專利名稱：鐵電薄膜電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及用于鐵電存儲(chǔ)器的鐵電薄膜電容，屬于鐵電薄膜技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
鐵電存儲(chǔ)器是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器，它采用人工合成的鉛鋯鈦PZT材料形成存儲(chǔ)器結(jié)晶體。鐵電存儲(chǔ)器在掉電后仍然能夠繼續(xù)保存數(shù)據(jù)，寫入速度快且具有無限次寫入壽命，不容易寫壞。因此，與閃存和EEPROM等較早期的非易失性內(nèi)存技術(shù)比較，鐵電存儲(chǔ)器具有更高的寫入速度和更長(zhǎng)的讀寫壽命。PZT鐵電電容作為鐵電存儲(chǔ)器的主要存儲(chǔ)介質(zhì)，具有較大的疲勞速率和較差的漏電流特性，由于在金屬Pt上制備的鐵電薄膜結(jié)晶性能較差，使得PZT鐵電電容的性能差，漏電流大。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型是為了解決現(xiàn)有PZT鐵電電容的性能差及漏電流大的問題，提供了一種鐵電薄膜電容。本實(shí)用新型所述鐵電薄膜電容，它包括硅基底層，它還包括六個(gè)上電極、六個(gè)上電極緩沖柱、鐵電薄膜層、下電極緩沖層、下電極層和阻擋層；所述鐵電薄膜層為摻鉭的鉛鋯鈦薄膜層，該鐵電薄膜層的厚度為400nm至480nm ；硅基底層上由下至上順次粘接固定阻擋層、下電極層、下電極緩沖層和鐵電薄膜層，鐵電薄膜層的上表面上均勻分布六個(gè)上電極緩沖柱，每個(gè)上電極緩沖柱上均設(shè)置一個(gè)上電極。所述上電極為鋁電極，下電極層為鉬電極層。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型所述鐵電薄膜電容的結(jié)晶性能好，具有良好的疲勞特性及鐵電性，漏電流較小。本實(shí)用新型所述鐵電薄膜電容在制備的時(shí)候，所需硅基底層的溫度較低，與集成工藝的兼容性好。

圖1是本實(shí)用新型所述鐵電薄膜電容的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
具體實(shí)施方式
一:下面結(jié)合圖1說明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式所述鐵電薄膜電容，它包括硅基底層1，它還包括六個(gè)上電極2、六個(gè)上電極緩沖柱3、鐵電薄膜層4、下電極緩沖層5、下電極層6和阻擋層7;所述鐵電薄膜層4為摻鉭的鉛鋯鈦薄膜層，該鐵電薄膜層4的厚度為400nm至480nm ；[0014]硅基底層I上由下至上順次粘接固定阻擋層7、下電極層6、下電極緩沖層5和鐵電薄膜層4，鐵電薄膜層4的上表面上均勻分布六個(gè)上電極緩沖柱3，每個(gè)上電極緩沖柱3上均設(shè)置一個(gè)上電極2。本實(shí)施方式中，上電極緩沖柱3和下電極緩沖層5均采用超大磁電阻材料制成；上電極緩沖柱3的厚度為120-180nm ;下電極緩沖層5的厚度為10_15nm ;阻擋層7為二氧化硅阻擋層。
具體實(shí)施方式
二:本實(shí)施方式為對(duì)實(shí)施方式一的進(jìn)一步說明，本實(shí)施方式所述上電極2為鋁電極，下電極層6為鉬電極層。本實(shí)施方式中，下電極層6的厚度為120-180nm，上電極2的厚度為100_120nm。
權(quán)利要求1.一種鐵電薄膜電容,它包括娃基底層(I)，其特征在于，它還包括六個(gè)上電極(2)、六個(gè)上電極緩沖柱(3)、鐵電薄膜層(4)、下電極緩沖層(5)、下電極層(6)和阻擋層(7)； 所述鐵電薄膜層(4)為摻鉭的鉛鋯鈦薄膜層，該鐵電薄膜層(4)的厚度為400nm至480nm ； 硅基底層(I)上由下至上順次粘接固定阻擋層(7)、下電極層(6)、下電極緩沖層(5)和鐵電薄膜層(4)，鐵電薄膜層(4)的上表面上均勻分布六個(gè)上電極緩沖柱(3)，每個(gè)上電極緩沖柱(3)上均設(shè)置一個(gè)上電極(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鐵電薄膜電容，其特征在于，所述上電極(2)為鋁電極，下電極層(6)為鉬電極層。
專利摘要鐵電薄膜電容，屬于鐵電薄膜技術(shù)領(lǐng)域。它解決了現(xiàn)有PZT鐵電電容的性能差及漏電流大的問題。它包括硅基底層，它還包括六個(gè)上電極、六個(gè)上電極緩沖柱、鐵電薄膜層、下電極緩沖層、下電極層和阻擋層；所述鐵電薄膜層為摻鉭的鉛鋯鈦薄膜層，該鐵電薄膜層的厚度為400nm至480nm；硅基底層上由下至上順次粘接固定阻擋層、下電極層、下電極緩沖層和鐵電薄膜層，鐵電薄膜層的上表面上均勻分布六個(gè)上電極緩沖柱，每個(gè)上電極緩沖柱上均設(shè)置一個(gè)上電極。本實(shí)用新型作為一種鐵電薄膜電容。
文檔編號(hào)H01L23/64GK203013715SQ20132004251
公開日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2013年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月25日
發(fā)明者周靜, 謝文廣, 李鐘婧 申請(qǐng)人:黑龍江大學(xué)