓法是將充滿納米金屬的導電金屬膠以涂布擠壓的方式，將銀膠擠入孔中，形成導通狀況。其無法解決的問題是在擠壓(數次) 的過程中無法避免氣泡或孔中銀膠不連續鏈接的問題；電鍍法是先行以Sputter電鍍或 Plasma電漿方式將導電物質打入孔中，在利用電鍍electroplate方式將導電金屬鍍入孔中；難度非常高，有時會破壞晶圓，亦有不均勻的狀況產生，成本及設備非常高，有污染性。

發明內容
本發明的目的是提供一種真空填孔技術，它無須以電鍍方式進行加工，可依降低對環境的沖擊，且投資成本大幅降低；擠壓法無法處里的不連續見面和氣孔，真空填孔技術可以輕易解決；真空填孔技術完全以物理特性方式進行加工，無化學反應中隱含的不穩定因素。為了解決背景技術所存在的問題，本發明是采用以下技術方案它的工藝流程為 1)將充滿納米金屬液體，倒在晶圓表面，以晶圓旋轉方式，使得納米金屬液體漫布在晶圓表面；2)在晶圓背面以覆蓋一層濾網，利用真空方式將納米金屬液體經由貫孔吸出液體，而將納米金屬留在貫孔中；3)移除濾網，清除表面殘留納米金屬；4)將整個晶圓，以真空將剩余液體升華，另一方面以高溫，納米金屬則融化并固化。本發明的優點是它無須以電鍍方式進行加工，可依降低對環境的沖擊，且投資成本大幅降低；擠壓法無法處里的不連續見面和氣孔，真空填孔技術可以輕易解決；真空填孔技術完全以物理特性方式進行加工，無化學反應中隱含的不穩定因素。
具體實施例方式本具體實施方式
采用以下技術方案它的工藝流程為1)將充滿納米金屬液體， 倒在晶圓表面，以晶圓旋轉方式，使得納米金屬液體漫布在晶圓表面；2)在晶圓背面以覆蓋一層濾網，利用真空方式將納米金屬液體經由貫孔吸出液體，而將納米金屬留在貫孔中； 3)移除濾網，清除表面殘留納米金屬；4)將整個晶圓，以真空將剩余液體升華，另一方面以高溫，納米金屬則融化并固化。
本具體實施方式
的優點是它無須以電鍍方式進行加工，可依降低對環境的沖擊， 且投資成本大幅降低；擠壓法無法處里的不連續見面和氣孔，真空填孔技術可以輕易解決； 真空填孔技術完全以物理特性方式進行加工，無化學反應中隱含的不穩定因素。
權利要求
1. 一種真空填孔技術，其特征在于它的工藝流程為1)將充滿納米金屬液體，倒在晶圓表面，以晶圓旋轉方式，使得納米金屬液體漫布在晶圓表面；2)在晶圓背面以覆蓋一層濾網，利用真空方式將納米金屬液體經由貫孔吸出液體，而將納米金屬留在貫孔中；3)移除濾網，清除表面殘留納米金屬；4)將整個晶圓，以真空將剩余液體升華，另一方面以高溫，納米金屬則融化并固化。
全文摘要
一種真空填孔技術，它涉及一種晶圓填孔技術。它的工藝流程為1)將充滿納米金屬液體，倒在晶圓表面，以晶圓旋轉方式，使得納米金屬液體漫布在晶圓表面；2)在晶圓背面以覆蓋一層濾網，利用真空方式將納米金屬液體經由貫孔吸出液體，而將納米金屬留在貫孔中；3)移除濾網，清除表面殘留納米金屬；4)將整個晶圓，以真空將剩余液體升華，另一方面以高溫，納米金屬則融化并固化。它無須以電鍍方式進行加工，可依降低對環境的沖擊，且投資成本大幅降低；擠壓法無法處里的不連續見面和氣孔，真空填孔技術可以輕易解決；真空填孔技術完全以物理特性方式進行加工，無化學反應中隱含的不穩定因素。
文檔編號H01L21/768GK102403262SQ20101028156
公開日2012年4月4日 申請日期2010年9月15日 優先權日2010年9月15日
發明者李應煌, 涂嘉晉 申請人:李應煌, 涂嘉晉