技術總結
本發明涉及包括只讀存儲器（ROM）陣列的第一存儲單元晶體管的集成電路（IC）。根據一個示例性實施方式，一種集成電路（IC）包括只讀存儲器（ROM）陣列的第一存儲單元晶體管，所述第一存儲單元晶體管包括第一功函的第一金屬柵極并具有第一閾值電壓。這種IC還包括所述ROM陣列的第二存儲單元晶體管，所述第二存儲單元晶體管包括第二功函的第二金屬柵極并具有第二閾值電壓。所述第一存儲單元晶體管和所述第二存儲單元晶體管能夠是第一電導率類型。此外，所述第一存儲單元晶體管能夠包括第一高?k柵極電介質而所述第二存儲單元晶體管能夠包括第二高?k柵極電介質。

技術研發人員：夏維
受保護的技術使用者：安華高科技通用IP(新加坡)公司
文檔號碼：201210366066
技術研發日：2012.09.27
技術公布日：2017.05.31