包括中空物體的oled裝置制造方法
【專利摘要】本發明的實施例包括具有中空物體的有機發光二極管(OLED)裝置，所述中空物體配置用于將否則會被截留的光從所述裝置散射出去，從而改進所述裝置的性能。所述中空物體分散在所述OLED裝置的一個或多個有機層中。所述中空物體可具有與空氣折射率類似的折射率，以使得由發射層發射的可見光可接觸所述OLED裝置中的所述中空物體并且可從所述裝置散射出去。在一些實施例中，所述中空物體可以是球形或管狀的，并且大小大于所述可見光波長光譜。
【專利說明】包括中空物體的OLED裝置
【技術領域】
[0001]諸如有機發光二極管(OLED)的光電裝置正越來越多地用于照明和顯示應用。OLED包括設置在兩個帶電電極(陽極與陰極)之間的薄有機層堆疊體。有機層可包括空穴注入層、空穴傳輸層、發射層、電子傳輸層和電子注入層。當向OLED照明裝置施加適當電壓時，所注入的正電荷和負電荷在發射層中重新結合以產生光。
【背景技術】
[0002]通常，由發射層發射的光可透射離開發射層并從OLED透射出去而被用戶看見和/或由光電裝置使用，以用于各種照明或顯示器應用。然而，不是所有由發射層發射的光都可從OLED透射出去。例如，一些光(例如，在傳統OLED中，20% )可能截留在OLED的不同層中，因而降低了裝置的效率，因為不是所有由發射層發射的光都得到利用。這類低效率可能轉化成較高的運行功率要求和/或較短的裝置使用壽命，因為為了獲得所需的OLED發光可能需要施加較高的電壓。
[0003]提高OLED效率的一些嘗試包括操縱OLED層來增加從裝置發射出去的光。例如，一些技術涉及優化OLED層的厚度并且可能優化其折射率(通常稱為優化OLED腔)，或者在OLED層中混入散射顆粒來促進將否則會被截留的光從OLED散射出去。

【發明內容】

[0004]在一個實施例中，提供了 一種有機發光二極管(OLED)裝置。所述OLED裝置包括底部電極、設置在所述底部電極上的多個有機層以及設置在所述多個有機層上的頂部電極。所述多個有機層中的一個或多個包括配置用于散射光的分散的中空物體。
[0005]在另一個實施例中，提供了一種形成有機發光二極管(OLED)裝置的方法。所述方法包括在OLED裝置的平面上分散的中空物體并且將OLED裝置層沉積在所述分散的中空物體上。
[0006]又一個實施例涉及一種有機發光二極管(OLED)堆疊體。所述OLED堆疊體包括透明基板、設置在所述透明基板上的導電性透明材料、設置在所述導電性透明材料上的第一非發射有機材料、設置在所述第一非發射有機材料上的電致發光材料、設置在所述電致發光材料上的第二非發射有機材料、分散在所述第一非發射有機材料、所述第二非發射有機材料或兩者中的中空物體，以及設置在所述第二非發射有機材料上的導電性反射材料。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]在參考附圖閱讀以下詳細說明后，將更好地理解本發明的這些和其他特征、方面和優點，在附圖中，類似的符號代表所有附圖中類似的部分，其中:
[0008]圖1描繪根據本發明的一個實施例的有機發光二極管(OLED)堆疊體；
[0009]圖2是根據本發明的一個實施例的形成中空物體并且在圖1的OLED堆疊體中應用所述中空物體的方法的流程圖；[0010]圖3是根據本發明的一個實施例的表示中空物體的形成的示意圖；
[0011]圖4是根據本發明的一個實施例的具有中空物體的OLED堆疊體的有機層的側視圖；
[0012]圖5是根據本發明的一個實施例的具有相對較小中空物體的OLED堆疊體的有機層的側視圖；以及
[0013]圖6描繪了根據本發明的一個實施例的具有中空物體的OLED堆疊體的側視圖。【具體實施方式】
[0014]由于有機電子裝置和光電裝置提供的低成本和高性能，有機材料正越來越多地用于電路和照明領域技術中。然而，典型的OLED裝置可能不會以所需的效率水平操作，因為在所述裝置的電致發光材料中所產生的顯著量的光可能截留在所述裝置中。木發明的一個或多個實施例通過使用中空物體來增加從所述裝置透射出去的光的量，其中所述中空物體配置用于將否則會被截留的光從OLED裝置散射出去。如以下將討論，氣體填充式中空物體的折射率可以與OLED裝置中的典型層的折射率充分不同，這可促進將否則會被截留的光從所述裝置層散射出去，從而提高OLED裝置的效率。
[0015]參照圖1,示出光電裝置中的OLED堆疊體10的側視圖。OLED堆疊體10可包括頂部電極(即，陰極)12和設置在基板28上的底部電極(即，陽極)14，其中有機層16設置在陰極12與陽極14之間。在一些實施例中，有機層16可包括空穴注入層26，空穴注入層26可設置在陽極14上。空穴傳輸層24可設置在空穴注入層26上，并且發射層22可設置在空穴傳輸層24上。電子傳輸層20可設置在發射層22上，并且電子注入層18可設置在電子傳輸層20上。
[0016]在一些實施例中，陽極14可包括大致透明的摻雜薄金屬氧化物膜，如氧化銦錫(ITO)、氧化錫、氧化銦、氧化鋅、氧化銦鋅、氧化鋅銦錫、氧化鋪及其混合物。在不同實施例中，陽極14的厚度范圍可為約IOnm至200nm，盡管其他厚度也在考慮范圍之內。
[0017]適用于設置在陽極14上的空穴注入層26的材料的實例可包括質子摻雜(即，“P型摻雜”)導電性聚合物，如P型摻雜聚噻吩或聚苯胺，和P型摻雜有機半導體如四氟四氰基醌二甲烷(F4-TCQN)、摻雜有機和聚合物半導體，以及含三芳基胺的化合物和聚合物。
[0018]設置在空穴注入層26上的空穴傳輸層24可包括例如三芳基二胺、四苯基二胺、芳族叔胺、包括氨基的腙衍生物、咔唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、惡二唑衍生物(帶有氨基)、聚噻吩以及類似材料。適用于空穴阻擋層的材料的非限制性實例可包括聚N-乙烯基咔唑和類似材料。
[0019]發射層22可包括在電刺激時發射處于可見光譜中的輻射的任何電致發光有機材料。在一些實施例中，這類材料可包括發射處于確定波長范圍內的光的電致發光有機材料。例如，發射層22中的電致發光有機材料可包括小分子、低聚物、聚合物、共聚物或其混合物。例如，合適的電致發光有機材料28可包括三(8-羥基喹啉)呂(Alq3)及其衍生物；聚N-乙烯基咔唑(PVK)及其衍生物；聚芴及其衍生物(如聚烷基芴)，例如，聚-9，9- 二己基芴、聚二辛基芴或聚_9，9-雙-3，6- 二氧雜庚基-芴-2，7- 二基；聚對亞苯基及其衍生物，如聚-2-癸氧基-1，4-亞苯基或聚-2，5- 二庚基-1，4-亞苯基；聚對亞苯基亞乙烯基及其衍生物，如二烷氧基-取代PPV和氰基-取代PPV ;聚噻吩及其衍生物，如聚-3-烷基噻吩、聚-4，4’ - 二烷基-2，2’ - 二噻吩、聚-2，5-亞噻吩基亞乙烯基；聚吡啶亞乙烯基及其衍生物；聚喹喔啉及其衍生物；以及聚喹啉及其衍生物。在一個實施例中，合適的電致發光材料為用N，N-雙4-甲基苯基-4-苯胺封端的聚-9，9-二辛基芴基-2，7-二基。可使用這些聚合物的混合物或基于這些聚合物中一種或多種的共聚物。其他合適的材料可包括聚硅烷，或用烷基和/或芳基側基取代硅主鏈的直鏈聚合物。聚硅烷為沿聚合物主鏈具有離域σ共軛電子的準一維材料。聚硅烷的實例包括聚二正丁基硅烷、聚二正戊基硅烷、聚二正己基硅烷、聚甲基苯基硅烷以及聚雙對丁基苯基硅烷。
[0020]設置在發射層22上的電子傳輸層20可包括小分子或低到中等分子量的有機聚合物，例如，使用聚苯乙烯標準物所測定的重量平均分子量小于約200，000克每摩爾的有機聚合物。這類聚合物可包括(例如)聚_3，4-乙烯二氧噻吩0^01')、聚苯胺、聚-3，4-丙烯二氧噻吩(PProDOT)、聚苯乙烯磺酸酯(PSS)、聚乙烯咔唑(PVK)和其他類似材料。設置在電子傳輸層20上的電子注入層18可包括(例如)氟化鈉或氟化鉀或其他類似材料。
[0021]陰極12可包括導電性反射材料，如鋁、銀、銦、錫、鋅、其他合適的金屬及其組合。在一些實施例中，陰極12也可以是相對薄的(例如，30nm)并且可以是透明的。陰極12可通過(例如)物理氣相沉積、化學氣相沉積、濺射或液體涂覆沉積在電子注入層18上。
[0022]在一些實施例中，OLED堆疊體10還可包括可改進發射層22中的電致發光材料的性能或使用壽命的不同或額外的非發射材料。例如，除了空穴注入層26、空穴傳輸層24、電子傳輸層20和電子注入層18之外，堆疊體10還可包括諸如空穴注入加強層、電子注入加強層或其任意組合的層。此外，在一些實施例中，OLED堆疊體10的層可按照不同的順序或不同的組合布置，并且可在圖1中所示的層之間設置額外層。
[0023]在光電裝置的操作期間，可在OLED堆疊體10兩端施加電壓。所述電壓可使陽極14和陰極12充電使得陽極14`帶正電荷并且陰極12帶負電荷，并且電子可從帶負電荷的陰極12流過堆疊體10到達帶正電荷的陽極14。更確切地說，可將電子從鄰近陽極14的有機材料取出并注入鄰近陰極12的有機材料。從陽極側有機材料取出電子的過程也可稱為空穴注入和空穴傳輸，并且將電子注入陰極側有機材料的過程也可稱為電子傳輸和電子注入。在空穴和電子傳輸/注入過程中，電子被從空穴注入層26取出，傳輸穿過空穴傳輸層24和電子傳輸層20，并且注入電子注入層18。靜電力可使發射層22中的電子和空穴結合以形成激發束縛狀態(即，激子)，該激發束縛狀態在去激發時發出頻率處于電磁光譜的可見區域中的輻射(即，可見光)。在不同實施例中，取決于OLED堆疊體10中所使用的特定材料的性質，所發射輻射的頻率以及可見光的顏色和/或特性可有所不同。
[0024]在發射層22處發射的可見光可透射(如箭頭30所指示)穿過有機層24和26并且穿過透明陽極14和基板28。在一些實施例中，從發射層22行進穿過有機層20和18的光可由反射陰極12反射(如箭頭32所指示)并通過基板28透射出去。隨后，可見光可用于點亮光電裝置的顯示器或照明應用。
[0025]然而，發射層所發射的光可能不能全部穿過基板28來點亮所述裝置。如箭頭34所表示，所發射的光有時可能會“截留”在有機層18、20、24和/或26中或者可能不能穿過所述有機層。例如，在一些常規裝置中，大約20%由發射材料發射的光可能會截留在所述裝置的層中。所截留的光降低了裝置的效率，因為不是所有所產生的輻射都發射穿過基板28從而由裝置利用或者由用戶感知。因此，不是施加在堆疊體10兩端的電壓的全部都會產生有用的輻射。
[0026]在本發明的實施例中，可在OLED堆疊體10的一個或多個層中分散中空物體來增加光的散射。一些實施例中所使用的空氣或氣體填充式中空物體具有特征在于折射率為約I的芯，所述折射率與典型OLED層的折射率(?1.4至2.0)充分不同，從而影響光穿過OLED堆疊體10層的路徑。由于相對于從堆疊體10垂直發射出去的光，否則會被截留的光在OLED堆疊體10內具有較長的路徑長度，因此所述否則會被截留的光可由這類中空物體散射。這類散射可促進光從OLED堆疊體10提取出來。在一些實施例中，中空物體可進行表面處理以提高顆粒分散度和與基體的相容性。這種表面處理可以是親水性或疏水性的。
[0027]圖2是用于制作中空物體并且在OLED堆疊體10中應用顆粒的過程40的流程圖，并且圖3是表示在圖2的過程40中所形成的中空物體的中間階段的示意圖。這樣，圖2和圖3可同時討論。過程40可以制備(方框42)模板顆粒44開始。為了討論在形成中空物體中所涉及的各種技術，請參看美國申請號2007/0036705，所述申請的全部內容以引用方式并入本說明書。
[0028]在一些實施例中，一種用于制作中空物體的過程40涉及在某些條件下通過使苯乙烯聚合來制備模板顆粒44。這類條件可包括在適當的溫度和其他加工條件下進行熱處理和/或以某些濃度添加反應劑。例如，乳液聚合反應、分散聚合反應或懸浮聚合反應可在大約70°C下進行。所形成的模板顆粒44可具有直徑在約40nm與700nm之間的顆粒大小。
[0029]一旦模板顆粒44形成，則過程40涉及通過在某些pH值和溫度條件下用偶聯劑、接著含硅化合物或化合物的混合物處理模板顆粒44，以便在模板顆粒44上形成(方框46)二氧化硅涂覆層，從而得到涂覆有二氧化硅的模板顆粒48。雖然二氧化硅是用于形成中空物體54的合適材料的一個實例，但應當指出的是，合適的材料可包括任何不會增加非輻射失活(non-radiative decay)、不會在OLED堆疊體10內產生電短路，并且不會減少OLED堆疊體10中所使用的有機元素的操作壽命的材料。例如，在一些實施例中，用于制作中空物體52的其他合適的材料可包括由偏二氯乙烯和丙烯腈制成的，或由偏氯乙烯、丙烯腈和甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯、丙烯酸脂或其組合制成的共聚物和三元共聚物系統。在一些實施例中，可使用合適的表面活性劑(例如，烷基硫酸鹽、烷基磺酸鹽、直鏈烷基芳基磺酸鹽或其組合)，并且PH值和溫度可分別調整為約9至11和約45°C至90°C。
[0030]涂覆有二氧化硅的模板顆粒48可具有大致均勻的含二氧化硅涂覆層。隨后，過程40涉及通過在充分高的溫度下隔離并加熱涂覆有二氧化硅的模板顆粒48來消除(方框50)芯，以便移除芯(例如，模板顆粒44)，從而留下中空物體52。中空物體52可大致填充有氣體60 (例如，空氣或大氣氣體的組合)。在一些實施例中，可通過離心或過濾來隔離涂覆有二氧化硅的模板顆粒48并將其加熱到出現模板解聚和揮發的溫度，如約325°C至525°C。在一些實施例中，中空物體52的厚度可以是充分穩定的，以對抗在OLED堆疊體10或OLED裝置的制造、形成和使用期間可能施加在物體52上的機械應力。在一些實施例中，中空物體52的壁厚可為約IOnm至lOOnm。此外，在一些實施例中，所述中空物體的壁厚可為約IOnm至50nm。
[0031]一旦中空物體52形成，則過程40可涉及形成(方框58)具有分散的中空物體52的OLED堆疊層。在一個實施例中，形成(方框58) OLED堆疊層可涉及將中空物體52分散并沉積(方框54)在OLED堆疊體10的一個或多個層上以及將OLED堆疊層沉積(方框56)在所沉積的中空物體上。例如，為了在電子傳輸層20中實施中空物體52，可將中空物體52分散在發射層22上，并且可將電子傳輸層20沉積在中空物體52上。類似地，為了在空穴注入層26中應用中空物體52，可將中空物體52沉積在陽極14上，并且可將空穴注入層26沉積在中空物體52上。在一些實施例中，可米用合適的介質來協助將中空物體52分散和沉積在所沉積的OLED堆疊層中。
[0032]在一些實施例中，形成(方框58)具有分散的中空物體52的OLED堆疊層可包括將中空物體52分散在具有一個或多個層組分或層組分前體的制劑(formulation)中，并且隨后將具有分散中空顆粒52的所述制劑沉積到OLED堆疊體10的一個或多個層上。在一些實施例中，可適當加工具有分散的中空物體52的層以便使其在OLED堆疊體10中具有合適的形狀或大小。例如，旋轉流延、輥或刮刀可用于形成具有分散的中空物體52的層。
[0033]在一些實施例中，OLED堆疊層的各平面的約10%或更少可包括中空物體52。此夕卜,在一些實施例中，中空物體52在OLED堆疊體10的一個或多個層中可更加密集。例如，中空物體52可覆蓋一個或多個OLED堆疊層平面的約10%至30%。
[0034]由于OLED堆疊體10的一些層相對于中空物體52可具有不同性質和不同性能，因此可進一步處理某些層以在OLED堆疊體10中恰當地應用中空物體52。在一個實施例中，空氣填充式中空物體52可呈現大致親水性的外表面。因此，當將這類中空物體52實施到OLED堆疊體10的大致疏水性的層(例如，空穴傳輸層24或電子傳輸層20)中時，可處理中空物體52以改進其在所述層中的懸浮。例如，在一些實施例中，可使用合適的六甲基二硅氧烷(HMDZ)處理來使中空物體52疏水化。
[0035]在一些實施例中，中空物體是大致空心且非導電性的，并且可具有約I或由氣體特性限定的折射率。中空物體的形狀可以是球形(即，中空球體)，或者在一些實施例中，中空物體的形狀可以是管狀。在某些實施方式中，球形中空物體可具有約50nm至750nm的直徑，并且在一些實施例中，管狀中空物體可具有約50nm的直徑并且長度可為750nm或更大。在一些實施例中，中空物體52可足夠小以至于不能由OLED堆疊體10的觀察者感知到，因為太大的顆粒在堆疊體10中在高光學放大倍數下可能顯現為暗點。中空物體52也可足夠大以散射可見光。
[0036]OLED堆疊體10中的散射中空物體52的最優大小和形狀的確定取決于OLED堆疊體10中有機層的厚度、電極材料的選擇、中空物體52在其分散于其中的層中的局部覆蓋度，以及中空物體52與OLED堆疊體10層的折射率對比度。這些不同參數的相對重要性可使用以下兩種理論的組合來估算:米氏散射理論(H.C.范德胡斯特，小顆粒的光散射，(丹佛，紐約，1981 年)(H.C.Van De Hulst, Light Scattering by Small Particles, (Dover,New York, 1981)))和輻射傳輸理論(J.J.項，A.R.杜格勒，應用物理雜志，第95卷，第2880頁，(2004 年)(J.J.Shiang, A.R.Duggal, Journal of Applied Physics, v01.95, pg2880,(2004)))，或者對于某些模型情況來說使用有限差分時域(FDTD)方法來計算。
[0037]例如，在一個實驗中，波長為550nm的光射向嵌入在光學指數為1.7的電介質中的折射率接近I的非吸收性球體。計算米氏散射性質，包括散射截面和光的角偏向的余弦期望值，這是光前向或后向散射的程度的度量。檢查在IOnm至IOOOnm范圍內的顆粒大小。基于所述結果，對于大小在約400nm至500nm之間的顆粒來說，散射截面以快于幾何截面的速率增大。另外，前向散射的程度增大。對于大小高于約500nm的顆粒來說，散射截面以與幾何截面近似成比例的方式增大。此外，由偏移角的余弦的期望值所限定的各向異性保持在0.8左右。將截面和各向異性結果用于輻射傳輸模型中，所述輻射傳輸模型計算出從光學指數為1.7的200nm厚的板條射出到空氣中的光的分數，假設朗伯發射器的輸入端位于與空氣相對的一側處。所述與空氣相對的一側假設是反射率為0.73的鏡子并且顆粒加載假設為5%的體積分數、均勻分散在整個層上。在這樣的加載分數下，由單次橫穿板條的光束帶來的散射的光的分數相對較小。小的加載分數可減小電惰性球體干擾OLED的電性質的程度。在這類低散射條件下，所提取光的總量增加，直至顆粒直徑達約200nih(即，與層的厚度相當)。對于IOOOnm厚的板條來說,顆粒的直徑可為約200nm,并且計算出的光輸出可從0.33 (IOnm的球體)增加到0.36 (50nm的球體)直至0.50 (200nm的球體)。因此，在各種實施例中，中空物體52的顆粒大小的范圍為從約0.01微米的直徑到約10微米的直徑，確切地說從約0.01微米的直徑到約I微米的直徑，更確切地說從約0.05微米的直徑到約0.2微米的直徑。中空物體52的形狀可以是球形(即，中空球體)或管狀。管狀中空物體
52可具有約50nm的直徑并且長度可為750nm或更大。
[0038]OLED堆疊體10的有機層可為約IOOnm厚，盡管在一些實施例中，OLED堆疊體10中的層的厚度可取決于所述裝置的構造和/或待發射光的所需波長而變化。在中空物體52的直徑大于分散中空物體52于其中的層20的厚度的實施例中，層20可在中空物體52上形成圓頂，如圖4中所示的球形中空物體。沉積在形成于中空物體52上的圓頂上的層可同樣是圓頂形的，這可顯著地增強光散射，尤其是對于反射性(金屬)頂部電極層來說。在中空物體52的直徑小于分散中空物體52于其中的層20的厚度的實施例中，如圖5中所示的管狀中空物體52，中空物體52可懸浮在層20中。雖然根據本發明的實施例，中空物體52在圖4和圖5中示出為分散在電子傳輸層20中，但中空物體52可在OLED堆疊體10的任何一個層或多個層中實施。
[0039]圖6是表示具有分散在堆疊體10的多個不同層中的中空物體52的OLED堆疊體10的側視圖圖示。例如，中空物體52可分散在電子傳輸層20、空穴傳輸層24、空穴注入層26和/或基板28中。中空物體52可散射由發射層22發射的光，如箭頭62所表示，從而提高由發射層20發射的光從基板28透射出去的百分率。在一些實施例中，與不具有中空物體的相當堆疊體的發光相比，在使用相同激發電壓的條件下，應用了用于光散射的中空物體的OLED堆疊體10的發光可提高約20%。
[0040]應當指出的是，如前文所討論，OLED堆疊體10可包括各種額外層，并且中空物體52可分散在OLED裝置的所示層或其他額外層中的一個或多個層中。例如，在一些實施例中，OLED堆疊體10可包括設置在陰極12上的功能層，如封裝層。此外，OLED堆疊體10可包括設置在基板28上、陽極14下方的平坦化層或平滑層。在一些實施例中，中空物體52可分散在所述功能層或平滑層和/或OLED堆疊體10的其他層中，以便增加從OLED堆疊體10散射出去的光。
[0041]本說明書使用了各種實例來公開本發明，包括最佳模式，同時也讓所屬領域的任何技術人員能夠實施本發明，包括制造并使用任何裝置或系統，以及實施所涵蓋的任何方法。本發明的保護范圍由權利要求書界定，并且可包含所屬領域的技術人員想出的其他實例。如果其他此類實例的結構要素與權利要求書的字面意義相同，或如果此類實例包含的等效結構要素與權利要求書的字面意義無實質差別，則此類實例也應在權利要求書的范圍內。
【權利要求】
1.一種有機發光二極管即OLED裝置，其包括: 底部電極； 設置在所述底部電極上的多個有機層，其中所述多個有機層中的一個或多個包括分散的中空物體；以及 設置在所述多個有機層上的頂部電極。
2.如權利要求1所述的OLED裝置，其包括基板，所述基板包括玻璃、塑料、其他合適的透明材料或其組合。
3.如權利要求2所述的OLED裝置，其中所述基板包括分散的中空物體，當所述OLED裝置發射光時，所述分散的中空物體將光從所述OLED裝置散射出去。
4.如權利要求2所述的OLED裝置，其包括設置在所述基板上的平滑層，其中所述平滑層包括分散的中空物體。
5.如權利要求1所述的OLED裝置，其中所述多個有機層包括電子注入層、電子傳輸層、發射層、空穴傳輸層、空穴注入層或其組合。
6.如權利要求5所述的OLED裝置，其中所述中空物體分散在所述電子傳輸層、所述空穴傳輸層或所述空穴注入層中的一個或多個中。
7.如權利要求1所述的OLED裝置，包括設置在所述頂部電極上的中空物體。
8.如權利要求1所述的OLED裝置，其包括設置在所述頂部電極上的功能層，其中所述功能層包括分散的中空物體。
9.如權利要求1所述的OLED裝置，其中所述中空物體包括多個中空球形物體、中空管狀物體、纖維形物體或其組合。
10.如權利要求1所述的OLED裝置，其中所述中空物體包括設置在大致中空芯周圍的含二氧化硅材料。
11.如權利要求1所述的OLED裝置，其中所述中空物體具有約為I的折射率。
12.如權利要求1所述的OLED裝置，其中所述中空物體的直徑為約0.01微米至約10微米。
13.如權利要求1所述的OLED裝置，其中所述中空物體的直徑小于所述中空物體分散于其中的所述多個有機層之一的厚度。
14.一種形成有機發光二極管即OLED裝置的方法，所述方法包括形成所述OLED裝置的多個層，其中所述多個層包括至少一個散射層，所述散射層包括分散的中空物體。
15.如權利要求14所述的方法，其中形成所述散射層包括: 在所述OLED裝置的平面上分散的中空物體；以及 在所述分散的中空物體上沉積材料以形成所述散射層。
16.如權利要求14所述的方法，其中形成所述散射層包括: 在材料中分散的中空物體；以及 沉積具有所述分散的中空物體的所述材料以形成所述散射層。
17.如權利要求14所述的方法，其中形成所述散射層包括使用旋轉流延、輥或刮刀或其組合。
18.如權利要求14所述的方法，其包括: 形成中空物體，其中形成中空物體包括:制備1?板顆粒； 在所述模板顆粒上形成涂覆層；以及 消除所述涂覆模板顆粒的芯，從而得到中空物體。
19.如權利要求14所述的方法，包括在將所述層沉積在所述分散的中空物體上之前處理所述OLED裝置的所述層，以使得所述中空物體懸浮在沉積的層中。
20.如權利要求14所述的方法，其中分散所述中空物體包括將中空物體散布在待沉積所述層在其上的區域的10%或更少之上。
21.如權利要求14所述的方法，其中沉積所述OLED裝置的所述層包括在所述中空物體上沉積電子傳輸層、空穴傳輸層或空穴注入層。
22.如權利要求14所述的方法，其中分散所述中空物體包括將所述中空物體分散在所述OLED裝置的一個以上的平面上，并且其中沉積所述OLED裝置的所述層包括將所述OLED裝置的不同層沉積在所述一個以上的帶分散的中空物體的平面中的每一個上。
23.一種有機發光二極管即OLED堆疊體，其包括: 透明基板； 設置在所述透明基板上的導電性材料； 設置在所述導電性透明材料上的第一非發射有機材料； 設置在所述第一非發射有機材料上的電致發光材料； 設置在所述電致發光材料上的第二非發射有機材料； 分散在所述第一非發射有機材料`、所述第二非發射有機材料或兩者中的中空物體；以及 設置在所述第二非發射有機材料上的導電性材料。
24.如權利要求23所述的OLED堆疊體，其中所述中空物體具有大致類似于空氣反射率的反射率。
25.如權利要求23所述的OLED堆疊體，其中所述中空物體包括二氧化硅殼體和中空-!-HΛ ο
【文檔編號】H01L51/52GK103828084SQ201280047897
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2012年9月4日 優先權日:2011年9月30日
【發明者】C.M.A.赫勒, M.D.巴茨, J.J.向, J.J.劉, K.H.賈諾拉 申請人:通用電氣公司