專利名稱:疊層陶瓷電子部件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及疊層陶瓷電子部件及其制造方法,特別涉及外部電極的至少一部分與多個(gè)內(nèi)部電極電連接從而通過直接鍍覆所形成的疊層陶瓷電子部件及其制造方法。
背景技術(shù):
作為疊層陶瓷電子部件的一例的 疊層陶瓷電容器的外部電極,通常是通過在部件本體的端部涂布導(dǎo)電膏進(jìn)行燒制而形成。但是,通過該方法所形成的外部電極的厚度較大, 為幾十ym 幾百μπι。因此,為了使疊層陶瓷電容器的尺寸收斂為一定的規(guī)格值,需要確保該外部電極的體積,與此對(duì)應(yīng),雖然不希望,但還是需要減少用于確保靜電電容的有效體積。對(duì)此,例如在JP特開昭63-169014號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)中公開了如下內(nèi)容,即 針對(duì)部件本體的、露出內(nèi)部電極的側(cè)壁面的全面,以在側(cè)壁面露出的內(nèi)部電極短路的方式, 通過無電解鍍覆析出導(dǎo)電性金屬膜,將該導(dǎo)電性金屬膜作為外部電極。根據(jù)該專利文獻(xiàn)I 記載的技術(shù),能夠減少外部電極的體積,由此能夠增加用于確保靜電電容的有效體積。如專利文獻(xiàn)I中記載的外部電極的形成方法那樣,在對(duì)露出內(nèi)部電極的端部進(jìn)行直接鍍覆時(shí),如果內(nèi)部電極的露出端沒有從部件本體充分地露出,則無法充分地作為鍍覆的析出核發(fā)揮功能。此外,所謂內(nèi)部電極的露出端充分地露出,并不限于內(nèi)部電極的露出端相對(duì)于部件本體的外表面齊平或突出的情況,也包括從部件本體的外表面引入但其引入長(zhǎng)度比較短的情況。但是,在通常情況下,在燒成之后的部件本體中,多數(shù)情況內(nèi)部電極的露出端不會(huì)從部件本體充分地露出,因此,有時(shí)成為外部電極的鍍覆膜的覆蓋率較低。此外,盡管外部電極與部件本體之間的密接性主要是由內(nèi)部電極與鍍覆膜的接合部分來確保,但是如果內(nèi)部電極的露出端沒有充分地露出,那么在內(nèi)部電極與鍍覆膜之間將無法獲得充分的接合狀態(tài),因此,外部電極與部件本體之間的密接性變差,特別在鍍覆膜的周緣部與部件本體之間產(chǎn)生間隙,容易引起耐濕性的下降。為此,在現(xiàn)有技術(shù)中,作為鍍覆工序的前處理,對(duì)部件本體的至少存在內(nèi)部電極的露出端的面實(shí)施研磨,由此使內(nèi)部電極的露出端從部件本體充分地露出。對(duì)于上述的研磨而言,一般采用例如噴沙法或滾筒研磨法。然而,為了采用噴沙法或滾筒研磨法來確保內(nèi)部電極的露出程度,需要一定時(shí)間以上的比較長(zhǎng)的處理時(shí)間。另一方面,如上述那樣,就算是以確保內(nèi)部電極的露出程度為目的而要實(shí)施的基于噴沙法或滾筒研磨法的研磨工序,如果其處理時(shí)間較長(zhǎng),有時(shí)反倒會(huì)使鍍覆膜的端部的固著力下降,耐濕性也會(huì)下降。同樣的問題在疊層陶瓷電容器以外的疊層陶瓷電子部件中也會(huì)遇到。專利文獻(xiàn)I JP特開昭63-169014號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能解決上述問題的疊層陶瓷電子部件及其制造方法。本件發(fā)明者認(rèn)為由于通過研磨在部件本體的棱線部形成R倒角,如果研磨時(shí)間過長(zhǎng),則使得在部件本體的棱線部形成的R倒角部的曲率半徑相應(yīng)變大,這與上述問題存在某種關(guān)系。在此基礎(chǔ)上進(jìn)行了認(rèn)真的研究后,發(fā)現(xiàn)按照將部件本體的棱線部的曲率半徑控制在一定值以下的方式實(shí)施研磨工序,由此能夠防止鍍覆膜的端部的固著力下降,據(jù)此來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明本發(fā)明為了解決上述技術(shù)課題,其特征在于具備如下的結(jié)構(gòu),其具備近似長(zhǎng)方體形狀的部件本體,其具有彼此對(duì)置的一對(duì)主面、彼此對(duì)置的一對(duì)側(cè)面及彼此對(duì)置的一對(duì)端面,包括在主面延伸的方向上延伸且在連結(jié)一對(duì)主面的方向上疊層多個(gè)陶瓷層、沿著陶瓷層之間的多個(gè)界面配置的多個(gè)內(nèi)部電極,多個(gè)內(nèi)部電極的各端部在一對(duì)端面的任意一個(gè)端面露出;和外部電極,包括以與多個(gè)內(nèi)部電極電連接的方式在端面上直接形成的鍍覆膜,在部件本體的棱線部形成R導(dǎo)切部,該R導(dǎo)切部具有O. Olmm以下的曲率半徑,外部電極的鍍覆膜從端面越過R導(dǎo)切部進(jìn)行延伸,使其端緣位于主面和/或側(cè)面上。也就是說其特征在于,盡管在部件本體的棱線部形成R倒角部,但使得該R倒角部的曲率半徑在O. Olmm以下,并且外部電極的鍍覆膜從端面越過R倒角部進(jìn)行延伸,使其端緣位于主面和/或側(cè)面上。優(yōu)選內(nèi)部電極向端面的露出端位于從端面突出的位置、或具有Iym以下的引入長(zhǎng)度位于從端面引入的位置。本發(fā)明還包括疊層陶瓷電子部件的制造方法。在本發(fā)明所涉及的疊層陶瓷電子部件的制造方法中,首先準(zhǔn)備近似長(zhǎng)方體形狀的部件本體,該部件本體具有彼此對(duì)置的一對(duì)主面、彼此對(duì)置的一對(duì)側(cè)面及彼此對(duì)置的一對(duì)端面,包括在主面延伸的方向上延伸且在連結(jié)一對(duì)主面的方向上疊層多個(gè)陶瓷層、沿著陶瓷層之間的多個(gè)界面配置的多個(gè)內(nèi)部電極,多個(gè)內(nèi)部電極的各端部在一對(duì)端面的任意一個(gè)端面露出。接下來,實(shí)施對(duì)部件本體的表面進(jìn)行研磨的研磨工序。在該研磨工序中,盡管在部品本體的棱線部形成R倒角部,但R倒角部的曲率半徑被控制在O. Olmm以下。接著,按照與多個(gè)內(nèi)部電極電連接的方式,實(shí)施在端面上直接形成成為外部電極的至少一部分的鍍覆膜的鍍覆工序。此時(shí),按照鍍覆膜從端面越過R倒角部進(jìn)行延伸、且使其端緣位于主面和/或側(cè)面上的方式,來選擇鍍覆條件。在本發(fā)明所涉及的疊層陶瓷電子部件的制造方法中,優(yōu)選研磨工序的結(jié)果使得部件本體處于如下狀態(tài),即內(nèi)部電極對(duì)所述端面的露出端位于從端面突出的位置、或具有
Iμ m以下的引入長(zhǎng)度位于從端面引入的位置。此外,優(yōu)選研磨工序采用離子研磨法來實(shí)施。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明,即便在部件本體的棱線部形成R倒角,也能夠抑制成為外部電極的至少一部分的鍍覆膜的端部對(duì)于部件本體的固著力下降。因此,能夠較好地維持鍍覆膜的密封性,由此能夠較好地維持疊層陶瓷電子部件的耐濕性。之所以這樣,推測(cè)是由于鍍覆膜通過從端面越過R倒角部進(jìn)行延伸、且使其端緣位于主面和/或側(cè)面上,同時(shí)將在部件本體的棱線部所形成的R倒角部的曲率半徑設(shè)定在O. Olmm以下,從而在棱線部中鍍覆膜與部件本體之間的緊固力、也就是錨定效應(yīng)得到提高。在本發(fā)明中,如果內(nèi)部電極的露出端處于從端面突出的位置、或具有Ιμπι以下的引入長(zhǎng)度而從端面引入的位置的狀態(tài),則能夠?qū)?nèi)部電極的露出端作為鍍覆的析出核充分地發(fā)揮作用,由此,可提高鍍覆膜的覆蓋率,并且在內(nèi)部電極與鍍覆膜之間可獲得充分的接合狀態(tài)。如果研磨工序采用離子研磨法來實(shí)施,則實(shí)現(xiàn)上述的內(nèi)部電極的露出程度的同時(shí),不會(huì)使在部件本體的棱線部所形成的R倒角部的曲率半徑過大,容易抑制在O. Olmm以下。
圖I是表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的疊層陶瓷電子部件的疊層陶瓷電容器I 的剖視圖。圖2是表示在圖I所示的疊層陶瓷電容器I中具備的部件本體2的立體圖。圖3是表示圖2所示的部件本體2的內(nèi)部構(gòu)造的平面圖,⑷表示沿著第I內(nèi)部電極11所處的面的剖面,(B)表示沿著第2內(nèi)部電極12所處的面的剖面。圖4是放大表示圖2所示的部件本體2的內(nèi)部電極11的露出端15附近的剖視圖。圖5是放大顯示圖I所示的疊層陶瓷電容器I的外部電極21的端緣附近的剖視圖。圖中I疊層陶瓷電容器2部件本體3、4 主面5、6 側(cè)面7、8 端面9陶瓷層11、12內(nèi)部電極15、18 露出端21、22外部電極3IR倒角部L引入長(zhǎng)度R曲率半徑
具體實(shí)施例方式如圖I所示,作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的疊層陶瓷電子部件的疊層陶瓷電容器 I具備部件本體2。部件本體2大致呈長(zhǎng)方體形狀,具有彼此對(duì)置的第I主面3及第2主面 4、彼此對(duì)置的第I側(cè)面5及第2側(cè)面6、和彼此對(duì)置的第I端面7及第2端面8。部件本體2如圖I所示那樣,包括在主面3及4延伸的方向上延伸且在連接一對(duì)主面3及4的方向上疊層的多個(gè)陶瓷層9、沿著陶瓷層9之間的多個(gè)界面配置的多個(gè)第I內(nèi)部電極11及第2內(nèi)部電極12。第I內(nèi)部電極11和第2內(nèi)部電極12從疊層方向觀察是交替配置的。此外,陶瓷層9由電介質(zhì)陶瓷構(gòu)成。如圖3(A)所示,第I內(nèi)部電極11具有對(duì)置部13和從對(duì)置部13向第I端面7方向延伸的引出部14,在引出部14的端部形成露出至第I端面7的露出端15。如圖3(B)所示,第2內(nèi)部電極12具有隔著陶瓷層9與第I內(nèi)部電極11的對(duì)置部13相對(duì)置的對(duì)置部 16、和從對(duì)置部16向第2端面8方向延伸的引出部17,在引出部17的端部形成露出至第2 端面8的露出端18。內(nèi)部電極11及12例如以鎳作為主要成分。在部件本體2的第I端面7上,以與第I內(nèi)部電極11電連接的方式形成第I外部電極21,在第2端面8上以與第2內(nèi)部電極12電連接的方式形成第2外部電極22。在本實(shí)施方式中,這些第I外部電極21及第2外部電極22由在端面7及8上直接形成的鍍覆膜構(gòu)成。其中,鍍覆膜可以由電解鍍覆或無電解鍍覆的任意一種來形成。此外,鍍覆膜可以由多個(gè)鍍覆層、例如Cu鍍覆層、其上的Ni鍍覆層以及其上的Sn鍍覆層構(gòu)成。
以下,通過說明疊層陶瓷電容器I的制造方法,以明確作為本發(fā)明的特征的結(jié)構(gòu)。首先,在獲得具有上述構(gòu)造的部件本體2之后,為了使內(nèi)部電極11及12的露出端 15及18的露出程度充分,對(duì)部件本體2的表面進(jìn)行研磨處理。參照?qǐng)D4來說明露出端15, 通過該研磨,露出端15及18如虛線所示那樣分別從端面7及8突出,或者即便如實(shí)線所示那樣從端面7及8引入但引入長(zhǎng)度LSlym以下。如果選擇這種露出程度,則能夠?qū)⒙冻龆?5及18作為鍍覆的析出核充分地發(fā)揮作用。上述研磨處理同時(shí)在部件本體2的棱線部形成R倒角部31。如圖5所示,R倒角部31的曲率半徑R被控制在O. Olmm以下。如果研磨處理的時(shí)間長(zhǎng),則伴隨于此曲率半徑 R變大,因此,為了抑制在O. Olmm以下,在比較短的時(shí)間內(nèi)便結(jié)束研磨處理是很重要的。關(guān)于這些,如果為了研磨處理而采用噴沙法或滾筒研磨法,那么由于為了獲得上述那種充分的露出程度需要比較長(zhǎng)的研磨處理時(shí)間,因此雖然不希望但曲率半徑有可能變大,難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)合適的露出程度條件和合適的曲率半徑條件。為此,作為容易確保充分的露出程度的同時(shí)將曲率半徑R抑制在O. OImm以下的研磨方法,例如采用離子研磨法是較為有利的。如果為了研磨處理而采用離子研磨法,則容易同時(shí)實(shí)現(xiàn)合適的露出程度條件和合適的曲率半徑條件。不過,能滿足這種條件的研磨方法并不限于離子研磨法。接下來,按照分別與多個(gè)第I內(nèi)部電極11及第2內(nèi)部電極12的各個(gè)電極電連接的方式,對(duì)端面7及8上實(shí)施鍍覆工序,直接形成作為第I外部電極21及第2外部電極22 的鍍覆膜。在鍍覆工序中,盡管可以采用電解鍍覆及無電解鍍覆的任意一種鍍覆,但是從不需要基于觸媒等的前處理的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選采用電解鍍覆。在鍍覆工序中,鍍覆浴中的金屬離子在部件本體2的內(nèi)部電極11及12的各個(gè)露出端15及18析出,該析出的鍍覆析出物即鍍覆膜首先在端面7及8上進(jìn)行生長(zhǎng),使內(nèi)部電極11及12各自相鄰的露出端15及18成為在疊層方向架橋的狀態(tài)。并且,鍍覆膜不久就從端面7及8分別越過R倒角部31進(jìn)行延伸,直至生長(zhǎng)為使其端緣位于主面3及4和側(cè)面 5及6上。如上所述,由于鍍覆生長(zhǎng)容易在面方向進(jìn)行,因此例如優(yōu)選采用如下對(duì)策,即使鍍覆浴的溫度比較高、或者作為基底的陶瓷材料采用鈦酸鋇類物質(zhì)。
此外,優(yōu)選鍍覆膜例如以銅作為主要成分。之所以選擇銅,是因?yàn)殂~具有良好的導(dǎo)電性并且鍍覆處理時(shí)的循環(huán)性良好,因此,可實(shí)現(xiàn)鍍覆處理的高效化,并且能夠提高外部電極21及22相對(duì)于部件本體2的固著力。接下來,在進(jìn)行洗凈之后,進(jìn)行熱處理。作為熱處理溫度例如為600°C以上,優(yōu)選采用800°C以上的溫度。通過該熱處理,提高了鍍覆膜對(duì)部品本體2的固著力。接著,根據(jù)需要,在上述鍍覆膜上,形成由至少一層構(gòu)成的上層鍍覆膜。在基底的 鍍覆膜如上述那樣以銅作為主要成分的情況下,上層鍍覆膜例如形成由錫焊障礙層和可焊性賦予層構(gòu)成的雙層構(gòu)造,該錫焊障礙層由以鎳為主要成分的鍍覆層構(gòu)成,可焊性賦予層是為了賦予可焊性而在錫焊障礙層上形成的、由以錫或金為主要成分的鍍覆層構(gòu)成。在形成了上述的上層鍍覆膜之后,進(jìn)行洗凈,完成疊層陶瓷電容器I。此外,圖示的疊層陶瓷電容器I是具備兩個(gè)外部電極21及22的雙端子型結(jié)構(gòu),但本發(fā)明也可以應(yīng)用于三端子以上的多端子型的疊層陶瓷電容器。在三端子以上的多端子型的疊層陶瓷電容器的情況下,作為外部電極的鍍覆膜從部件本體的端面越過R倒角部進(jìn)行延伸,使其端緣僅位于主面及側(cè)面的任意一面上,這種設(shè)計(jì)的可能性很高。此外,本發(fā)明還可以應(yīng)用于疊層陶瓷電容器以外的疊層陶瓷電子部件。例如,對(duì)于構(gòu)成電感器、熱敏電阻、壓電部件等的疊層陶瓷電子部件,也可以應(yīng)用本發(fā)明。因此,陶瓷層除了由電介質(zhì)陶瓷構(gòu)成以外,還可以根據(jù)疊層陶瓷電子部件的功能而由磁性體陶瓷、半導(dǎo)體陶瓷、壓電體陶瓷等構(gòu)成。接下來,說明為了確認(rèn)本發(fā)明的效果所實(shí)施的實(shí)驗(yàn)例。在該實(shí)驗(yàn)例中,按照以下的工序制備作為樣品的疊層陶瓷電容器。(I)準(zhǔn)備部件本體(2)研磨部件本體(3)形成基于電解鍍銅的基底鍍覆膜(4)熱處理(5)形成基于電解鍍鎳的上層第I鍍覆膜(6)形成基于電解鍍錫的上層第2鍍覆膜上述⑴ (6)的各工序的詳細(xì)內(nèi)容如下所述。(I)準(zhǔn)備部件本體準(zhǔn)備具有圖I及圖2所示的構(gòu)造的疊層陶瓷電容器用部件本體。該部件本體的長(zhǎng)為I. 0_,寬為O. 5mm,高為O. 5_,陶瓷層由鈦酸鋇類電介質(zhì)陶瓷構(gòu)成,內(nèi)部電極以鎳為主要成分,相鄰的內(nèi)部電極之間的各陶瓷層的厚度為lym,內(nèi)部電極的各厚度為Ιμπι,未形成內(nèi)部電極的外層部的各厚度為50 μ m。(2)研磨部件本體接下來,對(duì)上述部件本體進(jìn)行燒成之后,按照表I的“研磨方法”欄所示,通過噴沙研磨、滾筒研磨、或離子研磨的任意一種方法實(shí)施研磨處理。在噴沙法中,將部件本體投入開孔的坩堝狀的容器中,一邊旋轉(zhuǎn)該容器一邊向放入其中的部件本體整體噴射由SiC構(gòu)成的研磨材料,消磨部件本體的表面,使得部件本體中的內(nèi)部電極的露出端充分地露出,將其噴沙條件設(shè)定為氣壓0. IMPa、時(shí)間60分鐘。在滾筒研磨中,在密閉的容器中投入部件本體、研磨材料、純水,一邊使該容器旋轉(zhuǎn)一邊研磨投入其中的部件本體整體,使得部件本體中的內(nèi)部電極的露出端充分地露出, 滾筒研磨條件設(shè)定為轉(zhuǎn)速120rpm、時(shí)間40分鐘。在離子研磨法中,在加速電壓為6kV、離子束入射角度為15°、氣體種類為Ar、時(shí)間為15分鐘的條件下實(shí)施,使得部件本體中的內(nèi)部電極的露出端充分地露出。
在表I的“曲率半徑”一欄中,表示在研磨工序之后的部件本體的棱線部所形成的 R倒角部的曲率半徑。此外,在表I的“內(nèi)部電極的引入長(zhǎng)度”一欄中,表示研磨工序之后的內(nèi)部電極的露出端距離端面的引入長(zhǎng)度。(3)形成基于電解鍍銅的基底鍍覆膜接下來,針對(duì)各樣品,將20ml的體積量的部件本體投入容積300ml的水平旋轉(zhuǎn)桶中,除此以外,投入70ml的直徑為O. 4mm的媒介,并且作為攪拌珠投入50cc的直徑為8. Omm 的尼龍包裹鐵球,一邊使桶以轉(zhuǎn)速20rpm旋轉(zhuǎn)一邊實(shí)施電解鍍銅。在該電解鍍銅中,首先使用以下的Cu打底鍍?cè)韺?shí)施Cu打底鍍?cè) !碈u打底鍍?cè)?gt;·焦磷酸銅三水和物14g/L (Cu濃度5g/L) 焦磷酸鉀120g/L 草酸鉀10g/L· pH 8. 7(聚磷酸/氫氧化鉀) 浴溫25°C。接下來,以純水實(shí)施洗凈之后,使用以下的厚Cu鍍?cè)?shí)施厚Cu鍍覆。厚Cu鍍覆被實(shí)施至獲得與之前的Cu打底鍍?cè)〉暮嫌?jì)厚度為7 μ m的膜厚為止。〈厚Cu 鍍?cè)?> 上村工業(yè)公司制 “pyro-Bright process”· pH 8. 6 浴溫55°C。接下來,以純水實(shí)施洗凈。(4)熱處理接著,在氮氛圍氣中,實(shí)施在800°C的溫度中保持20分鐘的熱處理。(5)形成基于電解鍍鎳的上層第I鍍覆膜接下來,針對(duì)各樣品,將20ml體積量的部件本體投入圓筒容積為300ml、直徑為 70mm的水平旋轉(zhuǎn)桶中,除此以外,投入40ml的直徑為O. 45mm的Sn-Ag-Cu制媒介,并且作為攪拌珠投入50cc的直徑為8. Omm的尼龍包裹鐵球,一邊以桶轉(zhuǎn)速20rpm使其旋轉(zhuǎn)一邊實(shí)施
電解鍍鎳。在該電解鍍鎳中,使用以下的瓦茲鍍?cè)~@得5μπι膜厚的鍍鎳膜。<瓦茲鍍?cè)?gt;·硫酸鎳300g/L 氯化鎳45g/L·硼酸40mg/L· pH 4. O 浴溫55°C。
接下來,以純水實(shí)施洗凈。(6)形成基于電解鍍錫的上層第2鍍覆膜接著,作為電解鍍錫浴除了使用中性鍍錫浴以外,以與上述電解鍍鎳相同的裝置及條件實(shí)施電解鍍錫,獲得3 μ m膜厚的鍍錫膜。通過以上工序,在包含部件本體的端面的端部上,形成由鍍銅膜、鍍鎳膜及鍍錫膜構(gòu)成的外部電極。接著,以純水實(shí)施洗凈之后,在空氣中在80°C的溫度下干燥15分鐘。針對(duì)通過以上工序所得到的各樣品涉及的疊層陶瓷電容器,如表I所示評(píng)價(jià)了“密封性不良率”及“成膜性”。“密封性不良率”是求出在全部的500個(gè)樣品的耐濕負(fù)荷試驗(yàn)中不良樣品數(shù)的比例,在將各樣品涉及的疊層陶瓷電容器焊裝于基板的狀態(tài)下,在溫度125°C及相對(duì)濕度95%的環(huán)境下,實(shí)施向疊層陶瓷電容器施加1000小時(shí)的6. 3V電壓的耐濕負(fù)荷試驗(yàn)之后,將IR(絕緣電阻)低于1Χ107Ω的樣品判定為不良。“成膜性”是針對(duì)各樣品涉及的疊層陶瓷電容器評(píng)價(jià)在部件本體的端面上是否恰當(dāng)?shù)匦纬闪送獠侩姌O,將恰當(dāng)?shù)匦纬闪送獠侩姌O的以“〇”表示,否則以“X表示。表I
樣品編號(hào)研磨方法曲率半徑內(nèi)部電極的引密封性不良率成膜性
權(quán)利要求
1.一種疊層陶瓷電子部件,其具備近似長(zhǎng)方體形狀的部件本體,其具有彼此對(duì)置的一對(duì)主面、彼此對(duì)置的一對(duì)側(cè)面及彼此對(duì)置的一對(duì)端面,包括在所述主面延伸的方向上延伸且在連結(jié)所述一對(duì)主面的方向上疊層多個(gè)陶瓷層、沿著所述陶瓷層之間的多個(gè)界面配置的多個(gè)內(nèi)部電極,多個(gè)所述內(nèi)部電極的各端部在所述一對(duì)端面的任意一個(gè)端面露出;和外部電極,包括以與多個(gè)所述內(nèi)部電極電連接的方式在所述端面上直接形成的鍍覆膜,在所述部件本體的棱線部形成R倒角部,該R倒角部具有O. Olmm以下的曲率半徑,所述外部電極的所述鍍覆膜從所述端面越過所述R倒角部進(jìn)行延伸,使其端緣位于所述主面和/或所述側(cè)面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的疊層陶瓷電子部件,其特征在于,所述內(nèi)部電極向所述端面的露出端位于從所述端面突出的位置、或具有Ium以下的弓I入長(zhǎng)度位于從所述端面引入的位置。
3.一種疊層陶瓷電子部件的制造方法,其包括準(zhǔn)備近似長(zhǎng)方體形狀的部件本體的工序,該部件本體具有彼此對(duì)置的一對(duì)主面、彼此對(duì)置的一對(duì)側(cè)面及彼此對(duì)置的一對(duì)端面,包括在所述主面延伸的方向上延伸且在連結(jié)所述一對(duì)主面的方向上疊層多個(gè)陶瓷層、沿著所述陶瓷層之間的多個(gè)界面配置的多個(gè)內(nèi)部電極,多個(gè)所述內(nèi)部電極的各端部在所述一對(duì)端面的任意一個(gè)端面露出;研磨工序,對(duì)所述部件本體的表面進(jìn)行研磨,由此在所述部件本體的棱線部形成R倒角部,該R倒角部具有O. Olmm以下的曲率半徑;和鍍覆工序,按照與多個(gè)所述內(nèi)部電極電連接的方式,在所述端面上直接形成成為外部電極的至少一部分的鍍覆膜,并使其從所述端面越過所述R倒角部進(jìn)行延伸,使其端緣位于所述主面和/或所述側(cè)面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法,其特征在于,所述研磨工序的結(jié)果使得所述部件本體處于如下狀態(tài)所述內(nèi)部電極向所述端面的露出端位于從所述端面突出的位置、或具有I μ m以下的引入長(zhǎng)度位于從所述端面引入的位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法,其特征在于,所述研磨工序采用離子研磨法來實(shí)施。
全文摘要
本發(fā)明提供一種疊層陶瓷電子部件和疊層陶瓷電子部件的制造方法。在通過使部件本體的多個(gè)內(nèi)部電極的露出端處析出的鍍覆析出物生長(zhǎng)來形成鍍覆膜并由此形成外部電極時(shí),為了使內(nèi)部電極的露出程度充分,要對(duì)部件本體實(shí)施研磨處理,但如果研磨時(shí)間較長(zhǎng),則有時(shí)外部電極的固著力會(huì)下降。在研磨處理中,將在部件本體(2)的棱線部所形成的R倒角部(31)的曲率半徑抑制在0.01mm以下,并且內(nèi)部電極(11、12)對(duì)端面(7、8)的露出端(15、18)處于具有1μm以下的引入長(zhǎng)度從端面(7、8)引入的位置的狀態(tài)。因此,在研磨處理中優(yōu)選采用離子研磨法。成為外部電極(21、22)的鍍覆膜按照從部件本體(2)的端面(7、8)越過R倒角部(31)進(jìn)行延伸、使其端緣位于主面(3、4)和/或側(cè)面上的方式形成。
文檔編號(hào)H01G4/232GK102623178SQ20121001524
公開日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月1日
發(fā)明者元木章博, 小川亙, 小川誠, 巖永俊之, 猿喰真人 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所