浮柵及其形成方法、閃存單元及其形成方法
【專利摘要】一種浮柵及其形成方法、閃存單元及其形成方法，所述浮柵的形成方法包括提供半導體襯底；在所述半導體襯底上形成柵介質層；在所述柵介質層上形成浮柵層；在所述浮柵層摻入氟離子；進行退火處理。本發明提供的浮柵的形成方法通過在所述浮柵層摻入氟離子，并進行退火處理激活所述氟離子，使所述氟離子與位于多晶硅晶界處的活躍硅原子發生反應，達到鈍化晶界處硅原子的效果，從而提高后續利用所述浮柵形成的閃存單元的數據保存性能。
【專利說明】浮柵及其形成方法、閃存單元及其形成方法

【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體【技術領域】，特別是涉及浮柵及其形成方法、閃存單元及其形成方法。

【背景技術】
[0002]在半導體產業中，集成電路的產品主要分為三大類型:模擬電路、數字電路和數/模混合電路，其中存儲器件是數字電路中一個重要組成。存儲器件中的非易失存儲器包括電可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦除編程只讀存儲器(EEPROM)和閃存(flashmemory)。與其它的非易失性存儲器相比，閃存具有存儲數據的非易失性、低功耗、集成度高、較快的存取速度、易于擦除和重寫以及低成本等特性，因此，閃存被廣泛地應用于各個領域，如嵌入式系統、計算機、電信交換機和蜂窩電話等。
[0003]閃存的標準物理結構稱為閃存單元(bit)，閃存單元的結構具有控制柵(controlgate,CG)和導電溝道,控制柵與導電溝道間具有浮柵(floating gate,FG)。由于浮柵的存在，使閃存可以完成三種基本操作模式:讀、寫和擦除，并且由于浮柵的存在，即便在沒有電源供給的情況下，閃存單元仍然可以保持存儲數據的完整性。
[0004]閃存單元的一個重要的性能是數據保存性能(data retent1n),數據保存性能是指閃存單元對數據持久完整保存的能力。現已發現，現有閃存單元在使用不久后就會出現數據流失的現象，并且溫度越高，數據流失的現象越明顯。請參考圖1，圖1顯示了現有閃存單元接受烘烤測試前后的閾值電壓變化，在未進行測試時，一個閃存產品中，全部閃存單元的閾值電壓呈正態分布曲線I所示，但是在烘烤測試之后，全部閃存單元的閾值電壓呈正態分布曲線2所示，可見在烘烤測試期間，閃存單元的閾值電壓發生了偏移，從圖1中還可以看到閾值電壓偏移量△ V，閾值電壓偏移是因為發生了數據流失。由此可知，現有閃存單兀的數據保存性能有待提聞。
[0005]為此，需要一種新的閃存單元及其形成方法，以提高閃存單元的數據保存性能。


【發明內容】

[0006]本發明解決的問題是提供一種浮柵及其形成方法、閃存單元及其形成方法，以提高閃存單元的數據保存性能。
[0007]為解決上述問題，本發明提供一種浮柵的形成方法，包括:
[0008]提供半導體襯底；
[0009]在所述半導體襯底上形成柵介質層；
[0010]在所述柵介質層上形成浮柵層；
[0011 ] 在所述浮柵層摻入氟離子；
[0012]進行退火處理。
[0013]可選的，采用原位摻雜方式在所述浮柵層摻入所述氟離子，所述氟離子的摻雜濃度范圍包括 lE17atom/cm3 ?lE20atom/cm3。
[0014]可選的，采用離子注入方式在所述浮柵層摻入所述氟離子，所述氟離子的注入濃度范圍包括lE13atom/cm2?lE16atom/cm2,注入能量范圍包括IKeV?lOOKeV。
[0015]可選的，所述退火處理的溫度范圍包括500°C?1000°C，時間范圍包括1s?10s0
[0016]可選的，所述浮柵層的材料包括多晶硅，其厚度范圍包括200埃?2000埃。
[0017]可選的，所述形成方法還包括:在所述浮柵層摻入導電離子。
[0018]可選的，采用原位摻雜方式在所述浮柵層摻入所述導電離子，所述導電離子的摻雜濃度為 lE17atom/cm3 ?lE20atom/cm3。
[0019]可選的，采用離子注入方式在所述浮柵層摻入所述導電離子，所述導電離子的注入濃度范圍包括lE13atom/cm2?lE16atom/cm2,注入能量范圍包括IKeV?lOOKeV。
[0020]可選的，所述導電離子包括磷離子或者砷離子。
[0021]為解決上述問題，本發明還提供了一種閃存單元的形成方法，包括如上所述的浮柵的形成方法。
[0022]為解決上述問題，本發明還提供了一種浮柵，包括:
[0023]半導體襯底；
[0024]柵介質層，位于所述半導體襯底上；
[0025]浮柵層，位于所述柵介質層和所述隔離結構上；
[0026]所述浮柵層中摻有氟離子。
[0027]可選的，所述氟離子的濃度范圍包括lE17atom/cm3?lE20atom/cm3。
[0028]為解決上述問題，本發明還提供了一種閃存單元，包括如上所述的浮柵。
[0029]與現有技術相比，本發明的技術方案具有以下優點:
[0030]本發明所提供的浮柵的形成方法中，在所提供半導體襯底上形成柵介質層，然后在所述柵介質層上形成浮柵層，并在所述浮柵層摻入氟離子，并進行退火處理。本發明提供的浮柵的形成方法通過在所述浮柵層摻入氟離子，并進行退火處理激活所述氟離子，使所述氟離子與位于多晶硅晶界處的活躍硅原子發生反應，形成硅氟共價鍵，從而可以達到鈍化晶界處硅原子的效果，防止晶界處硅原子與氫原子發生反應，從而防止最終所形成的閃存單元在使用中產生帶正電的硅原子，進而防止因存儲在浮柵層中的電子與帶正電的硅原子結合而引起的數據流失，即保證了閃存單元的數據不發生流失，提高閃存單元的數據保存性能。
[0031]進一步，采用原位摻雜在所述浮柵層摻入氟離子，節省工藝步驟，節約成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1為現有閃存單元接收烘烤測試前后的閾值電壓變化示意圖；
[0033]圖2至圖3為本發明實施例一浮柵的形成方法的示意圖；
[0034]圖4至圖7為本發明實施例二浮柵的形成方法的示意圖；
[0035]圖8為本發明實施例所提供的閃存單元樣本與現有閃存單元樣本在烘烤測試過程中時間-電阻變化率的比較圖。

【具體實施方式】
[0036]在閃存單元形成過程中，由于工藝的原因會帶入氫原子(H)，例如沉積形成多晶硅時，需要使用硅烷(SiH4),硅烷中即含有氫原子。氫原子會與浮柵層中位于多晶硅晶界處的硅原子形成硅氫共價鍵(S1-H)。硅氫共價鍵不穩定，易發生斷裂，一旦硅氫共價鍵發生斷裂，兩個氫原子組成一個氫分子逸出，但此時，原來硅氫共價鍵中的硅原子就會會缺少一個電子，此硅原子帶正電，不穩定，因此，此帶正電的硅原子會吸引存儲在浮柵層中的電子與之結合，從而形成穩定的硅原子結構。但是，存儲在浮柵層中的電子即存儲在浮柵層中的數據，一旦存儲在浮柵層中的電子與帶正電的硅原子結合，就會導致閃存單元的數據流失，從而使閃存單元的數據保存性能下降。
[0037]為此，本發明提供一種浮柵的形成方法，所述方法在形成浮柵層的過程中或者在形成浮柵層之后，在所述浮柵層摻入氟離子，并進行退火處理，使所述氟離子與位于多晶硅晶界處的高能量硅原子反應，形成硅氟共價鍵(S1-F)，氟的電負性極強，因此硅氟共價鍵鍵能大，十分穩定，不易發生斷裂，防止帶正電的硅原子的產生，從而防止后續存儲在浮柵層中的電子與帶正電的硅原子結合，保證閃存單元的數據不發生流失，提高閃存單元的數據保存性能。
[0038]為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施例做詳細的說明。
[0039]本發明實施例一首先提供一種浮柵的形成方法。
[0040]請參考圖2，提供半導體襯底10。
[0041]本實施例半導體襯底10中可以形成有隔離結構11，隔離結構11可以隔開相鄰閃存單元的有源區(未示出)，從而可使得多個閃存單元共用一個浮柵層。隔離結構11可以為淺溝槽隔離(STI)結構或者局部氧化硅(LOCOS)隔離結構，本實施例以淺溝槽隔離結構為例。
[0042]形成隔離結構11的過程可以包括以下步驟:在半導體襯底10上依次形成墊氧化層(未示出)和腐蝕阻擋層(未示出)，并依次蝕刻腐蝕阻擋層、墊氧化層和半導體襯底10，直至在半導體襯底10內形成溝槽(未示出)，在溝槽內表面形成襯氧化層(未示出)，采用化學氣相沉積法在溝槽內部、墊氧化層側壁和腐蝕阻擋層表面形成第一絕緣襯層，再形成覆蓋第一絕緣襯層并填滿溝槽的隔離絕緣層，平坦化隔離絕緣層至暴露出腐蝕阻擋層，依次去除腐蝕阻擋層和墊氧化層，形成淺溝槽隔離結構，即隔離結構11，此時隔離結構11的上表面通常高于半導體襯底10。
[0043]請繼續參考圖2，在半導體襯底10上形成柵介質層12。
[0044]本實施例可以采用化學氣相沉積法形成柵介質層12，并且柵介質層12可以同時位于隔離結構11上(未示出)。
[0045]本實施例中，柵介質層12的材料可以是二氧化硅，其厚度范圍可以包括50埃?200 埃。
[0046]請參考圖3，在柵介質層12上形成浮柵層13。
[0047]本實施例中，浮柵層13的材料可以是多晶硅，可以采用化學氣相沉積法形成浮柵層13。
[0048]本實施例在形成浮柵層13的過程中，采用原位(in-situ)摻雜的方法在浮柵層13摻入導電離子和氟離子，即在化學氣相沉積工藝過程中，在沉積氣體中加入導電離子和氟離子，這些導電離子和氟離子與用于生成多晶硅的硅烷等氣體一同沉積形成浮柵層13。
[0049]本實施例中，導電離子的類型可以是N型離子，具體可以是磷離子或者是砷離子坐寸ο
[0050]在浮柵層13摻入導電離子可以使浮柵層13具有導電和存儲電荷的性能。如果導電離子的原位摻雜濃度小于lE17atom/cm3，則所摻雜的導電離子不足以改變浮柵層13的功函數，導致浮柵層13的導電性能不良，閾值電壓不滿足要求；而如果導電離子的原位摻雜濃度大于lE20atom/cm3，則浮柵層13中的導電離子會達到飽和，并且有多余的導電離子，多余的導電離子不僅造成浪費，而且還可能發生團聚，對浮柵層13的電學性能產生不良影響。因此，本實施例中，導電離子的原位摻雜濃度范圍可以選擇為lE17atom/cm3?lE20atom/cm3。
[0051]在浮柵層13摻入氟離子可以鈍化浮柵層13。如果氟離子的原位摻雜濃度小于lE17atom/cm3，則所摻雜的氟離子不足以鈍化浮柵層13中所有多晶硅的晶界，即不足以鈍化浮柵層13 ;而如果氟離子的原位摻雜濃度大于lE20atom/cm3，則浮柵層13中的氟離子會達到飽和并且有多余的氟離子，多余的氟離子不僅造成浪費，而且還可能發生團聚，團聚的氟離子會對浮柵層13造成損害。因此，本實施例中，氟離子的原位摻雜濃度范圍可以選擇為 lE17atom/cm3 ?lE20atom/cm3。
[0052]請繼續參考圖3，對摻入有導電離子和氟離子的浮柵層13進行退火處理。
[0053]本實施例退火處理可以激活導電離子和氟離子。在退火處理過程中，所摻入的部分氟離子會與位于多晶硅晶界處的活躍硅原子反應生成硅氟共價鍵。需要說明的是，除了與硅原子形成硅氟共價鍵以外，在浮柵層13中還包括有游離的氟離子，這些氟離子同樣起到鈍化浮柵層13的作用，例如這些游離的氟離子能夠捕捉后續工藝中帶入的氫原子，從而防止浮柵層13中的多晶硅結構受到影響，因此保證浮柵層13的性質穩定。而浮柵層13的性質穩定就可以提高后續利用浮柵層13形成的閃存結構的數據保存性能。
[0054]本實施例退火處理的溫度范圍可以包括500°C?1000°C，時間范圍可以包括1s?100s，適當的提高溫度可以減少相應的退火時間，但是如果退火處理的溫度低于500°C并且退火處理時間小于10s，則不足以激活導電離子和氟離子，從而可能導致浮柵層13閾值電壓不滿足要求，并且導致無法達到鈍化浮柵層13的效果，而如果退火處理的溫度在1000°C以上并且退火處理時間大于100s，則可能對各半導體結構造成破壞，甚至造成所形成的硅氟共價鍵斷裂。
[0055]本實施例所提供浮柵的形成方法在形成浮柵層13的過程中，在浮柵層13摻入氟離子，并進行退火處理，在退火條件下，所述氟離子會與位于多晶硅晶界處的高能量硅原子發生反應，形成硅氟共價鍵(S1-F)，硅氟共價鍵的形成可以防止硅氫共價鍵的形成。并且氟的電負性極強，因此硅氟共價鍵鍵能大，十分穩定，即使溫度很高，也不易發生斷裂，防止帶正電的硅原子的產生，從而防止后續存儲在浮柵層中的電子與帶正電的硅原子結合，保證閃存單元的數據不發生流失，提高閃存單元的數據保存性能。同時，本實施例所提供的浮柵的形成方法采用原位摻雜的方式摻入導電離子和氟離子，不僅工藝簡單，而且工藝成本低。
[0056]本發明實施例二提供另外一種浮柵的形成方法。
[0057]請參考圖4，提供半導體襯底20。
[0058]半導體襯底20中形成有隔離結構21，本實施例中隔離結構21為淺溝槽隔離結構，可參考實施例一相應內容。
[0059]請繼續參考圖4，在半導體襯底20上形成柵介質層22。
[0060]本實施例同樣可以采用化學氣相沉積法形成柵介質層22，并且柵介質層22同時位于隔離結構21上(未示出)，可參考實施例一相應內容。
[0061]請參考圖5，在柵介質層22上形成浮柵層23。
[0062]本實施例中，浮柵層23的材料可以是多晶硅，可以采用化學氣相沉積法形成浮柵層23。
[0063]請參考圖6，本實施例在形成浮柵層23后，采用離子注入(1n implantat1n)的方法在浮柵層23摻入導電離子24，其中，導電離子24具體可以是磷離子或者是砷離子等。
[0064]在浮柵層23摻入導電離子24可以使浮柵層23具有導電和存儲電荷的性能。本實施例中，導電離子24的離子注入濃度范圍可以選擇為lE13atom/cm2?lE16atom/cm2,其原因可參考實施例一相應內容。
[0065]本實施例中采用離子注入方式摻入導電離子24時，采用的能量范圍可以包括IKeV?10KeV,如果能量小于IKeV，則可能導致導電離子24打入浮柵層23較淺的位置，而如果能量大于10KeV,則可能導致導電離子24穿過浮柵層23。
[0066]請參考圖7，本實施例在浮柵層23摻入導電離子24后，再次采用離子注入方式在摻入有導電離子24的浮柵層23摻入氟離子25。
[0067]在浮柵層23摻入氟離子25可以鈍化浮柵層23。本實施例中，氟離子25的離子注入濃度范圍可以選擇為lE13atom/cm2?lE16atom/cm2,其原因可參考實施例一相應內容。
[0068]本實施例中采用離子注入摻入氟離子25時，采用的能量范圍可以包括IKeV?10KeV,如果能量小于IKeV，則可能導致氟離子25打入浮柵層23較淺的位置，而如果能量大于10KeV,則可日g導致風尚子25芽過浮棚層23。
[0069]請繼續參考圖7，對摻入有導電離子24和氟離子25的浮柵層23進行退火處理。
[0070]本實施例退火處理的作用和原理可參考實施例一，本實施例退火處理的溫度范圍可以包括500°C?1000°C，時間范圍可以包括1s?100s，所述溫度范圍和時間范圍的選取原因可參考實施例一相應內容。
[0071]本實施例所提供浮柵的形成方法在形成浮柵層23之后，首先在浮柵層23中注入導電離子24，然后在具有導電離子24的浮柵層23注入氟離子25，并進行退火處理，在退火條件下，所述氟離子25會與位于多晶硅晶界處的高能量硅原子發生反應，形成硅氟共價鍵(S1-F)，從而防止硅氫共價鍵的形成。由于氟的電負性極強，因此硅氟共價鍵鍵能大，十分穩定，即使溫度較高，也不易發生斷裂，防止帶正電的硅原子的產生，從而防止后續存儲在浮柵層中的電子與帶正電的硅原子結合，保證閃存單元的數據不發生流失，提高閃存單元的數據保存性能。
[0072]需要說明的是，本實施例在浮柵層23注入導電離子24后，并且在浮柵層23注入氟離子25之前，可先進行一次退火處理，從而先激活導電離子24，所述退火處理的條件可以與后續退火處理的條件相同。
[0073]在本發明的其它實施例中，也可以先在浮柵層注入氟離子，然后在浮柵層注入導電離子。此時，同樣可以在每次離子注入之后都進行一次退火處理，也可以在兩次離子注入后一同進行一次退火處理。
[0074]在本發明的其它實施例中，也可以采用原位摻雜方式在浮柵層摻入導電離子，然后通過離子注入方式在浮柵層摻入氟離子，或者反過來，采用原位摻雜方式在浮柵層摻入氟離子，然后通過離子注入方式在浮柵層摻入導電離子。上述兩種方式都可以在一次摻入之后即進行一次退火處理，也可以在兩次摻入之后一同進行一次退火處理。
[0075]本發明所提供的浮柵的形成方法可以采用多種方案，因此具有工藝靈活的優點，同時，所采用的工藝為原位摻雜或者離子注入，技術成熟，工藝簡單，并且工藝成本低。
[0076]本發明實施例三提供一種閃存單元的形成方法，所述閃存單元的形成方法可以采用實施例一或者實施例二中的任意一種浮柵的形成方法形成浮柵層，然后在浮柵層上形成氧化物-氮化物-氧化物(oxide-nitride-oxide, 0N0)層，并在ONO層上形成控制柵。
[0077]本實施例所提供的閃存單元的形成方法采用了實施例一或者實施例二中的任意一種浮柵的形成方法形成浮柵層，因此，所述浮柵層摻入有氟離子，并且進行了退火處理，即所述浮柵層被所述氟離子鈍化，從而使得浮柵層的電性能穩定，從而防止后續存儲在浮柵層的電荷流失，提高了閃存單元的數據保存性能。并且本實施例所提供的閃存單元的形成方法可以采用多種方式形成所述浮柵，因此具有工藝靈活的優點，同時，所采用的工藝為原位摻雜或者離子注入，技術成熟，工藝簡單，并且工藝成本低。
[0078]本發明實施例四提供一種浮柵，所述浮柵具有半導體襯底，所述半導體襯底中具有用于隔離有源區的隔離結構，所述隔離結構的表面高于所述半導體襯底，所述半導體襯底上具有柵介質層，浮柵層位于所述柵介質層上和所述隔離結構上，其中所述浮柵層中摻有氟離子。本實施例中，所述浮柵層的材料包括多晶硅，部分所述氟離子與位于多晶硅晶界處的活躍硅原子形成硅氟鍵，從而使浮柵層被鈍化。
[0079]本實施例所提供的浮柵可以由實施例一或者實施例二中的任意一種浮柵的形成方法形成，并且，所述浮柵層中所述氟離子的濃度范圍包括lE17atom/cm3?lE20atom/cm3,可參考實施例一或者實施例二相應內容。
[0080]本實施例所提供的浮柵中，由于所述浮柵層中摻入有氟離子，因此浮柵層被鈍化，從而使得浮柵層的電性能穩定，從而防止后續存儲在浮柵層的電荷流失，提高了具有此浮柵的閃存單元的數據保存性能。
[0081]本發明實施例五還提供一種閃存單元，所述閃存單元包括有本發明實施例四所提供的浮柵。
[0082]由于本發明實施例所提供的浮柵中，所述浮柵層中所述氟離子的濃度范圍包括lE17atom/cm3?lE20atom/cm3，因此本發明所提供的閃存單元中，所述浮柵層中所述氟離子的濃度范圍亦包括lE17atom/cm3?lE20atom/cm3。
[0083]本實施例所提供的閃存單元中，由于所述浮柵層中摻入有氟離子，因此浮柵層被鈍化，從而使得浮柵層的電性能穩定，從而防止后續存儲在浮柵層的電荷流失，提高了閃存單元的數據保存性能。
[0084]請參考圖8，圖8為本發明實施例所提供的閃存單元樣本與現有閃存單元樣本在烘烤測試過程中時間-電阻變化率的比較圖。
[0085]圖8顯示了在兩個不同烘烤測試溫度條件下兩組閃存單元樣本的時間-電阻變化率曲線，其中虛線(…)所代表的是在100°c條件下進行烘烤測試的一組閃存單元樣本的時間-電阻變化率曲線，而實線(一)所代表的是在150°c條件下進行烘烤測試的一組閃存單元樣本的時間-電阻變化率曲線。
[0086]本實施例中，兩組閃存單元樣本均包括一個現有閃存單元樣本和三個本實施例所提供的閃存單元樣本。每組閃存單元樣本中，現有閃存單元樣本所測得的時間-電阻變化率坐標用“O”表示，現有閃存單元的浮柵層未摻入有氟離子；第一個樣本所測得的時間-電阻變化率坐標點用“ + ”表示，第一個樣本的浮柵層摻入的氟離子濃度為1.9E19atom/cm3 ;第二個樣本所測得的時間-電阻變化率坐標點用“X”表示，第二個樣本的浮柵層摻入的氟離子濃度為5.7E19atom/cm3 ;第三個樣本所測得的時間-電阻變化率坐標點用“ Λ ”表示，第三個樣本的浮柵層摻入的氟離子濃度為9.4E19atom/cm3。
[0087]從圖8中可以看出，兩組閃存單元樣本均表現出同樣的規律，即:在經過相同的測試時間后，本實施例所提供的三個閃存單元樣本的電阻變化率均小于現有閃存單元樣本的電阻變化率，并且本實施例所提供的三個閃存單元樣本中，摻入的氟離子濃度越高，則電阻變化率隨時間的變化越小。并且在100°c的烘烤測試條件下，浮柵層摻入氟離子濃度為5.7E19atom/cm3或9.4E19atom/cm3的閃存單元在經過800小時之后，電阻變化率仍然不會超過0.005。有此可知，本實施例所提供的三個閃存單元樣本的數據保存性能比現有閃存單元樣本的數據保存性能好，并且，在浮柵層摻入的氟離子濃度范圍在O?9.4E19atom/cm3時，浮柵層摻入的氟離子濃度越高，則對應的閃存單元樣本的數據保存性能越好。
[0088]雖然本發明披露如上，但本發明并非限定于此。任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。
【權利要求】
1.一種浮柵的形成方法，其特征在于，包括: 提供半導體襯底； 在所述半導體襯底上形成柵介質層； 在所述柵介質層上形成浮柵層； 在所述浮柵層摻入氟離子； 進行退火處理。
2.如權利要求1所述的浮柵的形成方法，其特征在于，采用原位摻雜方式在所述浮柵層摻入所述氟離子，所述氟離子的摻雜濃度范圍包括lE17atom/cm3?lE20atom/cm3。
3.如權利要求1所述的浮柵的形成方法，其特征在于，采用離子注入方式在所述浮柵層摻入所述氟離子，所述氟離子的注入濃度范圍包括lE13atom/cm2?lE16atom/cm2,注入能量范圍包括IKeV?lOOKeV。
4.如權利要求1所述的浮柵的形成方法，其特征在于，所述退火處理的溫度范圍包括500°C?1000°C，時間范圍包括1s?100s。
5.如權利要求1所述的浮柵的形成方法，其特征在于，所述浮柵層的材料包括多晶硅，其厚度范圍包括200埃?2000埃。
6.如權利要求1所述的浮柵的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括:在所述浮柵層摻入導電離子。
7.如權利要求6所述的浮柵的形成方法，其特征在于，采用原位摻雜方式在所述浮柵層摻入所述導電離子，所述導電離子的摻雜濃度為lE17atom/cm3?lE20atom/cm3。
8.如權利要求2所述的浮柵的形成方法，其特征在于，采用離子注入方式在所述浮柵層摻入所述導電離子，所述導電離子的注入濃度范圍包括lE13atom/cm2?lE16atom/cm2,注入能量范圍包括IKeV?lOOKeV。
9.如權利要求2所述的浮柵的形成方法，其特征在于，所述導電離子包括磷離子或者砷離子。
10.一種閃存單元的形成方法，其特征在于，包括如權利要求1至9任一項所述的浮柵的形成方法。
11.一種浮柵，其特征在于，包括: 半導體襯底； 柵介質層，位于所述半導體襯底上； 浮柵層，位于所述柵介質層上； 所述浮柵層中摻有氟離子。
12.如權利要求11所述的浮柵，其特征在于，所述氟離子的濃度范圍包括lE17atom/cm3 ?lE20atom/cm3。
13.一種閃存單元，其特征在于，包括如權利要求11或12所述的浮柵。
【文檔編號】H01L27/115GK104425226SQ201310365627
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月20日 優先權日:2013年8月20日
【發明者】陳勇 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司