技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實(shí)施例提供了具有最佳應(yīng)變的源極漏極凹槽輪廓的半導(dǎo)體器件、FinFET器件及其形成方法。一個(gè)半導(dǎo)體器件包括襯底、位于襯底上方的柵極堆疊件以及位于襯底的凹槽中和柵極堆疊件旁邊的應(yīng)變層。此外，凹槽的最大寬度處的深度與柵極堆疊件的寬度的比率在從約0.5至0.7的范圍。

技術(shù)研發(fā)人員：夏英庭;林琨祐;王英名;許立德
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.05
技術(shù)公布日：2017.10.03