專利名稱：半導體裝置用薄膜以及半導體裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體裝置用薄膜、以及使用該半導體裝置用薄膜制造的半導體裝置。
背景技術：
以往，在半導體裝置的制造過程中，在引線框和電極構件上固著半導體芯片時采用銀漿。所述固著處理通過在引線框的芯片焊盤等上涂布漿狀膠粘劑，在其上搭載半導體芯片并使漿狀膠粘劑層固化來進行。但是，漿料膠粘劑由于其粘度行為或劣化等而在涂布量或涂布形狀等方面產生大的偏差。結果，形成的漿狀膠粘劑厚度不均勻，因此半導體芯片的固著強度缺乏可靠性。即， 在漿狀膠粘劑的涂布量不足時，半導體芯片與電極構件之間的固著強度降低，從而在后續的絲焊工序中半導體芯片剝離。另一方面，在漿狀膠粘劑的涂布量過多時，漿狀膠粘劑會流延到半導體芯片上而產生特性不良，從而成品率和可靠性下降。這樣的固著處理中的問題， 伴隨半導體芯片的大型化變得特別顯著。因此，需要頻繁地進行漿狀膠粘劑的涂布量的控制，從而給作業性或生產率帶來問題。在該漿狀膠粘劑的涂布工序中，有將漿狀膠粘劑分別涂布到引線框和形成的芯片上的方法。但是，在該方法中，漿狀膠粘劑層難以均勻化，并且漿狀膠粘劑的涂布需要特殊裝置和長時間。因此，提出了切割薄膜、帶有切割片的膠粘薄膜，其在切割工序中膠粘保持半導體芯片，并且也提供安裝工序所需的芯片固著用膠粘劑層(例如，參考專利文獻1)。該帶有切割片的膠粘薄膜以可剝離的方式在支撐基材上設置有膠粘劑層，在該膠粘劑層的保持下對半導體晶片進行切割后，拉伸支撐基材將形成的芯片與膠粘劑層一起剝離，將其分別回收，并通過該膠粘劑層將其固著到引線框等被粘物上。以往，由于受到制造工序上的制約，帶有切割片的膠粘薄膜是分別制作切割薄膜和膠粘薄膜，然后將二者粘貼而制作的。因此，在各薄膜的制作工序中，從防止產生松弛或卷繞偏移、位置偏移、空隙(氣泡)等的觀點考慮，在利用輥進行運送時，在對各薄膜施加拉伸張力的同時對其進行制作。這種帶有切割片的膠粘薄膜，在高溫、高濕的環境下放置、或者在施加有負荷的狀態下長期保存時，有時發生固化。結果，導致膠粘劑層的流動性和對半導體晶片的保持力下降、切割后的剝離性下降。因此，多數情況下在-30 -10°C的冷凍狀態、或者-5 10°C的冷藏狀態下將帶有切割片的膠粘薄膜進行保存的同時進行運輸，由此可以長期保持薄膜特性。考慮到對半導體晶片的粘貼、切割時對貼片環框(U > V 7 > — Λ )的安裝等的作業性，作為上述的帶有切割片的膠粘薄膜，存在預先加工為待粘貼的半導體晶片的形狀 (例如圓形)的、實施了預切割加工的膠粘薄膜。這樣的帶有切割片的膠粘薄膜，通過在基材層上層疊有粘合劑層的切割薄膜上粘貼沖裁為圓形的膠粘薄膜后，將切割薄膜沖裁為與貼片環框對應的圓形而制造。由此，在切割半導體晶片時，可以將貼片環框粘貼到切割薄膜的外周部從而將帶有切割片的膠粘薄膜固定。預切割加工后的帶有切割片的膠粘薄膜，在以規定的間隔粘貼到長尺寸的覆蓋薄膜上后，卷繞為卷筒狀，作為半導體裝置用薄膜進行運輸和保存。現有技術文獻專利文獻專利文獻1 日本特開昭60-57642號公報

發明內容
但是，在上述的半導體裝置用薄膜的情況下，層疊有帶有切割片的膠粘薄膜的部分的厚度比未進行層疊的部分的厚度厚。因此，特別是在卷繞數增大、卷繞時的張力增高的情況下，一個帶有切割片的膠粘薄膜的邊緣被按壓在另一個帶有切割片的膠粘薄膜上，從而將卷繞印跡(卷豸跡)轉印在后者上，有時膠粘薄膜的平滑性受到損害。這樣的轉印痕跡，特別是在膠粘薄膜由比較柔軟的樹脂形成的情況、膠粘薄膜的厚度厚的情況、以及半導體裝置用薄膜的卷繞數多的情況等情況下顯著產生。而且，在將由于具有這樣的轉印痕跡而缺乏平滑性的膠粘薄膜粘貼到半導體晶片上時，在半導體晶片與膠粘薄膜之間會產生空隙(氣泡)。這樣的空隙在半導體晶片加工時會導致缺陷，從而有可能使所制造的半導體裝置的成品率降低。因此，為了抑制上述轉印痕跡的產生，考慮了降低半導體裝置用薄膜的卷繞壓力的方法。但是，這樣的方法有可能會產生卷繞偏移，從而在實際使用時造成障礙，例如，難以設置到膠帶安裝工具上等。本發明鑒于上述問題而創立，其目的在于提供一種半導體裝置用薄膜，該半導體裝置用薄膜為，在切割薄膜上層疊有膠粘薄膜的帶有切割片的膠粘薄膜以規定的間隔層疊在覆蓋薄膜上而得到的半導體裝置用薄膜，在將該半導體裝置用薄膜卷繞為卷筒狀時，可以抑制在膠粘薄膜上產生轉印痕跡。本發明人為了解決所述現有問題點，對半導體裝置用薄膜進行了研究。結果發現， 通過控制構成半導體裝置用薄膜的膠粘薄膜的拉伸儲能彈性模量和覆蓋薄膜的拉伸儲能彈性模量，可以抑制在芯片接合薄膜上產生轉印痕跡，由此完成了本發明。S卩，本發明的半導體裝置用薄膜，其為在切割薄膜上層疊有膠粘薄膜的帶有切割片的膠粘薄膜以規定的間隔層疊在覆蓋薄膜上而得到的半導體裝置用薄膜，其特征在于， 23°C下膠粘薄膜的拉伸儲能彈性模量fe與23°C下覆蓋薄膜的拉伸儲能彈性模量肪的比 Ea/Eb在0. 001 50的范圍內。所述權/肪的值越大，相對而言膠粘薄膜越硬，覆蓋薄膜越軟。另一方面，所述fe/ Eb的值越小，相對而言膠粘薄膜越軟，覆蓋薄膜越硬。根據所述構成，由于所述權/肪為 0. 001以上，因此膠粘薄膜的硬度(拉伸儲能彈性模量Ea)為一定水平以上。因此，可以抑制在構成帶有切割片的膠粘薄膜的膠粘薄膜上產生轉印痕跡。另外，由于所述權/肪為0. 001 以上，膠粘薄膜的硬度(拉伸儲能彈性模量Ea)為一定水平以上，因此膠粘薄膜的滑動性提高，從而在往覆蓋薄膜上粘貼時可以抑制產生褶皺。另外，由于所述權/肪為50以下，因此覆蓋薄膜的硬度(拉伸儲能彈性模量Eb)為一定水平以上，另一方面，膠粘薄膜的硬度(拉伸儲能彈性模量Ea)為一定水平以下。因此， 可以提高覆蓋薄膜對膠粘薄膜的追隨性。另外，在往覆蓋薄膜上粘貼膠粘薄膜時可以抑制覆蓋薄膜產生折斷，可以防止損傷膠粘薄膜或者在薄膜間混入氣泡。結果，可以抑制覆蓋薄膜的薄膜翹起，或在半導體晶片的安裝時可以抑制膠粘薄膜與半導體晶片之間產生空隙。這樣，根據所述構成，在卷繞為卷筒狀時，可以抑制在膠粘薄膜上產生轉印痕跡。 另外，可以抑制覆蓋薄膜的薄膜翹起，或在半導體晶片的安裝時可以抑制膠粘薄膜與半導體晶片之間產生空隙(氣泡)。關于所述構成，優選在溫度23士2°C、剝離速度300mm/分鐘的條件下的T型剝離試驗中，所述膠粘薄膜與所述覆蓋薄膜之間的剝離力F1在0. 025 0. 075N/100mm的范圍內，所述膠粘薄膜與所述切割薄膜之間的剝離力F2在0. 08 10N/100mm的范圍內，并且所述F1與所述F2滿足F1 < F2的關系。半導體裝置用薄膜，從防止松弛或卷繞偏移、位置偏移、空隙(氣泡)等的觀點考慮，在對切割薄膜或膠粘薄膜、覆蓋薄膜施加拉伸張力的同時進行制造。結果，半導體裝置用薄膜是在構成其的任意一個薄膜存在拉伸殘留應變的狀態下進行制造的。該拉伸殘留應變，例如在-30 -10°C的冷凍狀態、或者-5 10°C的低溫狀態下輸送或長時間保存的情況下，會在各薄膜中引起收縮。另外，由于各薄膜的物性不同，因此收縮的程度也不同。例如，切割薄膜在各薄膜中收縮程度最大，覆蓋薄膜的收縮程度最小。結果，在切割薄膜與膠粘薄膜間產生界面剝離，或者引起覆蓋薄膜的薄膜翹起現象。所述構成是，將膠粘薄膜與覆蓋薄膜之間的剝離力F1調節到0. 025 0. 075N/100mm的范圍內，并且將膠粘薄膜與切割薄膜之間的剝離力F2調節到0. 08 10N/100mm的范圍內，由此滿足F1 < F2的關系的構成。如前所述，由于各薄膜的收縮中切割薄膜的最大，因此通過使膠粘薄膜與切割薄膜之間的剝離力F2大于膠粘薄膜與覆蓋薄膜之間的剝離力F1,由此抑制收縮率最大的切割薄膜的收縮，從而防止切割薄膜與膠粘薄膜之間的界面剝離、覆蓋薄膜的薄膜翹起現象。另外，可以防止膠粘薄膜部分或全部轉印到覆蓋薄膜上。關于所述構成，優選所述膠粘薄膜含有重均分子量為30萬以上且150萬以下的熱塑性樹脂。通過將所述熱塑性樹脂的重均分子量設定為30萬以上，可以將23°C下膠粘薄膜的拉伸儲能彈性模量fe控制為合適的值。關于所述構成，優選所述膠粘薄膜含有使單體成分聚合而得到的熱塑性樹脂，所述單體成分含有含羧基單體。通過含有使含有含羧基單體的單體成分聚合而得到的熱塑性樹脂，可以將膠粘薄膜的拉伸儲能彈性模量fe控制為合適的值。關于所述構成，優選所述膠粘薄膜含有作為熱塑性樹脂的丙烯酸類樹脂，并且所述丙烯酸類樹脂的玻璃化轉變溫度為20°C以下。膠粘薄膜中所含的丙烯酸類樹脂的玻璃化轉變溫度為20°C以下時，可以防止膠粘薄膜的流動性下降。另外，可以保持與半導體晶片的良好膠粘性。關于所述構成，優選23°C下膠粘薄膜的拉伸儲能彈性模量fe為5 5000MPa。關于所述構成，優選23°C下覆蓋薄膜的拉伸儲能彈性模量肪為5 5000MPa。另外，本發明的半導體裝置，其中，使用所述中記載的半導體裝置用薄膜進行制造。


圖1的(a)是表示本實施方式的半導體裝置用薄膜的概略的俯視圖，(b)為其局部剖視圖。圖2為將圖1 (a)和圖1 (b)所示的半導體裝置用薄膜卷繞為卷筒狀的狀態下的局部剖視圖。圖3是用于說明所述半導體裝置用薄膜的制造過程的概略圖。附圖標記1帶有切割片的膠粘薄膜2覆蓋薄膜10半導體裝置用薄膜11切割薄膜12膠粘薄膜13 基材14粘合劑層21第一隔片22基材隔片23第二隔片
具體實施例方式以下對本實施方式的半導體裝置用薄膜進行說明。圖1 (a)是表示本實施方式的半導體裝置用薄膜的概略的俯視圖，圖1 (b)是其局部剖視圖。半導體裝置用薄膜10具有帶有切割片的膠粘薄膜1以規定的間隔層疊在覆蓋薄膜2上的構成。帶有切割片的膠粘薄膜1具有在切割薄膜11上層疊有膠粘薄膜12的結構，并且切割薄膜11具有在基材13上層疊有粘合劑層14的結構。圖2是將圖1 (a)和圖1 (b)所示的半導體裝置用薄膜卷繞為卷筒狀的狀態下的局部剖視圖。如圖2所示，卷繞為卷筒狀的半導體裝置用薄膜10中，在層疊有帶有切割片的膠粘薄膜1的部分與未層疊的部分18間存在高差19。另外，覆蓋薄膜2上的多個帶有切割片的膠粘薄膜1在橫向上相互錯開層疊。因此，一個帶有切割片的膠粘薄膜1的邊緣被按壓到另一個帶有切割片的膠粘薄膜1上。關于半導體裝置用薄膜10，23°C下膠粘薄膜12的拉伸儲能彈性模量fe與23°C下覆蓋薄膜2的拉伸儲能彈性模量肪的比Ea/肪在0. 001 50的范圍內。所述Ea/肪優選為0. 01 30，更優選0. 1 10。所述權/肪的值越大，相對地膠粘薄膜12越硬、覆蓋薄膜 2越軟。另一方面，所述權/肪的值越小，相對地膠粘薄膜12越軟、覆蓋薄膜2越硬。根據半導體裝置用薄膜10，由于所述Ea/肪為0. 001以上，因此膠粘薄膜12的硬度(拉伸儲能彈性模量Ea)為一定水平以上。因此，可以抑制在構成帶有切割片的膠粘薄膜1的膠粘薄膜2上產生轉印痕跡。另外，根據半導體裝置用薄膜10，由于所述權/肪為0.001以上，膠粘薄膜12的硬度(拉伸儲能彈性模量Ea)為一定水平以上，因此膠粘薄膜12的滑動性提高，從而在往覆蓋薄膜2上粘貼時可以抑制產生褶皺。
另外，根據半導體裝置用薄膜10，由于所述權/肪為50以下，因此覆蓋薄膜2的硬度(拉伸儲能彈性模量肪)為一定水平以上，另一方面，膠粘薄膜12的硬度(拉伸儲能彈性模量Ea)為一定水平以下。因此，可以提高覆蓋薄膜2對膠粘薄膜12的追隨性。另外， 在往膠粘薄膜2上粘貼膠粘薄膜12時可以抑制覆蓋薄膜2產生折斷，并可以防止損傷膠粘薄膜12或者在薄膜間混入氣泡。結果，可以抑制覆蓋薄膜2的薄膜翹起，或在半導體晶片的安裝時可以抑制膠粘薄膜12與半導體晶片之間產生空隙。這樣，根據半導體裝置用薄膜10，在卷繞為卷筒狀時，可以抑制在膠粘薄膜12上產生轉印痕跡。另外，可以抑制覆蓋薄膜2的薄膜翹起，或在半導體晶片的安裝時可以抑制在膠粘薄膜12與半導體晶片之間產生空隙(氣泡)。膠粘薄膜12與覆蓋薄膜2之間的剝離力F1小于膠粘薄膜12與切割薄膜11之間的剝離力F2。半導體裝置用薄膜10，從在其制造過程中防止產生松弛或卷繞偏移、位置偏移、 空隙(氣泡)等的觀點考慮，在對切割薄膜11、膠粘薄膜12和覆蓋薄膜2施加拉伸張力的同時進行層疊、制造。因此，各薄膜中存在拉伸殘留應變。該拉伸殘留應變例如在-30 -10°C 的冷凍狀態、或者-5 10°C的低溫狀態下運輸或長時間保存的情況下，會在各薄膜中分別引起收縮。例如，切割薄膜的收縮程度最大，覆蓋薄膜的收縮程度最小。在此，本實施方式的半導體裝置用薄膜中，通過使所述剝離力F1和F2滿足F1 < F2的關系，由此可以防止由于各薄膜間的收縮差異而引起的薄膜間的界面剝離或覆蓋薄膜2的薄膜翹起現象。另外，可以防止膠粘薄膜12部分或全部轉印到覆蓋薄膜2上。膠粘薄膜12與覆蓋薄膜2之間的剝離力F1優選在0. 025 0. 075N/100mm的范圍內，更優選0. 03 0. 06N/100mm的范圍內，特別優選0. 035 0. 05N/IOOmm的范圍內。剝離力F1低于0. 025N/100mm時，例如在-30 _10°C的冷凍狀態、或者_5 10°C的低溫狀態下運輸或長時間保存的情況下，膠粘薄膜12和覆蓋薄膜2以各不相同的收縮率收縮，由此有時產生覆蓋薄膜2的薄膜翹起現象。另外，在半導體裝置用薄膜10等的運送中，有時產生褶皺或卷繞偏移、異物的混入。另外，在半導體晶片的安裝時有時在膠粘薄膜12與半導體晶片間產生空隙(氣泡)。另一方面，剝離力F1大于0.075N/100mm時，由于膠粘薄膜 12與覆蓋薄膜2的密合性過強，因此在剝離覆蓋薄膜2或其收縮時，有時構成膠粘薄膜12 的膠粘劑(具體如后所述)部分或全部地進行轉印。另外，在膠粘薄膜12為熱固型的情況下，所述剝離力F1的值是指熱固化前的膠粘薄膜12與覆蓋薄膜2之間的剝離力。另外，膠粘薄膜12與切割薄膜11之間的剝離力F2優選在0. 08 10N/100mm的范圍內，更優選0. 1 6N/100mm的范圍內，特別優選0. 15 0. 4N/IOOmm的范圍內。剝離力F2為0. 08N/100mm以上時，例如在-30 _10°C的冷凍狀態、或者_5 10°C的低溫狀態下運輸或長時間保存的情況下，可以防止切割薄膜11和膠粘薄膜12以各不相同的收縮率進行收縮，由此在切割薄膜11與膠粘薄膜12之間產生界面剝離。另外，在半導體裝置用薄膜10等的運送中可以防止產生褶皺或卷繞偏移、異物的混入、空隙。另外，在切割半導體晶片時可以防止產生芯片飛散或碎片。另一方面，剝離力F2為10N/100mm以下時，在拾取半導體芯片時，膠粘薄膜12與粘合劑層14之間的剝離性適當，可以良好地進行半導體芯片的拾取。另外，可以防止構成粘合劑層14的粘合劑(具體如后所述)膠糊附著在帶有膠粘劑的半導體芯片上。另外，所述剝離力F2的數值范圍也包括，切割薄膜11中的粘合劑層為紫外線固化型并且預先通過照射紫外線進行了一定程度的固化的情況。另外，通過照片紫外
7線進行的粘合劑層的固化，可以在與膠粘薄膜12粘貼前進行，也可以在粘貼后進行。所述剝離力F1和F2的值是在溫度23 士 2°C、剝離速度300mm/分鐘、夾盤間距IOOmm 的條件下進行的T型剝離試驗(JIS K6854-3)的測定值。另外，作為拉伸試驗機，使用商品名“才一卜夕‘，7 AGS-Η” (株式會社島津制作所制造)。切割薄膜11中的基材13，不僅是切割薄膜11、而且也是半導體裝置用薄膜10的強度母體。作為基材13，可以列舉例如低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、 聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、 聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、聚硅氧烷樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，粘合劑層 14為紫外線固化型的情況下，作為基材13，優選所述例示的材料中具有紫外線透射性的材料。另外，作為基材13的材料，可以列舉所述樹脂的交聯體等聚合物。所述塑料薄膜可以不進行拉伸地使用，也可以根據需要進行單軸或雙軸拉伸處理后使用。利用通過拉伸處理等而獲得了熱收縮性的樹脂片，通過在切割后使該基材13進行熱收縮，可以減小粘合劑層14與膠粘薄膜12的膠粘面積，從而可以容易地回收半導體芯片。為了提高與鄰接層的密合性、保持性等，基材13的表面可以實施慣用的表面處理，例如，鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離放射線處理等化學或物理處理、利用底涂劑(例如后述的粘合物質)的涂布處理。基材13可以適當地選擇使用同種或不同種類的材料，根據需要也可以使用將幾種材料共混后的材料。另外，為了賦予基材13防靜電性能，可以在基材13上設置包含金屬、 合金、它們的氧化物等的厚度為約30A 約500A的導電物質的蒸鍍層。基材13可以是單層或者兩種以上的多層。基材13的厚度沒有特別限制，可以適當確定，一般為約5 μ m 約200 μ m。只要具有能夠耐受通過前述熱收縮而由膠粘薄膜12產生的張力的厚度，則沒有特別限制。作為粘合劑層14的形成中使用的粘合劑，沒有特別限制，例如，可以使用丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等普通的壓敏粘合劑。作為所述壓敏粘合劑，從半導體晶片或玻璃等避忌污染的電子部件具有超純水或醇等有機溶劑的清潔洗滌性等的觀點考慮，優選以丙烯酸類聚合物為基礎聚合物的丙烯酸類粘合劑。作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉例如使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、 十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數1 30、特別是碳原子數4 18的直鏈或支鏈烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷酯(例如，環戊酯、環己酯等)的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸類聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發明的(甲基)全部表示相同的含義。所述丙烯酸類聚合物，為了改善凝聚力、耐熱性等，根據需要可以含有與能夠同所述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷酯共聚的其它單體成分對應的單元。作為這樣的單體成分， 可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、 衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基) 丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；丙烯酰胺、丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的使用量優選為全部單體成分的40重量％以下。另外，所述丙烯酸類聚合物為了進行交聯根據需要也可以含有多官能單體等作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能單體，可以列舉例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、 (聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基) 丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三 (甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基) 丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體也可以使用一種或兩種以上。 多官能單體的使用量從粘合特性等觀點考慮優選為全部單體成分的30重量％以下。所述丙烯酸類聚合物可以通過將單一單體或兩種以上的單體混合物聚合而得到。 聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意方式進行。從防止對潔凈被粘物的污染等觀點考慮，優選低分子量物質的含量少。從該點考慮，丙烯酸類聚合物的數均分子量優選為約30萬以上，更優選約40萬 約150萬。另外，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸類聚合物等的數均分子量，所述粘合劑中也可以適當采用外部交聯劑。外部交聯方法的具體手段可以列舉添加多異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯劑等所謂的交聯劑并使其進行反應的方法。使用外部交聯劑時，其使用量根據與應進行交聯的基礎聚合物的平衡以及作為粘合劑的使用用途適當確定。一般而言，相對于所述基礎聚合物100重量份優選配合約5重量份以下，進一步優選配合0. 1 5重量份。另外，根據需要，在粘合劑中除所述成分以外也可以使用現有公知的各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。粘合劑層14可以通過紫外線固化型粘合劑形成。紫外線固化型粘合劑通過照射紫外線使交聯度增大，從而可以容易地降低其粘合力，通過僅對粘合劑層14的與半導體晶片粘貼部分對應的部分照射紫外線，可以設置與其它部分的粘合力的差。所述粘合劑層14紫外線固化后的23°C下的拉伸彈性模量優選在1 170MPa的范圍內，更優選在5 IOOMPa的范圍內。通過將所述拉伸彈性模量調節到IMPa以上，可以保持良好的拾取性。另一方面，通過將拉伸彈性模量調節到170MPa以下，可以防止產生切割時的芯片飛散。另外，所述紫外線的照射優選例如以30 lOOOmJ/cm2的紫外線照射累積光量進行。通過將紫外線照射累積光量設定為30mJ/cm2以上，可以使粘合劑層14充分固化，從而可以防止與膠粘薄膜12的過度密合。結果，在拾取半導體時，可以顯示良好的拾取性。另外，可以防止粘合劑層14的粘合劑在拾取后附著(所謂的膠糊殘留)在膠粘薄膜 12上。另一方面，通過將紫外線照射累積光量設定為lOOOmJ/cm2以下，可以防止粘合劑層14的粘合力的極度下降，由此可以防止由于在與膠粘薄膜12之間產生剝離而發生所安裝的半導體晶片脫落的情況。另外，在切割半導體晶片時，可以防止產生所形成的半導體芯片的芯片飛散。所述粘合劑層的拉伸彈性模量的值通過以下方法測定。即，將粘合劑層14切割為長30. 0mm、寬10. 0mm、截面積0. 1 0. 5mm2的試樣。在測定溫度23°C、夾盤間距20mm、拉伸速度50mm/分鐘的條件下對該試樣沿MD方向進行拉伸試驗，測定該試樣伸長的變化量 (mm)。由此，在所得的S-S (應變-強度)曲線中，在其初始上升部分畫切線，用相當于該切線100%伸長時的拉伸強度除以截面積，將所得值作為粘合劑層的拉伸彈性模量。在此，膠粘薄膜12具有根據半導體晶片的俯視圖中的形狀而僅在其粘貼部分形成的構成。因此，通過按照膠粘薄膜12的形狀使紫外線固化型的粘合劑層14固化，由此可以容易地降低與半導體晶片粘貼部分對應的部分的粘合力。由于膠粘薄膜12粘貼在粘合力下降的所述部分，因此粘合劑層14的所述部分與膠粘薄膜12的界面具有在拾取時容易進行剝離的性質。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的粘合力。如前所述，所述粘合劑層14的通過未固化的紫外線固化型粘合劑形成的所述部分與膠粘薄膜12粘合，從而可以確保切割時的保持力。這樣，紫外線固化型粘合劑，可以以良好的膠粘-剝離平衡支撐用于將芯片狀半導體晶片(半導體芯片等)固著到襯底等被粘物上的膠粘薄膜12。僅在半導體晶片粘貼部分層疊有膠粘薄膜12時，在未層疊膠粘薄膜 12的區域固定有貼片環(々二 “ U > 7 )。紫外線固化型粘合劑可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等紫外線固化性官能團、并且顯示粘合性的粘合劑。作為紫外線固化型粘合劑，例如，可以例示在所述丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等普通的壓敏粘合劑中配合有紫外線固化性單體成分或低聚物成分的添加型紫外線固化型粘合劑。作為用于配合的紫外線固化性單體成分，可以列舉例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五 (甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4_ 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。 另外，紫外線固化性低聚物成分可以列舉聚氨酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100 約30000的范圍內是適當的。紫外線固化性單體成分或低聚物成分的配合量可以根據所述粘合劑層的種類適當確定能夠使粘合劑層的粘合力下降的量。一般而言，相對于用于構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為約5重量份 約500重量份，優選約40重量份 約150重量份。另外，作為紫外線固化型粘合劑，除所述說明過的添加型的紫外線固化型粘合劑以外，還可以列舉使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型的紫外線固化型粘合劑。內在型的紫外線固化型粘合劑，由于不需要含有或者多數不含有作為低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等隨時間推移不會在粘合劑中遷移，從而可以形成層結構穩定的粘合劑層，因而優選。所述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物，可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵并且具有粘合性的基礎聚合物。作為這樣的基礎聚合物，優選以丙烯酸類聚合物為基本骨架的基礎聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉前面例示的丙烯酸類聚合物。
在所述丙烯酸類聚合物中引入碳-碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以采用各種方法，從分子設計方面而言在聚合物側鏈中引入碳-碳雙鍵是比較容易的。例如可以列舉預先將具有官能團的單體與丙烯酸類聚合物共聚后，使具有能夠與該官能團反應的官能團及碳-碳雙鍵的化合物在保持碳-碳雙鍵的紫外線固化性的情況下與所得共聚物進行縮合或加成反應的方法。作為這些官能團的組合例，可以列舉羧基與環氧基、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能團的組合中，從容易跟蹤反應的觀點考慮，優選羥基與異氰酸酯基的組合。另外，根據這些官能團的組合，只要是生成所述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合，則官能團可以在丙烯酸類聚合物和所述化合物的任意一個上，在所述的優選組合中， 丙烯酸類聚合物具有羥基、所述化合物具有異氰酸酯基的情況是適當的。此時，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉例如甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用將前面例示的含羥基單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚類化合物等共聚而得到的丙烯酸類聚合物。所述內在型的紫外線固化型粘合劑，可以單獨使用所述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的范圍內配合所述紫外線固化性單體成分或低聚物成分。紫外線固化性低聚物成分等通常相對于基礎聚合物100重量份在30 重量份的范圍內，優選0 10重量份的范圍。在通過紫外線等進行固化時，所述紫外線固化型粘合劑中含有光聚合引發劑。作為光聚合引發劑，可以列舉例如4-(2-羥基乙氧基)苯基-(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α，α，-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α -酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2，2’ - 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2’ - 二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-(Ν-嗎啉基)丙烷-1-酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、 苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；聯苯酰二甲基縮酮等縮酮類化合物； 2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯類化合物；1-苯基-1，2-丙二酮-2-(0-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3，3’ - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4-二氯噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮； 酰基氧化膦；酰基膦酸酯等。光聚合引發劑的配合量相對于用于構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份例如為約0. 05重量份 約20重量份。所述紫外線固化型的粘合劑層14中，根據需要也可以含有經紫外線照射會著色的化合物。通過在粘合劑層14中含有經紫外線照射會著色的化合物，可以僅使紫外線照射后的部分著色。由此，通過肉眼觀察立即可以判斷粘合劑層14是否照射過紫外線，從而可以容易地識別半導體晶片粘貼部分，并容易地進行半導體晶片的粘貼。另外，通過光傳感器等檢測半導體芯片時，其檢測精度提高，在半導體元件的拾取時不會產生誤操作。經紫外線照射會著色的化合物，是在紫外線照射前為無色或淺色，經紫外線照射后變為有色的化合物。作為所述化合物的優選具體例，可以列舉染料隱色體(口 4 =染料)。作為染料隱色體，可以優選使用慣用的三苯基甲烷類、熒烷類、吩噻嗪類、金胺類、螺吡喃類的染料。具體而言，可以列舉3-[N-(對甲苯氨基)]-7_苯胺基熒烷、3-[N-(對甲苯基)-N_甲基氨基]-7-苯胺基熒烷、3-[N_(對甲苯基)-N_乙基氨基]-7-苯胺基熒烷、 3- 二乙氨基-6-甲基-7-苯胺基熒烷、結晶紫內酯、4，4’，4”-三(二甲氨基)三苯基甲醇、 4，4，，4”_三(二甲氨基)三苯基甲烷等。作為優選與這些染料隱色體一起使用的顯色劑，可以列舉以往使用的酚醛樹脂的預聚物、芳香族羧酸衍生物、活性白土等電子受體，另外，在使色調變化的情況下也可以組合使用各種公知的發色劑。這樣的經紫外線照射會著色的化合物，可以先溶解于有機溶劑等中后再添加到紫外線固化型膠粘劑中，也可以制成微粉末狀后添加到該膠粘劑中。該化合物的使用比例在粘合劑層14中期望為10重量％以下，優選0. 01 10重量％，進一步優選0. 5 5重量％。 該化合物的比例超過10重量％時，照射到粘合劑層14上的紫外線被該化合物過度地吸收， 因此粘合劑層14的與半導體晶片粘貼部分對應的部分的固化不充分，有時粘合力不能充分下降。另一方面，為了充分地著色，優選將該化合物的比例設定為0.01重量％以上。另外，通過紫外線固化型粘合劑形成粘合劑層14時，可以使用將基材13的至少單面的、與半導體晶片粘貼部分對應的部分以外的部分的全部或者一部分進行遮光的基材， 在其上形成紫外線固化型粘合劑層14后進行紫外線照射，使與半導體晶片粘貼部分對應的部分固化，從而形成粘合力下降的所述部分。作為遮光材料，可以通過印刷或蒸鍍等在支撐薄膜上制作能夠形成光掩模的遮光材料。通過該制造方法，可以高效地制造本發明的半導體裝置用薄膜10。另外，照射紫外線時因氧而產生固化障礙時，優選通過任意方法從紫外線固化型粘合劑層14的表面隔絕氧(空氣)。可以列舉例如用隔片將所述粘合劑層14的表面覆蓋的方法、或者在氮氣氣氛中進行紫外線照射的方法等。粘合劑層14的厚度沒有特別限制，從兼具防止芯片切割面的缺損和固定保持膠粘薄膜等方面考慮，優選為約ι μ m 約50 μ m。優選2 μ m 30 μ m、更優選5 μ m 25 μ m。膠粘薄膜12是具有膠粘功能的層，作為其構成材料，可以將熱塑性樹脂與熱固性樹脂組合使用，也可以單獨使用熱塑性樹脂。膠粘薄膜12的拉伸儲能彈性模量fe優選在5 5000MPa的范圍內，更優選在 100 3000MPa的范圍內，進一步優選300 2000MPa的范圍內。通過將膠粘薄膜12的拉伸儲能彈性模量fe調節到5MPa以上，可以更可靠地抑制在膠粘薄膜12上產生轉印痕跡。 另外，膠粘薄膜12的滑動性提高，從而在往覆蓋薄膜2上粘貼時可以更可靠地抑制產生褶皺。另外，通過將膠粘薄膜12的拉伸儲能彈性模量fe調節到5000MPa以下，可以使與被安裝的半導體晶片或要進行芯片接合的襯底等的密合性良好。另外，本發明中，膠粘薄膜的拉伸儲能彈性模量fe在膠粘薄膜為熱固性型的情況下是指熱固化前的拉伸儲能彈性模量。所述拉伸儲能彈性模量的值，是通過以下測定方法測定的值。S卩，在經剝離處理后的剝離襯墊上涂布膠粘劑組合物的溶液并干燥，形成厚度100 μ m的膠粘薄膜12。使用粘彈性測定裝置(Mieometric公司制造，型號RSA_II)，測定膠粘薄膜12的固化前的23°C 下的拉伸儲能彈性模量。更具體而言，準備長30. OmmX寬5. OmmX厚0. Imm的試樣，將測定試樣安裝到薄膜拉伸測定用夾具上，在_30°C 280°C的溫度范圍下在頻率1. 0Hz、應變 0. 025%、升溫速度10°C /分鐘的條件下進行測定。
所述熱塑性樹脂的重均分子量優選為30萬以上且150萬以下，更優選35萬 100 萬，進一步優選40萬 80萬。通過將所述熱塑性樹脂的重均分子量調節為30萬以上，可以將23°C下膠粘薄膜的拉伸儲能彈性模量fe控制為合適的值。另外，所述熱塑性樹脂的重均分子量為30萬以上，較低分子量物質的含量少時，可以防止污染潔凈的被粘物。另外，重均分子量是利用GPC (凝膠滲透色譜法)測定，并進行聚苯乙烯換算而計算得到的值。作為所述熱塑性樹脂，可以列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、 乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、尼龍6或尼龍6，6等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、或者含氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中，特別優選離子性雜質少、耐熱性高、能夠確保半導體裝置的可靠性的丙烯酸類樹脂。作為所述丙烯酸類樹脂，沒有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上的、具有碳原子數30以下特別是碳原子數4 18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為成分的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。所述丙烯酸類樹脂的玻璃化轉變溫度優選為20°C以下，更優選-20 15°C，進一步優選-10 10°C。通過將所述丙烯酸類樹脂的玻璃化轉變溫度調節到-20°C以上，可以抑制B階段狀態下膠粘薄膜12的粘性增大，從而可以保持良好的操作性。另外，可以防止切割時切割薄膜11的一部分熔融從而粘合劑附著到半導體芯片上。結果，可以保持半導體芯片的良好拾取性。另一方面，通過將所述丙烯酸類樹脂的玻璃化轉變溫度調節到20°C以下，可以防止膠粘薄膜12的流動性下降。另外，也可以保持與半導體晶片的良好的膠粘性。作為玻璃化轉變溫度為20°C以下的丙烯酸類樹脂，可以列舉例如根上工業株式會社制造的"7 ^ π > W-197C (玻璃化轉變溫度18°C ), f -fc ^ A r ^株式會社制造的SG-708-6 (玻璃化轉變溫度6°C )、WS-023 (玻璃化轉變溫度；_5°C )、SG_80H(玻璃化轉變溫度；7. 5°C )、SG-P3(玻璃化轉變溫度15°C )等。丙烯酸類樹脂的玻璃化轉變溫度由利用差示掃描量熱計(DSC)測定的最大吸熱峰時的溫度得到。具體而言，使用差示掃描量熱計(TA Instruments制造，“Q-2000”)，在比預測的試樣的玻璃化轉變溫度(預測溫度) 高約50°C的溫度下將待測試樣加熱10分鐘，然后冷卻到比預測溫度低50°C的溫度進行預處理，然后，在氮氣氛下，以5°C /分鐘的升溫速度升溫并測定吸熱起始點溫度，將其作為玻璃化轉變溫度。另外，作為用于形成所述聚合物的其它單體，沒有特別限制，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基) 丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、 丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體等。其中，從將芯片接合薄膜的拉伸儲能彈性模量fe調節到合適的值的觀點考慮，優選含羧基單體。作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚醛樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、 聚氨酯樹脂、聚硅氧烷樹脂或熱固性聚酰亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。特別優選腐蝕半導體芯片的離子性雜質等的含量少的環氧樹脂。另外，作為環氧樹脂的固化劑，優選酚醛樹脂。所述環氧樹脂，只要是通常作為膠粘劑組合物使用的環氧樹脂則沒有特別限制， 可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三(羥苯基)甲烷型、四(羥苯基) 乙烷型等雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內酰脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環氧樹脂。這些環氧樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些環氧樹脂中，特別優選酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三(羥苯基)甲烷型環氧樹脂或四(羥苯基)乙烷型環氧樹脂。這是因為這些環氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂的反應性好，并且耐熱性等優良。另外，所述酚醛樹脂作為所述環氧樹脂的固化劑起作用，可以列舉例如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂、甲階酚醛樹脂型酚醛樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚醛樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚醛樹脂中特別優選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因為可以提高半導體裝置的連接可靠性。所述環氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，例如以相對于所述環氧樹脂成分中的環氧基1當量、酚醛樹脂中的羥基為0. 5 2. 0當量的比例進行配合是適當的。更適當的是 0.8 1.2當量。S卩，這是因為兩者的配合比例如果在所述范圍以外，則固化反應不能充分進行，環氧樹脂固化物的特性容易變差。另外，在本實施方式中，特別優選含有環氧樹脂、酚醛樹脂及丙烯酸類樹脂的膠粘薄膜12。這些樹脂由于離子性雜質少、耐熱性高，因此可以確保半導體芯片的可靠性。此時的配比是，相對于丙烯酸類樹脂100重量份，環氧樹脂與酚醛樹脂的混合量為10 200重量份。膠粘薄膜12中，根據需要可以使用熱固化催化劑作為膠粘薄膜12的構成材料。其配合比例為，相對于有機成分100重量份優選在0. 1 3.0重量份的范圍內，更優選0. 15 2. 0重量份的范圍內，特別優選0. 2 1. 0重量份的范圍內。通過將配合比例設定為0. 1重量份以上，可以良好地表現熱固化后的膠粘力。另一方面，通過將配合比例設定為3.0重量份以下，可以抑制保存性下降。作為所述熱固化催化劑，沒有特別限制，可以列舉例如咪唑類化合物、三苯基膦類化合物、胺類化合物、三苯基硼烷類化合物、三商代硼烷類化合物等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述咪唑類化合物，可以列舉2-甲基咪唑(商品名“2MZ”)、2-^^ —烷基咪唑(商品名“C11Z”)、2-十七烷基咪唑(商品名“C17Z”)、1，2-二甲基咪唑(商品名“1.2DMZ”)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名“2E4MZ”)、2-苯基咪唑(商品名“2PZ”)、 2-苯基-4-甲基咪唑(商品名“2P4MZ”)、1-芐基-2-甲基咪唑(商品名“ 1B2MZ”)、1-芐基-2-苯基咪唑(商品名“1B2PZ”)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名“2MZ-CN”)、1-氰基乙基-2- i^一烷基咪唑(商品名“C11Z-CN”)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鐐偏苯三酸鹽 (商品名“2卩20賂寸1”)、2，4-二氨基-6-[2，-甲基咪唑基(I)']乙基-均三嗪(商品名 “2MZ-A”)、2，4-二氨基-6-[2，-i^一烷基咪唑基⑴，]乙基-均三嗪(商品名“C11Z-A”)、 2，4-二氨基-6-[2，_乙基-4，-甲基咪唑基⑴，]乙基-均三嗪(商品名“2E4MZ-A”)、2， 4- 二氨基_6-[2，-甲基咪唑基⑴，]乙基-均三嗪異氰脲酸加成物(商品名“2MA-0K”)、 2-苯基-4，5-二羥基甲基咪唑(商品名“2PHZ-PW”)、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑(商品名“2P4MHZ-PW”)等(均為四國化成株式會社制造)。作為所述三苯基膦類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如三苯基膦、三丁基膦、 三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有機膦、四苯基溴化憐(商品名“TPP-PB”)、甲基三苯基憐(商品名“TPP-MB”)、甲基三苯基氯化鎮(商品名“TPP-MC”)、 甲氧基甲基三苯基憐(商品名“TPP-M0C”)、芐基三苯基氯化憐(商品名“TPP-ZC”)等(均為北興化學公司制造)。另外，作為所述三苯基膦類化合物，優選對環氧樹脂實質上顯示非溶解性的化合物。對環氧樹脂為非溶解性時，可以抑制熱固化過度進行。作為具有三苯基膦結構、并且對環氧樹脂實質上顯示非溶解性的熱固化催化劑，可以列舉例如甲基三苯基禱(商品名“TPP-MB”)等。另外，所述“非溶解性”，是指包含三苯基膦類化合物的熱固化催化劑在包含環氧樹脂的溶劑中為不溶性，更具體而言，是指在溫度10 40°C范圍內10重量％以上不溶解。作為所述三苯基硼烷類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如三(對甲基苯基)膦等。另外，作為三苯基硼烷類化合物，還包含具有三苯基膦結構的化合物。作為該具有三苯基膦結構及三苯基硼烷結構的化合物，沒有特別限制，可以列舉例如四苯基憐四苯基硼酸鹽(商品名“TPP-K”)、四苯基憐四對甲苯基硼酸鹽(商品名“TPP-MK”)、芐基三苯基憐四苯基硼酸鹽(商品名“τρρ-ar)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名“tpp-s”)等(均為北興化學公司制造)。作為所述氨基類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如一乙醇胺三氟硼酸鹽(卞 r ν 'r ^y r株式會社制造)、雙氰胺(f力，4〒；^夕株式會社制造)等。作為所述三鹵代硼烷類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如三氯硼烷等。本實施方式的膠粘薄膜12，為了預先進行某種程度的交聯，在制作時可以添加與聚合物的分子鏈末端的官能團等反應的多官能化合物作為交聯劑。由此，可以提高高溫下的膠粘特性，改善耐熱性。作為所述交聯劑，可以使用現有公知的交聯劑。特別是更優選甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1，5_萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成產物等多異氰酸酯化合物。交聯劑的添加量相對于所述聚合物100重量份通常優選設定為 0.05 7重量份。交聯劑的量超過7重量份時，膠粘力下降，因此不優選。另一方面，低于 0. 05重量份時，凝聚力不足，因此不優選。另外，根據需要可以與這樣的多異氰酸酯化合物一起含有環氧樹脂等其它多官能化合物。另外，膠粘薄膜12中根據其用途可以適當配合無機填充劑。無機填充劑的配合可以賦予導電性、提高導熱性、調節彈性模量等。作為所述無機填充劑，可以列舉例如由二氧化硅、粘土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化硅、氮化硅等陶瓷類、鋁、銅、銀、金、 鎳、鉻、錫、錫、鋅、鈀、焊料等金屬或合金類、以及碳等構成的各種無機粉末。這些無機填充劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。其中，可以適當使用二氧化硅，特別是熔融二氧化硅。另外，無機填充劑的平均粒徑優選在0.01 80 μ m的范圍內。所述無機填充劑的配合量，相對于有機成分100重量份優選設定為0 80重量份，更優選設定為O 70重量份。另外，膠粘薄膜12中根據需要可以適當配合其它添加劑。作為其它添加劑，可以列舉例如阻燃劑、硅烷偶聯劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉例如三氧化銻、 五氧化銻、溴化環氧樹脂等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述硅烷偶聯劑，可以列舉例如β-(3，4_環氧環己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。這些化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如水滑石類、氫氧化鉍等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。膠粘薄膜12的厚度沒有特別限制，例如可以為約5μπι 約100 μ m，優選約 5 μ m 70 μ m。半導體裝置用薄膜10，可以具有防靜電能力。由此，可以防止其膠粘時及剝離時等產生靜電、或由此引起的半導體晶片等帶電而破壞電路。防靜電能力的賦予可以通過在基材13、粘合劑層14或膠粘薄膜12中添加防靜電劑或導電性物質的方法、在基材13上設置包含電荷遷移絡合物或金屬膜等的導電層等適當的方式進行。作為這些方式，優選難以產生有可能使半導體晶片變質的雜質離子的方式。為了賦予導電性、提高導熱性而配合的導電性物質(導電填料)，可以列舉銀、鋁、金、銅、鎳、導電性合金等球形、針形、薄片狀金屬粉末、氧化鋁等金屬氧化物、非晶炭黑、石墨等。但是，所述膠粘薄膜12不具有導電性這一點， 從不漏電的觀點考慮是優選的。膠粘薄膜12由覆蓋薄膜2保護。覆蓋薄膜2具有在供給實際應用之前作為保護膠粘薄膜I2的保護材料的功能。覆蓋薄膜2在向帶有切割片的膠粘薄膜的膠粘薄膜12上粘貼半導體晶片時剝離。作為覆蓋薄膜2，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、 聚丙烯，也可以使用由含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進行了表面涂布的塑料薄膜或紙等。覆蓋薄膜2的拉伸儲能彈性模量肪優選在5 5000MPa的范圍內，更優選50 4500MPa的范圍內，進一步優選100 4000MPa的范圍內。通過將覆蓋薄膜2的拉伸儲能彈性模量肪調節到5MPa以上，可以進一步提高覆蓋薄膜2對膠粘薄膜12的追隨性。另外， 通過將覆蓋薄膜2的拉伸儲能彈性模量肪調節到5000MPa以下，在往覆蓋薄膜2上粘貼膠粘薄膜12時可以抑制覆蓋薄膜2產生折斷，并可以防止損傷膠粘薄膜12或者在薄膜間混入氣泡。覆蓋薄膜2的厚度，從作業性、運送性的觀點考慮，優選為10 100 μ m,更優選 15 75 μ m,進一步優選25 50 μ m。以下，對本實施方式的半導體裝置用薄膜10的制造方法進行說明。本實施方式的半導體裝置用薄膜10的制造方法，包括在基材13上形成粘合劑層 14而制作切割薄膜11的工序，在基材隔片22上形成膠粘薄膜12的工序，將膠粘薄膜12根據待粘貼的半導體晶片的形狀進行沖裁的工序，將切割薄膜11的粘合劑層14與膠粘薄膜 12作為粘貼面進行層疊的工序，將切割薄膜11沖裁為與貼片環框對應的圓形的工序，通過
16將膠粘薄膜12上的基材隔片22剝離而制作帶有切割片的膠粘薄膜1的工序，和在覆蓋薄膜2上以規定的間隔粘貼帶有切割片的膠粘薄膜1的工序。所述切割薄膜11的制作工序，例如如下所述進行。首先，通過現有公知的制膜方法形成基材13。作為該制膜方法，可以例示例如壓延制膜法、有機溶劑中的流延法、密閉體系中的吹塑擠出法、T形模頭擠出法、共擠出法、干式層壓法等。然后，在基材13上涂布粘合劑組合物溶液形成涂膜后，在規定條件下將該涂膜干燥(根據需要進行加熱交聯)，而形成粘合劑層14。作為涂布方法，沒有特別限制，可以列舉例如輥涂、絲網涂布、凹版涂布等。另外，干燥條件可以根據涂膜的厚度或材料等適當設定。具體而言，例如，在干燥溫度80 150°C、干燥時間0.5 5分鐘的范圍內進行。另外，可以在第一隔片21上涂布粘合劑組合物形成涂膜后，在所述干燥條件下使涂膜干燥而形成粘合劑層14。之后，將粘合劑層14和第一隔片21 —起粘貼到基材13上。由此，制作粘合劑層14由第一隔片21保護的切割薄膜11 (參考圖3(a))。制成的切割薄膜11，可以具有卷繞為卷筒狀的長尺寸的形態。此時，為了不在切割薄膜11上產生松弛或卷繞偏移、 位置偏移等，優選在其長度方向或寬度方向上施加拉伸張力的同時進行卷繞。但是，通過施加拉伸張力，切割薄膜11在殘留有拉伸殘留應變的狀態下卷繞為卷筒狀。另外，在卷繞切割薄膜11時，通過施加所述拉伸張力有時可以將切割薄膜11拉伸，但是卷繞的目的并不在于進行拉伸操作。作為粘合劑層14，在采用包含紫外線固化型粘合劑、并且預先進行了紫外線固化的粘合劑層的情況下，以下述方法形成。即，在基材13上涂布紫外線固化型的粘合劑組合物形成涂膜后，在規定條件下使該涂膜干燥(根據需要進行加熱交聯)，而形成粘合劑層。 涂布方法、涂布條件、干燥條件，可以與所述同樣地進行。另外，可以在第一隔片21上涂布紫外線固化型粘合劑組合物形成涂膜后，在所述干燥條件下使涂膜干燥而形成粘合劑層。 之后，將粘合劑層轉印到基材13上。并且在規定條件下對粘合劑層照射紫外線。紫外線的照射條件沒有特別限制，通常累積光量優選在50 800mJ/cm2的范圍內，更優選100 500mJ/cm2的范圍內。通過將累積光量調節到所述范圍內，可以將膠粘薄膜12與切割薄膜 11之間的剝離力F2控制到0. 08 10N/100mm的范圍內。紫外線的照射不足30mJ/cm2時， 粘合劑層14的固化不充分，有時與膠粘薄膜12的剝離力變得過大。結果，與膠粘薄膜的密合性增大，導致拾取性下降。另外，拾取后，有時在膠粘薄膜上產生膠糊殘留。另一方面，當累積光量超過lOOOmJ/cm2時，有時與膠粘薄膜12的剝離力變得過小。結果，有時在粘合劑層14與膠粘薄膜12之間產生界面剝離。結果，在切割半導體晶片時，有時產生芯片飛散。 另外，有時對基材13造成熱損傷。另外，粘合劑層14的固化過度進行導致拉伸彈性模量過大，從而擴張性下降。另外，紫外線的照射可以在后述的與膠粘薄膜12的粘貼工序后進行。 此時，優選從基材13側進行紫外線照射。膠粘薄膜12的制作工序如下所述進行。即，將用于形成膠粘薄膜12的膠粘劑組合物溶液以達到規定厚度的方式涂布在基材隔片22上形成涂膜。之后，在規定條件下使涂膜干燥，形成膠粘薄膜12。涂布方法沒有特別限制，可以列舉例如輥涂、絲網涂布、凹版涂布等。另外，干燥條件可以根據涂膜的厚度或材料等適當設定。具體而言，例如，可以在干燥溫度70 160°C、干燥時間1 5分鐘的范圍內進行。另外，可以將粘合劑組合物涂布到第二隔片23上形成涂膜后，在所述干燥條件下使涂膜干燥而形成膠粘薄膜12。之后，將膠粘薄膜12與第二隔片23 —起粘貼到基材隔片22上。由此，制成在基材隔片22上依次層疊有膠粘薄膜12和第二隔片23的層疊薄膜(參考圖3(b))。該層疊薄膜可以具有卷繞為卷筒狀的長尺寸的形態。此時，為了不在膠粘薄膜12上產生松弛或卷繞偏移、位置偏移等， 優選在其長度方向或寬度方向上施加拉伸張力的同時進行卷繞。然后，根據待粘貼的半導體晶片的形狀沖裁膠粘薄膜12，并將其粘貼到切割薄膜 11上。由此，可以得到帶有切割片的膠粘薄膜1。即，從切割薄膜11上將第一隔片21剝離， 并且從沖裁后的膠粘薄膜12上將第二隔片23剝離，以膠粘薄膜12與粘合劑層14為粘貼面的方式將二者粘貼(參考圖3(c))。此時，對切割薄膜11或膠粘薄膜12中的至少任意一個在其邊緣部施加拉伸張力的同時進行壓接。另外，在切割薄膜11為卷繞為卷筒狀的長尺寸的形態的情況下，優選盡量不在長度方向上對切割薄膜11施加拉伸張力的情況下進行運送。這是為了抑制薄膜的拉伸殘留應變。但是，從防止在切割薄膜11上產生松弛或卷繞偏移、位置偏移、空隙(氣泡)等的觀點考慮，可以在10 25N的范圍內施加拉伸張力。如果在該范圍內，則即使在切割薄膜11上殘留拉伸殘留應變，也可以防止在切割范膜11與膠粘薄膜12之間產生界面剝離。另外，切割薄膜11與膠粘薄膜12的粘貼，例如，可以通過壓接進行。此時，層壓溫度沒有特別限制，通常優選30 80°C，更優選30 60°C，特別優選30 50°C。另外，線壓沒有特別限制，通常優選0. 1 20kgf/cm，更優選1 lOkgf/cm。通過將層壓溫度和/或線壓分別調節到所述數值范圍內，并將切割薄膜11與有機成分的玻璃化轉變溫度在-20 50°C范圍內的膠粘薄膜12粘貼，可以將膠粘薄膜12與切割薄膜11之間的剝離力F2控制到 0.08 10N/100mm的范圍內。在此，例如，通過在所述范圍內升高層壓溫度，可以增大切割薄膜11與膠粘薄膜12之間的剝離力F2。另外，通過在所述范圍內增大線壓，也可以增大剝離力F2。然后，將膠粘薄膜12上的基材隔片22剝離，并在施加拉伸張力的同時粘貼覆蓋薄膜2。接著，以規定的間隔將切割薄膜11沖裁為與貼片環框對應的圓形。由此，制成實施了預切割后的帶有切割片的膠粘薄膜1以規定的間隔層疊在覆蓋薄膜2上的半導體裝置用薄膜10。帶有切割片的膠粘薄膜1中的膠粘薄膜12往覆蓋薄膜2上的粘貼，優選通過壓接進行。此時，層壓溫度沒有特別限制，通常優選20 80°C，更優選20 60°C，特別優選 20 500C ο另外，線壓沒有特別限制，通常優選0. 1 20kgf/cm，更優選0. 2 lOkgf/cm。 通過將層壓溫度和/或線壓分別調節到所述范圍內，并將覆蓋薄膜2與有機成分的玻璃化轉變溫度在-20 50°C范圍內的膠粘薄膜12粘貼，可以將膠粘薄膜12與覆蓋薄膜2之間的剝離力F1控制到0. 025 0. 075N/100mm的范圍內。在此，例如，通過在所述范圍內升高層壓溫度，可以增大帶有切割片的膠粘薄膜1與覆蓋薄膜2之間的剝離力Fp另外，通過在所述范圍內增大線壓，也可以增大剝離力K。另外，優選盡量不在長度方向上對覆蓋薄膜2 施加拉伸張力的情況下進行運送。這是為了抑制覆蓋薄膜2的拉伸殘留應變。但是，從防止在覆蓋薄膜2上產生松弛或卷繞偏移、位置偏移、空隙(氣泡)等的觀點考慮，可以在10 25N的范圍內施加拉伸張力。如果在該范圍內，則即使在覆蓋薄膜2上殘留拉伸殘留應變， 也可以防止產生覆蓋薄膜2相對于帶有切割片的膠粘薄膜1的薄膜翹起現象。另外，切割薄膜11的粘合劑層14上粘貼的第一隔片21、膠粘薄膜12的基材隔片22、以及該膠粘薄膜12上粘貼的第二隔片23，沒有特別限制，可以使用以往公知的經剝離處理后的薄膜。第一隔片21和第二隔片23分別具有作為保護材料的功能。另外，基材隔片22具有作為將膠粘薄膜12轉印到切割薄膜11的粘合劑層14上時的基材的功能。構成這些各薄膜的材料沒有特別限制，可以采用以往公知的材料。具體而言，可以列舉例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，或通過含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進行表面涂布后的塑料薄膜或紙等。本發明的膠粘薄膜，可以作為芯片接合薄膜、或者倒裝芯片型半導體背面用薄膜使用。倒裝芯片型半導體背面用薄膜，用于在被粘物(例如，引線框或電路板等各種襯底) 上連接有倒裝芯片的半導體元件(例如，半導體芯片)的背面上形成。實施例以下，詳細地例示說明本發明的適當的實施例。但是，該實施例中記載的材料或配合量等只要沒有特別限定的記載，則不將本發明的范圍僅限于此。另外，“份”表示“重量份”。(實施例1)<切割薄膜的粘合劑層的制作>在具有冷凝管、氮氣引入管、溫度計和攪拌裝置的反應容器中，加入80份丙烯酸-2-乙基己酯(2EHA)、20份丙烯酸-2-羥基乙酯(HEA)、0. 2份過氧化苯甲酰和60份甲苯，在氮氣流中在61°C下進行6小時聚合處理，得到重均分子量為80萬的丙烯酸類聚合物 A0 2EHA和HEA的摩爾比為100摩爾對20摩爾。重均分子量的測定如前所述。另外，重均分子量是通過GPC (凝膠滲透色譜法)進行測定，并進行聚苯乙烯換算而計算得到的值。在該丙烯酸類聚合物A中加入10份2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯(以下稱為 “Μ0Ι”)(相對于HEA為80摩爾％ )，在空氣氣流中在50°C進行48小時加成反應處理，得到丙烯酸類聚合物A’。然后，相對于100份丙烯酸類聚合物A’加入5份異氰酸酯類交聯劑(商品名口才、一卜L”，日本聚氨酯株式會社制造)和3份光聚合引發劑(商品名“4瓜方卻工了 651”， 汽巴精化公司制造)，制作粘合劑溶液。將所述制備的粘合劑溶液涂布于PET剝離襯墊(第一隔片)的經聚硅氧烷處理后的面上，在120°C加熱交聯2分鐘，形成厚度10 μ m的粘合劑層。然后，在該粘合劑層的表面粘貼厚度100 μ m的聚烯烴薄膜(基材)。之后，在50°C保存M小時。另外，將所述PET剝離襯墊剝離，僅對粘合劑層的與半導體晶片粘貼部分(直徑 200mm的圓形)相當的部分(直徑220mm的圓形)直接照射紫外線。由此，制作本實施方式的切割薄膜。另外，照射條件如下所述。另外，通過后述的方法測定粘合劑層的拉伸彈性模量，拉伸彈性模量為17. IMPa0〈紫外線照射條件〉紫外線(UV)照射裝置高壓汞燈紫外線照射累積光量300mJ/cm2輸出72W照射強度200mW/cm2〈膠粘薄膜的制作〉
相對于100份作為丙烯酸類樹脂的丙烯酸酯共聚物(丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯-丙烯腈-丙烯酸-甲基丙烯酸羥基乙酯共聚物、{Λ為O Kr ” ”卞株式會社制造， 商品名“SG-708-6”，玻璃化轉變溫度6°C，重均分子量80萬)，將熱固化催化劑(北興化學公司制造，商品名“TPP-K”)5份、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(日本化藥株式會社制造，商品名“E0CN-1027”)200份、酚醛樹脂(三井化學株式會社制造，商品名“ S > 〃夕^ XLC-3L”)200份和作為無機填充劑的球形二氧化硅(τ· 〒〃夕7株式會社制造，商品名“S0-25R”，平均粒徑0. 5 μ m) 4000份溶解于甲乙酮中，調節濃度為58. 0重量％，從而進行制備。將該膠粘劑組合物溶液通過模縫涂布機{V 了勺V r V 二一夕一、涂布到脫模處理薄膜(基材隔片)上形成涂層，對該涂層直接噴射2分鐘150°C、10m/s的熱風使其干燥。 由此，在脫模處理薄膜上形成厚度25 μ m的膠粘薄膜。另外，作為脫模處理薄膜(基材隔片)，使用在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度50μπι)上進行聚硅氧烷脫模處理得到的薄膜。<帶有切割片的膠粘薄膜的制作>然后，將所述膠粘薄膜切割為直徑230mm的圓形，并將所述切割薄膜的粘合劑層與切割為圓形的膠粘薄膜粘貼。粘貼使用夾輥，并在層壓溫度為50°C、線壓為3kgf/cm的粘貼條件下進行粘貼。另外，將膠粘薄膜上的基材隔片剝離，并粘貼經聚硅氧烷脫模處理的聚烯烴薄膜(厚度25μπι)作為脫模處理薄膜(覆蓋薄膜)。此時，為了防止產生位置偏移、空隙(氣泡)等，使用張力調節輥(夕‘ > 寸一 α — > )對覆蓋薄膜沿MD方向施加17Ν的拉伸張力，同時，不施加層壓溫度，以線壓2kgf/cm進行粘貼，制作帶有切割片的膠粘薄膜。<半導體裝置用薄膜的制作>另夕卜，以膠粘薄膜為中心將切割薄膜沖裁為直徑270mm的圓形，由此得到以IOmm 的間隔粘貼有200片帶有切割片的膠粘薄膜的本實施例的半導體裝置用薄膜。(實施例2)〈切割薄膜的制作〉本實施例的切割薄膜，使用與所述實施例1同樣的切割薄膜。〈膠粘薄膜的制作〉相對于100份以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯類聚合物(根上工業株式會社制造，商品名“"，夕π > W-197CM”，Tg :18°C，重均分子量40萬)，將異氰酸酯類交聯劑(日本聚氨酯株式會社制造，商品名“二口才、一卜HX”)1份、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(日本化藥株式會社制造，商品名“E0CN-1027”)400份、酚醛樹脂(三井化學株式會社制造，商品名“ S > 〃夕7 XLC-LL”)400份和作為無機填充劑的球形二氧化硅 {r γ-^ r-y >7 ^株式會社制造，商品名“S0-25R”，平均粒徑0.5 μ m) 100份溶解于甲乙酮中，調節濃度為20. 0重量％，從而進行制備。<半導體裝置用薄膜的制作>本實施例2的半導體裝置用薄膜，使用所述膠粘薄膜，除此以外，與本實施例1同樣地粘貼經聚硅氧烷脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度100 μ m)，由此制作半導體裝置用薄膜。(比較例1)
在膠粘薄膜的制作中，將丙烯酸酯共聚物(丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯-丙烯腈-丙烯酸-甲基丙烯酸羥基乙酯共聚物)(f另O K〒” >7 7株式會社制造，商品名 “SG-708-6”，玻璃化轉變溫度6°C，重均分子量80萬)的添加量增加10份，除此以外，與實施例1同樣操作，制作本比較例的半導體裝置用薄膜。(比較例2)在膠粘薄膜的制作中，相對于100份以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯類聚合物(根上工業株式會社制造，商品名” 口 >W-197C”，Tg:5°C，重均分子量 萬)，將異氰酸酯類交聯劑(日本聚氨酯株式會社制造，商品名“二口才、一卜HX”)1 份、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(日本化藥株式會社制造，商品名“E0CN-1027”)400份、酚醛樹脂(三井化學株式會社制造，商品名“ S > 〃々7 XLC-LL”)400份和作為無機填充劑的球形二氧化硅(K· 〒〃夕^株式會社制造，商品名“S0-25R”，平均粒徑0.5 μ m) 100 份溶解于甲乙酮中，調節濃度為15.0重量％，從而進行制備，除此以外，與實施例2同樣操作，制作本比較例的半導體裝置用薄膜。(粘合劑層的拉伸彈性模量)所述粘合劑層的拉伸彈性模量的值，是通過以下測定方法得到的值。即，將粘合劑層14切割為長30. 0mm、寬10. 0mm、截面積0. 1 0. 5mm2的試樣。在測定溫度23°C、夾盤間距20mm、拉伸速度50mm/分鐘的條件下對該試樣沿MD方向進行拉伸試驗，測定該試樣伸長的變化量(mm)。由此，在所得的S-S (應變-強度)曲線中，在其初始上升部分畫切線，用相當于該切線100%伸長時的拉伸強度除以截面積，將所得值作為粘合劑層的拉伸彈性模量。(23°C下膠粘薄膜的拉伸儲能彈性模量fe)將各實施例和比較例的膠粘劑組合物涂布到經脫模處理后的剝離襯墊上達到 ΙΟΟμπι，得到切割薄膜。對于該膠粘薄膜，使用粘彈性測定裝置(!Geometric公司制造，型號RSA-II)，測定23°C下的拉伸彈性模量。更具體而言，將試樣尺寸設定為長30mmX寬 5mmX厚0. 1mm，將測定試樣安裝到薄膜拉伸測定用夾具上，在_30°C ^(TC的溫度范圍下在頻率1. 0Hz、應變0. 025%、升溫速度10°C /分鐘的條件下進行測定。(23°C下覆蓋薄膜的拉伸儲能彈性模量肪)對于各實施例和比較例的覆蓋薄膜，使用粘彈性測定裝置(!Geometric公司制造，型號RSA-II)，測定23°C下的拉伸彈性模量。更具體而言，將試樣尺寸設定為長30mmX 寬5mm，將測定試樣安裝到薄膜拉伸測定用夾具上，在-30°C 280°C的溫度范圍下在頻率 1.0泡、應變0. 025%、升溫速度10°C /分鐘的條件下進行測定。(剝離力的測定)各實施例及比較例所得到的半導體裝置用薄膜中膠粘薄膜與覆蓋薄膜之間的剝離力、以及切割薄膜與膠粘薄膜之間的剝離力的測定，在溫度23士2°C、相對濕度55士5% RH、剝離速度300mm/分鐘的條件下進行T形剝離試驗(JIS K6854-3) 0另外，作為拉伸試驗機，使用商品名“7—卜- 7 7 AGS-Η”(株式會社島津制作所制造)的拉伸試驗機。(界面剝離及薄膜翹起的有無)各實施例及比較例所得到的半導體裝置用薄膜中薄膜翹起的確認，如下進行。艮口， 將各半導體裝置用薄膜在溫度-30士2°C的冷庫中放置120小時。另外，在溫度23士2°C、相對濕度55士5% 1 的環境下放置M小時。然后，確認半導體裝置用薄膜中各薄膜間有無界面剝離及薄膜翹起。評價標準是，通過肉眼觀察未觀察到界面剝離或薄膜翹起的情況為〇， 觀察到的情況為X。(安裝后空隙的有無)各實施例及比較例所得到的半導體裝置用薄膜有無空隙，如下進行確認。S卩，從各半導體裝置用薄膜上分別將覆蓋薄膜剝離，在膠粘薄膜上進行半導體晶片的安裝。半導體晶片使用大小為8英寸、厚度75 μ m的半導體晶片。半導體晶片的安裝條件如下所述。〈粘貼條件〉粘貼裝置ACC株式會社制造，商品名“冊-300”粘貼速度計20mm/秒粘貼壓力0.25MPa粘貼溫度60°C接著，通過顯微鏡確認帶有切割片的膠粘薄膜與半導體晶片的粘貼面上有無空隙 (氣泡)。結果如下表1所示。(拾取的評價)從各半導體裝置用薄膜上分別將覆蓋薄膜剝離，在膠粘薄膜上進行半導體晶片的安裝。半導體晶片使用大小為8英寸、厚度75 μ m的半導體晶片。半導體晶片的安裝條件與所述同樣。然后，根據下列條件進行半導體晶片的切割，形成30個半導體芯片。另外，將半導體芯片與芯片接合薄膜一起進行拾取。拾取對30個半導體芯片(長5mmX寬5mm)進行， 對無破損成功拾取半導體芯片的情況進行計數，計算成功率。結果如下表1所示。拾取條件如下所述。
0183]〈切割條件〉
0184]切割方法階段式切割(7歹W力〃卜)
0185]切割裝置DISC0 DFD-6361 (商品名，株式會社尹^ 7 ^制造)
0186]切割速度30mm/秒
0187]切割刀片Zl:Π 7 二公司制造 “NBC-ZH2030-SE27HDD”
0188]Ζ2 r ^、二公司制造 “NBC-ZH2030-SE27HBB”
0189]切割刀片轉速:Z1:50, OOOrpm, Z2 :50，OOOrpm
0190]切割帶切入深度25 μ m
0191]晶片芯片尺寸5mmX5mm
0192]〈拾取條件〉
0193]拾取裝置商品名“SPA-300”新川公司制造
0194]針數量5根
0195]上推量300 μ m
0196]上推速度10mm/秒
0197]擴張量(引t落量)3mm
0198](冷藏保存1個月后卷繞痕跡轉印造成的空隙有無的確認)
0199]將各實施例以及比較例所得到的半導體裝置用薄膜以^cg的卷繞張力卷繞為卷筒狀。并且，在該狀態下，在溫度5°C的冷藏庫內放置一個月。之后，回到室溫然后松開卷筒，使用第100片帶有切割片的膠粘薄膜，進行半導體晶片的安裝，并肉眼觀察確認有無空隙。半導體晶片使用大小為8英寸、厚度75μπι的半導體晶片。另外，粘貼條件與上述安裝后的空隙評價同樣。結果如表1所示。表 權利要求
1.一種半導體裝置用薄膜，其為在切割薄膜上層疊有膠粘薄膜的帶有切割片的膠粘薄膜以規定的間隔層疊在覆蓋薄膜上而得到的半導體裝置用薄膜，其特征在于，23°C下膠粘薄膜的拉伸儲能彈性模量fe與23°C下覆蓋薄膜的拉伸儲能彈性模量肪的比Ea/Eb在0. 001 50的范圍內。
2.如權利要求1所述的半導體裝置用薄膜，其特征在于，在溫度23士2°C、剝離速度300mm/分鐘的條件下的T型剝離試驗中，所述膠粘薄膜與所述覆蓋薄膜之間的剝離力F1在0. 025 0. 075N/100mm的范圍內，所述膠粘薄膜與所述切割薄膜之間的剝離力F2在0. 08 10N/100mm的范圍內，并且所述F1與所述F2滿足F1 < F2 的關系。
3.如權利要求1所述的半導體裝置用薄膜，其特征在于，所述膠粘薄膜含有重均分子量為30萬以上且150萬以下的熱塑性樹脂。
4.如權利要求1所述的半導體裝置用薄膜，其特征在于，所述膠粘薄膜含有使單體成分聚合而得到的熱塑性樹脂，所述單體成分含有含羧基單體。
5.如權利要求1所述的半導體裝置用薄膜，其特征在于， 所述膠粘薄膜含有作為熱塑性樹脂的丙烯酸類樹脂， 并且，所述丙烯酸類樹脂的玻璃化轉變溫度為20°C以下。
6.如權利要求1所述的半導體裝置用薄膜，其特征在于， 23°C下膠粘薄膜的拉伸儲能彈性模量fe為5 5000MPa。
7.如權利要求1所述的半導體裝置用薄膜，其特征在于， 23°C下覆蓋薄膜的拉伸儲能彈性模量肪為5 5000MPa。
8.一種半導體裝置，其中，使用權利要求1 7中任一項所述的半導體裝置用薄膜進行制造。
全文摘要
本發明提供一種半導體裝置用薄膜以及半導體裝置，在將所述半導體裝置用薄膜卷繞為卷筒狀時，可以抑制在膠粘薄膜上產生轉印痕跡，所述半導體裝置用薄膜為在切割薄膜上層疊有膠粘薄膜的帶有切割片的膠粘薄膜以規定的間隔層疊在覆蓋薄膜上而得到的半導體裝置用薄膜。一種半導體裝置用薄膜，其為在切割薄膜上層疊有膠粘薄膜的帶有切割片的膠粘薄膜以規定的間隔層疊在覆蓋薄膜上而得到的半導體裝置用薄膜，其特征在于，23℃下膠粘薄膜的拉伸儲能彈性模量Ea與23℃下覆蓋薄膜的拉伸儲能彈性模量Eb的比Ea/Eb在0.001～50的范圍內。
文檔編號H01L21/00GK102386054SQ201110270510
公開日2012年3月21日 申請日期2011年9月6日 優先權日2010年9月6日
發明者天野康弘, 盛田美希 申請人:日東電工株式會社