專利名稱：發光二極管晶片的點測方法
技術領域：
本發明涉及一種發光二極管晶片的點測方法，具體涉及一種鋁鎵銦磷基發光二極管晶片測試方法。
背景技術：
隨著鋁鎵銦磷基發光二極管(light-emitting diode, LED)廣泛應用于顯示屏、 指示燈、數碼產品、背光源等不同領域，客觀上對LED的需求呈現幾何級數增加，這樣對LED 的生產效率提出了更高的要求。目前LED晶片在做點測時需測量電性及光學參數，傳統的全點測方式采用點墨測試，即對晶片中每顆芯粒進行光電參數全測(通常為WLD、L0P、VF、IR 等)，將不符合一定參數規格范圍的芯粒噴上墨點以做標識，并在鏡檢環節再做挑除。測量電性參數時反應速度快，但測量光學參數需根據LED芯粒的特性來設定芯粒穩定時間、光學測量系統的曝光時間及用運算校正的系統函數演算法來取得測量數值，其測量光學參數的時間約占總測量時間的1/3 1/2時間，其造成了 LED晶片測試機臺的點測效率低下，進而嚴重影響了發光二極管的產能。

發明內容
本發明的目的在于提供一種發光二極管晶片的點測方法，其可以有效提升測試發光二極管晶片的效率。本發明說明書和權利要求書中多次提及“光電參數全測”和“電參數單測”，在此特別說明，“光電參數全測”是指測試芯粒的光學參數和電性參數，“電參數單測”是指只測試芯粒的電性參數。本發明提供一種發光二極管晶片的點測方法，包括光學參數測試和電性參數測試，其特征在于對光學參數分布離散的區域芯粒進行光電參數全測，對光學參數分布集中的區域芯粒只進行電性參數單測。進一步地，前述發光二極管晶片的點測方法，包括如下步驟定義晶片的頂部、底部區域和中間區域；對晶片頂部區域的芯粒進行光電參數全測；對晶片的中間區域的部分芯粒進行光電參數全測，另一部分芯粒進行電參數單測；對晶片的底部區域進行光電參數全測。進一步地，本發明通過設定單行芯粒顆數界定晶片的頂部和底部區域，當單行芯粒顆數低于預設值時，其為頂部或底部區域。進一步地，在晶片的中間區域，每行芯粒設定單-全測切換點，根據該單-全測切換點進行光電參數全測與電參數單測的切換。進一步地，在晶片的中間區域，每行芯粒設置單-全測參考點。進一步地，所述單-全測參考點設置在每行的起始區域。進一步地，所述晶片的中間區域，每行芯粒設置有兩個單-全測切換點，分別分布在該行的起始區域和終止區域。
進一步地，在晶片的中間區域，所述起始區域的單-全測切換點根據該行的起始區域的全測數值進行設置，當連續光電參數值為正常值的芯粒顆數達到預設值時，設置起始區域的單-全測參考點；所述終止區域的單-全測切換點根據前一行的單-全測參考點進行設置，其位于單-全測參考點相應位置的內側。進一步地，在對晶片中間區域的芯粒進行點測過程中，在每行的起始端先進行光電參數全測，到達第一個單-全測切換點時，切換為電參數單測，到達第二個單-全測切換點時，切換為光電參數全測，完成該行芯粒的點測。進一步地，在對晶片進行點測前，采用抽測方式進行晶片的篩選。目前，鋁鎵銦磷基發光二極管外延磊晶技術已做到光學參數(主要為波長和亮度) 分布為完整片邊沿區域離散、中間區域集中性很好。本發明根據鋁鎵銦磷基LED晶片光學參數的集中性水平來自動判別允許只測電性的區域，從而通過對該區域芯粒由傳統的光電參數全測自動切換成只測電性來節省光學參數測試的時間，測試速率顯著提升，極大程度的提升了機臺產能和降低了生產成本。本發明的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，逐漸地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發明而了解。本發明的目的和其他優點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。雖然在下文中將結合一些示例性實施及使用方法來描述本發明，但本領域技術人員應當理解，并不旨在將本發明限制于這些實施例。反之，旨在覆蓋包含在所附的權利要求書所定義的本發明的精神與范圍內的所有替代品、修正及等效物。


附圖用來提供對本發明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本發明的實施例一起用于解釋本發明，并不構成對本發明的限制。此外，附圖數據是描述概要，不是按比例繪制。圖1為普通鋁鎵銦磷基發光二極管晶片的結構示意圖。圖2為根據本發明實施的鋁鎵銦磷基發光二極管晶片點測線路圖。圖3為根據圖2所示點測線路實施的晶片局部區域的點測示意圖。圖4為根據本發明實施的發光二極管晶片的點測流程圖。圖中各標號表示
100 =LED晶片；110 :晶片的頂部區域，120 晶片的中間區域；130 晶片的底部區域； 140 晶片的平邊；200 芯粒；S 單-全測參考點；Tl，T2 單-全測切換點；Q 光電參數全測；D 電參數單測；SlOO 晶片篩選步驟；S200 定義晶片區域步驟；S300 測試晶片頂部區域步驟；S400 測試晶片中間區域步驟；S500 測試晶片底部區域步驟。
具體實施例方式以下將結合附圖及實施例來詳細說明本發明的實施方式，借此對本發明如何應用技術手段來解決技術問題，并達成技術效果的實現過程能充分理解并據以實施。需要說明的是，只要不構成沖突，本發明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結合， 所形成的技術方案均在本發明的保護范圍之內。
下文為區分現有LED晶片的光電參數全測的方式，將光電參數全測和電性參數單測混用的測試方式稱為新點測方式。全文中如無特別說明，新點測方式均是指光電參數全測和電性參數單測并用。圖1為普通鋁鎵銦磷基發光二極管晶片的結構示意圖。如圖1所示，根據晶片100 的平邊140進行定位，將晶片劃分為頂部區域110、中間區域120、底部區域130。如圖2所示，一般情況下LED晶片100的光學參數分布為邊沿區域離散、中間區域集中性良好。圖4為本發明公開的發光二極管晶片點測流程圖，如圖4所示，發光二極管晶片的點測方法，包括步驟晶片篩選步驟S100、定義晶片區域S200、測試晶片頂部區域S300、測試晶片中間區域S400、測試晶片底部區域S500。以下對各步驟進行詳細說明。晶片篩選。采用抽測方式自動判別中間區域光學參數集中性欠佳的晶片，并做標識，并繼續采用傳統的光電全測，而集中性良好的晶片采用下述新點測方式進行測試。定義晶片的頂部、中間和底部區域。晶片中芯粒分布如圖2所示，頂部、底部各行的芯粒數目較少，可以通過預設單行芯粒顆數來界定晶片頂、底部區域，當單行芯粒顆數低于預設值時，其為頂部或底部區域。設定顆數應根據具體型類的晶片的光學參數分布情況進行設定。先在點測機器上設定好晶片中間區域單行芯粒顆數最低值，點測機器在點測過程中自動計數，與預設值進行對比，實現各個區域的自動識別。每片晶片的點測線路按圖2 中箭頭所示，從頂部區域開始往下進行點測，每行芯粒點測完即會自動計數，若達到預設顆數，則下一行起為中間區域，執行“新點測方式”，當每行芯粒數目小于預設值時，則下行起為底部區域，執行光電全測方式。對于區域的劃分，還可采用其他方法，如對于光學參數分布情況比較統一的晶片， 可根據晶片的光學參數分布情況直接定義各個區域，如將晶片的頂部X行定義為頂部區域，底部y行定義為底部區域，其中X、y視具體晶片光學參數分布情況而定，一般可取值 5 10。另外，還可根據各行連續光電參數值為正常值的芯粒顆數進行定義各個區域。按照圖 2所示的晶片的點測線路，從晶片的頂部第一行開始先進行光電全測，當該行連續光電參數值為正常值的芯粒顆數達到預設值時，則下行起為中間區域，執行“新點測方式”，當該行連續光電參數值為正常值的芯粒顆數低于預設值時，則下行起為底部區域，執行光電全測方式。開始對晶片進行點測。首先點測機臺讀取晶片的篩選信息，確認點測方式。如果晶片中間區域光學參數集中性欠佳，直接執行全測方式；如果晶片中間區域光學參數集中良好，執行“新點測方式”。下面僅對第二種情況進行具體說明。本實施例通過設定單行芯粒顆數界定晶片的頂部和底部區域。在新點測方式中，為了能夠準確進行光電參數全測與電參數單測間的切換，每行設定了一個單-全測參考點S和兩個單-全測切換點T1、T2，單測轉換參考點S設置在每行的起始區域，單-全測切換點Tl和Τ2分別位于每行的起始區域和終止區域。點測機在每行的起始區域進行光電全測過程中，當連續出現η顆光電參數正常的芯粒，設置單-全測參考點；當連續出現m顆光電參數正常的芯粒，設置第m+1顆芯粒為第一個單-全測切換點Tl。單-全測參考點S可從該η顆光電參數正常的芯粒中選取，如選取第一顆作為S點。第二個單-全測切換點Τ2根據前一行的單-全測參考點S進行設置，其為單-全測參考點S相應位置內側第i顆芯粒。其中，i、n、m為預設值(1 < i ( 10，
2 ≤ η ≤ m)。
首先，對晶片的頂部區域芯粒進行光電參數全測。如圖2所示，按照箭頭指示的路線，從晶片的頂部第一行左端開始進行光電參數全測，并自動進行單行計數、尋找單-全測參考點S。如圖3所示，假設第5行L5的芯粒顆數達到預設值且尋找到了單-全測參考點 S，則第6行L6起為中間區域，執行“新點測方式”。下一步，采用“新點測方式”點測晶片的中間區域芯顆。在每行的起始端先進行光電參數全測，到達第一個單-全測切換點Tl時，切換為電參數單測，到達第二個單-全測切換點T2時，切換為光電參數全測，完成該行芯粒的點測。如圖3所示，第6行L6起為晶片的中間區域，單-全測參考點S和第一個單-全測切換點Tl通過對起始區域芯粒光電參數全測獲得，第二個單-全測切換點T2根據前一行L5的單-全測參考點S獲得，其位于點S 相應位置內側第2顆芯粒(在本實施例中i=2)。下面對具體點測過程進行說明從右端第一顆芯粒先進行光電參數全測，當連續出現η顆光電參數正常的芯粒，設置第一單-全測參考點S，選取第一顆芯粒做為S點；當連續出現m顆光電參數正常的芯粒，設置第m+1顆為第一個單-全測切換點Tl (本實施例中m=2)，切換為電參數單測；到達第二個單-全測切換點T2時，切換為光電參數全測，完成該行芯粒的點測，并統計該行的芯粒顆數。如此循環， 當單行芯粒顆數低于預設值，下一行起為晶片底部區域。下一步，點測晶片的底部區域芯粒的光電參數。采用傳統的光電參數全測方式點測底部區域芯粒，完成該晶片的點測。在本發明中，在沒有增設任何硬件成本的前提下，實現自動尋找和判別發光二極晶片光學參數集中性分布較好的區域，對其僅測試電性參數，節省光學參數測試的時間，測試速率顯著提升，極大程度的提升了機臺產能和降低了生產成本。以上實施例僅供說明本發明之用，而非對本發明的限制，有關技術領域的技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍的情況下，還可以作出各種變換或變化。因此，所有等同的技術方案也應該屬于本發明的范疇，應由各權利要求限定。
權利要求
1.發光二極管晶片的點測方法，包括光學參數測試和電性參數測試，其特征在于對光學參數分布離散的區域芯粒進行光電參數全測，對光學參數分布集中的區域芯粒只進行電性參數單測。
2.根據權利要求1所述的發光二極管晶片的點測方法，包括如下步驟步聚一定義晶片的頂部、底部區域和中間區域；步驟二 對晶片頂部區域的芯粒進行光電參數全測；步驟三對晶片的中間區域的部分芯粒進行光電參數全測，另一部分芯粒進行電參數單測；步驟四對晶片的底部區域進行光電參數全測。
3.根據權利要求2所述的發光二極管晶片的點測方法，其特征在于通過設定單行芯粒顆數界定晶片的頂部和底部區域，當單行芯粒顆數低于預設值時，其為頂部或底部區域。
4.根據權利要求2所述的發光二極管晶片的點測方法，其特征在于在晶片的中間區域，每行芯粒設定單-全測切換點，根據該單-全測切換點進行光電參數全測與電參數單測的切換。
5.根據權利要求4所述的發光二極管晶片的點測方法，其特征在于所述晶片中間區域的芯粒，每行設置有單-全測參考點。
6.根據權利要求5所述的發光二極管晶片的點測方法，其特征在于所述單-全測參考點設置在每行的起始區域。
7.根據權利要求6所述的發光二極管晶片的點測方法，其特征在于對起始區域的芯粒進行光電參數全測，當連續光電參數值為正常值的芯粒顆數達到預設值時，設置單-全測參考點。
8.根據權利要求4所述的發光二極管晶片的點測方法，其特征在于所述晶片中間區域，每行芯粒設置有兩個單-全測切換點，分別分布在起始區域和終止區域。
9.根據權利要求8所述的發光二極管晶片的點測方法，其特征在于所述起始區域的單-全測切換點根據該行起始區域的全測數據進行設置，當連續光電參數值為正常值的芯粒顆數達到預設值時，設置起始區域的單-全測參考點；所述終止區域的單-全測切換點根據前一行的單-全測參考點進行設置，其位于單-全測參考點相應位置的內側。
10.根據權利要求9所述的發光二極管晶片的點測方法，其特征在于在對中間區域的芯粒進行點測過程中，在每行的起始端先進行光電參數全測，到達第一個單-全測切換點時，切換為電參數單測，到達第二個單-全測切換點時，切換為光電參數全測，完成該行芯粒的點測。
全文摘要
本發明公開了一種發光二極管的點測方法，包括光學參數測試和電性參數測試，其特征在于對光學參數分布離散的區域芯粒進行光電參數全測，對光學參數分布集中的區域芯粒只進行電性參數單測。在沒有增設任何硬件成本的前提下，實現自動尋找和判別發光二極晶片光學參數集中性分布較好的區域，對其僅測試電性參數，節省光學參數測試的時間，測試速率顯著提升，極大程度的提升了機臺產能和降低了生產成本。
文檔編號H01L21/66GK102569565SQ201210055190
公開日2012年7月11日 申請日期2012年3月6日 優先權日2012年3月6日
發明者李水清, 章小飛, 蔡坤煌, 賴余盟 申請人:廈門市三安光電科技有限公司