專利名稱：半導體器件及其制造和封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體器件及其制造和封裝方法。
背景技術(shù)：
半導體器件用于各種電子用途，作為實例，如個人電腦、手機、數(shù)碼相機、和其他電子設備。通常通過在半導體襯底上方相繼沉積絕緣層或介電層、導電層、以及材料半導體層，并采用光刻圖案化各種材料層以在其上形成電路組件和元件，來制造半導體器件。通常在單個半導體晶圓上制造數(shù)十個或者數(shù)百個集成電路。通過沿著切割線(scribe line)切割集成電路來分割(singulated)單獨的管芯。然后,例如,將這些單獨的管芯以多芯片模塊或者以其他封裝類型分別封裝。用于半導體器件的一種封裝類型被稱為跡線上凸塊(BOT)封裝。在半導體晶圓的管芯上形成焊料凸塊，并分割管芯。采用焊料回流工藝將管芯或者“倒裝芯片”接合或者焊接至BOT封裝件上的跡線。當將管芯的焊料凸塊接合至BOT封裝件上的跡線時可能存在不對準的問題，這可能導致管芯間隙不一致。在一些情況中，由于不對準可能不能進行電連接，這增加了封裝產(chǎn)品的成品率損失。因此，本領(lǐng)域中需要的是用于半導體器件的改進封裝技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種半導體器件，包括集成電路；以及連接至所述集成電路的表面的多個銅柱，其中所述多個銅柱包含伸長形狀，并且其中，所述多個銅柱的至少50%以基本上向心的取向布置。在上述半導體器件中，其中，所有連接至所述集成電路的表面的所述多個銅柱都以基本上對稱的取向布置。在上述半導體器件中，其中，所有連接至所述集成電路的表面的所述多個銅柱都以基本上向心的取向布置。在上述半導體器件中，其中，所有位于所述集成電路的表面的外周區(qū)域中的所述多個銅柱都以基本上對稱的取向布置或者以基本上向心的取向布置。在上述半導體器件中，其中，所有位于所述集成電路的表面的中心區(qū)域中的所述多個銅柱都包含基本上對稱的取向或者都以基本上向心的取向布置。在上述半導體器件中，其中，所述多個銅柱包含卵形、橢圓形、或跑道形狀。在上述半導體器件中，其中，所述多個銅柱包含卵形、橢圓形、或跑道形狀，并且其中，在接近所述集成電路的表面的角落的外周區(qū)域中的所述多個銅柱中的至少一個包含在對角線方向上的取向。在上述半導體器件中，其中，所述多個銅柱包含卵形、橢圓形、或跑道形狀，并且其中，在接近所述集成電路的表面的角落的外周區(qū)域中的所述多個銅柱中的至少一個包含在對角線方向上的取向，并且其中，接近所述集成電路的表面的第一邊緣的多個銅柱以水平方向取向，并且其中，接近所述集成電路的表面的第二邊緣的多個銅柱以垂直方向取向。在上述半導體器件中，其中，所述多個銅柱包含卵形、橢圓形、或跑道形狀，并且其中，在接近所述集成電路的表面的角落的外周區(qū)域中的所述多個銅柱中的至少一個包含在
對角線方向上的取向，并且其中，接近所述集成電路的表面的第一邊緣的多個銅柱以水平方向取向，并且其中，接近所述集成電路的表面的第二邊緣的多個銅柱以垂直方向取向，并且其中，所述集成電路的表面的所述第二邊緣鄰近所述集成電路的表面的所述第一邊緣，其中，接近所述集成電路的表面的第三邊緣的多個銅柱以水平方向取向，所述第三邊緣與所述第一邊緣相對，并且其中，接近所述集成電路的表面的第四邊緣的多個銅柱以垂直方向取向，所述第四邊緣與所述第二邊緣相對。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種包括上述半導體器件的封裝半導體器件，進一步包括跡線上凸塊(BOT)封裝件，所述BOT封裝件連接至所述集成電路，所述BOT封裝件包括襯底和在所述襯底上設置的多個跡線，其中所述集成電路的所述多個銅柱連接至所述BOT封裝件上的所述多個跡線。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括提供集成電路；在所述集成電路的表面上形成多個接合焊盤；以及在所述集成電路的表面上的所述多個接合焊盤上形成多個銅柱，其中所述多個銅柱包含伸長形狀，并且其中所述多個銅柱的至少50%以基本上向心的取向布置。在上述方法中，其中，形成所述多個銅柱包括形成多個銅柱，其中所述多個銅柱中的至少一些以對稱的圖案布置在所述集成電路的表面上。在上述方法中，其中，形成所述多個銅柱包括形成多個銅柱，其中所述多個銅柱中的至少一些以非對稱的圖案布置在所述集成電路的表面上。在上述方法中，其中，形成所述多個銅柱包括形成多個以基本上指向所述集成電路的表面的中心的向心性圖案布置的銅柱。在上述方法中，其中，形成所述多個銅柱包括形成多個以基本上指向所述集成電路的表面的中心的向心性圖案布置的銅柱，并且其中，形成所述多個銅柱包括形成多個具有伸長邊的銅柱，并且其中，包含伸長形狀的所述多個銅柱的所述伸長邊基本上縱向延伸向所述集成電路的表面的中心。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種封裝半導體器件的方法，所述半導體器件包括具有在其表面上設置的多個接合焊盤的集成電路，其中，所述方法包括在所述集成電路的所述多個接合焊盤上形成包含伸長形狀的多個銅柱，使得多個銅柱的至少50%以基本上向心的取向布置；提供跡線上凸塊(BOT)封裝件，所述BOT封裝件包括在其上的多個跡線；以及將所述集成電路的所述多個銅柱連接至所述BOT封裝件上的所述多個跡線。在上述方法中，其中，提供所述BOT封裝件包括提供其中所述多個跡線包含第一圖案的BOT封裝件，其中，形成所述多個銅柱包括形成多個具有第二圖案的銅柱，并且其中，所述第二圖案基本上與所述第一圖案相同。在上述方法中，其中，形成所述多個銅柱包含形成多個包含所述伸長形狀的銅柱，所述伸長形狀具有寬度和長度，所述長度大于所述寬度，并且其中，在所述集成電路的表面的至少外周區(qū)域中，所述多個包含伸長形狀的銅柱沿著所述長度向所述集成電路的表面的邊緣延伸。在上述方法中，其中，在所述集成電路的所述多個接合焊盤上形成所述多個銅柱使得所述多個銅柱的至少一些包含所述伸長形狀并以向心取向布置，有助于在將所述集成電路的所述多個銅柱連接至所述BOT封裝件的所述多個跡線期間所述集成電路與所述BOT 封裝件的對準。在上述方法中，其中，在所述集成電路的所述多個接合焊盤上形成所述多個銅柱使得所述多個銅柱的至少一些包含所述伸長形狀并以向心取向布置，有助于在將所述集成電路的所述多個銅柱連接至所述BOT封裝件的所述多個跡線期間所述集成電路與所述BOT封裝件的對準，并且其中將所述集成電路的所述多個銅柱連接至所述BOT封裝件上的所述多個跡線的步驟包括焊料回流工藝。


為了更充分地理解本發(fā)明及其優(yōu)勢，現(xiàn)在將結(jié)合附圖所進行的以下描述作為參考，其中圖1是根據(jù)實施例的半導體器件的俯視圖，其中位于集成電路上的多個銅柱全部都是伸長的并且以基本上向心且對稱的取向設置；圖2和圖3是封裝圖1中所示的半導體器件的方法的立體圖；圖4和圖5是根據(jù)實施例的接合至BOT封裝件的跡線的伸長的銅柱的俯視圖；示出了由伸長形狀的銅柱提供的自對準；圖6至圖10示出了半導體器件的俯視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的伸長的銅柱在集成電路上的不同取向和布置的實例；以及圖11示出了包含跑道形狀的伸長的銅柱的俯視圖。除非另有說明，不同附圖中相應的數(shù)字和符號基本上是指相應的部件。繪制附圖用于清楚地示出實施例的相關(guān)方面而不必須按比例繪制。
具體實施例方式在下面詳細討論本發(fā)明所述實施例的制造和使用。然而，應當理解，實施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實現(xiàn)的可應用的概念。所討論的具體實施例僅僅是制造和使用本發(fā)明的示例性具體方式，而不用于限制本發(fā)明的范圍。首先參考圖1，示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件100的俯視圖。例如，半導體器件100包括集成電路102，集成電路102可以包括半導體晶圓的管芯。在集成電路102的表面上形成多個接合焊盤104(在圖1中看不到；接合焊盤104被設置在銅柱110的下方)。集成電路102還可以包括用于促進銅柱110與集成電路102的接界和連接的凸塊下金屬化(UBM)結(jié)構(gòu)(未示出)，和/或緊鄰接合焊盤104的種子層(也未示出)。將多個銅柱110連接至集成電路102的表面。例如，可以在集成電路102的接合焊盤104上形成多個銅柱110。例如，可以在從半導體晶圓分割單獨的管芯之前形成銅柱110。在一些實施例中，外周區(qū)域112中的銅柱110可以比中心區(qū)域114中的銅柱110包含更小的間距。例如，每個銅柱110包括包含銅的金屬立桿或樁，以及連接至金屬立桿頂部的焊料(未示出)。在本發(fā)明的實施例中，銅柱110具有伸長形狀，如從集成電路102的俯視圖中見到的卵形、橢圓形或跑道形狀。伸長的銅柱110可以包含具有尺寸d2的寬度，該尺寸d2可以包含約50pm。伸長的銅柱110可以包含具有尺寸Cl 1的長度，尺度Cl1大于寬度尺寸d2。例如，伸長的銅柱110的長度Cl1可以包含約100 iim。可選地，銅柱110可以包含其他尺寸。例如，銅柱110在圖1中所示的實施例中在半導體器件100的整個表面中以星芒圖案布置，以達到最大的對稱性和向心取向。根據(jù)本發(fā)明的實施例，在半導體器件100的設計工藝中選擇取向方向106a、106b、106c、和106d(以及其他方向，未示出)用于至少一些伸長的銅柱110，以達到封裝期間改進的對準。根據(jù)實施例，多個銅柱110以基本上向心的取向布置，例如銅柱110對準或指向集成電路102的頂面的中心115。例如，在集成電路102的表面的至少外周區(qū)域112中以及集成電路102的其他區(qū)域中如中心區(qū)域114中，具有伸長形狀的多個銅柱110可以沿著它們的長度Cl1向集成電路102的表面的邊緣116a、116b、116c和116d延伸。根據(jù)一些實施例，在外周區(qū)域112中，所有的銅柱110以基本上向心取向布置，和/或基本上是對稱的。例如，銅柱110以基本上指向集成電路102的表面的中心115的基本上向心性圖案布置。包含伸長形狀的多個銅柱110的伸長邊(例如沿著長度Cl1延伸)基本上縱向延伸向集成電路102的表面的中心115。根據(jù)其他實施例，在中心區(qū)域114中，所有的銅柱110都以基本上向心的取向布置，和/或基本上都是對稱的。在圖1中所示的實施例中，接近集成電路102的表面的第一邊緣116b(例如，左邊緣)的多個銅柱110中的一些以水平方向106b取向，以及接近集成電路102的表面的第二邊緣116a(例如，上邊緣)的多個銅柱110中的一些以垂直方向106a取向。集成電路102的表面的第二邊緣116a鄰近集成電路102的表面的第一邊緣116b。接近集成電路102的表面的第三邊緣116d (例如，右邊緣)的多個銅柱110中的一些也以水平方向106b取向，第三邊緣116d與第一邊緣116b相對。同樣，接近集成電路102的表面的第四邊緣116c (例如，下邊緣)的多個銅柱110中的一些以垂直方向106a取向，第四邊緣116c與第二邊緣116a相對。伸長形狀的銅柱110中的一些也可以以從上左延伸到下右的對角線方向106c取向和/或以從下左延伸到上右的對角線方向106d取向。例如，在圖1中，在外周區(qū)域112中接近集成電路102的表面的角落118a和118c的銅柱110包含在對角線方向106c上的取向，以及接近集成電路102的表面的角落118b和118d的銅柱110具有在對角線方向106d上的取向。在一些實施例中，銅柱110以對稱圖案布置在集成電路102的表面上，如圖1中所示。可選地，在其他實施例中，銅柱110可以以非對稱圖案布置在集成電路102的表面上。
圖2和圖3是封裝圖1中所示的半導體器件100的方法的立體圖。在集成電路102的多個接合焊盤104上形成銅柱110，使得銅柱110具有伸長形狀并以基本上向心的取向布置之后，從半導體晶圓分割集成電路102或管芯，并提供BOT封裝件120，如圖2中所示。BOT封裝件120包括襯底121，并具有在襯底121上形成的多個跡線122。作為實例，襯底121可以包含絕緣材料諸如塑料或陶瓷材料，并可以包含例如約Imm的厚度。可選地，襯底121可以包含其他材料和尺寸。例如，在襯底121上形成的跡線122提供電連接并可以包含銅、鎢、鋁、或其他材料或其組合。集成電路102的多個銅柱110連接至位于BOT封裝件120上的多個跡線122，形成完成的封裝半導體器件124，如圖3中所示。可以采用焊料回流工藝將銅柱110接合至跡線122，但是可選地，可以使用其他方法。再次參考圖2，多個跡線122可以包含第一圖案，并且多個銅柱110可以包含第二圖案。第二圖案可以基本上與第一圖案相同，以使集成電路102在封裝工藝期間可以與BOT封裝件120對準。
圖4示出了接合至BOT封裝件120的跡線122的伸長的銅柱110的俯視圖。如果在焊料回流工藝之前存在具有伸長形狀的銅柱110的不對準126，那么在回流工藝期間，由于銅柱110的伸長形狀，可有利地實現(xiàn)自對準，如圖5中所示，圖5示出了在銅柱110接合至BOT封裝件120的跡線122的焊料回流工藝之后的對準128。圖6至圖10示出了半導體器件200、300、400、500、和600的俯視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的伸長的銅柱210、310、410、510、和610在集成電路202、302、402、502、和602
上的不同取向和布置的實例。用于描述圖1的相似的數(shù)字用于圖6至圖10中的各個元件。為了避免重復，在本文中不再詳細地描述圖6至圖10中所示的每個參考編號。相反，使用相似的材料x00、x02、x04、x06等用于描述如用于描述圖1所示的各種材料層和元件，其中在圖1中x = l,在圖6中x = 2,在圖7中x = 3,在圖8中x = 4,在圖9中x = 5,以及在圖10中X = 6。在圖1中所示的實施例中，所有的銅柱110以基本上向心的取向布置并且是對稱的。例如，在圖6至圖10中所示的實施例中，連接至集成電路202、302、402、502、和602的表面的多個銅柱210、310、410、510、和610全部都包含伸長形狀，并且至少50%的銅柱210、310,410,510和610以基本上向心性方向布置。在圖6中，外周區(qū)域212中的所有銅柱210以基本上向心的取向布置。接近左邊緣216b和右邊緣216d的銅柱210以水平方向206b布置，并且接近上邊緣216a和下邊緣216c的銅柱210以垂直方向206a布置。接近左上角落218a的銅柱210和接近右下角落218c的銅柱210以對角線方向206c取向。接近右上角落218d的銅柱210和接近左下角落218b的銅柱210以對角線方向206d取向。中心區(qū)域214中的所有銅柱210以水平方向206b布置。中心區(qū)域214中的一些銅柱210也可以以向心性方向布置。在圖7中，外周區(qū)域312中的銅柱310以基本上向心的取向布置，如對圖6所述的。接近左上角落318a以及接近右下角落318c的多個銅柱310以對角線方向306c取向。接近右上角落318d以及接近左下角落318b的多個銅柱310以對角線方向306d取向。示出了在每個角落318a、318b、318c和318d中以對角306c或306d設置的3個銅柱310 ;可選地，在其他實施例中，可以在每個角落318a、318b、318c和318d中以對角306c或306d設置兩個或更多個銅柱310。在本實施例中，中心區(qū)域314中的所有銅柱310以對角線方向306d布置。可選地,例如，中心區(qū)域314中的所有銅柱310可以以對角線方向306c或垂直方向306a布置(未示出)。圖8、圖9和圖10示出了其中具有伸長形狀的銅柱410、510、和610在如對圖7所述的外周區(qū)域412、512、和612中布置，并且其中外周區(qū)域412、512、和612中的所有銅柱410、510、和610以基本上向心的取向布置的實施例。銅柱410、510、和610可以包含用于實現(xiàn)中心區(qū)域414、514、和614中的布置的各種形狀和布局，在中心區(qū)域414、514、和614中，所有的銅柱410、510、和610具有基本上向心的取向，如所示。例如，在圖8和圖10中，中心區(qū)域414和614中的銅柱410和610以對角線方向406c和406d以及606c和606d的組合取向。在圖9中，中心區(qū)域514中的銅柱510以垂直方向506a和水平方向506b的組合取向。可選地，例如，在其他實施例中，中心區(qū)域414、514、和614中的銅柱410、510、和610以取向方向 406a、406b、406c、406d、506a、506b、506c、506d、606a、606b、606c、606d、和 / 或其他方向的各種其他組合布置(未不出)。
在一些實施例中，如圖11中所示，在半導體器件100的俯視圖中，包含伸長形狀的銅柱110(以及還有銅柱210、310、410、510、和610)可以包含跑道形狀。在該實施例中，銅柱110包含具有彎曲拐角的矩形形狀。在一些實施例中，如所示，銅柱110可以包含具有兩個彎曲端的矩形形狀。本發(fā)明的實施例包括本文所述的半導體器件100、200、300、400、500、和600，并且還包括半導體器件100、200、300、400、500、和600的制造工藝。實施例還包括在BOT封裝件120中封裝的半導體器件100、200、300、400、500、和600以及如本文中所述的封裝半導體器件 100、200、300、400、500、和 600 的方法。本發(fā)明實施例的優(yōu)勢包括提供在封裝期間由于使用伸長的銅柱110、210、310、410、510、和610以及還由于伸長的銅柱110、210、310、410、510、和610在BOT封裝件120的襯底121上的基本上向心的取向而自對準的新型半導體器件100、200、300、400、500、和600。如本文所述以向心取向形成伸長形狀的銅柱110、210、310、410、510、和610改進了對準和管芯間隙一致性。使用本發(fā)明實施例可以在封裝工藝期間達到更高的成品率。在制造和封裝工藝流程中，可以很容易地應用本文所述的新型半導體器件100、200、300、400、500、和600及其方法。多個銅柱110、210、310、410、510、和610的至少50%包含伸長形狀并以基本上向心的取向布置。然而，在其他實施例中，更大百分比例如60%、75%或更大(例如，如圖1中所示的100% )的銅柱110、210、310、410、510、和610可以具有伸長形狀，并可以在集成電路102、202、302、402、502、和602的整個表面中以基本上向心的取向布置，從而進一步增加本發(fā)明所實現(xiàn)的優(yōu)勢。在其他實施例中，如圖1中所示的實施例，多個銅柱110全部都包含伸長形狀，并以基本上向心的取向布置，且是對稱的。在本文中參考在BOT封裝件中封裝的倒裝芯片集成電路設計描述本發(fā)明的實施例。作為實例，本發(fā)明的實施例在其他晶圓級封裝(WLP)應用、多芯片封裝系統(tǒng)和其他用于半導體器件的封裝方案中也具有有益的用途。本發(fā)明實施例用于任何尺寸的集成電路102、202、302、402、502、和 602。例如，圖1和圖8至圖10中所示出的實施例具有特別大量的以基本上向心的取向來取向的包含伸長形狀的銅柱410、510、和610，其在一些應用中可以提供增強的接合對準。作為另一個實例，在其他實施例中，基本上是對稱的銅柱110、210、310、410、510、和610的圖案在一些應用中可以提供增強的接合對準。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種半導體器件包括集成電路；以及連接至集成電路表面的多個銅柱。所述多個銅柱具有伸長形狀，并且至少50%以基本上向心的取向布置。在另一個實施例中，一種制造半導體器件的方法包括提供集成電路；在集成電路的表面上形成多個接合焊盤；以及在集成電路的表面上的多個接合焊盤上形成多個銅柱。多個銅柱包含伸長形狀，并且至少50%以基本上向心的取向布置。在又一個實施例中，公開了一種封裝半導體襯底的方法，所述半導體器件包括具有在其表面上設置的多個接合焊盤的集成電路。該方法包括在集成電路的多個接合焊盤上形成多個包含伸長形狀的銅柱，使得多個銅柱的至少50%以基本上向心的取向布置；提供BOT封裝件，該BOT封裝件包括在其上的多個跡線；以及將集成電路的多個銅柱連接至BOT封裝件上的多個跡線。 盡管已經(jīng)詳細地描述了本發(fā)明實施例及其優(yōu)勢，但應該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在其中進行各種改變、替換和更改。例如，本領(lǐng)域技術(shù)人員將很容易理解本文所述的許多部件、功能、工藝和材料可以發(fā)生改變，同時保持在本發(fā)明的范圍內(nèi)。而且，本申請的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明將很容易理解，根據(jù)本發(fā)明可以利用現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與本文所述相應實施例基本上相同的功能或者獲得基本上相同的結(jié)果的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求預期在其范圍內(nèi)包括這樣的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟。
權(quán)利要求
1.一種半導體器件，包括 集成電路；以及 連接至所述集成電路的表面的多個銅柱，其中所述多個銅柱包含伸長形狀，并且其中，所述多個銅柱的至少50%以基本上向心的取向布置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所有連接至所述集成電路的表面的所述多個銅柱都以基本上對稱的取向布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所有連接至所述集成電路的表面的所述多< 個銅柱都以基本上向心的取向布置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所有位于所述集成電路的表面的外周區(qū)域中的所述多個銅柱都以基本上對稱的取向布置或者以基本上向心的取向布置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所有位于所述集成電路的表面的中心區(qū)域中的所述多個銅柱都包含基本上對稱的取向或者都以基本上向心的取向布置。
6.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件的封裝半導體器件，進一步包括跡線上凸塊(BOT)封裝件，所述BOT封裝件連接至所述集成電路，所述BOT封裝件包括襯底和在所述襯底上設置的多個跡線，其中所述集成電路的所述多個銅柱連接至所述BOT封裝件上的所述多個跡線。
7.—種制造半導體器件的方法，所述方法包括 提供集成電路； 在所述集成電路的表面上形成多個接合焊盤；以及 在所述集成電路的表面上的所述多個接合焊盤上形成多個銅柱，其中所述多個銅柱包含伸長形狀，并且其中所述多個銅柱的至少50%以基本上向心的取向布置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述多個銅柱包括形成多個銅柱，其中所述多 個銅柱中的至少一些以對稱的圖案布置在所述集成電路的表面上。
9.一種封裝半導體器件的方法，所述半導體器件包括具有在其表面上設置的多個接合焊盤的集成電路，其中，所述方法包括 在所述集成電路的所述多個接合焊盤上形成包含伸長形狀的多個銅柱，使得多個銅柱的至少50%以基本上向心的取向布置； 提供跡線上凸塊(BOT)封裝件，所述BOT封裝件包括在其上的多個跡線；以及 將所述集成電路的所述多個銅柱連接至所述BOT封裝件上的所述多個跡線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，提供所述BOT封裝件包括提供其中所述多個跡線包含第一圖案的BOT封裝件，其中，形成所述多個銅柱包括形成多個具有第二圖案的銅柱，并且其中，所述第二圖案基本上與所述第一圖案相同。
全文摘要
公開了半導體器件及其制造和封裝方法。在一個實施例中，半導體器件包括集成電路和連接至集成電路的表面的多個銅柱。所述多個銅柱具有伸長形狀。多個銅柱的至少50％以基本上向心的取向布置。
文檔編號H01L23/488GK103000597SQ20121000377
公開日2013年3月27日 申請日期2012年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月9日
發(fā)明者吳勝郁, 郭庭豪, 陳承先, 鄭明達 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司