導磁式半導體封裝結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及的一種導磁式半導體封裝結構，包括被封裝半導體器件、氟硅橡膠層、導磁材料層和環氧樹脂層，氟硅橡膠層覆蓋被封裝半導體器件，導磁材料層覆蓋氟硅橡膠層，環氧樹脂層覆蓋導磁材料層。本實用新型產生的有益效果是：采用導磁材料層位于氟硅橡膠層和環氧樹脂層之間，可以起到磁屏蔽的作用。
【專利說明】導磁式半導體封裝結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體封裝【技術領域】，更確切地說是涉及一種導磁式半導體封裝結構。
【背景技術】
[0002]在半導體封裝技術方面，現有的技術通常采用環氧樹脂進行封裝，環氧樹脂的磁屏蔽性能很差，難以滿足磁屏蔽半導體封裝的需要。
[0003]由此可見，上述現有半導體封裝結構亟待加以改進。

【發明內容】

[0004]本實用新型所要解決的主要技術問題在于，克服現有的半導體封裝結構存在的缺陷，而提供一種導磁式半導體封裝結構。
[0005]本實用新型解決其主要技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本實用新型提出的一種導磁式半導體封裝結構，包括被封裝半導體器件、氟硅橡膠層、導磁材料層和環氧樹脂層，氟硅橡膠層覆蓋被封裝半導體器件，導磁材料層覆蓋氟硅橡膠層，環氧樹脂層覆蓋導磁材料層。
[0006]本實用新型的有益效果在于，采用導磁材料層位于氟硅橡膠層和環氧樹脂層之間，可以起到磁屏蔽的作用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本實用新型的截面結構示意圖。
[0008]附圖標記說明:1、被封裝半導體器件；2、氟硅橡膠層；3、導磁材料層；4、環氧樹脂層。
【具體實施方式】
[0009]以下結合附圖及較佳實施例，對依據本實用新型提出的其【具體實施方式】、結構、特征及其功效，詳細說明如后。
[0010]請參閱圖1所示，本實用新型的一種導磁式半導體封裝結構，包括被封裝半導體器件1、氟硅橡膠層2、導磁材料層3和環氧樹脂層4，氟硅橡膠層2覆蓋被封裝半導體器件1，導磁材料層3覆蓋氟硅橡膠層2，環氧樹脂層4覆蓋導磁材料層3。
[0011]以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制，凡是依據本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型技術方案的范圍內。
【權利要求】
1.導磁式半導體封裝結構，其特征在于:所述導磁式半導體封裝結構包括被封裝半導體器件、氟硅橡膠層、導磁材料層和環氧樹脂層，所述氟硅橡膠層覆蓋被封裝半導體器件，所述導磁材料層覆蓋氟硅橡膠層，所述環氧樹脂層覆蓋導磁材料層。
【文檔編號】H01L23/31GK203466177SQ201320512681
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2013年8月22日 優先權日:2013年8月22日
【發明者】蘇攀, 王雪松, 游平 申請人:江西創成半導體有限公司