應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡，是形成于發(fā)光二極管的磊晶基板的下表面，用以使預(yù)定波段內(nèi)的光源朝磊晶基板的上表面行進(jìn)，光源是自形成于磊晶基板上表面的發(fā)光膜層結(jié)構(gòu)中的發(fā)光層所放射。該全方位反射鏡包含：形成于磊晶基板下表面的反射膜層結(jié)構(gòu)。反射膜層結(jié)構(gòu)自磊晶基板下表面背向磊晶基板的方向?yàn)?H/L)m/(xH/xL)m。H與L分別為第一介電材料與第二介電材料的厚度，第一、二介電材料的折射率分別為n1與n2，且n1＞n2。H等于λ0/4n1，L等于λ0/4n2，λ0為預(yù)定波段的中心波長，1.25≦x≦1.75，m≧8。
【專利說明】應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種反射鏡,特別是指一種應(yīng)用于發(fā)光二極管(light-emittingdiode, LED)的全方位反射鏡(omnidirectional reflector)。
【背景技術(shù)】
[0002]參圖1與圖2，美國核準(zhǔn)公告第6，960，485號(hào)發(fā)明專利案公開一種發(fā)光二極管1，其包含藍(lán)寶石(sapphire)嘉晶基板(epitaxial substrate) 11、多個(gè)間隔地嘉制于該藍(lán)寶石嘉晶基板11的上表面111的發(fā)光單兀12,及形成于該監(jiān)寶石嘉晶基板11的下表面112的反射鏡13。各發(fā)光單元12具有發(fā)光層(active layer) 121以放射出預(yù)定波段的光源。該反射鏡13自該藍(lán)寶石磊晶基板11的下表面112背向該上表面111的方向依序具有厚度約30nm且是由Al2O3所構(gòu)成的透光層131、厚度約300nm且是由Al所構(gòu)成的反射層132，及厚度約IOOnm且是由Al2O3所構(gòu)成的防蝕層133。該反射鏡13能夠使得自該發(fā)光層121行進(jìn)至該反射鏡13的光源朝該藍(lán)寶石磊晶基板11的上表面111的方向反射。
[0003]然而， 熟悉此【技術(shù)領(lǐng)域】者應(yīng)知，構(gòu)成該光源的光子(photon)是以散亂的角度自該發(fā)光層121被放射出來，該光源行進(jìn)至該反射鏡13時(shí)也與該反射鏡13的法線夾有不同的入射角。因此，一旦所夾的入射角未能大于達(dá)成全反射(total reflection)的特定臨界角(critical angle)時(shí)，便有部分光源被該反射鏡13所吸收或折射；相對(duì)地，對(duì)于反射率效能的貢獻(xiàn)度也有限。然而，上述發(fā)光二極管I所使用的反射鏡13便是無法滿足以各角度入射至該反射鏡13的反射率皆可大于80%的要求。
[0004]參圖3，美國核準(zhǔn)公告第6，121，636號(hào)發(fā)明專利案公開一種發(fā)光二極管2，其包含藍(lán)寶石磊晶基板21、磊制于該藍(lán)寶石磊晶基板21上的發(fā)光膜層結(jié)構(gòu)22，及形成于該藍(lán)寶石磊晶基板21下的反射鏡23。該反射鏡23可以是金屬層，或是絕緣的多層膜。
[0005]熟悉此【技術(shù)領(lǐng)域】者應(yīng)知，該多層膜一般是由多個(gè)高折射率(refractive index)介電層(dielectric layer)與多個(gè)低折射率介電層輪流交替堆棧所構(gòu)成的分布式布拉格反射鏡(distributed Bragg ref lector, DBR)結(jié)構(gòu)，其高折射率(nH)介電層的厚度(H)與低折射率(?)介電層的厚度(L)分別是入/^^與λ/4?;其中，λ為該發(fā)光膜層結(jié)構(gòu)22所放射的光源的中心波長。然而，此種DBR結(jié)構(gòu)所構(gòu)成的反射鏡23仍存在有相同于圖2所示的反射鏡13的缺點(diǎn),其無法有效地反射以各角度入射至該反射鏡23的光源。
[0006]經(jīng)上述說明可知，提升以各角度入射至反射鏡的光源的反射率，使得反射鏡上方的發(fā)光二極管的光取出率(light-extraction efficiency)獲得有效的改善,是此【技術(shù)領(lǐng)域】者所需改進(jìn)的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光二極管所使用的反射鏡無法有效反射各角度入射的光源的缺陷，提供一種應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡，可提升發(fā)光二極管的光取出率。[0008]本發(fā)明為解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是，提供一種發(fā)光二極管的全方位反射鏡，是形成于發(fā)光二極管的磊晶基板的下表面，用以使預(yù)定波段內(nèi)的光源朝該磊晶基板的上表面行進(jìn)，該光源是自形成于該磊晶基板上表面的發(fā)光膜層結(jié)構(gòu)中的發(fā)光層所放射。該全方位反射鏡包含反射膜層結(jié)構(gòu)。該反射膜層結(jié)構(gòu)形成于該磊晶基板的下表面，且自該磊晶基板的下表面背向該磊晶基板的方向?yàn)?H/L)m/(XH/XL)m。
[0009]其中，H與L分別為第一介電材料的厚度與第二介電材料的厚度，該第一介電材料與該第二介電材料的折射率分別為Ii1與n2,且Ii1 > n2 ;H等于AciZ^n1, L等于AQ/4n2,且入。為該預(yù)定波段的中心波長；1.25蘭X蘭1.75，且m蘭8。[0010]此外，本發(fā)明另一種應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡，是形成于發(fā)光二極管的磊晶基板的下表面，用以使預(yù)定波段內(nèi)的光源朝該磊晶基板的上表面行進(jìn)，該光源是自形成于該磊晶基板上表面的發(fā)光膜層結(jié)構(gòu)中的發(fā)光層所放射。該全方位反射鏡包含反射膜層結(jié)構(gòu)。該反射膜層結(jié)構(gòu)形成于該磊晶基板的下表面，且自該磊晶基板的下表面背向該磊晶基板的方向?yàn)?L/M/(H/L)7(xH/xL)m。
[0011]其中，H與L分別為第一介電材料的厚度與第二介電材料的厚度，M為金屬材料的厚度，該第一介電材料與該第二介電材料的折射率分別為Ii1與112，且II1 > n2 ;H等于A0/4ni，L等于λ 0/4η2, λ。為該預(yù)定波段的中心波長，且M大于IOOnm ； 1.25 ^ x ^ 1.75,且m芎I。
[0012]本發(fā)明的功效在于:調(diào)整第一介電材料與第二介電材料的厚度關(guān)系，使得以各角度入射至全方位反射鏡的光源所構(gòu)成的反射率得以增加，并從而有效地提升全方位反射鏡上方的發(fā)光二極管的光取出率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是一正視示意圖，說明美國核準(zhǔn)公告第6，960，485號(hào)發(fā)明專利案所公開的一種發(fā)光二極管；
[0014]圖2是一局部放大示意圖，說明顯示于圖1中的反射鏡的細(xì)部膜層結(jié)構(gòu)；
[0015]圖3是一正視示意圖，說明美國核準(zhǔn)公告第6，121，636號(hào)發(fā)明專利案所公開一種發(fā)光二極管；
[0016]圖4是一正視示意圖，說明本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一第一較佳實(shí)施例及一第二較佳實(shí)施例；
[0017]圖5A與圖5B分別是經(jīng)仿真軟件優(yōu)化前與優(yōu)化后的反射率曲線，說明本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例I(El)在不同角度下的反射率；
[0018]圖6A與圖6B分別是經(jīng)仿真軟件優(yōu)化前與優(yōu)化后的反射率曲線，說明本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例2 (E2)在不同角度下的反射率；
[0019]圖7A與圖7B分別是經(jīng)仿真軟件優(yōu)化前與優(yōu)化后的反射率曲線，說明本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例3 (E3)在不同角度下的反射率；
[0020]圖8A與圖SB分別是經(jīng)仿真軟件優(yōu)化前與優(yōu)化后的反射率曲線，說明本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例4(E4)在不同角度下的反射率；
[0021]圖9A與圖9B分別是經(jīng)仿真軟件優(yōu)化前與優(yōu)化后的反射率曲線，說明本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一比較例(CE)在不同角度下的反射率；[0022]圖1OA與圖1OB分別是經(jīng)仿真軟件優(yōu)化前與優(yōu)化后的反射率曲線，說明本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例5 (E5)在不同角度下的反射率；
[0023]圖1lA與圖1lB分別是經(jīng)仿真軟件優(yōu)化前與優(yōu)化后的反射率曲線，說明本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例6 (E6)在不同角度下的反射率；
[0024]圖12A與圖12B分別是經(jīng)仿真軟件優(yōu)化前與優(yōu)化后的反射率曲線，說明本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例7 (E7)在不同角度下的反射率 '及
[0025]圖13A與圖13B分別是經(jīng)仿真軟件優(yōu)化前與優(yōu)化后的反射率曲線，說明本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例8 (E8)在不同角度下的反射率。
【具體實(shí)施方式】
[0026]有關(guān)本發(fā)明的前述及其它技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合附圖的兩個(gè)較佳實(shí)施例、八個(gè)具體例與一個(gè)比較例的詳細(xì)說明中，將可清楚的呈現(xiàn)。
[0027]參閱圖4，本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的第一較佳實(shí)施例，是形成于發(fā)光二極管3的磊晶基板31的下表面311，用以使預(yù)定波段內(nèi)的光源朝該磊晶基板31的上表面312行進(jìn)，該光源是自形成于該磊晶基板31上表面312的發(fā)光膜層結(jié)構(gòu)32中的發(fā)光層321所放射。本發(fā)明該第一較佳實(shí)施例的全方位反射鏡包含反射膜層結(jié)構(gòu)4。
[0028]該反射膜層結(jié)構(gòu)4形成于該磊晶基板31的下表面311，且自該磊晶基板31的下表面311背向該磊晶基板31的方向?yàn)?H/L)7(xH/xL)m。
[0029]在本發(fā)明該第一較佳實(shí)施例中，H與L分別為第一介電材料的厚度與第二介電材料的厚度，該第一介電材料與`該第二介電材料的折射率分別為Ii1與n2，且Ii1 > n2 ;H等于
L等于入。/4112，且λ Q為該預(yù)定波段的中心波長；1.25蘭x蘭1.75，且m蘭8。此處值得一提的是，為避免該反射膜層結(jié)構(gòu)4的總厚度過大，導(dǎo)致該反射膜層結(jié)構(gòu)4整體產(chǎn)生裂損，因此，較佳地，8 ^ m ^ 25ο
[0030]適用于本發(fā)明該第一較佳實(shí)施例的第一介電材料是選自下列所構(gòu)成的群組:氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5),及氧化鈮(Nb2O5);適用于本發(fā)明該第一較佳實(shí)施例的第二介電材料是氧化硅(SiO2)。
[0031]在本發(fā)明該第一較佳實(shí)施例中，該全方位反射鏡的反射膜層結(jié)構(gòu)4在未經(jīng)仿真軟件優(yōu)化前被應(yīng)用于該發(fā)光二極管3時(shí)，其可使得自該發(fā)光層321放射并以各入射角行進(jìn)至該反射膜層結(jié)構(gòu)4的光源產(chǎn)生大于60%的平均反射率；此外，該全方位反射鏡的反射膜層結(jié)構(gòu)4在經(jīng)仿真軟件優(yōu)化后被應(yīng)用于該發(fā)光二極管3時(shí)，其可使得自該發(fā)光層321放射并以各入射角行進(jìn)至該反射膜層結(jié)構(gòu)4的光源所造成的平均反射率提升至709^100%。
[0032]再參閱圖4，本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一第二較佳實(shí)施例，大致上是相同于該第一較佳實(shí)施例，其不同處是在于，該反射膜層結(jié)構(gòu)4自該磊晶基板31的下表面311背向該磊晶基板31的方向?yàn)長/M/(H/L)7(xH/xL)m。
[0033]在本發(fā)明該第二較佳實(shí)施例中，M為金屬材料的厚度，M大于lOOnm，且m蘭I。較佳地，I 20。此外，適用于本發(fā)明該第二較佳實(shí)施例的金屬材料是Ag及Al其中一者。
[0034]在本發(fā)明該第二較佳實(shí)施例中，該全方位反射鏡的反射膜層結(jié)構(gòu)4在經(jīng)仿真軟件優(yōu)化前或優(yōu)化后被應(yīng)用于該發(fā)光二極管3時(shí)，皆可使得自該發(fā)光層321放射并以各入射角行進(jìn)至該反射膜層結(jié)構(gòu)4的光源產(chǎn)生大于90%的平均反射率。[0035]〈具體例I (El) >
[0036]本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例I(El)是根據(jù)該第一較佳實(shí)施例來實(shí)施。在本發(fā)明該具體例I(El)中，該磊晶基板為藍(lán)寶石基板，該第一介電材料為TiO2,該第二介電材料為SiO2 ；x = 1.25 ；m = 8 ;該發(fā)光層所放射的預(yù)定波段是介于395nm至405nm之間(S卩，λ。等于400nm)。因此，本發(fā)明該具體例I (El)的反射膜層結(jié)構(gòu)為(H/L) 7(1.25H/1.25L)8。
[0037]< 具體例 2 (E2) >
[0038]本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例2(E2)大致上是相同于該具體例I (El)，其不同處是在于，該發(fā)光層所放射的預(yù)定波段是介于645nm至655nm之間(即，Xci等于650nm)。因此，本發(fā)明該具體例2 (E2)的反射膜層結(jié)構(gòu)為(H/L)8/(1.25H/1.25L)8。
[0039]< 具體例 3 (E3) >
[0040]本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例3(E3)大致上是相同于該具體例I (El)，其不同處是在于，X= 1.75。因此，本發(fā)明該具體例3(E3)的反射膜層結(jié)構(gòu)為(H/L)8/(l.75H/1.75L)8。
[0041]〈具體例4(E4)>
[0042]本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例4(E4)大致上是相同于該具體例2 (E2)，其不同處是在于，X= 1.75。因此，本發(fā)明該具體例4 (E4)的反射膜層結(jié)構(gòu)為(H/L)8/(l.75H/1.75L)8。
[0043]< 比較例(CE) >
[0044]用來與本發(fā)明該具體例4(E4)相比較的一比較例(CE)大致上是相同于該具體例4 (E4)，其不同處是在于，(H/L)8/(l.75H/1.75L)8的反射膜層結(jié)構(gòu)是改用傳統(tǒng)的DBR結(jié)構(gòu)，即，該比較例(CE)的反射膜層結(jié)構(gòu)為(H/L)16。
[0045]< 具體例 5 (E5) >
[0046]本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例5 (E5)是根據(jù)該第二較佳實(shí)施例來實(shí)施。在本發(fā)明該具體例5 (E5)中，該磊晶基板為藍(lán)寶石基板，該第一介電材料為TiO2，該第二介電材料為SiO2，該金屬材料為Ag，且M為200nm ；x = 1.25 ；m = I ;該發(fā)光層所放射的預(yù)定波段是介于395nm至405nm之間(B卩，λ。等于400nm)。因此，本發(fā)明該具體例 5(E5)的反射膜層結(jié)構(gòu)為 L/M/(H/L)7(1.25H/1.25L)1。
[0047]< 具體例 6 (E6) >
[0048]本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例6(E6)大致上是相同于該具體例5 (E5)，其不同處是在于，該發(fā)光層所放射的預(yù)定波段是介于645nm至655nm之間(即，入。等于650nm)。因此，本發(fā)明該具體例6 (E6)的反射膜層結(jié)構(gòu)為L/M/(H/L) V(1.25H/1.25L)1。
[0049]< 具體例 7 (E7) >
[0050]本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例7(E7)大致上是相同于該具體例5 (E5)，其不同處是在于，X= 1.75。因此，本發(fā)明該具體例7(E7)的反射膜層結(jié)構(gòu)為 L/M/(H/L)7(1.75H/1.75L)1。
[0051]〈具體例8(E8)>[0052]本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡的一具體例8(E8)大致上是相同于該具體例6 (E6)，其不同處是在于，X= 1.75。因此，本發(fā)明該具體例8 (ES)的反射膜層結(jié)構(gòu)為 L/M/(H/L)7(1.75H/1.75L)1。
[0053]<分析數(shù)據(jù)>
[0054]參圖5至圖9并配合參附件及以下表1.所顯示的分析數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明這些具體例(EfE4)的優(yōu)化前的各入射角的平均反射率，除了該具體例I(El)在50度、60度、80度的入射角下所造成的平均反射率是介于60%~80%以外，其它各具體例的各入射角的平均反射率皆可維持在949^100%。此外，本發(fā)明這些具體例(EfE4)的優(yōu)化后的各入射角的平均反射率，除了該具體例I (El)與具體例3 (E3)在60度的入射角下所造成的平均反射率是趨近75%以外，其它各具體例的各入射角的平均反射率皆可維持在949^100%，且大多個(gè)的各角度的平均反射率是維持在99.9%以上。又，單獨(dú)比較本發(fā)明該具體例4(Ε4)與該比較例(CE)可知，本發(fā)明該具體例4(Ε4)的反射膜層結(jié)構(gòu)在仿真軟件優(yōu)化前，其各入射角所造成的平均反射率皆已大于97%。反觀該比較例(CE)的反射膜層結(jié)構(gòu)的平均反射率在仿真軟件優(yōu)化前，其在60度、70度與80度的入射角下所造成的平均反射率僅分別約74%、57%與72%;再者，該比較例(CE)的反射膜層結(jié)構(gòu)的平均反射率經(jīng)仿真軟件優(yōu)化后，雖然皆可維持在90%以上，但其在70度與80度的入射角下所造成的平均反射率，卻分別相對(duì)低于該具體例4 (Ε4)，即，分別僅為94%與97%左右。
[0055]參圖10至圖13并配合參附件及以下表2.所顯示的分析數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明這些具體例(Ε518)不論是在優(yōu)化前或優(yōu)化后，其各入射角的平均反射率皆可維持在94%~98%。證實(shí)本發(fā)明這些具體例(Ε5飛8)采用金屬反射層并配合調(diào)整第一、二介電層的厚度關(guān)系，可使得各反射膜層結(jié)構(gòu)在未經(jīng)仿真軟件優(yōu)化即`可取得各入射角的反射率皆大于94%的功效。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡，是形成于發(fā)光二極管的嘉晶基板的下表面，用以使預(yù)定波段內(nèi)的光源朝該磊晶基板的上表面行進(jìn)，其特征在于，該光源是自形成于該磊晶基板上表面的發(fā)光膜層結(jié)構(gòu)中的發(fā)光層所放射，該全方位反射鏡包含: 反射膜層結(jié)構(gòu)，形成于該磊晶基板的下表面，且該反射膜層結(jié)構(gòu)自該磊晶基板的下表面背向該磊晶基板的方向?yàn)?H/L)7(xH/xL)m ； 其中，H與L分別為第一介電材料的厚度與第二介電材料的厚度，該第一介電材料與該第二介電材料的折射率分別為Ii1與n2，且Ii1 > n2 ; 其中，H等于XciAn1, L等于XciAn2，且λ ^為該預(yù)定波段的中心波長；及
其中，1.25 ^ X ^ 1.75, m ^ 8。
2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡，其特征在于，X=1.25；m = 8 ;該預(yù)定波段是介于395nm至405nm之間。
3.依據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡，其特征在于，X=1.25；m = 8 ;該預(yù)定波段是介于645nm至655nm之間。
4.依據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡，其特征在于，X= 1.75；m = 8 ;該預(yù)定波段是介于395nm至405nm之間。
5.依據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡，其特征在于，X= 1.75；m = 8 ;該預(yù)定波段是介于645nm至655nm之間。
6.—種應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡,是形成于發(fā)光二極管的嘉晶基板的下表面，用以使預(yù)定波段內(nèi)的光源朝該磊晶基板的上表面行進(jìn)，其特征在于，該光源是自形成于該磊晶基板上表面的發(fā)光膜層結(jié)構(gòu)中的發(fā)光層所放射，該全方位反射鏡包含: 反射膜層結(jié)構(gòu)，形成于該磊晶基板的下表面，且該反射膜層結(jié)構(gòu)自該磊晶基板的下表面背向該磊晶基板的方向?yàn)長/M/(H/L)7(xH/xL)m ； 其中，H與L分別為第一介電材料的厚度與第二介電材料的厚度，M為金屬材料的厚度，該第一介電材料與該第二介電材料的折射率分別為Ii1與n2，且Ii1 > n2 ； 其中，H等于XQ/4ni，L等于XQ/4n2，λ。為該預(yù)定波段的中心波長，且M大于IOOnm ;及
其中，1.25 ^ X ^ 1.75, m ^ I。
7.依據(jù)權(quán)利要求6所述的應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡，其特征在于，X=1.25；m = I ;該預(yù)定波段是介于395nm至405nm之間。
8.依據(jù)權(quán)利要求6所述的應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡，其特征在于，X=1.25；m = I ;該預(yù)定波段是介于645nm至655nm之間。
9.依據(jù)權(quán)利要求6所述的應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡，其特征在于，X=1.75；m = I ;該預(yù)定波段是介于395nm至405nm之間。
10.依據(jù)權(quán)利要求6所述的應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡，其特征在于，X=1.75 ；m = I ;該預(yù)定波段是介于645nm至655nm之間。
11.依據(jù)權(quán)利要求6至 10任意一項(xiàng)所述的應(yīng)用于發(fā)光二極管的全方位反射鏡，其特征在于，該金屬材料是Ag及Al其中一者。
【文檔編號(hào)】H01L33/60GK103682061SQ201210361176
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月25日
【發(fā)明者】王俊杰, 曾啟瑞 申請(qǐng)人:信泰光學(xué)(深圳)有限公司, 亞洲光學(xué)股份有限公司