一種帶有防止金屬擴(kuò)散保護(hù)層的復(fù)合襯底的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種帶有防止金屬擴(kuò)散保護(hù)層的復(fù)合襯底，包括一熔點(diǎn)大于1000℃的導(dǎo)熱導(dǎo)電層和位于該導(dǎo)熱導(dǎo)電層上的GaN單晶層，至少在復(fù)合襯底的側(cè)壁包裹有防止金屬擴(kuò)散的保護(hù)層。本發(fā)明的復(fù)合襯底既兼顧了GaN外延所需要的同質(zhì)外延，提高了晶體質(zhì)量，又可以直接制備垂直結(jié)構(gòu)LED，且大幅降低了成本，同時(shí)有效避免了金屬材料在MOCVD高溫生長時(shí)的擴(kuò)散揮發(fā)給實(shí)驗(yàn)設(shè)備帶來的污染問題。
【專利說明】一種帶有防止金屬擴(kuò)散保護(hù)層的復(fù)合襯底
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于GaN外延生長的襯底，特別涉及一種帶有防止金屬擴(kuò)散保護(hù)層的高效復(fù)合襯底。
【背景技術(shù)】
[0002]以GaN和InGaN、AlGaN為主的III/V氮化物是近年來備受關(guān)注的半導(dǎo)體材料，其
1.9-6.2eV連續(xù)可變的直接帶隙，優(yōu)異的物理、化學(xué)穩(wěn)定性，高飽和電子遷移率等等特性，使其成為激光器、發(fā)光二極管等等光電子器件的最優(yōu)選材料。
[0003]然而對于現(xiàn)在的GaN基半導(dǎo)體材料器件來講，由于缺少GaN襯底，通常GaN基LED的外延膜主要是生長在藍(lán)寶石襯底、SiC或Si等襯底上。到目前為止，GaN材料體系的外延生長技術(shù)，基本是基于大失配的異質(zhì)外延技術(shù)。應(yīng)用最為廣泛，專利保護(hù)最多的，主要是藍(lán)寶石襯底的異質(zhì)外延技術(shù)。其主要問題是:1.由于GaN和藍(lán)寶石之間有較大的晶格失配和熱應(yīng)力失配，由此造成IO9CnT2的失配位錯(cuò)，嚴(yán)重影響晶體質(zhì)量，降低LED的發(fā)光效率和使用壽命；2.藍(lán)寶石是絕緣體，常溫下電阻率大于IO11Qcm,這樣就無法制作垂直結(jié)構(gòu)的器件，通常只能在外延層上表面制作N型和P型電極。因此使有效發(fā)光面積減小，同時(shí)增加了器件制備中的光刻和刻蝕工藝過程，使材料的利用率降低；3.藍(lán)寶石的導(dǎo)熱性能不好，在100°C熱導(dǎo)率約為0.25ff/cmK,這對于GaN基器件的性能影響很大，特別是在大面積大功率器件中，散熱問題非常突出；4.在GaN-基激光器(LD)的制作中，由于藍(lán)寶石硬度很高，并且藍(lán)寶石晶格與GaN晶格之間存在一個(gè)30度的夾角，所以難于獲得InGaNLD外延層的解理面，也就不能通過解理的方法得到InGaN-LD的腔面。
[0004]而對于SiC襯底來說，雖然其晶體常數(shù)與GaN晶格常數(shù)最為相近，晶格失配較小，但同樣是異質(zhì)外延，同樣存在失配位錯(cuò)及熱失配位錯(cuò)，且SiC襯底造價(jià)昂貴,在GaN基LED器件的應(yīng)用中存在明顯困難。Si襯底也是近些年開始研究的GaN基外延襯底，然而Si襯底與GaN的晶格失配度相較藍(lán)寶石襯底還要大，并且Si襯底為立方晶向，GaN為六方晶向，這更增加了在其上外延GaN材料的困難，目前在Si襯底生長的GaN層面臨開裂等嚴(yán)重問題，生長厚度很難超過4微米。
[0005]因此，對于晶體外延而言，無論從外延生長的理論上，還是半導(dǎo)體外延技術(shù)的發(fā)展歷史，都已經(jīng)證明，同質(zhì)外延是最佳選擇。近期，人們開始開發(fā)GaN單晶襯底制備技術(shù)，GaN單晶襯底的出現(xiàn)，使得GaN外延回歸了同質(zhì)外延，可以很好地提聞外延GaN晶體的晶體質(zhì)量，并且，GaN晶體較好的導(dǎo)熱導(dǎo)電特性，使得使用GaN襯底外延的LED外延片可以直接制備為垂直結(jié)構(gòu)LED器件，從而提高了器件在大電流注入下的性能。然而，GaN單晶襯底高昂的價(jià)格直接制約了其在LED器件的應(yīng)用。目前，一片2英寸GaN單晶襯底價(jià)格可以達(dá)到2000美金，而目前市場一片2英寸高功率LED外延片的價(jià)格不超過100美金，這樣的巨大成本完全限制了 GaN單晶襯底在LED市場的應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種可以直接用于生長GaN外延片的高效復(fù)合襯底，既要兼顧GaN外延所需要的同質(zhì)外延，提高晶體質(zhì)量，又可以直接制備垂直結(jié)構(gòu)LED，且要大幅降低了成本，同時(shí)有效避免金屬材料在MOCVD高溫生長時(shí)的擴(kuò)散揮發(fā)給實(shí)驗(yàn)設(shè)備帶來的污染問題。
[0007]本發(fā)明用于GaN生長的復(fù)合襯底，包括一導(dǎo)熱導(dǎo)電層和位于該導(dǎo)熱導(dǎo)電層上的GaN單晶層，其特征在于，至少在復(fù)合襯底的側(cè)壁包裹有防止金屬擴(kuò)散的保護(hù)層。
[0008]本發(fā)明的復(fù)合襯底包含至少兩層材料構(gòu)成的襯底主體以及一層未完全包裹襯底主體(需要露出用于GaN生長的GaN單晶層表面)的防止金屬擴(kuò)散的保護(hù)層。如圖1所示，該復(fù)合襯底首先包括一層導(dǎo)熱導(dǎo)電層2，在該導(dǎo)熱導(dǎo)電襯底上鍵合一層GaN單晶1，另包含一層未完全包裹的外部防止金屬擴(kuò)散保護(hù)層3。
[0009]上述導(dǎo)熱導(dǎo)電層厚度為10微米?3000微米，優(yōu)選為50微米?400微米。該導(dǎo)熱導(dǎo)電層所選材料需滿足以下特征:(I)熔點(diǎn)超過1000°c，或在1000°C下可以基本保持固態(tài)；
(2)具有較高的導(dǎo)熱特性和導(dǎo)電特性。
[0010]按以上要求，該導(dǎo)熱導(dǎo)電層材料可以選擇一些單質(zhì)金屬或合金或準(zhǔn)合金，例如金屬W,金屬Ni,金屬M(fèi)o,金屬Pd,金屬Au,金屬Cr等,或以上金屬的任意兩種或兩種以上的合金，或以上一種、兩種或兩種以上金屬與Cu的合金,如WCu合金、MoCu合金以及NiCu合金等等材料。該導(dǎo)熱導(dǎo)電材料還可以為Si晶體、SiC晶體或AlSi晶體等。
[0011]在導(dǎo)熱導(dǎo)電層上的GaN層厚度為0.1微米?100微米，優(yōu)選I微米?20微米。GaN層以單晶形式存在。
[0012]該導(dǎo)熱導(dǎo)電材料與GaN晶體之間通過剛性或柔性鍵合方式連接。此鍵合若為剛性的范德瓦爾茲力的鍵合，則需要導(dǎo)熱導(dǎo)電層材料的熱脹系數(shù)與GaN相近，這里的相近是指熱脹系數(shù)差別在10%以內(nèi)，且導(dǎo)熱導(dǎo)電材料和GaN晶體間沒有任何介質(zhì)。也可以是通過柔性介質(zhì)將導(dǎo)熱導(dǎo)電層與GaN層鍵合在一起。若為柔性介質(zhì)鍵合，則需要該介質(zhì)擁有超過1000°C的熔點(diǎn)，并且具有一定延展性，可以弛豫應(yīng)力，優(yōu)選厚度為0.5微米?5微米的AuAu鍵合，或金屬W、Pd或Ni等高溫金屬鍵合。具有上述厚度的金屬介質(zhì)鍵合，可以弛豫GaN和導(dǎo)熱導(dǎo)電層之間由于熱漲系數(shù)不同所帶來的熱失配應(yīng)力，因此，使用柔性介質(zhì)鍵合方式，無需導(dǎo)熱導(dǎo)電層的熱脹系數(shù)與GaN相同和相近。
[0013]本發(fā)明的復(fù)合襯底具有未完全包裹的外部防止金屬擴(kuò)散的保護(hù)層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。該保護(hù)層材料的選取有以下幾個(gè)要求:第一，該材料需可承受1100°c以內(nèi)不分解、不熔化；第二，該材料不可使用金屬，不能具有揮發(fā)性。其優(yōu)選材料為Si02、Si3N4、SiC、GaN或AlN等。該保護(hù)層的厚度為20納米?5微米，優(yōu)選為100納米?2微米。該保護(hù)層設(shè)計(jì)為不完全包裹方式，其包裹方式主要有以下六種:
[0014]第一種.該保護(hù)層3只包裹復(fù)合襯底的側(cè)壁，如圖2所示；
[0015]第二種.該保護(hù)層3既包裹復(fù)合襯底側(cè)壁，同時(shí)包裹到GaN層I表面邊緣1-1Omm寬的區(qū)域，優(yōu)選包裹GaN層I表面邊緣l_5mm寬的區(qū)域，如圖3所示；
[0016]第三種.該保護(hù)層3既包裹復(fù)合襯底側(cè)壁，同時(shí)包裹到導(dǎo)熱導(dǎo)電層2底面邊緣1-1Omm寬的區(qū)域，優(yōu)選包裹導(dǎo)熱導(dǎo)電層2底面邊緣l_5mm寬的區(qū)域，如圖4所示；
[0017]第四種.該保護(hù)層3既包裹復(fù)合襯底側(cè)壁，同時(shí)包裹到GaN層I表面邊緣及導(dǎo)熱導(dǎo)電層2底面邊緣1-1Omm寬的區(qū)域，優(yōu)選包裹GaN層I表面邊緣和導(dǎo)熱導(dǎo)電層2底面邊緣l-5mm寬的區(qū)域，如圖5所示；
[0018]第五種.該保護(hù)層3既包裹復(fù)合襯底側(cè)壁，同時(shí)包裹導(dǎo)熱導(dǎo)電層2全部底面，如圖1所示；
[0019]第六種.該保護(hù)層3既包裹復(fù)合襯底側(cè)壁，同時(shí)包裹導(dǎo)熱導(dǎo)電層2全部底面以及GaN層表面邊緣1-1Omm寬的區(qū)域，其中該區(qū)域?qū)挾葍?yōu)選為l_5mm，如圖6所示。
[0020]該防止金屬擴(kuò)散保護(hù)層設(shè)計(jì)尤為重要。本發(fā)明所述的復(fù)合襯底的主體為多層結(jié)構(gòu)，至少包括GaN層和導(dǎo)熱導(dǎo)電層雙層結(jié)構(gòu)，它們之間通過鍵合層連接。如前所述，本發(fā)明所使用的導(dǎo)熱導(dǎo)電層優(yōu)選材料均為金屬材料，其中包括金屬W，金屬Ni，金屬M(fèi)o，金屬Pd，金屬Au,金屬Cr等,或其合金。同樣，鍵合層使用的材料也多為AuAu鍵合,或金屬W、Pd或Ni等高溫金屬鍵合。這些金屬材料中，有些金屬材料，尤其是金，在高溫下是擴(kuò)散性很強(qiáng)的元素。GaN外延片外延需要在高精密的金屬有機(jī)氣相外延設(shè)備(MOCVD)設(shè)備中進(jìn)行。而這些金屬擴(kuò)散會(huì)引起設(shè)備反應(yīng)腔室污染，從而損壞設(shè)備，給復(fù)合襯底應(yīng)用帶來很大的困難。因此，防止金屬高溫?cái)U(kuò)散的外部保護(hù)層設(shè)計(jì)尤為重要。
[0021]選擇一定厚度的保護(hù)層可以有效防止復(fù)合襯底在高溫時(shí)的金屬成分?jǐn)U散。本發(fā)明中的前四種保護(hù)設(shè)計(jì)方案主要用來防止導(dǎo)熱導(dǎo)電層選取的金屬材料擴(kuò)散性質(zhì)不強(qiáng)，而鍵合層的金屬材料擴(kuò)散嚴(yán)重引起的問題。第五種和第六種方案主要用來防止導(dǎo)熱導(dǎo)電層選取的金屬材料及鍵合層的金屬材料均擴(kuò)散嚴(yán)重引起問題。而第二種、第四種及第六種保護(hù)層結(jié)構(gòu)中針對GaN表面部分保護(hù)的設(shè)計(jì)，主要是為了防止生長過程中，GaN邊緣破裂的問題。
[0022]進(jìn)一步的，該復(fù)合襯底內(nèi)還可具有一反射層，該反射層位于GaN單晶層的內(nèi)部、底部或底面，所述GaN單晶層的底面是指GaN單晶層與導(dǎo)熱導(dǎo)電層連接的一面。該反射層可位于導(dǎo)熱導(dǎo)電層與GaN層之間的鍵合層靠近GaN層一端(即鍵合層與GaN層之間)，如圖7所示；也可以是位于GaN層內(nèi)，如圖8所示。若該反射層位于鍵合層靠近GaN層一端，則該反射層可以為金屬反射層，如Pd，Cr等金屬反射層。若該反射層位于GaN層內(nèi)部或GaN層底部，該反射層可以是具有光柵或光子晶格結(jié)構(gòu)的周期性或準(zhǔn)周期性結(jié)構(gòu)，如圖9所示。
[0023]所述光柵結(jié)構(gòu)是指微米級(jí)的周期性結(jié)構(gòu)，所述光子晶格結(jié)構(gòu)是指納米級(jí)的周期性結(jié)構(gòu)，這些周期性結(jié)構(gòu)可以是周期性的圓錐形突起或凹坑、圓臺(tái)形突起或凹坑、圓柱形突起或凹坑、三角錐形突起或凹坑，或者是其他任意形狀的周期性突起或凹坑。如圖5所示，其中(a)顯示了一種三角錐凹坑周期性結(jié)構(gòu)，(b)顯示了一種圓柱凹坑周期性結(jié)構(gòu)。這種微米級(jí)或納米級(jí)周期性結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)周期可以為IOnm?50微米,優(yōu)選200nm?10微米。圖5中，w和d分別代表凹坑的最大寬度和深度，A代表結(jié)構(gòu)周期，其中A > W。
[0024]所述光柵結(jié)構(gòu)是指微米級(jí)的周期性結(jié)構(gòu)，所述光子晶格結(jié)構(gòu)是指納米級(jí)的周期性結(jié)構(gòu)，這些周期性結(jié)構(gòu)可以是周期性圓錐形突起或凹坑、圓臺(tái)形突起或凹坑、圓柱形突起或凹坑、三角錐形突起或凹坑，或者是其他任意形狀的周期性突起或凹坑。如圖10所示，其中(a)顯示了一種三角錐凹坑周期性結(jié)構(gòu)，(b)顯示了一種圓柱凹坑周期性結(jié)構(gòu)。這種微米級(jí)或納米級(jí)周期性結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)周期可以為IOnm?50 μ m,優(yōu)選200nm?10 μ m。圖10中，w和d分別代表凹坑的最大寬度和深度，A代表結(jié)構(gòu)周期，其中A > W。
[0025]作為反射層的微米級(jí)或納米級(jí)周期性結(jié)構(gòu)通常是由耐高溫(熔點(diǎn)在1000°C以上)的，折射率與GaN不同的材料制作而成的，例如以Si02、SiN等能夠通過晶體方式生長或鍍膜方式生長的材料形成周期性結(jié)構(gòu)，嵌于GaN單晶層內(nèi)。由于這些材料和GaN折射率不同，從而形成有效的全反射界面，且周期性結(jié)構(gòu)有效提高了界面的平均折射率。
[0026]在一些情況下，位于GaN層底部的周期性結(jié)構(gòu)并非由不同于GaN的材料形成，而僅僅是在GaN層底面形成的周期性圖形，這樣的周期性圖形也能起到反射層的作用。
[0027]該反射層設(shè)計(jì)對于用本發(fā)明所述復(fù)合襯底外延生長的GaN基器件具有非常重要的作用。通常在其上外延的發(fā)光器件，有源層發(fā)光會(huì)向360度出射，如圖11所示。若沒有該反射層設(shè)計(jì)，而該發(fā)光材料近40%射向?qū)釋?dǎo)電層方向的光都會(huì)被襯底吸收而不能出射，因此，采用帶有反射層設(shè)計(jì)的襯底材料以將光提取效率提高至少30%以上。
[0028]本發(fā)明所述復(fù)合襯底可以直接用于GaN外延片外延生長，并進(jìn)而制備垂直結(jié)構(gòu)LED器件。與傳統(tǒng)技術(shù)相比，其有非常明顯的優(yōu)點(diǎn)。
[0029]首先，對比現(xiàn)有技術(shù)的藍(lán)寶石襯底生長。現(xiàn)今藍(lán)寶石襯底是GaN外延片生長的最常用襯底，然而，藍(lán)寶石襯底不導(dǎo)電不導(dǎo)熱，在藍(lán)寶石襯底生長的GaN很難制備垂直結(jié)構(gòu)LED器件，大多制備為平面結(jié)構(gòu)LED，不利于散熱，無法制備為高功率器件。另外，藍(lán)寶石襯底由于和GaN為異質(zhì)襯底，GaN生長質(zhì)量受到限制，無法制備高質(zhì)量的GaN外延片。
[0030]本發(fā)明的復(fù)合襯底相較藍(lán)寶石襯底有明顯優(yōu)勢。一方面，復(fù)合襯底有一層GaN層，因此，在復(fù)合襯底生長GaN外延片屬于同質(zhì)外延生長，可以明顯提高生長GaN外延片的晶體質(zhì)量，從而提高內(nèi)量子效率。兩一方面，復(fù)合襯底中導(dǎo)熱導(dǎo)電層的使用，可以使利用復(fù)合襯底生長的GaN外延片直接按傳統(tǒng)芯片工藝制備為垂直結(jié)構(gòu)LED器件，而不受襯底無法導(dǎo)熱導(dǎo)電的制約，更大限度提高了器件的效率。
[0031]其次，相對于現(xiàn)有技術(shù)的Si襯底生長和SiC襯底生長。這兩種襯底雖然由于其導(dǎo)熱導(dǎo)電性，在其襯底生長的GaN外延片都可以直接制備垂直結(jié)構(gòu)LED，但兩者均為異質(zhì)外延，不利于生長的GaN晶體質(zhì)量提高。尤其是Si襯底，在其上生長的GaN外延需要插入多層AlGaN調(diào)節(jié)應(yīng)力，且在其上生長的GaN厚度很難超過3_4微米。SiC襯底雖然和GaN晶體晶格常數(shù)較為相近，但由于SiC晶體本身制備非常困難，造價(jià)很高，所以很難被廣泛應(yīng)用在GaN基高功率LED器件。本發(fā)明所述復(fù)合襯底相對這兩種襯底，主要優(yōu)勢體現(xiàn)在復(fù)合襯底屬于同質(zhì)外延生長，可以很好的提高GaN外延片的晶體質(zhì)量，從而獲得更廣闊的應(yīng)用。
[0032]再次，相對于GaN單晶襯底而言，GaN單晶襯底為同質(zhì)外延襯底，與本發(fā)明所述復(fù)合襯底同為同質(zhì)外延，應(yīng)用該兩種襯底的外延生長可以大幅提高GaN晶體質(zhì)量。但是相較GaN單晶襯底高昂的造價(jià)，本發(fā)明所述復(fù)合襯底使用原材料為更為廉價(jià)的導(dǎo)熱導(dǎo)電材料和厚度僅為GaN單晶襯底四百分之一到四分之一的厚度，價(jià)格遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于GaN單晶襯底，因此具有更廣闊的應(yīng)用前景。
[0033]最后，保護(hù)層的使用有效避免了金屬材料的導(dǎo)熱導(dǎo)電層、鍵合層和/或反射層在MOCVD高溫生長時(shí)的金屬擴(kuò)散揮發(fā)給實(shí)驗(yàn)設(shè)備帶來的污染問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1是本發(fā)明復(fù)合襯底的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]圖2是復(fù)合襯底側(cè)壁包裹防止金屬擴(kuò)散保護(hù)層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036]圖3是復(fù)合襯底側(cè)壁及部分表面包裹防止金屬擴(kuò)散保護(hù)層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]圖4是復(fù)合襯底側(cè)壁及部分底面包裹防止金屬擴(kuò)散保護(hù)層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]圖5是復(fù)合襯底側(cè)壁及部分表面和底面包裹防止金屬擴(kuò)散保護(hù)層的結(jié)構(gòu)示意圖。[0039]圖6是復(fù)合襯底側(cè)壁及部分表面及整體底面包裹防止金屬擴(kuò)散保護(hù)層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0040]圖7是反射層位于復(fù)合襯底鍵合層靠近GaN —端的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0041]圖8是反射層位于復(fù)合襯底GaN層內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0042]圖9是反射層光柵或光子晶格周期性結(jié)構(gòu)示意圖。
[0043]圖10是反射層為三角錐凹坑(a)或圓柱凹坑(b)形狀的周期性結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044]圖11是LED有源層發(fā)光立體出光角以及表面出光光錐的不意圖。
[0045]圖12是實(shí)施例1制作GaN層內(nèi)具有反射層結(jié)構(gòu)且側(cè)壁具有保護(hù)層的GaN/WCu復(fù)合襯底的流程圖，其中:(a)是第二步在4微米GaN/藍(lán)寶石襯底的GaN面制備SiO2周期反射層的示意圖；(b)是第三步制作反射層后利用HVPE技術(shù)繼續(xù)生長GaN至GaN總厚度達(dá)到10微米的示意圖；(c)是第四步加工后得到了位于Si襯底上的具有反射層結(jié)構(gòu)的GaN層結(jié)構(gòu)不意圖；(d)是最后獲得的GaN/WCu復(fù)合襯底的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0046]圖13是實(shí)施例1第四步通過502膠粘接Si襯底及激光剝離藍(lán)寶石襯底的步驟示意圖。
[0047]圖14是實(shí)施例1第五步高溫鍵合以及Si襯底高溫脫落步驟示意圖。
[0048]圖15是實(shí)施例2制備的GaN/MoCu復(fù)合襯底結(jié)構(gòu)示意圖。
[0049]圖16是實(shí)施例3制作具有金屬反射層的GaN/MoCu復(fù)合襯底的流程圖，其中:(a)是第三步在粘結(jié)于Si襯底上的GaN單晶層上蒸鍍Pd金屬反射層所得結(jié)構(gòu)的示意圖；(b)是通過NiNi鍵合獲得具有Pd金屬反射層，并包覆了保護(hù)層的GaN/MoCu復(fù)合襯底的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0050]圖17是實(shí)施例4制作Si襯底范德瓦爾茲鍵合GaN層的復(fù)合襯底的流程圖，其中:(a)是第三步在GaN/藍(lán)寶石襯底的GaN面制備SiO2圓柱形周期結(jié)構(gòu)的示意圖；(b)是第四步制作反射層后利用HVPE技術(shù)繼續(xù)生長GaN至GaN總厚度達(dá)到50微米的示意圖；(c)是第五步通過范德瓦爾茲鍵合形成藍(lán)寶石/GaN/Si結(jié)構(gòu)的示意圖；(d)是第六步通過激光剝離獲得GaN/Si復(fù)合襯底的示意圖。
[0051]圖18是實(shí)施例5制備的GaN/SiC復(fù)合襯底結(jié)構(gòu)示意圖。
[0052]圖19是實(shí)施例6制備的GaN/AlSi復(fù)合襯底結(jié)構(gòu)示意圖。
[0053]圖20是實(shí)施例7制備的GaN/WCu復(fù)合襯底結(jié)構(gòu)示意圖。
[0054]圖中:
[0055]1-GaN層，2_導(dǎo)熱導(dǎo)電層，3_保護(hù)層，4_鍵合層，5_反射層，5 ’ -反射層圖形結(jié)構(gòu)，6-藍(lán)寶石襯底，7-Si襯底，8-SiC單晶襯底，9-AlSi單晶襯底。
【具體實(shí)施方式】
[0056]下面結(jié)合附圖，通過實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但這并非是對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的基本思想，可以做出各種修改或改進(jìn)，只要不脫離本發(fā)明的基本思想，均在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
[0057]實(shí)施例1:WCu金屬襯底AuAu鍵合GaN層的金屬復(fù)合襯底
[0058]第一步，使用2英寸430微米厚的平板藍(lán)寶石襯底6，利用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的MOCVD技術(shù)生長4微米厚的GaN單晶外延片I。[0059]第二步，利用PECVD技術(shù)在上述生長的GaN單晶表面生長一層I微米厚的SiO2薄膜，并利用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的光刻以及干法刻蝕技術(shù)將SiO2薄層制備成周期為3微米，底徑2.5微米，高I微米的圓錐形周期結(jié)構(gòu)5’，如圖12(a)所示。圓錐圖形間距處要露出GaN表面。這一周期性結(jié)構(gòu)即可以作為反射層使用。
[0060]第三步，將制備好反射層結(jié)構(gòu)的上述GaN單晶繼續(xù)使用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的HVPE技術(shù)生長GaN至GaN單晶總厚度達(dá)到10微米，如圖12 (b)所示。
[0061]第四步，將上述生長好的GaN單晶的GaN面使用502快干膠粘接到2英寸400微米的單晶Si襯底7上，使用Si襯底7做轉(zhuǎn)移支撐襯底，再通過本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的激光剝離技術(shù)將藍(lán)寶石襯底剝離掉，只剩下粘接在Si襯底上的GaN單晶，轉(zhuǎn)移及剝離過程如圖13所示，得到的位于Si襯底上的具有反射層結(jié)構(gòu)的GaN層結(jié)構(gòu)如圖12(c)所示。
[0062]第五步，在Si襯底上的GaN單晶的GaN面和WCu合金襯底表面同時(shí)蒸鍍I微米的Au。然后在300°C，壓力5噸下，通過15分鐘鍵合在一起。鍵合完畢后，502快干膠會(huì)在高溫下碳化，因此，Si襯底和GaN/WCu復(fù)合襯底的連接會(huì)自動(dòng)分離，如圖14所示。
[0063]第六步，使用PECVD技術(shù)將該襯底的正面、反面以及側(cè)面均生長厚度達(dá)到500納米的SiO2薄膜保護(hù)層，然后使用光刻膠將襯底側(cè)壁保護(hù)，使用BOE溶液刻蝕掉襯底GaN表面以及底面的SiO2薄膜，只留下側(cè)壁保護(hù)部分。
[0064]最后通過表面清洗可以得到如圖12(d)所示的復(fù)合襯底，該襯底包括一層150微米厚的WCu合金金屬襯底2，W和Cu的質(zhì)量比為15%比85%。通過AuAu鍵合和一層10微米厚的GaN單晶鍵合在一起。該鍵合層4Au厚度為2微米。該襯底具有500nm厚SiO2側(cè)面保護(hù)層3，該保護(hù)層設(shè)計(jì)如
【發(fā)明內(nèi)容】
所述第一種設(shè)計(jì)方案。在GaN層I靠近鍵合層4約4微米處包括一層反射層圖形結(jié)構(gòu)5’。該圖形結(jié)構(gòu)如圖12所示，為周期3微米、高度I微米、底徑2.5微米的圓錐形SiO2圖形層結(jié)構(gòu)。
[0065]實(shí)施例2 =MoCu金屬襯底AuAu鍵合GaN層的金屬復(fù)合襯底
[0066]第一步，使用2英寸430微米厚的平板藍(lán)寶石襯底，利用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的MOCVD技術(shù)生長4微米厚的GaN單晶外延片。
[0067]第二步，利用PECVD技術(shù)在上述生長的GaN單晶表面生長一層I微米厚的SiO2薄膜，并利用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的光刻以及干法刻蝕技術(shù)將SiO2薄層制備成周期為3微米，底徑2.5微米，高I微米的圓錐形周期結(jié)構(gòu)，參見圖12(a)。圓錐圖形間距處要露出GaN表面。這一周期性結(jié)構(gòu)即可以作為反射層使用。
[0068]第三步，將制備好反射層結(jié)構(gòu)的上述GaN單晶繼續(xù)使用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的HVPE技術(shù)生長GaN至GaN單晶總厚度達(dá)到10微米，參見圖12 (b)。
[0069]第四步，將上述生長好的GaN單晶的GaN面使用502快干膠粘接到2英寸400微米的單晶Si襯底上，使用Si襯底做轉(zhuǎn)移支撐襯底。再通過本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的激光剝離技術(shù)將藍(lán)寶石襯底剝離掉，只剩下粘接在Si襯底上的GaN單晶。制備過程如圖13所示，制備產(chǎn)品如圖12(c)所示。
[0070]第五步，在Si襯底上的GaN單晶的GaN面和MoCu合金襯底表面同時(shí)蒸鍍I微米的Au。然后在300°C，壓力5噸下，通過15分鐘鍵合在一起。鍵合完畢后，502快干膠會(huì)在高溫下碳化，因此，Si襯底和GaN/WCu復(fù)合襯底的連接會(huì)自動(dòng)分離。
[0071]第六步，使用PECVD技術(shù)將該襯底的正面反面以及側(cè)面均生長厚度達(dá)到2微米的Si3N4薄膜保護(hù)層，然后使用光刻膠將襯底側(cè)壁及GaN表面邊緣5毫米范圍保護(hù)，使用BOE溶液刻蝕掉襯底GaN表面其余部分以及整個(gè)底面的Si3N4薄膜，只留下側(cè)壁及GaN表面邊緣5暈米部分。
[0072]最后通過表面清洗可以得到如圖15所示的復(fù)合襯底，該襯底包括一層150微米厚的MoCu合金金屬襯底2，Mo和Cu的質(zhì)量比為20%比80%。通過AuAu鍵合和一層10微米厚的GaN單晶I鍵合在一起。該鍵合層4Au厚度為2微米。該襯底具有2微米厚側(cè)面及部分表面Si3N4保護(hù)層3，該保護(hù)層設(shè)計(jì)如
【發(fā)明內(nèi)容】
所述第二種設(shè)計(jì)方案。在GaN層I靠近鍵合層4約4微米處包括一層反射層圖形結(jié)構(gòu)5’。該圖形結(jié)構(gòu)為周期3微米，高度I微米，底徑2.5微米的圓錐形SiO2圖形層結(jié)構(gòu)。
[0073]實(shí)施例3 =MoCu金屬襯底NiNi鍵合GaN層的金屬復(fù)合襯底
[0074]第一步，使用2英寸430微米厚的平板藍(lán)寶石襯底，利用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的MOCVD技術(shù)生長4微米厚的GaN單晶外延片。
[0075]第二步，將上述生長好的GaN單晶的GaN面使用502快干膠粘接到2英寸400微米的單晶Si襯底上，使用Si襯底做轉(zhuǎn)移支撐襯底，再通過本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的激光剝離技術(shù)將藍(lán)寶石襯底剝離掉，只剩下粘接在Si襯底上的GaN單晶，參見圖13。
[0076]第三步，在Si襯底上的GaN單晶的GaN面蒸鍍200nm Pd金屬作為反射層5，如圖16(a)所示。
[0077]第四步，將蒸鍍好反射層的在Si襯底上的GaN單晶在反射層上和MoCu合金襯底表面同時(shí)蒸鍍2微米的Ni，然后在800°C，壓力15噸下，通過15分鐘鍵合在一起，鍵合工藝參見圖14。鍵合完畢后，502快干膠會(huì)在高溫下碳化，因此，Si襯底和GaN/WCu復(fù)合襯底的連接會(huì)自動(dòng)分離。
[0078]第五步，使用PECVD技術(shù)將該襯底的正面反面以及側(cè)面均生長厚度達(dá)到50微米的Si3N4薄膜保護(hù)層，然后使用光刻膠將襯底側(cè)壁及MoCu襯底底面邊緣5毫米范圍保護(hù)，使用BOE溶液刻蝕掉襯底GaN表面其余部分以及整個(gè)底面的Si3N4薄膜，只留下側(cè)壁及MoCu襯底底面邊緣5暈米部分。
[0079]最后通過表面清洗可以得到如圖16(b)所示的復(fù)合襯底，該襯底包括一層150微米厚的MoCu合金金屬襯底2，Mo和Cu的質(zhì)量比為20%比80%。通過NiNi鍵合和一層4微米厚的GaN單晶I鍵合在一起。該鍵合層4Ni厚度為4微米。該襯底具有50納米厚側(cè)面及部分底面Si3N4保護(hù)層3，該保護(hù)層設(shè)計(jì)如
【發(fā)明內(nèi)容】
所述第三種設(shè)計(jì)方案。在GaN層I靠近鍵合層4處包括一層Pd金屬反射層5。
[0080]實(shí)施例4 =Si襯底范德瓦爾茲鍵合GaN層的復(fù)合襯底
[0081]第一步，使用2英寸430微米厚的平板藍(lán)寶石襯底，利用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的MOCVD技術(shù)生長4微米厚的GaN單晶外延片。
[0082]第二步，將上述GaN單晶繼續(xù)使用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的HVPE技術(shù)生長GaN至GaN單晶總厚度達(dá)到46微米。
[0083]第三步，利用PECVD技術(shù)在上述生長的GaN單晶表面生長一層I微米厚的SiO2薄膜，并利用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的光刻以及干法刻蝕技術(shù)將SiO2薄層制備成周期為3微米，底徑2微米，高I微米的圓柱形周期結(jié)構(gòu)5’，如圖17(a)所示。圓柱圖形間距處要露出GaN表面。這一周期性結(jié)構(gòu)即可以作為反射層使用。[0084]第四步，將制備好反射層結(jié)構(gòu)的上述GaN單晶繼續(xù)使用HVPE技術(shù)生長GaN至GaN單晶總厚度達(dá)到50微米，如圖17(b)所示。
[0085]第五步，將上述制備好的具有反射層結(jié)構(gòu)的GaN晶體與400微米厚的Si片通過900°C, 20噸壓力下，30分鐘直接范德瓦爾茲鍵合粘結(jié)在一起，形成藍(lán)寶石/GaN/Si這樣的結(jié)構(gòu)樣品，如圖17(c)所示
[0086]第六步，通過本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的激光剝離技術(shù)將藍(lán)寶石襯底剝離掉，只剩下GaN/Si鍵合的復(fù)合襯底結(jié)構(gòu)。
[0087]第七步，使用PECVD技術(shù)將該襯底的正面反面以及側(cè)面均生長厚度達(dá)到5微米的SiO2薄膜保護(hù)層，然后使用光刻膠將襯底側(cè)壁及GaN表面和Si襯底底面邊緣5毫米范圍保護(hù)，使用BOE溶液刻蝕掉襯底GaN表面和Si襯底底面其余部分以及整個(gè)底面的SiO2薄膜，只留下側(cè)壁及GaN表面和Si襯底底面邊緣5毫米部分。
[0088]最后通過表面清洗可以得到如圖17(d)所示的復(fù)合襯底，該襯底包括一層400微米厚的Si單晶襯底7，通過范德瓦爾茲力鍵合和一層50微米厚的GaN單晶I鍵合在一起。該襯底具有5微米厚側(cè)面及部分GaN表面和Si襯底底面SiO2保護(hù)層3，該保護(hù)層設(shè)計(jì)如
【發(fā)明內(nèi)容】
所述第四種設(shè)計(jì)方案。在GaN層I靠近鍵合面4微米處包括一層反射層圖形結(jié)構(gòu)5’。該圖形結(jié)構(gòu)為周期3微米，高度I微米，下底底徑2微米圓柱形SiO2圖形層結(jié)構(gòu)。
[0089]實(shí)施例5:SiC襯底PdPd鍵合GaN層的復(fù)合襯底
[0090]第一步，使用2英寸430微米厚的平板藍(lán)寶石襯底，利用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的MOCVD技術(shù)生長4微米厚的GaN單晶外延片。
[0091]第二步，利用PECVD技術(shù)在上述生長的GaN單晶表面生長一層I微米厚的SiO2薄膜，并利用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的光刻以及干法刻蝕技術(shù)將SiO2薄層制備成周期為3微米，底徑2.5微米，高I微米的圓錐形周期結(jié)構(gòu)，參見圖12(a)。圓錐圖形間距處要露出GaN表面。這一周期性結(jié)構(gòu)即可以作為反射層使用。
[0092]第三步，將制備好反射層結(jié)構(gòu)的上述GaN單晶繼續(xù)使用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的HVPE技術(shù)生長GaN至GaN單晶總厚度達(dá)到10微米，參見圖12 (b)。
[0093]第四步，將上述生長好的GaN單晶的GaN面使用502快干膠粘接到2英寸400微米的單晶Si襯底上，使用Si襯底做轉(zhuǎn)移支撐襯底，再通過本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的激光剝離技術(shù)將藍(lán)寶石襯底剝離掉，只剩下粘接在Si襯底上的GaN單晶，如圖13所示。
[0094]第五步，在Si襯底上的GaN單晶的GaN面和200微米厚的SiC襯底表面同時(shí)蒸鍍I微米的Pd。然后在800°C，壓力8噸下，通過15分鐘鍵合在一起。鍵合完畢后，502快干膠會(huì)在高溫下碳化，因此，Si襯底和GaN/SiC復(fù)合襯底的連接會(huì)自動(dòng)分離。第六步，使用PECVD技術(shù)將該襯底的正面反面以及側(cè)面均生長厚度達(dá)到500納米的SiO2薄膜保護(hù)層，然后使用光刻膠將襯底側(cè)壁和SiC襯底全部底面保護(hù)，使用BOE溶液刻蝕掉襯底GaN表面的SiO2薄膜，只留下側(cè)壁和SiC襯底全部底面部分。
[0095]最后通過表面清洗可以得到如圖18所示的復(fù)合襯底，該襯底包括一層200微米厚的SiC單晶襯底8，通過PdPd鍵合和一層10微米厚的GaN單晶I鍵合在一起。該鍵合層4Pd厚度為2微米。該襯底具有500納米厚側(cè)面及全部底面SiO2保護(hù)層3，該保護(hù)層設(shè)計(jì)如
【發(fā)明內(nèi)容】
所述第五種設(shè)計(jì)方案。在GaN層I靠近鍵合層4約4微米處包括一層反射層圖形結(jié)構(gòu)5’。該圖形結(jié)構(gòu)為周期3微米，高度I微米，底徑2.5微米的圓錐形SiO2圖形層結(jié)構(gòu)。[0096]實(shí)施例6 =AlSi襯底AuAu鍵合GaN層的復(fù)合襯底
[0097]第一步，使用2英寸430微米厚的平板藍(lán)寶石襯底，利用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的MOCVD技術(shù)生長6微米厚的GaN單晶外延片。
[0098]第三步，利用PECVD技術(shù)在上述生長的GaN單晶表面生長一層I微米厚的SiO2薄膜，并利用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的光刻以及干法刻蝕技術(shù)將SiO2薄層制備成周期為3微米，底徑2微米，高I微米的圓柱形周期結(jié)構(gòu)，參見圖17 (a)。圓柱圖形間距處要露出GaN表面。這一周期性結(jié)構(gòu)即可以作為反射層使用。
[0099]第四步，將制備好反射層結(jié)構(gòu)的上述GaN單晶繼續(xù)使用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的HVPE技術(shù)生長GaN至GaN單晶總厚度達(dá)到10微米，參見圖17 (b)。
[0100]第五步，在上述的藍(lán)寶石/GaN單晶的GaN面和200微米厚的AlSi襯底表面同時(shí)蒸鍍I微米的Au。然后在300°C，壓力5噸下，通過15分鐘鍵合在一起。
[0101]第六步，通過本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的激光剝離技術(shù)將藍(lán)寶石襯底剝離掉，只剩下GaN/AlSi鍵合的復(fù)合襯底結(jié)構(gòu)。
[0102]第七步，使用PECVD技術(shù)將該襯底的正面反面以及側(cè)面均生長厚度達(dá)到500納米的SiO2薄膜保護(hù)層，然后使用光刻膠將襯底側(cè)壁、AlSi襯底全部底面以及GaN表面邊緣2毫米范圍保護(hù)，使用BOE溶液刻蝕掉襯底部分GaN表面的SiO2薄膜，只留下側(cè)壁AlSi襯底全部底面以及GaN表面邊緣2毫米部分。
[0103]最后通過表面清洗可以得到如圖19所示的復(fù)合襯底，該襯底包括一層200微米厚的AlSi單晶襯底9，Al組分為30%，Si組分為70%。通過AuAu鍵合和一層10微米厚的GaN單晶I鍵合在一起。該鍵合層4Au厚度為4微米。該襯底具有500納米厚側(cè)面及全部底面以及GaN表面邊緣2毫米SiO2保護(hù)層3，該保護(hù)層設(shè)計(jì)如
【發(fā)明內(nèi)容】
所述第六種設(shè)計(jì)方案。在GaN層靠近鍵合層4約4微米處包括一層反射層圖形結(jié)構(gòu)5’。該圖形結(jié)構(gòu)為周期3微米，高度I微米，底徑2微米的圓柱形SiO2圖形層結(jié)構(gòu)。
[0104]實(shí)施例7 =WCu金屬襯底AuAu鍵合GaN層的無反射層復(fù)合襯底
[0105]第一步，使用2英寸430微米厚的平板藍(lán)寶石襯底，利用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的MOCVD技術(shù)生長4微米厚的GaN單晶外延片。
[0106]第二步，將上述GaN單晶繼續(xù)使用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的HVPE技術(shù)生長GaN至GaN單晶總厚度達(dá)到10微米。
[0107]第三步，將上述生長好的GaN單晶的GaN面使用502快干膠粘接到2英寸400微米的單晶Si襯底上，使用Si襯底做轉(zhuǎn)移支撐襯底，再通過本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的激光剝離技術(shù)將藍(lán)寶石襯底剝離掉，只剩下粘接在Si襯底上的GaN單晶。
[0108]第四步，在Si襯底上的GaN單晶的GaN面和WCu合金襯底表面同時(shí)蒸鍍I微米的Au，然后在300°C，壓力5噸下，通過15分鐘鍵合在一起。鍵合完畢后，502快干膠會(huì)在高溫下碳化，因此，Si襯底和GaN/WCu復(fù)合襯底的連接會(huì)自動(dòng)分離。
[0109]第五步，使用PECVD技術(shù)將該襯底的正面反面以及側(cè)面均生長厚度達(dá)到500納米的SiO2薄膜保護(hù)層，然后使用光刻膠將襯底側(cè)壁、WCu襯底全部底面以及GaN表面邊緣2毫米范圍保護(hù)，使用BOE溶液刻蝕掉襯底部分GaN表面的SiO2薄膜，只留下側(cè)壁WCu襯底全部底面以及GaN表面邊緣2毫米部分。
[0110]最后通過表面清洗可以得到如圖20所示的復(fù)合襯底，該襯底包括一層150微米厚的WCu合金金屬襯底2，W和Cu的質(zhì)量比為15%比85%。通過AuAu鍵合和一層10微米厚的GaN單晶I鍵合在一起。該鍵合層4Au厚度為2微米。該襯底具有500納米厚側(cè)面及全部底面以及GaN表面邊緣2毫米SiO2保護(hù)層3，該保護(hù)層設(shè)計(jì)如
【發(fā)明內(nèi)容】
所述第六種設(shè)計(jì)方案。
【權(quán)利要求】
1.一種用于GaN生長的復(fù)合襯底,包括一導(dǎo)熱導(dǎo)電層和位于該導(dǎo)熱導(dǎo)電層上的GaN單晶層，其中所述導(dǎo)熱導(dǎo)電層的熔點(diǎn)大于1000°C，其特征在于，至少在復(fù)合襯底的側(cè)壁包裹有防止金屬擴(kuò)散的保護(hù)層，所述保護(hù)層的材料為非金屬，不具有揮發(fā)性，且在1100°C以內(nèi)不分解也不熔化。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為Si02、Si3N4,SiC、GaN 或 A1N。
3.如權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述保護(hù)層包裹區(qū)域?yàn)橄铝辛N之一:1)僅包裹復(fù)合襯底的側(cè)壁；2)包裹復(fù)合襯底的側(cè)壁和所述GaN單晶層表面邊緣1-1Omm寬的區(qū)域；3)包裹復(fù)合襯底的側(cè)壁和所述導(dǎo)熱導(dǎo)電層底面邊緣1-10_寬的區(qū)域；4)包裹復(fù)合襯底的側(cè)壁，以及所述GaN單晶層表面邊緣1-1Omm寬的區(qū)域和所述導(dǎo)熱導(dǎo)電層底面邊緣1-10_寬的區(qū)域；5)包裹復(fù)合襯底的側(cè)壁和所述導(dǎo)熱導(dǎo)電層的全部底面；6)包裹復(fù)合襯底的側(cè)壁，以及所述導(dǎo)熱導(dǎo)電層的全部底面和所述GaN單晶層層表面邊緣1-1Omm寬的區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為20納米?5微米，優(yōu)選為100納米?2微米。
5.如權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述導(dǎo)熱導(dǎo)電層的厚度為10微米?3000微米，優(yōu)選為50微米?400微米；所述GaN單晶層的厚度為0.1微米?100微米，優(yōu)選為I微米?50微米。
6.如權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述導(dǎo)熱導(dǎo)電層的材料選自金屬W、N1、Mo、Pd、Au和Cr中一種或多種的合金，或者是這些金屬中的一種或多種與Cu的合金，或者是Si晶體、SiC晶體或AlSi晶體。
7.如權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述導(dǎo)熱導(dǎo)電層與GaN單晶層之間具有一柔性介質(zhì)鍵合層。
8.如權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述復(fù)合襯底內(nèi)還具有一反射層，該反射層位于GaN單晶層的內(nèi)部、底部或底面，所述GaN單晶層的底面是指GaN單晶層與導(dǎo)熱導(dǎo)電層連接的一面。
9.如權(quán)利要求8所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述反射層是位于GaN單晶層底面的金屬反射層，或者是位于GaN單晶層的內(nèi)部或底部的具有光柵或光子晶格結(jié)構(gòu)的周期性結(jié)構(gòu)層。
10.如權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述導(dǎo)熱導(dǎo)電層上依次是鍵合層、反射層和GaN單晶層。
【文檔編號(hào)】H01L33/48GK103579471SQ201210255792
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年7月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月23日
【發(fā)明者】孫永健, 張國義, 童玉珍 申請人:東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司