專利名稱：具有低導通電阻的mos器件的幾何圖形的制作方法
技術領域：
本發明涉及金屬氧化物半導體(MOS)器件的幾何圖形，以便生產具有低導通電阻(on-resistance)的器件，并且具體地涉及具有這樣的幾何圖形的方形DMOS(SQDMOS)器件。
背景技術：
出于比較目的，圖I示出了具有柵極、漏極、源極和本體(體)區的傳統金屬氧化物半導體(MOS)結構的幾何圖形(geometry)的俯視圖。MOS溝道(柵極區)的寬度是B，MOS溝道的長度是G。源和漏極區的長度S和D分別基于具體處理技術的設計規則以實現某一可靠性和電壓能力。MOS的總面積是AXB。MOS的導通電阻(Ron)取決于MOS溝道的寬度B和長度G。更大的寬度B導致更小的Ron，更小的長度G導致更小的Ron。通過減小Ron，可增加在給定時間段內MOS開關的次數，并且因此可獲得更高的處理速度和每個開關事件更低的能量消耗。然而，在減小Ron時，如果MOS溝道的寬度B增加，則MOS的面積可能増加。增加的MOS面積可導致在相同面積中具有較小計算能力的芯片，或者具有被増加的制造成本的更大的芯片。因此，減小Ron同時還不增加MOS的面積才是有利的。一種減小Ron的技術包括鏡像化兩個基本MOS結構，以使得每個結構的漏極區重疊，如圖2的幾何圖形所示。根據此技術，有效寬度B被加倍(即存在每個都具有寬度B的兩個MOS溝道)，從而降低了 Ron，同時該結構的總面積小于單個MOS結構的兩倍面積(即小于兩倍的AXB)?？扇鐖D3所示地重復此結構以獲得甚至更小的Ron。本發明提供了用于MOS器件的幾何圖形，該幾何圖形獲得了器件的Ron的甚至進一步的減小，同時還不増加器件的面積。

發明內容
本發明充分利用了發明人這樣的認識如果(在溝道區之上形成的)柵極區被形成為以環的形式圍繞漏極區，則相對于給定的MOS面積增加了溝道寬度。以此方式，因為增加了溝道的有效寬度，所以降低了 MOS的Ron，而不增加MOS的面積。因此，在ー個方面，本發明提供了ー種金屬氧化物半導體(MOS)器件以及ー種、在襯底上形成該MOS器件的方法。MOS包括漏極區；以環的形式圍繞漏極區的柵極區；多個源極區，這些源極區被布置在柵極區周圍并且與漏極區相対；以及多個體區(bulkregion)，這些體區被布置在柵極區周圍并且分隔源極區。利用上述配置，降低了 MOS的Ron。成環的柵極區提供了増加的柵極寬度，而沒有増加MOS的面積。通過減小Ron，可増加MOS開關 次數，并且因此可獲得更高的處理速度和每個開關事件更低的能量消耗。與傳統結構相比，將體區布置在柵極區周圍并且分隔源極區可提供MOS面積的進ー步減小。因為體區被布置在柵極區周圍，所以可以不需要源極區周圍的額外體區。在MOS的正常操作中，體區中所包括的體觸點不承載任何電流。體觸點向MOS的體區提供電壓偏置。因此，可減少體觸點的數目，而不影響MOS的性能。因為體區可被排除在源極區之外，所以可減小源極區的尺寸。通過減小MOS的面積，在相同的面積中可提供更多的計算能力，或者可生產更小的芯片，從而減少制造成本。柵極區可以被形成為閉環形式，并且柵極區可具有與漏極區的形狀相對應的形狀。漏極區可具有圓形形狀或多邊的多邊形形狀，該多邊的多邊形形狀包括方形、矩形、六邊形和八邊形之一。溝道區可形成在柵極區之下，并且溝道區可被配置為使得電流可從每個源極區流向漏極區。襯底可具有與漏極區的形狀相對應的形狀，并且體區可被布置在襯底的角落。將體區布置在襯底的角落可使有效溝道寬度最大化。MOS器件可以是晶體管，并且襯底可以是硅襯底。柵極區可包括多晶硅，并且MOS器件可以是方形DMOS (SQDMOS)。漏極區和至少ー個源極區可具有各自的觸點，并且漏極區的觸點和柵極區之間的距離可大于源極區的觸點和柵極區之間的距離，以達到從漏極區到源極區的更大的擊穿電壓。在另一方面，本發明提供了ー種金屬氧化物半導體(MOS)器件以及ー種用于形成該MOS器件的方法，該MOS器件具有在襯底上以陣列形式形成的多個MOS晶體管単元。每個MOS晶體管単元包括漏極區；圍繞漏極區的柵極區；多個源極區，這些源極區被布置在柵極區周圍并且在漏極區對面；以及多個體區，這些體區被布置在柵極區周圍并且分隔源極區。柵極區被形成為以環的形式圍繞漏極區。源極區與相鄰MOS晶體管単元的相應源極區重疊。此簡要內容的提供是為了可迅速理解本發明的本質。通過參考與附圖相關的本發明優選實施例的以下詳細描述，可獲得對本發明的更完全的理解。


圖I、圖2和圖3是描繪了用于比較的金屬氧化物半導體(MOS)結構或MOS單元的陣列的俯視圖的示圖。圖4是描繪了根據本發明第一實施例的MOS結構的俯視圖的示圖。圖5A和圖5B是描繪了根據本發明第二實施例的MOS単元的陣列的俯視圖的示圖。圖6A是硬盤驅動器中的本發明的框圖。圖6B是DVD驅動器中的本發明的框圖。
圖6C是高清晰度電視(HDTV)中的本發明的框圖。圖6D是車輛控制系統中的本發明的框圖。圖6E是蜂窩或移動電話中的本發明的框圖。圖6F是機頂盒(STB)中的本發明的框圖。圖6G是媒體播放器中的本發明的框圖。圖6H是VoIP播放器中的本發明的框圖。
具體實施例方式圖4是描繪了根據本發明的一個實施例的單個MOS單元(cell) 400的金屬氧化物 半導體(MOS)結構的俯視圖的示圖。如圖4所示，單元400被形成為方形的形狀，但是在其他實施例中，単元400可具有圓形形狀或任何多邊的多邊形形狀，例如矩形、六邊形或八邊形。單元400可以是例如MOS晶體管，包括NMOS和PMOS晶體管，并且單元400可以是方形DMOS(Square DMOS) (SQDMOS)。單元400至少包括漏極區401、柵極區402、源極區404和405、以及在襯底上形成的體區406，襯底例如是硅襯底或任何其他合適類型的襯底。如圖4所示，漏極區401被形成為方形的形狀，但是在其他實施例中，漏極區401可具有圓形形狀或任何多邊的多邊形形狀，例如矩形、六邊形或八邊形。漏極區401包括漏極觸點(contact) 409。如圖所示,示出了兩個漏極觸點409,但是其他實施例可使用不同數目的漏極觸點，這部分地取決于操作需要，例如電流需要。漏極觸點409被拼接(butt)以優化用于給定電流能力的面積。在所示的實施例中，漏極觸點409和柵極區402之間的距離Dl到D4基本類似，但是在其他實施例中，距離Dl到D4可以是不同的，這部分地取決于漏極區401的形狀。柵極區402圍繞漏極區401。柵極區402以閉環形式被形成在漏極區401周圍，其中該閉環具有與漏極區401的形狀相對應的形狀。如圖所示，柵極區402具有方形形狀，但是在其他實施例中，柵極區402可具有圓形形狀或任何多邊的多邊形形狀，例如矩形、六邊形或八邊形，這部分地取決于漏極區401的形狀。柵極區402可包括例如多晶硅或任何其他合適類型的導電或半導電材料。溝道區408可形成在柵極區402之下，并且溝道區408可被配置為使得電流從每個源極區404和405流向漏極區401。柵極觸點(未示出)可附接至區域407，區域407電耦合至柵極區402。區域407可包括與柵極區402相同的材料。源極區404和405、體區406以及區域407被布置在柵極區402周圍。源極區404或405被布置在柵極區402的每ー側，布置方式使得漏極區401的每ー側與具有相等或更大寬度的源極區對準(align)。以此方式，流經溝道408的電流可被最大化。體區406和區域407被布置在柵極區402周圍，以使得它們不與柵極區402的ー側對準。具體地說，體區406被布置在単元400的角落，其中它們可以不被附接至柵極區402 (和溝道408)，并且區域407被布置為使得它們可被附接至柵極區402的部分。因為體區406沒有如傳統MOS單元(圖I)中那樣布置在源極區404和405內，所以源極區404和405的尺寸可小于傳統MOS單元中源極區的尺寸。如圖所示，源極區404和405被形成為矩形的形狀，并且體區406和區域407被形成為方形的形狀。然而，在其他實施例中，源極區404和405、體區406以及區域407可具有圓形形狀或任何多邊的多邊形形狀，例如三角形、方形、矩形、六邊形或八邊形，這部分地取決于單元400的形狀以及源極區404和405、體區406與區域407的布置和/或形狀。如上所述，區域407可包括電耦合至柵極區402的柵極觸點(未示出)。體區406包括體觸點411,并且源極區404和405包括源極觸點410。在其他實施例中可使用與所示數目的觸點不同數目的源極觸點410和體觸點411，這部分地取決于操作需要，例如電流需要。如圖所示，源極觸點410和柵極區402之間的距離SI比漏極觸點409和柵極區402之間的距離Dl到D4更短，但在其他實施例中，距離SI和Dl到D4之間的關系可以是不同的，這部分地取決于擊穿電壓。圖5A是描繪了根據本發明的一個示例實施例的四個MOS単元500的陣列的俯視圖的示圖。每個單元都具有圖4的MOS單元400的結構。單元501到504被布置為使得它們的源極區404和405重疊。以此方式，單元陣列500的總面積可小于個體單元400的面積的四倍。 通過布置柵極區402從而使得它環繞在漏極區401周圍，溝道寬度可増加如圖5B所示的柵極區部分510、511、520、521、530、531、540和541。雖然ー些溝道寬度可能丟失，因為在區域407之下可能沒有有效溝道(即區域407可能沒分隔源極區和漏極區)，但是此損失可小于溝道寬度上的増益。以此方式，MOS單元400 (和MOS單元陣列500)的結構可具有比傳統MOS單元(或單元陣列)的Ron更小的Ron。通過使柵極區402環繞在漏極區401周圍，可增加凈溝道寬度，而不增加MOS結構的面積。通過減小Ron，可増加MOS開關次數，并且因此可獲得更高的處理速度和每個開關事件更低的能量消耗。因為體區被布置在柵極區周圍，所以可以不需要源極區周圍的額外體區。因為體區可以不被包括在源極區中，所以源極區的尺寸可以減小。通過減小MOS的面積，在相同的面積中可提供更多的計算能力，或者可生產更小的芯片，從而減少制造成本。現在參考圖6A-圖6H，示出了本發明的各種示例性實現方式。參考圖6A，本發明可實施為硬盤驅動器1500中的MOS器件。本發明可實現信號處理和/或控制電路中的任意一個或兩者，這些電路在圖6A中被一般地標識為1502。在一些實現方式中，信號處理和/或控制電路1502以及/或者HDD 1500中的其他電路(未示出)可處理數據、執行編碼和/或加密、執行計算以及/或者格式化輸出至磁存儲介質1506的數據和/或從磁存儲介質1506接收的數據。HDD 1500可經由ー個或多個有線或無線通信鏈路1508與主機設備(未示出)通信，該主機設備例如計算機，諸如個人數字助理、蜂窩電話、媒體或MP3播放器等之類的移動計算設備以及/或者其他設備。HDD1500可被連接至存儲器1509，例如隨機存取存儲器(RAM)、諸如閃存之類的低等待時間的非易失性存儲器、只讀存儲器(ROM)以及/或者其他合適的電子數據存儲裝置。現在參考圖6B，本發明可實施為數字通用光盤(DVD)驅動器1510中的MOS器件。本發明可實現DVD驅動器1510的信號處理和/或控制電路中的任意一個或兩者(這些電路在圖6B中被一般地標識為1512)、以及/或者大容量數據存儲裝置1518。信號處理和/或控制電路1512以及/或者DVD 1510中的其他電路(未示出)可處理數據、執行編碼和/或加密、執行計算以及/或者格式化從光存儲介質1516讀出的數據和/或寫入光存儲介質1516的數據。在一些實現方式中，信號處理和/或控制電路1512以及/或者DVD 1510中的其他電路(未示出)還可執行其他功能，諸如編碼和/或解碼和/或與DVD驅動器相關聯的任何其他信號處理功能。DVD驅動器1510可經由ー個或多個有線或無線通信鏈路1517與諸如計算機、電視或其他設備之類的輸出設備(未示出)通信。DVD 1510可與以非易失性方式存儲數據的大容量數據存儲裝置1518通信。大容量數據存儲裝置1518可包括如圖6A所示的硬盤驅動器(HDD)。HDD可以是包括ー個或多個直徑小于約I. 8”的盤的小型HDD。DVD 1510可被連接至存儲器1519，例如RAM、R0M、諸如閃存之類的低等待時間的非易失性存儲器以及/或者其他合適的電子數據存儲裝置。現在參考圖6C，本發明可實施為高清晰度電視(HDTV) 1520中的MOS器件。本發明可實現HDTV 1520的信號處理和/或控制電路中的任意一個或兩者(這些電路在圖6C中被一般地標識為1522)、WLAN接ロ以及/或者大容量數據存儲裝置。HDTV 1520接收有線或無線格式的HDTV輸入信號，并且生成用于顯不器1526的HDTV輸出信號。在一些實現方式中，信號處理電路和/或控制電路1522以及/或者HDTV 1520的其他電路(未示出)可 處理數據、執行編碼和/或加密、執行計算、格式化數據并且/或者執行可能需要的任何其他類型的HDTV處理。HDTV 1520可與諸如光和/或磁存儲設備之類的以非易失性方式存儲數據的大容量數據存儲裝置1527通信。至少ー個HDD可具有圖6A所示的配置并且/或者至少ー個DVD可具有圖6B所示的配置。HDD可以是包括ー個或多個直徑小于約I. 8”的盤的小型HDD。HDTV 1520可被連接至存儲器1528，例如RAM、R0M、諸如閃存之類的低等待時間的非易失性存儲器以及/或者其他合適的電子數據存儲裝置。HDTV 1520還可支持經由WLAN網絡接ロ1529與WLAN連接?，F在參考圖6D，本發明可實施為車輛1530的控制系統中的MOS器件、車輛控制系統的WLAN接口和/或大容量數據存儲裝置。在一些實現方式中，本發明實現動カ總成(powertrain)控制系統1532，動カ總成控制系統1532接收來自諸如溫度傳感器、壓カ傳感器、旋轉傳感器、氣流傳感器和/或任何其他合適的傳感器之類的ー個或多個傳感器的輸入，并且/或者生成ー個或多個輸出控制信號，諸如發動機操作參數、變速器操作參數和/或其他控制信號。本發明還可實施在車輛1530的其他控制系統1540中。控制系統1540可類似地接收來自輸入傳感器1542的信號并且/或者將控制信號輸出至ー個或多個輸出設備1544。在一些實現方式中，控制系統1540可以是防抱死制動系統(ABS)、導航系統、遠程信息處理(telematics)系統、車輛遠程信息處理系統、車道偏離系統、自適應巡航控制系統、諸如立體聲、DVD、光盤之類的車輛娛樂系統等的一部分。還可預期其他實現方式。動カ總成控制系統1532可與以非易失性方式存儲數據的大容量數據存儲裝置1546通信。大容量數據存儲裝置1546可包括光和/或磁存儲設備，例如硬盤驅動器HDD和/或DVD。至少ー個HDD可具有圖6A所示的配置并且/或者至少ー個DVD可具有圖6B所示的配置。HDD可以是包括ー個或多個直徑小于約I. 8”的盤的小型HDD。動カ總成控制系統1532可被連接至存儲器1547，例如RAM、ROM、諸如閃存之類的低等待時間的非易失性存儲器以及/或者其他合適的電子數據存儲裝置。動カ總成控制系統1532還可支持經由WLAN網絡接ロ 1548與WLAN連接?？刂葡到y1540還可包括大容量數據存儲裝置、存儲器和/或WLAN接ロ(均未示出)?，F在參考圖6E，本發明可實施為蜂窩電話1550中的MOS器件，蜂窩電話1550可包括蜂窩天線1551。本發明可實現蜂窩電話1550的信號處理和/或控制電路中的任意一個或兩者(這些電路在圖6E中被一般地標識為1552)、WLAN接ロ以及/或者大容量數據存儲裝置。在一些實現方式中，蜂窩電話1550包括麥克風1556、諸如揚聲器和/或音頻輸出插ロ之類的音頻輸出1558、顯示器 1560以及/或者諸如鍵盤、點選設備、話音啟動和/或其他輸入設備之類的輸入設備1562。信號處理和/或控制電路1552以及/或者蜂窩電話1550中的其他電路(未示出)可處理數據、執行編碼和/或加密、執行計算、格式化數據并且/或者執行其他蜂窩電話功能。蜂窩電話1550可與諸如光和/或磁存儲設備之類的以非易失性方式存儲數據的大容量數據存儲裝置1564通信，其中光和/或磁存儲設備例如硬盤驅動器HDD和/或DVD。至少ー個HDD可具有圖6A所示的配置并且/或者至少ー個DVD可具有圖6B所示的配置。HDD可以是包括ー個或多個直徑小于約I. 8”的盤的小型HDD。蜂窩電話1550可被連接至存儲器1566，例如RAM、ROM、諸如閃存之類的低等待時間的非易失性存儲器以及/或者其他合適的電子數據存儲裝置。蜂窩電話1550還可支持經由WLAN網絡接ロ 1568與WLAN連接?，F在參考圖6F，本發明可實施為機頂盒1580中的MOS器件。本發明可實現機頂盒1580的信號處理和/或控制電路中的任意一個或兩者(這些電路在圖6F中被一般地標識為1584)、WLAN接ロ以及/或者大容量數據存儲裝置。機頂盒1580接收來自諸如寬帶源之類的源的信號，并且輸出適用于諸如電視和/或監視器和/或其他視頻和/或音頻輸出設備之類的顯示器1588的標準和/或高清晰度音頻/視頻信號。信號處理和/或控制電路1584以及/或者機頂盒1580的其他電路(未示出)可處理數據、執行編碼和/或加密、執行計算、格式化數據并且/或者執行任何其他機頂盒功能。機頂盒1580可與以非易失性方式存儲數據的大容量數據存儲裝置1590通信。大容量數據存儲裝置1590可包括光和/或磁存儲設備，例如硬盤驅動器HDD和/或DVD。至少ー個HDD可具有圖6A所示的配置并且/或者至少ー個DVD可具有圖6B所示的配置。HDD可以是包括ー個或多個直徑小于約I. 8”的盤的小型HDD。機頂盒1580可被連接至存儲器1594，例如RAM、R0M、諸如閃存之類的低等待時間的非易失性存儲器以及/或者其他合適的電子數據存儲裝置。機頂盒1580還可支持經由WLAN網絡接ロ 1596與WLAN連接。現在參考圖6G，本發明可實施為媒體播放器600中的MOS器件。本發明可實現媒體播放器600的信號處理和/或控制電路中的任意一個或兩者(這些電路在圖6G中被一般地標識為604)、WLAN接ロ以及/或者大容量數據存儲裝置。在一些實現方式中，媒體播放器600包括顯示器607以及/或者諸如鍵盤、觸摸板等之類的用戶輸入608。在一些實現方式中，媒體播放器600可使用圖形用戶界面(GUI)，圖形用戶界面(GUI) —般經由顯示器607和/或用戶輸入608來使用選單、下拉選單、圖標和/或點選界面。媒體播放器600還包括諸如揚聲器和/或音頻輸出插ロ之類的音頻輸出609。信號處理和/或控制電路604以及/或者媒體播放器600的其他電路(未示出)可處理數據、執行編碼和/或加密、執行計算、格式化數據并且/或者執行任何其他媒體播放器功能。媒體播放器600可與以非易失性方式存儲諸如壓縮的音頻和/或視頻內容之類的數據的大容量數據存儲裝置610通信。在一些實現方式中，壓縮的音頻文件包括符合MP3格式或其他合適的壓縮音頻和/或視頻格式的文件。大容量數據存儲裝置可包括光和/或磁存儲設備，例如硬盤驅動器HDD和/或DVD。至少ー個HDD可具有圖6A所示的配置并且/或者至少ー個DVD可具有圖6B所示的配置。HDD可以是包括ー個或多個直徑小于約I. 8”的盤的小型HDD。媒體播放器600可被連接至存儲器614，例如RAM、ROM、諸如閃存之類的低等待時間的非易失性存儲器以及/或者其他合適的電子數據存儲裝置。媒體播放器600還可支持經由WLAN網絡接ロ 616與WLAN連接。還可預期除上述那些實現方式以外的其他實現方式。參考圖6H，本發明可實施為IP電話(VoIP)電話620中的MOS器件，VoIP電話620可包括天線621。本發明可實現VoIP電話623的信號處理和/或控制電路中的任意ー個或兩者(這些電路在圖6H中被一般地標識為622)、無線接ロ以及/或者大容量數據存儲裝置。在一些實現方式中，VoIP電話620部分地包括麥克風624、諸如揚聲器和/或音頻輸出插ロ之類的音頻輸出625、顯示監視器626、諸如鍵盤、點選設備、話音啟動和/或其他輸入設備之類的輸入設備627以及無線保真(Wi-Fi)通信模塊628。信號處理和/或控制電路622以及/或者VoIP電話620中的其他電路(未示出)可處理數據、執行編碼和/或加密、執行計算、格式化數據并且/或者執行其他VoIP電話功能。VoIP電話620可與諸如光和/或磁存儲設備之類的以非易失性方式存儲數據的大容量數據存儲裝置623通信，其中光和/或磁存儲設備例如硬盤驅動器HDD和/或DVD。至少ー個HDD可具有圖6A所示的配置并且/或者至少ー個DVD可具有圖6B所示的配置。HDD可以是包括ー個或多個直徑小于約I. 8”的盤的小型HDD。VoIP電話620可被連接至存儲器629，存儲器629可以是RAM、ROM、諸如閃存之類的低等待時間的非易失性存儲器以及 /或者其他合適的電子數據存儲裝置。VoIP電話620被配置為經由Wi-Fi通信模塊628建立與VoIP網絡(未示出)的通信鏈路。以上就具體的示例性實施例描述了本發明。應當理解，本發明不限于上述實施例，并且在不脫離本發明的精神和范圍的情況下，可由相關領域的技術人員進行各種改變和修改。
權利要求
1.一種在襯底上形成的金屬氧化物半導體MOS器件，包括 漏極區，其中所述漏極區具有(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的形狀； 柵極區，所述柵極區圍繞所述漏極區，并且以閉環形式形成在所述漏極區周圍，其中所述柵極區具有與(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的漏極區的形狀相對應的形狀； 多個源極區，所述多個源極區被布置在所述柵極區周圍并且位于所述MOS器件的外圍，其中所述多個源極區中的每個源極區具有矩形的形狀；以及 多個體區，所述多個體區被布置在所述柵極區周圍并且位于所述MOS器件的拐角處，其中所述體區分隔所述源極區。
2.根據權利要求I所述的MOS器件，還包括多個區域，其中所述多個區域中的每個區域位于相應的源極區和相應的體區之間。
3.根據權利要求2所述的MOS器件，其中所述多個區域中的每個區域包括電耦合到所述柵極區的柵極觸點。
4.根據權利要求I所述的MOS器件，其中溝道區被形成在所述柵極區之下。
5.根據權利要求4所述的MOS器件，其中所述溝道區被配置為使得電流從每個源極區流向所述漏極區。
6.根據權利要求I所述的MOS器件，其中所述MOS器件是晶體管。
7.根據權利要求I所述的MOS器件，其中 所述襯底是硅襯底；并且 所述柵極區包括多晶硅。
8.根據權利要求7所述的MOS器件，其中所述MOS器件是正方形DMOS(SQDMOS)。
9.根據權利要求I所述的MOS器件，其中 所述漏極區包括漏極觸點，并且所述源極區中的至少一個包括源極觸點；并且 所述漏極區觸點和所述柵極區之間的距離大于所述源極區觸點和所述柵極區之間的距離。
10.一種金屬氧化物半導體MOS器件，所述MOS器件包括在襯底上以陣列形式形成的多個MOS晶體管單元,每個MOS晶體管單元包括 漏極區，其中所述漏極區具有(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的形狀； 柵極區，所述柵極區圍繞所述漏極區，并且以閉環形式形成在所述漏極區周圍，其中所述柵極區具有與(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的漏極區的形狀相對應的形狀； 多個源極區，所述多個源極區被布置在所述柵極區周圍并且位于所述MOS晶體管單元的外圍，其中所述多個源極區中的每個源極區具有矩形的形狀；以及 多個體區，所述多個體區被布置在所述柵極區周圍并且位于所述MOS晶體管單元的拐角處，其中所述體區分隔所述源極區， 其中所述源極區與相鄰MOS晶體管單元的相應源極區重疊。
11.一種用于在襯底上形成金屬氧化物半導體MOS器件的方法，包括 形成漏極區，其中所述漏極區具有(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的形狀； 形成圍繞所述漏極區的柵極區，其中所述柵極區以閉環形式形成在所述漏極區周圍，并且其中所述柵極區具有與(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的漏極區的形狀相對應的形狀；形成多個源極區，所述多個源極區被布置在所述柵極區周圍并且位于所述MOS器件的外圍，其中所述多個源極區中的每個源極區具有矩形的形狀；以及 形成多個體區，所述多個體區被布置在所述柵極區周圍并且位于所述MOS器件的拐角處，其中所述體區分隔所述源極區。
12.根據權利要求11所述的方法，還包括形成多個區域，其中所述多個區域中的每個區域位于相應的源極區和相應的體區之間。
13.根據權利要求12所述的方法，其中所述多個區域中的每個區域包括電耦合到所述柵極區的柵極觸點。
14.根據權利要求11所述的方法，還包括形成位于所述柵極區之下的溝道區。
15.根據權利要求14所述的方法，其中所述溝道區被配置為使得電流從每個源極區流向所述漏極區。
16.根據權利要求11所述的方法，其中所述MOS器件是晶體管。
17.根據權利要求11所述的方法，其中所述襯底是硅襯底，并且所述柵極區包括多晶硅。
18.根據權利要求17所述的方法，其中所述MOS器件是正方形DMOS(SQDMOS)。
19.根據權利要求11所述的方法，其中 所述漏極區包括漏極觸點，并且所述源極區中的至少一個包括源極觸點；并且 所述漏極區觸點和所述柵極區之間的距離大于所述源極區觸點和所述柵極區之間的距離。
20.一種用于在襯底上形成金屬氧化物半導體MOS器件的方法，包括 在所述襯底上形成MOS晶體管單元，其中每個MOS晶體管單元是通過以下方式形成的 形成漏極區，其中所述漏極區具有(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的形狀； 形成圍繞所述漏極區的柵極區，其中所述柵極區以閉環形式形成在所述漏極區周圍，并且其中所述柵極區具有與(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的漏極區的形狀相對應的形狀； 形成多個源極區，所述多個源極區被布置在所述柵極區周圍并且位于所述MOS晶體管單元的外圍，其中所述多個源極區中的每個源極區具有矩形的形狀；以及 形成多個體區，所述多個體區被布置在所述柵極區周圍并且位于所述MOS晶體管單元的拐角處，其中所述體區分隔所述源極區， 其中所述源極區與相鄰MOS晶體管單元的相應源極區重疊。
全文摘要
本發明公開了一種具有低導通電阻的MOS器件的幾何圖形。公開了一種在襯底上形成的金屬氧化物半導體(MOS)器件以及一種用于形成該MOS器件的方法。MOS器件包括漏極區；圍繞漏極區的柵極區；源極區，這些源極區被布置在柵極區周圍并且與漏極區相對；以及體區，這些體區被布置在柵極區周圍并且分隔源極區。柵極區被形成為環繞在漏極區的周圍。以此方式，降低了MOS器件的導通電阻(Ron)，而不增加MOS器件的面積。
文檔編號H01L29/78GK102709285SQ201210147239
公開日2012年10月3日 申請日期2007年12月26日 優先權日2006年12月28日
發明者塞哈特·蘇塔迪嘉, 拉維尚卡爾·克里沙姆爾斯 申請人:馬維爾國際貿易有限公司